KR960005760A - 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법 - Google Patents

위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960005760A
KR960005760A KR1019950020906A KR19950020906A KR960005760A KR 960005760 A KR960005760 A KR 960005760A KR 1019950020906 A KR1019950020906 A KR 1019950020906A KR 19950020906 A KR19950020906 A KR 19950020906A KR 960005760 A KR960005760 A KR 960005760A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
degree
transition
pattern
gate
Prior art date
Application number
KR1019950020906A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100382043B1 (ko
Inventor
에이. 스펜스 크리스토퍼
Original Assignee
미키오 이시마루
어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미키오 이시마루, 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 filed Critical 미키오 이시마루
Publication of KR960005760A publication Critical patent/KR960005760A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100382043B1 publication Critical patent/KR100382043B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

집적회뢰를 제조하는 폴리레벨 리소그래피를 수행하는 방법은 단계적이고 반복적인 광학도구에서의 위상전이 마스크를 사용한다. 여기서, 상기 위상전이 마스크에 필요한 위상할당은 할당불일치없이, 활성 게이트패턴과 게이트패턴의 교차부분을 결정하고 교차부분을 적층의 범주로 분할하는 기술에 의해 결정된다. 약간 다른 위상할당 법칙은 서로 다른 스택에서 사용된다.

Description

위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 활성지역(N과P)패턴을 도시한 간단한 IC 설계와 게이트레벨 패턴의 오버레(overlay)이를 예시한 도면이다.
제4도는 본 발명에 따른 0도와 180도 위상전이 영역의 지정을 포함하는 활성지역 및 게이트레벨의 교차지역(Intersection)을 예시한 도면이다.
제5도는 제4도를 다시 그린 도면으로, 제3도의 간단한 설계에 따른 180도 위상전이 영역만을 예시한 도면이다.

Claims (11)

