JP2908100B2 - 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
投影露光装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2908100B2 JP2908100B2 JP4026467A JP2646792A JP2908100B2 JP 2908100 B2 JP2908100 B2 JP 2908100B2 JP 4026467 A JP4026467 A JP 4026467A JP 2646792 A JP2646792 A JP 2646792A JP 2908100 B2 JP2908100 B2 JP 2908100B2
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- light source
- shielding
- ratio
- lens
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩの製造に要す
る微細パターンを形成する投影露光装置、並びに半導体
装置の製造方法に関する。
る微細パターンを形成する投影露光装置、並びに半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に従来の投影露光装置の光学系を示
す。ランプハウス１の前方にミラー２を介してフライア
イレンズ３が配置されている。フライアイレンズ３の前
方にはアパーチャー部材４が位置し、さらに集光レンズ
５、６及びミラー７を介して所望の回路パターンが形成
された露光用マスク８が配置されている。マスク８の前
方には投影レンズ系９を介してウエハ１０が位置してい
る。アパーチャー部材４は、図８及び図９に示すよう
に、中央部に円形の開口部４ａが形成された円板形状を
有している。
す。ランプハウス１の前方にミラー２を介してフライア
イレンズ３が配置されている。フライアイレンズ３の前
方にはアパーチャー部材４が位置し、さらに集光レンズ
５、６及びミラー７を介して所望の回路パターンが形成
された露光用マスク８が配置されている。マスク８の前
方には投影レンズ系９を介してウエハ１０が位置してい
る。アパーチャー部材４は、図８及び図９に示すよう
に、中央部に円形の開口部４ａが形成された円板形状を
有している。
【０００３】ランプハウス１から発した光は、ミラー２
を介してフライアイレンズ３に至り、フライアイレンズ
３を構成する個々のレンズ３ａの領域に分割される。各
レンズ３ａを通過した光は、アパーチャー部材４の開口
部４ａ、集光レンズ５、ミラー７及び集光レンズ６を介
してそれぞれマスク８の露光領域の全面を照射する。こ
のため、マスク８面上では、フライアイレンズ３の個々
のレンズ３ａからの光が重なり合い、均一な照明がなさ
れる。このようにしてマスク８を通過した光は投影レン
ズ９を介してウエハ１０に至り、これによりウエハ１０
の表面への回路パターンの焼き付けが行われる。このよ
うな投影露光装置における最小解像度Ｒは、使用波長を
λ、光学系の開口数をＮＡとして、λ／ＮＡに比例する
ことが知られている。従って、従来は開口数ＮＡが大き
くなるように光学系を設計して投影露光装置の解像度を
向上させ、これにより近年のＬＳＩの高集積化に対応し
ていた。
を介してフライアイレンズ３に至り、フライアイレンズ
３を構成する個々のレンズ３ａの領域に分割される。各
レンズ３ａを通過した光は、アパーチャー部材４の開口
部４ａ、集光レンズ５、ミラー７及び集光レンズ６を介
してそれぞれマスク８の露光領域の全面を照射する。こ
のため、マスク８面上では、フライアイレンズ３の個々
のレンズ３ａからの光が重なり合い、均一な照明がなさ
れる。このようにしてマスク８を通過した光は投影レン
ズ９を介してウエハ１０に至り、これによりウエハ１０
の表面への回路パターンの焼き付けが行われる。このよ
うな投影露光装置における最小解像度Ｒは、使用波長を
λ、光学系の開口数をＮＡとして、λ／ＮＡに比例する
ことが知られている。従って、従来は開口数ＮＡが大き
くなるように光学系を設計して投影露光装置の解像度を
向上させ、これにより近年のＬＳＩの高集積化に対応し
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光学系
の開口数ＮＡを大きくすると、最小解像度Ｒは小さくな
るものの、それ以上に投影露光装置の焦点深度ＤＯＦが
小さくなることが知られている。この焦点深度ＤＯＦは
λ／ＮＡ２に比例する。このため、従来の投影露光装置
では、解像度を向上させようとすると、焦点深度が小さ
くなって転写精度が劣化するという問題点があった。
の開口数ＮＡを大きくすると、最小解像度Ｒは小さくな
るものの、それ以上に投影露光装置の焦点深度ＤＯＦが
