JP2771150B2 - 斜入射用露光マスク - Google Patents
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Description
グラフィー(lithography)工程に用いられ
る露光マスクのうち、斜入射(off−axis il
lumination)用露光マスク(raticl
e)に関し、特に一つの露光マスク上に種々な大きさの
パターン等が形成されている場合、焦点深度(dept
h offocus)が下がるある程度以上の大きさを
有するスペースに別途の補助パターン等を添加して他の
部分と同じ焦点深度を有するよう工程余裕度を増加さ
せ、工程収率及び素子動作の信頼性を向上させることが
できる半導体素子用露光マスクに関する。
装置の精度、光の波長等のような数多い制約要因により
ある程度以下の微細パターンを形成することができな
い。例えば、用いられる光波長がそれぞれ436、36
5及び248nmであるG−ライン、i−ライン及びK
rFアクシマレーザを光源に用いる縮小露光装置の工程
分解能は、約0.7μm、0.5μm、0.3μm程度
の大きさのライン/スペースを形成する程度が限界であ
る。さらに、前記のように縮小露光装置(steppe
r)の光分解能限界値以下の微細パターンを形成するた
め露光装置の光波長を短くしてX−線縮小露光装置を用
いたり、レンズ口径及び装備の精度を増加させ、露光マ
スクで位相反転マスクを用いたりする。図1及び図2に
示したように、従来では透明基板(5)上に光遮断膜パ
ターン(1)等が形成されている露光マスク(1)上に
垂直入射される光(4)が幅が夫々1′、1である露光
マスクの微細パターン(2)、(3)を通過した後、対
物レンズ(projection lens)を透過し
てウェーハ上にイメージ像を形成する。しかし、前記の
ような垂直入射方式は光が露光マスクのパターンの間の
スリットを過ぎる際、微細なパターンの影響で光に回折
して0次光(7)及び1次光(6)に大きく分離され
る。ここで、スリット間隔が大きいパターン(2)は殆
ど0次光であり、回折角がθ1で比較的小さい1次光で
あり、微細なパターン(3)は比較的大きい回折角θ2
である±1次光の強さが増加され、対物レンズの曲率半
径と焦点距離により0次光(7)と±1次光(6)の間
には光経路(optical path)差が発生して
イメージコントラストを下げる問題点がある。このよう
な問題点を解決するため回折された光の±1次光のう
ち、いずれか一つを除去するため縮小露光装置に変形照
明器具(modified illumination
aperture)を取り付ける斜入射露光方法を用い
る。前記の斜入射露光法は図3に示しているように、垂
直入射された光(10)が変形照明器具(12)の斜入
射ホール(11)を通過して露光マスク(13)に傾斜
入射され、光が露光マスク(13)を通過した光はパタ
ーンイメージを有し回折により0次光(7)と±1次光
(6)、(14)に分かれる。その次に、光遮断器具
(15)を通過する際、±1次光(14)の中のいずれ
か一つが除去され、対物レンズ(16)を通過してウェ
ーハ(17)にイメージを形成する。この際、対物レン
ズ(15)の曲率半径を中心に0次光(7)と±1次光
(6)の中のいずれか一つの光との光経路差がなくなり
工程マジンを向上させる。前記のような従来技術に伴う
斜入射露光工程は図4に示しているように、入射光が0
次光及び±1次光に分かれる適当な大きさの微細パター
ン(S1)の場合にはイメージコントラストが向上する
が、パターン間のスペースが大きいパターン(S2)の
場合には入射光の回折による分離が起こらず、±1次光
全てが対物レンズを通過するようになり、ウェーハ上に
露光する光の強度が他の部分と差が生じることになり1
8のように却って焦点深度が下がる問題点がある。
問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、
焦点深度が最適なパターンより大きいスペースを有する
パターンのスペース部分に別途の補助パターンを添付し
最大の焦点深度を有するようにしてイメージコントラス
トを増加させ、微細パターン形成が容易であり工程余裕
度を増加させて工程収率及び素子動作の信頼性を向上さ
せることができる斜入射用露光マスクを提供することに
ある。
するための本発明に伴う斜入射用露光マスクの特徴は、
種々なスペースを有する光遮断膜パターン等が透明基板
上に形成されている斜入射用露光マスクにおいて、前記
光遮断膜パターン等のうちの最少スペースを有するパタ
ーンよりスペースが大きいパターンに対し、スペースの
内側に光分解能より小さな大きさの多数個の補助パター
ンを備えることにある。
し、添付図面を参照して詳細に説明する。図5及び図6
は、本発明に件う斜入射用露光マスクを説明するための
図面等で、多様な形態の補助パターンを備えた例とし
て、相互連関させ説明する。先ず、石英等の透明基板
(5)上に多様な大きさのスペースを有するクロムパタ
ーンでなる光遮断膜パターン(1)が形成されており、
最大の焦点深度を有するスペース大きさ(16 )のパタ
ーン(3)より大きいスペース(11+12+13、1