  1. 반도체 웨이퍼상에 집적회로(IC)의 레벨을 형성하기 위하여 위상전이 마스크 패터닝을 하는 i-라인 스테피 리소그래피 방법에 있어서, 상기 리소그래피 방법은 서로 다른 레벨의 레이아웃을 패턴화하기 위해 서로 다른 마스크를 사용하는 것을 포함하며, 위와 같은 레벨 중 하나는 게이트레벨이고 위와 같은 레벨 중 두번째는 활성영역이며, 상기 활성영역은 활성영역 레이아웃 패턴에 의해 공간적으로 형성되고, 상기 게이트레벨은 제1및 제2게이트레벨 레이아웃부에 의해 공간적으로 형성되고, 상기 제1게이트레벨 레이아웃부는 불투명이며 불투명하지 않는 영역을 가지는 표준의 비위상전이 마스크패턴이며, 상기 제2게이트레벨 레이아웃부는 위상전이 영역을 포함하는 지역을 가지고, 상기 방법은 상기 활성영역 레이아웃패턴과 상기 제1게이트레벨 레이아웃부가 오버레이하는 IC상의 영역에 대응하는 교차부분영역의 위치를 공간적으로 설정하기 위하여 상기 활성영역의 레이아웃패턴과 상기 제1게이트레벨 레이아웃부의 비교분석을 수행하는 단계, 상기 게이트레벨을 패턴화하기 위하여 다양한 위상전이 영역과 불투명영역을 가지는 투과 광영역(transmissive light field) 위상전이 마스크(PSM)를 구성하는 단계 및, 상기 i-라인 스테퍼에 상기 PSM을 배열하여 렌즈시스템으로 웨이퍼의 상기 포지티브 레지스트상에 상기 PSM을 통해 투과하는 상기 빛을 집중하여 상기 투과광 PSm을 지나가는 광원을 가지고 상기 웨이퍼상에 포지티브 레지스트를 노광하는 단계로 구성되며, 여기서, 상기 교차부분지역은 한쌍의 평행한 긴 측면과 한쌍의 평행한 짧은 측면을 가지는 직사각형이며, 상기 PSM은 상기 게이트레벨 레이아웃 패턴으로 이루어지며, 상기 게이트레벨 레이아웃 패턴은 상기 교차부분영역에 대응하는 상기 PSM 상의 영역을 제외하고 상기 제1게이트레벨 레이아웃부와 동일하며, 교차부분영역에 대응하여 상기 영역의 상기 쌍의 평행한 긴 측면 각각중 한 측면과 연속적인 0도 위상전이 영역과 상기 교차부분영역에 대응하여 상기 영역의 상기 쌍의 평행한 긴 측면 각각중 나머지 측면과 연속적인 180도 위상전이 영역을 또한 포함하며, 상기 투과광 영역 PSM의 상기 불투명한 패턴은 상기 교차부분영역과 상기 제1게이트레벨 레이아웃부의 상기 불투명한 영역에 대응하는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상전이 마스크상 그리고 상기 180도 위상전이 영역과 상기 0도 위상영역사이에 상기 180도 위상전이 영역주변과 이 영역에 연속적인 보상전이 위상전이 영역을 제공하는 단계를 또한 포함하며, 상기 보상전이 위상전이 영역은 상기 180도 위상지역이 상기 불투명패턴을 가지는 영역에 중첩되는 영역을 제외한 상기 180도 위상지역의 전체주변에서 연속적인 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원에서 나온 빛이 통과하기 위하여 투과패턴을 가진 트림마스크를 구성하는 단계, 상기 노광단계후이지만 상기 노광된 포지티브 레지스트층을 현상하기 전에 상기 트림마스트와 렌즈를 통하는 상기 부분적인 결합광원으로 상기 PSM을 트림마스크로 교체하여 상기 집적회로상에 상기 포지티브 레지스트층을 다시 노광하는 단계 및, 상기 레지스트층을 현상하는 단계를 포함하며, 상기 트림마스크는 상기 투사패턴을 완전히 에워싸는 검은 영역을 가지고, 중심선을 가지는 폭(T)의 라인을 가지는 패턴이며, 여기서, 상기 중심라인의 위치는 상기 게이트레벨 레이아웃패턴상의 0도 영역이 180도 영역과 접하는 상기 모든 에지의 위치에 대응하고, T는 본래의 라인폭보다 두꺼우며, 상기 트림마스크는 상기 트림마스크의 사이 투과패턴이 상기 제1노광을 하는 동안 접해진 0도와 180도 영역의 라인의 위치와 정렬되도록 상기 중심에지가 정렬되는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 보상전이 위상전이 영역은 60도 전이의 제1영역와 120도 전이의 제2영역을 포함하며, 여기서, 상기 120도 영역은 상기 60도 영역과 180도 영역 사이에 들어있는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 게이트레벨 레이아웃패턴은 제1게이트길이를 가지는 제1지역과 제2게이트길이를 가지는 제2지역을 포함하며, 상기 제1게이트 길이지역은 상기 제2게이트 길이지역보다 짧고 상기 제1게이트 길이는 상기 교차부분영역과 대응하는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 보상 전이 위상영역은 선형의 점차적인 전이를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 180도 위상전이 영역은 층으로 이루어진, 상기 PSM을 통해 전달하는 상기 빛의 지연위상을 제공하는 상기 PSM의 더욱 두꺼운 영역인 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 180도 위상전이 영역은 상기 PSM을 통해 전달하는 상기 빛의 주도위상을 제공하는 상기 PSM의 더욱 얇게 식각된 영역인 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  9. 제7항에 있어서, 투과패턴을 에워싸는 검은영역을 가지는 트림마스크를 구성하는 단계, 상기 노광된 포지티브 레지스트를 현상하기 전에, 트림마스크를 통하는 부분적인 결합광원으로 상기 집적회로상의 상기 포지티브 레지스트를 노광하는 단계, 상기 레지스트를 현상하는 단계를 포함하고, 상기 투과패턴은 0도 내지 180도 영역사이에 전이의 어느 위치에도 정확하게 대응하는 중심라인을 가지는 패턴이며, 상기 트림마스크는 상기 트림마스크의 0도 내지 180도위치가 상기 제1노광을 하는 동안 노광된 상기 0°/180°전이영역과 정렬되도록 정렬되는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  10. 제8항에 있어서, 투과팬턴을 에워싸는 검운영영역을 가지는 트림마스크를 구성하는 단계, 상기 노광된 포지티브 레지스트를 현상하기 전에, 트림마스크를 통하는 부분적인 결합광원으로 상기 집적회로상의 상기 포지티브 레지스트를 노광하는 단계 및, 상기 레지스트를 현상하는 단계를 포함하고, 상기 투과패턴은 0도 내지 180도 영역사이에 전이의 어느 위치에도 정확하게 대응하는 중심라인을 가지는 패턴이며, 상기 트림마스크는 상기 트림마스크의 0도 내지 180도위치가 상기 제1노광을 하는 동안 노광된 상기 0°/180°전이영역과 정렬되도록 정렬되는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 위상전이 마스크상에 상기 180도 위상전이 영역주변에서 이 영역에 연속적인 보상전이 위상전이 영역을 제공하는 단계는, 물리적인 거리가 상기 180도 위상전이 영역 각각 주변에 상기 전이 위상전이 영역을 제공하는데 필요한 최소거리 미만이라면, 인접하는 180도 위상전이 영역사이에 상기 물리적인 거리를 결정하여 180도 위상전이 영역을 함께 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950020906A 1994-07-18 1995-07-15 위상전이마스크를사용하는광학리소그래피방법 KR100382043B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/276734 1994-07-18
US08/276,734 US5573890A (en) 1994-07-18 1994-07-18 Method of optical lithography using phase shift masking
US08/276,734 1994-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960005760A true KR960005760A (ko) 1996-02-23
KR100382043B1 KR100382043B1 (ko) 2003-07-04