小さくなることが知られている。この焦点深度ＤＯＦは
λ／ＮＡ２に比例する。このため、従来の投影露光装置
では、解像度を向上させようとすると、焦点深度が小さ
くなって転写精度が劣化するという問題点があった。
【０００５】ここで、光学系の開口数ＮＡは、ウエハ上
１０に入射される光の入射角をθとしてｓｉｎθで表さ
れるため、ウエハ１０への入射角θが大きい程、焦点深
度ＤＯＦが劣化することとなる。そこで、特開昭６１−
９１６６２号公報にはリング状のアパーチャー部材を用
いた投影露光装置が提案されている。リング状のアパー
チャー部材を用いてアパーチャー部材の周辺部分を通過
した光のみを利用することにより、ウエハに入射される
１次回折光のうち入射角の大きい成分が遮断されて光学
系の開口数ＮＡが小さくなり、焦点深度ＤＯＦが向上す
る。このことから、この公報では、できるだけ外側の光
だけを用いるようにする程、解像度が向上すると共に焦
点深度ＤＯＦが深くなると記載されている。
１０に入射される光の入射角をθとしてｓｉｎθで表さ
れるため、ウエハ１０への入射角θが大きい程、焦点深
度ＤＯＦが劣化することとなる。そこで、特開昭６１−
９１６６２号公報にはリング状のアパーチャー部材を用
いた投影露光装置が提案されている。リング状のアパー
チャー部材を用いてアパーチャー部材の周辺部分を通過
した光のみを利用することにより、ウエハに入射される
１次回折光のうち入射角の大きい成分が遮断されて光学
系の開口数ＮＡが小さくなり、焦点深度ＤＯＦが向上す
る。このことから、この公報では、できるだけ外側の光
だけを用いるようにする程、解像度が向上すると共に焦
点深度ＤＯＦが深くなると記載されている。
【０００６】しかしながら、上記の公報に記載されてい
るように、できる限り外側の光だけを用いようとして光
源を大きなリング状にすると、投影レンズの瞳９ａ面上
に図１０に示されるような０次光源像Ｓ０と±１次光源
像Ｓ１及びＳ２とが得られ、今度は０次光の入射角が大
きくなってしまう。このため、焦点深度ＤＯＦは逆に劣
化するという問題を生じることとなる。なお、図１０の
斜線部Ｐ０〜Ｐ２はリング状のアパーチャー部材による
遮光部分を示している。同様に、特願平３−３４３６０
１号には、直径ｄ２の円形の有効光源内にこれと同心状
に直径ｄ１の円形の遮光部分を設け、これら直径ｄ１及
びｄ２の関係を、１／３≦ｄ１／ｄ２≦２／３に規定す
る、すなわち有効光源の直径により決定される面積に対
する遮光部分の面積の比により定義される遮光率を１１
〜４４％に規定して焦点深度を向上させようとする投影
露光装置が開示されている。しかしながら、遮光率を低
く抑えているために光源からの光量を有効に使用するこ
とができるものの、焦点深度の拡大は十分なものではな
かった。この発明はこのような問題点を解消するために
なされたもので、解像度の向上と焦点深度ＤＯＦの拡大
とを同時に図ることのできる投影露光装置を提供するこ
とを目的とする。また、このような投影露光装置を用い
て半導体装置を製造する方法を提供することも目的とし
ている。
るように、できる限り外側の光だけを用いようとして光
源を大きなリング状にすると、投影レンズの瞳９ａ面上
に図１０に示されるような０次光源像Ｓ０と±１次光源
像Ｓ１及びＳ２とが得られ、今度は０次光の入射角が大
きくなってしまう。このため、焦点深度ＤＯＦは逆に劣
化するという問題を生じることとなる。なお、図１０の
斜線部Ｐ０〜Ｐ２はリング状のアパーチャー部材による
遮光部分を示している。同様に、特願平３−３４３６０
１号には、直径ｄ２の円形の有効光源内にこれと同心状
に直径ｄ１の円形の遮光部分を設け、これら直径ｄ１及
びｄ２の関係を、１／３≦ｄ１／ｄ２≦２／３に規定す
る、すなわち有効光源の直径により決定される面積に対
する遮光部分の面積の比により定義される遮光率を１１
〜４４％に規定して焦点深度を向上させようとする投影
露光装置が開示されている。しかしながら、遮光率を低
く抑えているために光源からの光量を有効に使用するこ
とができるものの、焦点深度の拡大は十分なものではな
かった。この発明はこのような問題点を解消するために
なされたもので、解像度の向上と焦点深度ＤＯＦの拡大
とを同時に図ることのできる投影露光装置を提供するこ
とを目的とする。また、このような投影露光装置を用い
て半導体装置を製造する方法を提供することも目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る投影露光
装置は、光源と、光源から発した光を回路パターンが形
成されたマスク上に照射させる集光レンズと、マスクを
通過した光をウエハ表面に集光させる投影レンズと、光
源と集光レンズとの間に配置されると共に光源から発し
た光を成形するための透過領域とこの透過領域内の中央
