KR970002456A - 에지강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

에지강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에지 강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 예정된 라인/스페이스를 갖는 제1위상반전막 패턴을 형성하고, 그 상측에 보다 작은 폭을 갖는 광차단막 패턴을 형성하며, 상기 제1위상반전막 패턴들 사이의 스페이스에 제2위상반전막 패턴을 형성하되 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들의 사이에서 투명기판이 어느 정도 노출되어 있는 이중 에지 강조형 위상반전 마스크를 형성하였으므로, 제1 및 제2위상반전막 패턴을 통과한 광과 그 사이의 투명기판을 통과한 광간의 간섭에 의해 광세기 그래프의 에지부분의 기울기가 증가되어 광 콘트라스트가 형상되므로 상기의 위상반전 마스크를 사용한 감광막패턴의 프로파일이 향상되어 미세 패턴 형성이 용이하고, 공정여유도가 증가되어 소자동작의 신뢰성 및 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

에지강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 에지 강조형 위상반전 마스크의 단면도, 제5도는 제4도에 도시되어 있는 에지 강조형 위상반전 마스크의 위치에 따른 전장의 세기를 도시한 그래프, 제6도는 제4도에 도시되어 있는 에지 강조형 위상반전 마스크의 위치에 따른 광세기를 도시한 그래프.

Claims (6)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 일정한 라인/스페이스를 갖는 제1위상반전막 패턴과, 상기 제1위상반전막 패턴 상에 형성되어 있으며, 제1위상반전막 패턴보다 작은 폭을 갖는 광차단막 패턴과, 상기 제1위상반전막 패턴들 사이의 스페이스에 형성되어 있는 제2위상반전막 패턴을 구비하는 에지강조형 위상반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴이 SOG, 산화막, 질화막 및 경화된 감광막으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 에지강조형 위상반전 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광차단막 패턴을 크롬으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에지강조형 위상반전 마스크.
  4. 투명기판상에 형성되어 있는 일정한 라인/스페이스를 갖는 광차단막 패턴과, 상기 광차단막 패턴상에 형성되어 있으며, 광차단막 패턴보다 큰 폭을 갖는 제1위상반전막 패턴과, 상기 제1위상반전막 패턴들 사이의 스페이스에 형성되어 있는 제2위상반전막 패턴을 구비하는 에지강조형 위상반전 마스크.
  5. 투명기판상에 예정된 라인/스페이스를 갖는 제1위상반전막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1위상반전막 패턴상에 상기 제1위상반전막 패턴보다 작은 폭을 갖는 광차단막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1위상반전막 패턴 사이의 스페이스에 예정된 폭을 갖는 제2위상반전막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 에지강조형 위상반전 마스크의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴과 광차단막 패턴의 패턴닝을 위한 감광막패턴을 스테퍼나 E-빔 장치를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에지강조형 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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