4+15 )を有するパターン(2)、例えぱiラインの
場合0.4〜1.0μm程度の大きさのスペースにドッ
ト状や突起状の補助パターン(9)、(8)等が形成さ
れている。前記補助パターン(8)、(9)等の大きさ
(12 )、(14 )は夫々ウェーハ上にイメージを形成
しない程度の大きさ、例えばiライン露光の場合、ウェ
ーハ上に照射されるイメージの大きさが一辺が0.1〜
0,3μmを過ぎない程度の大きさに形成し、前記補助
パターン等(8)、(9)はスペースの一側又は、両側
に交互に配置し枝葉的なスペース(13 )が最大焦点深
度を有するスペース大きさ(16)と相似する程度の大
きを有するようにする。具体的に縮小露光装置の光波長
λに対し前記補助パターン等(8)、(9)の小さい幅
が約λの1/2〜4倍程度以下の大きさに設定する。さ
らに、好ましくは11 と12 を同様の大きさになるよう
にする。前記で突起状の補助パターン(8)と塗布状の
補助パターン(9)を一つのスペースに共に用いること
も可能であり、塗布状の補助パターン(9)は交互に配
置された2列を示したが、非常に大きいスペースを有す
るパターンの場合には多数列の塗布パターンを形成する
こともできる。前記のような補助パターン等(8)、
(9)を備える露光マスクは、図4に太い線(19)で
示すように種々な大きさのスペース等が全て同じ焦点深
度を有する。前記ではライン/スペースパターンを例に
挙げたが、フィルド酸化膜パターンや、メモリ領域と周
辺回路領域に亘って形成される全ての形態のパターン等
に適用することができる。例えば、斜入射用露光マスク
がコンタクトホールマスクである場合、前記の補助パタ
ーン等をコンタクトホールの内側に形成するがその大き
さは前述した条件に従う。尚、前記補助パターン等は位
相反転物質や、SOG、窒化膜、TiN、硬化された感
光膜又は、透過率1〜10%程度の半透明物質を用い
る。
入射用露光マスクは多様な大きさのスペースが一つの露
光マスクに形成される場合、最大の焦点深度(focu
slatitude margin)を有するスペース
パターンの大きさより、斜入射露光に不適切な大きいス
ペースを有するスペースパターンでマスク全体の回折角
が同じか、類似させるため補助パターン等を形成する
が、前記補助パターンはウェーハ上にイメージを形成し
ない程度の大きさを有する突起又は、ドット状を反復配
列させ枝葉的なスペースの大きさが最大焦点深度を有す
るようスペースの大きさと近似させ、大きいスペースで
形成される小さいポーカス工程マージンを小さいスペー
スパターンでの大きいポーカス工程マージンのように有
するようにし.て半導体素子形成の工程余裕度が均一に
大きくなり、パターンの不均一性も改善され、素子動作
の信頼性及び工程収率を向上させることができる利点を
有する。
図2は、図1での線A−A′に伴う断面図。図3は、斜
入射露光工程を説明するための斜入射露光装置の概略
図。図4は、斜入射露光でパターンのスペースの大きさ
に対する焦点深度グラフ。図5は、本発明に伴う斜入射
用露光マスクの平面図。図6は、図5での線B−B′に
伴う断面図。
スペースパターン 3:最小スペースパターン 4:斜入射
光 5:透明基板 6、14:
±1次光 7:0次光 8:突起型
補助パターン 9:ドット型補助パターン 10:垂直
入射光 11:斜入射ホール 12:変形
照明器具 13;露光マスク 15:光遮
断器具 16:対物レンズ 17:ウェ
ーハ 18:従来斜入射用露光マスクのグラフ 19:本発明に伴う斜入射用露光マスクのグラフ
Claims (6)
- 【請求項1】多様なスペースを有する光遮断膜パターン
が透明基板上に形成されている斜入射用露光マスクにお
いて、 前記光遮断膜パターンの中、最小スペースを有するパタ
ーンよりスペースの大きいパターンに対し、スペースの
内側にパターン形成ができない小さな大きさの多数個の
突起又はドット状の補助パターンを備えて同様な大きさ
のスペース幅を有するようにする斜入射用露光マスク。 - 【請求項2】前記補助パターンの大きさを露光マスク上
で、その大きさが露光源の波長λに比べ1/2乃至5倍
の大きさ以内にすることを特徴とする請求項1記載の斜
入射用露光マスク。 - 【請求項3】前記補助パターンを必要とするスペースの
大きさはiラインの場合、0.1〜1.0μmであるこ
とを特徴とする請求項1記載の斜入射用露光マスク。 - 【請求項4】前記補助パターンが多数列のドット状であ
ることを特徴とする請求項1記載の斜入射用露光マス
ク。 - 【請求項5】前記補助パターンが、SOG、窒化膜、T
iN、硬化した感光膜及び透過率1〜10%の半透明物
質でなる群から選択される任意に選択される一つの物質
で形成され露光光の強さを大きくし、回折角を保持する
ようにすることを特徴とする請求項1記載の斜入射用露
光マスク。 - 【請求項6】前記斜入射用露光マスクがコンタクトホー
ルを形成するために適用されるマスクである場合、前記
補助パターンがコンタクトホールの内側エッジ部分に形
成されていることを特徴とする請求項1記載の斜入射用
露光マスク。
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