部に形成された遮光領域とを有するアパーチャー部材と
を備え、アパーチャー部材の透過領域の外径を投影レン
ズの瞳径に対する有効光源の外径の比σが０．６±０．
３となるように設定すると共に有効光源の外径により決
定される面積に対する有効光源内部の遮光領域の面積の
比により定義される遮光率を６０±３５％とし、有効光
源及び遮光領域が共に円形である場合には上記遮光率を
４５〜９５％とするものである。また、この発明に係る
半導体装置の製造方法は、上記の投影露光装置を用いて
ウエハへの回路パターンの焼き付けを行う方法である。
装置は、光源と、光源から発した光を回路パターンが形
成されたマスク上に照射させる集光レンズと、マスクを
通過した光をウエハ表面に集光させる投影レンズと、光
源と集光レンズとの間に配置されると共に光源から発し
た光を成形するための透過領域とこの透過領域内の中央
部に形成された遮光領域とを有するアパーチャー部材と
を備え、アパーチャー部材の透過領域の外径を投影レン
ズの瞳径に対する有効光源の外径の比σが０．６±０．
３となるように設定すると共に有効光源の外径により決
定される面積に対する有効光源内部の遮光領域の面積の
比により定義される遮光率を６０±３５％とし、有効光
源及び遮光領域が共に円形である場合には上記遮光率を
４５〜９５％とするものである。また、この発明に係る
半導体装置の製造方法は、上記の投影露光装置を用いて
ウエハへの回路パターンの焼き付けを行う方法である。
【０００８】
【作用】この発明においては、光源と集光レンズとの間
に配置されたアパーチャー部材の遮光領域が、光源から
発した光のうち光学像のコントラスト及び焦点深度を劣
化させる成分のみを遮光する。
に配置されたアパーチャー部材の遮光領域が、光源から
発した光のうち光学像のコントラスト及び焦点深度を劣
化させる成分のみを遮光する。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る投影露
光装置の光学系を示す図である。波長λの光を発するラ
ンプハウス１１の前方にミラー１２を介してフライアイ
レンズ１３が配置されている。フライアイレンズ１３の
前方にはアパーチャー部材２１が位置し、さらに集光レ
ンズ１５、１６及びミラー１７を介して所望の回路パタ
ーンが形成された露光用マスク１８が配置されている。
マスク１８の前方には投影レンズ１９を介してウエハ２
０が位置している。ランプハウス１１、ミラー１２及び
フライアイレンズ１３により光源が形成されている。
て説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る投影露
光装置の光学系を示す図である。波長λの光を発するラ
ンプハウス１１の前方にミラー１２を介してフライアイ
レンズ１３が配置されている。フライアイレンズ１３の
前方にはアパーチャー部材２１が位置し、さらに集光レ
ンズ１５、１６及びミラー１７を介して所望の回路パタ
ーンが形成された露光用マスク１８が配置されている。
マスク１８の前方には投影レンズ１９を介してウエハ２
０が位置している。ランプハウス１１、ミラー１２及び
フライアイレンズ１３により光源が形成されている。
【００１０】アパーチャー部材２１は、図２及び図３に
示すように、中央部に円形の開口部２２ａが形成された
円板形状の外枠２２と、外枠２２の開口部２２ａの全面
を閉じるように形成された透明部材２３と、外枠２２の
開口部２２ａの中心部に位置するように透明部材２３の
表面上に形成された円形の遮光部材２４とを有してい
る。外枠２２の開口部２２ａがランプハウス１１からの
光を透過する透過領域Ｄを構成しており、遮光部材２４
が遮光領域を構成している。透過領域Ｄは、投影レンズ
１９の瞳面上において瞳１９ａの直径に対する有効光源
の外径の比σが０．６±０．３となるような大きさに形
成されている。また、遮光領域は、外枠２２の開口部２
２ａに対する面積比で表される遮光率ｒが６０±３５％
となるように形成されている。なお、外枠２２及び遮光
部材２４はアルミニウム等の金属材料から形成され、透
明部材２３は例えばガラスから形成されている。なお、
遮光部材２４は透明部材２３上への金属材料の蒸着によ
り形成することができる。
示すように、中央部に円形の開口部２２ａが形成された
円板形状の外枠２２と、外枠２２の開口部２２ａの全面
を閉じるように形成された透明部材２３と、外枠２２の
開口部２２ａの中心部に位置するように透明部材２３の
表面上に形成された円形の遮光部材２４とを有してい
る。外枠２２の開口部２２ａがランプハウス１１からの
光を透過する透過領域Ｄを構成しており、遮光部材２４
が遮光領域を構成している。透過領域Ｄは、投影レンズ
１９の瞳面上において瞳１９ａの直径に対する有効光源
の外径の比σが０．６±０．３となるような大きさに形
成されている。また、遮光領域は、外枠２２の開口部２
２ａに対する面積比で表される遮光率ｒが６０±３５％
となるように形成されている。なお、外枠２２及び遮光
部材２４はアルミニウム等の金属材料から形成され、透
明部材２３は例えばガラスから形成されている。なお、
遮光部材２４は透明部材２３上への金属材料の蒸着によ
り形成することができる。
【００１１】次に、この実施例の動作について説明す
る。まず、ランプハウス１１から発した光は、ミラー１
２を介してフライアイレンズ１３に至り、フライアイレ
ンズ１３を構成する個々のレンズ１３ａの領域に分割さ
れる。各レンズ１３ａを通過した光は、アパーチャー部
材２１の透過領域Ｄ、集光レンズ１５、ミラー１７及び
集光レンズ１６を介してそれぞれマスク１８の露光領域
の全面を照射する。このため、マスク１８面上では、フ
ライアイレンズ１３の個々のレンズ１３ａからの光が重
なり合い、均一な照明がなされる。このようにしてマス
ク１８を通過した光は投影レンズ１９を介してウエハ２
０に至り、これによりウエハ２０表面への回路パターン
の焼き付けが行われる。
る。まず、ランプハウス１１から発した光は、ミラー１
２を介してフライアイレンズ１３に至り、フライアイレ
ンズ１３を構成する個々のレンズ１３ａの領域に分割さ
れる。各レンズ１３ａを通過した光は、アパーチャー部
材２１の透過領域Ｄ、集光レンズ１５、ミラー１７及び
集光レンズ１６を介してそれぞれマスク１８の露光領域
の全面を照射する。このため、マスク１８面上では、フ
ライアイレンズ１３の個々のレンズ１３ａからの光が重
なり合い、均一な照明がなされる。このようにしてマス
ク１８を通過した光は投影レンズ１９を介してウエハ２
０に至り、これによりウエハ２０表面への回路パターン
の焼き付けが行われる。
【００１２】ここで、アパーチャー部材２１の透過領域
Ｄの比σを０．５、遮光領域の遮光率ｒを約５６％とす
ると共にマスク１８の回路パターンが解像限界付近のラ
イン・アンド・スペース・パターンを有する場合におけ
る投影レンズ１９の瞳１９ａ上に形成される光源像を図
４に示す。瞳１９ａの中心部には０次光源像Ｓ３が形成
され、この光源像Ｓ３の左右にそれぞれ１次光源像Ｓ４
及びＳ５が形成される。各光源像Ｓ３〜Ｓ５はそれぞれ
アパーチャー部材２１の遮光部材２４により形成された
円形の遮光部分Ｐ３〜Ｐ５を有している。１次光源像Ｓ
４及びＳ５の遮光部分Ｐ４及びＰ５によりウエハ２０に
入射される１次回折光のうち入射角の大きい成分が遮断
されると共に０次回折光の入射角が大きくなり過ぎず、
解像度の向上と焦点深度ＤＯＦの拡大が適切に行われ
る。
Ｄの比σを０．５、遮光領域の遮光率ｒを約５６％とす
ると共にマスク１８の回路パターンが解像限界付近のラ
イン・アンド・スペース・パターンを有する場合におけ
る投影レンズ１９の瞳１９ａ上に形成される光源像を図
４に示す。瞳１９ａの中心部には０次光源像Ｓ３が形成
され、この光源像Ｓ３の左右にそれぞれ１次光源像Ｓ４
及びＳ５が形成される。各光源像Ｓ３〜Ｓ５はそれぞれ
アパーチャー部材２１の遮光部材２４により形成された
円形の遮光部分Ｐ３〜Ｐ５を有している。１次光源像Ｓ
４及びＳ５の遮光部分Ｐ４及びＰ５によりウエハ２０に
入射される１次回折光のうち入射角の大きい成分が遮断
されると共に０次回折光の入射角が大きくなり過ぎず、
解像度の向上と焦点深度ＤＯＦの拡大が適切に行われ
る。
【００１３】アパーチャー部材２１の遮光領域の遮光率
ｒを変化させたときの投影レンズ１９の瞳径に対する有
効光源の外径の比σと焦点深度ＤＯＦとの関係を図５に
示す。この図５は、０．５μｍのライン・アンド・スペ
ース・パターンを用いて測定された結果を示すものであ
る。遮光率ｒを０％から８１％まで段階的に変化させた
ところ、各遮光率においてそれぞれ最適な比σの値が存
在することがわかり、特にｒ＝６４％で且つσ＝０．６
のときに焦点深度ＤＯＦが最も拡大された。そこで、こ
の発明では、図５から比σ＝０．６±０．３、遮光率ｒ
＝６０±３５％の範囲を、解像度の向上と焦点深度ＤＯ
Ｆの拡大とを同時に図るために最適な範囲として用い
る。
ｒを変化させたときの投影レンズ１９の瞳径に対する有
効光源の外径の比σと焦点深度ＤＯＦとの関係を図５に
示す。この図５は、０．５μｍのライン・アンド・スペ
ース・パターンを用いて測定された結果を示すものであ
る。遮光率ｒを０％から８１％まで段階的に変化させた
ところ、各遮光率においてそれぞれ最適な比σの値が存
在することがわかり、特にｒ＝６４％で且つσ＝０．６
のときに焦点深度ＤＯＦが最も拡大された。そこで、こ
の発明では、図５から比σ＝０．６±０．３、遮光率ｒ
＝６０±３５％の範囲を、解像度の向上と焦点深度ＤＯ
Ｆの拡大とを同時に図るために最適な範囲として用い
る。
【００１４】一つのアパーチャー部材を照明光の光路上
に固定せずに、複数のアパーチャー部材の中から露光工
程に適したアパーチャー部材を選択して用いるようにす
ることもできる。図６はこのために用いられる切り換え
装置を示すもので、円板形状の基板３０に四つの第１〜
第４の開口部３０ａ〜３０ｄが形成されており、これら
の開口部３０ａ〜３０ｄにそれぞれ異なるアパーチャー
部材３１〜３４が取り付けられている。アパーチャー部
材３１〜３４としては、互いに透過領域及び遮光領域の
形状あるいは大きさが異なるもの、あるいは透過領域の
みでその中央部に遮光領域を有しないもの等が取り付け
られている。基板３０はその中心部３５を中心として回
転自在に設けられており、基板３０を回転することによ
り四つの開口部３０ａ〜３０ｄのうちの一つを選択的に
照明光の光路上に位置させることができる。従って、露
光工程毎に最適なアパーチャー部材を選択して用いるこ
とができる。
に固定せずに、複数のアパーチャー部材の中から露光工
程に適したアパーチャー部材を選択して用いるようにす
ることもできる。図６はこのために用いられる切り換え
装置を示すもので、円板形状の基板３０に四つの第１〜
第４の開口部３０ａ〜３０ｄが形成されており、これら
の開口部３０ａ〜３０ｄにそれぞれ異なるアパーチャー
部材３１〜３４が取り付けられている。アパーチャー部
材３１〜３４としては、互いに透過領域及び遮光領域の
形状あるいは大きさが異なるもの、あるいは透過領域の
みでその中央部に遮光領域を有しないもの等が取り付け
られている。基板３０はその中心部３５を中心として回
転自在に設けられており、基板３０を回転することによ
り四つの開口部３０ａ〜３０ｄのうちの一つを選択的に
照明光の光路上に位置させることができる。従って、露
光工程毎に最適なアパーチャー部材を選択して用いるこ
とができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る投
影露光装置は、光源と、光源から発した光を回路パター
ンが形成されたマスク上に照射させる集光レンズと、マ
スクを通過した光をウエハ表面に集光させる投影レンズ
と、光源と集光レンズとの間に配置されると共に光源か
ら発した光を成形するための透過領域とこの透過領域内
の中央部に形成された遮光領域とを有するアパーチャー
部材とを備え、アパーチャー部材の透過領域の外径を投
影レンズの瞳径に対する有効光源の外径の比σが０．６
±０．３となるように設定すると共に有効光源の外径に
より決定される面積に対する有効光源内部の遮光領域の
面積の比により定義される遮光率を６０±３５％とし、
有効光源及び遮光領域が共に円形である場合には上記遮
光率を４５〜９５％とするので、解像度の向上と焦点深
度ＤＯＦの拡大とを同時に図ることが可能となる。ま
た、この発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の投
影露光装置を用いてウエハへの回路パターンの焼き付け
を行うので、高精度の半導体装置が得られる。
影露光装置は、光源と、光源から発した光を回路パター
ンが形成されたマスク上に照射させる集光レンズと、マ
スクを通過した光をウエハ表面に集光させる投影レンズ
と、光源と集光レンズとの間に配置されると共に光源か
ら発した光を成形するための透過領域とこの透過領域内
の中央部に形成された遮光領域とを有するアパーチャー
部材とを備え、アパーチャー部材の透過領域の外径を投
影レンズの瞳径に対する有効光源の外径の比σが０．６
±０．３となるように設定すると共に有効光源の外径に
より決定される面積に対する有効光源内部の遮光領域の
面積の比により定義される遮光率を６０±３５％とし、
有効光源及び遮光領域が共に円形である場合には上記遮
光率を４５〜９５％とするので、解像度の向上と焦点深
度ＤＯＦの拡大とを同時に図ることが可能となる。ま
た、この発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の投
影露光装置を用いてウエハへの回路パターンの焼き付け
を行うので、高精度の半導体装置が得られる。
【図１】この発明の第１の実施例に係る投影露光装置の
光学系を示す図である。
光学系を示す図である。
【図２】第１の実施例で用いられたアパーチャー部材を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図４】第１の実施例における投影レンズの瞳上に形成
される光源像を示す図である。
される光源像を示す図である。
【図５】アパーチャー部材の遮光領域の遮光率ｒを変化
させたときの投影レンズの瞳径に対する有効光源の外径
の比σと焦点深度ＤＯＦとの関係を示す図である。
させたときの投影レンズの瞳径に対する有効光源の外径
の比σと焦点深度ＤＯＦとの関係を示す図である。
【図６】第２の実施例で用いられた切り換え装置を示す
図である。
図である。
【図７】従来の投影露光装置の光学系を示す図である。
【図８】図７の装置で用いられたアパーチャー部材を示
す平面図である。
す平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図１０】他の従来の投影露光装置における投影レンズ
の瞳上に形成される光源像を示す図である。
の瞳上に形成される光源像を示す図である。
１１ ランプハウス １２ ミラー １３ フライアイレンズ １５ 集光レンズ １６ 集光レンズ １７ ミラー １８ マスク １９ 投影レンズ ２０ ウエハ ２１、３１〜３４ アパーチャー部材 ２４ 遮光部材 ３０ 基板 Ｄ 透過領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−175101（ＪＰ，Ａ) Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ ｓ，Ｖｏｌ．30，Ｎｏ．11Ｂ，（1991− Ｎｏｖ．），ｐｐ．3021〜3029 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 光源と、 前記光源から発した光を回路パターンが形成されたマス
ク上に照射させる集光レンズと、 マスクを通過した光をウエハ表面に集光させる投影レン
ズと、 前記光源と前記集光レンズとの間に配置されると共に前
記光源から発した光を成形するための透過領域とこの透
過領域内の中央部に形成された遮光領域とを有するアパ
ーチャー部材とを備え、 前記アパーチャー部材の透過領域の外径を前記投影レン
ズの瞳径に対する有効光源の外径の比σが０．６±０．
３となるように設定すると共に有効光源の外径により決
定される面積に対する有効光源内部の遮光領域の面積の
比により定義される遮光率を６０±３５％とし、有効光
源及び遮光領域が共に円形である場合には上記遮光率を
４５〜９５％とすることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の投影露光装置を用いて
ウエハへの回路パターンの焼き付けを行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026467A JP2908100B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 |
| US08/014,855 US5311249A (en) | 1992-02-13 | 1993-02-08 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026467A JP2908100B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226216A JPH05226216A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2908100B2 true JP2908100B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=12194325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026467A Expired - Lifetime JP2908100B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908100B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100273234B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2000-12-15 | 김영환 | 포토리소그래피장치 |
| KR101589938B1 (ko) * | 2008-04-11 | 2016-02-12 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학 개구 장치 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP4026467A patent/JP2908100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．１１Ｂ，（１９９１−Ｎｏｖ．），ｐｐ．３０２１〜３０２９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226216A (ja) | 1993-09-03 |
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