Family

ID=23057872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950020906A KR100382043B1 (ko) 1994-07-18 1995-07-15 위상전이마스크를사용하는광학리소그래피방법

Country Status (6)

Country Link
US (4) US5573890A (ko)
EP (2) EP0698916A3 (ko)
JP (1) JP3751051B2 (ko)
KR (1) KR100382043B1 (ko)
CN (1) CN1115876A (ko)
TW (1) TW285756B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100969430B1 (ko) * 2002-02-26 2010-07-14 시놉시스, 인크. 완전 위상 및 트림 마스크를 이용한 임계 치수 제어
CN112432308A (zh) * 2020-11-20 2021-03-02 珠海格力电器股份有限公司 触控交互装置及其控制方法、装置、空调机组

Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5573890A (en) * 1994-07-18 1996-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of optical lithography using phase shift masking
US6185727B1 (en) * 1995-12-12 2001-02-06 International Business Machines Corporation Design verification for asymmetric phase shift mask layouts
US6269472B1 (en) 1996-02-27 2001-07-31 Lsi Logic Corporation Optical proximity correction method and apparatus
WO1998001675A1 (fr) 1996-07-09 1998-01-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Compresseur lineaire
US5994002A (en) * 1996-09-06 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photo mask and pattern forming method
US6228539B1 (en) 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5858580A (en) * 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US6233044B1 (en) * 1997-01-21 2001-05-15 Steven R. J. Brueck Methods and apparatus for integrating optical and interferometric lithography to produce complex patterns
US5923566A (en) * 1997-03-25 1999-07-13 International Business Machines Corporation Phase shifted design verification routine
US6057063A (en) * 1997-04-14 2000-05-02 International Business Machines Corporation Phase shifted mask design system, phase shifted mask and VLSI circuit devices manufactured therewith
US6078738A (en) * 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
US6190840B1 (en) * 1997-06-18 2001-02-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist pattern forming method
US6282696B1 (en) 1997-08-15 2001-08-28 Lsi Logic Corporation Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers
US6578188B1 (en) * 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
WO1999014636A1 (en) * 1997-09-17 1999-03-25 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US7093229B2 (en) * 1997-09-17 2006-08-15 Synopsys, Inc. System and method for providing defect printability analysis of photolithographic masks with job-based automation
US6370679B1 (en) 1997-09-17 2002-04-09 Numerical Technologies, Inc. Data hierarchy layout correction and verification method and apparatus
US6453452B1 (en) 1997-12-12 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US7617474B2 (en) * 1997-09-17 2009-11-10 Synopsys, Inc. System and method for providing defect printability analysis of photolithographic masks with job-based automation
JP3307313B2 (ja) * 1998-01-23 2002-07-24 ソニー株式会社 パターン生成方法及びその装置
US6499003B2 (en) 1998-03-03 2002-12-24 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for application of proximity correction with unitary segmentation
JP3461288B2 (ja) 1998-07-08 2003-10-27 松下電器産業株式会社 半導体装置用図形パターンの補正方法および半導体装置の製造方法
US6426131B1 (en) 1998-08-24 2002-07-30 Lsi Logic Corporation Off-axis pupil aperture and method for making the same
US6171739B1 (en) 1998-12-04 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of determining focus and coma of a lens at various locations in an imaging field
US6391525B1 (en) 1998-12-08 2002-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Sidewall patterning for sub 100 nm gate conductors
JP3257593B2 (ja) 1999-02-05 2002-02-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5985498A (en) * 1999-03-01 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method of characterizing linewidth errors in a scanning lithography system
JP2000267258A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Nec Corp レチクル
US6306558B1 (en) 1999-04-29 2001-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist
US6467076B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-15 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design
US6507944B1 (en) * 1999-07-30 2003-01-14 Fujitsu Limited Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium
IT1313154B1 (it) * 1999-08-05 2002-06-17 St Microelectronics Srl Maschera litografica per dispositivi a semiconduttore con finestra discavo a sezione poligonale,in particolare avente una sezione di almeno
US6387596B2 (en) * 1999-08-30 2002-05-14 International Business Machines Corporation Method of forming resist images by periodic pattern removal
TW511238B (en) * 2001-08-30 2002-11-21 Nanya Technology Corp Auxiliary design method for contact hole lithography
US6301698B1 (en) 1999-09-01 2001-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for creating the sub-resolution phase shifting pattern for outrigger type phase shifting masks
US6210841B1 (en) 1999-09-07 2001-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Approach to increase the resolution of dense line/space patterns for 0.18 micron and below design rules using attenuating phase shifting masks
JP2001085296A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
WO2001020502A1 (en) * 1999-09-16 2001-03-22 The Regents Of The University Of California Optimal phase conflict removal for layout of alternating phase-shifting masks
US6251546B1 (en) 1999-09-16 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Method of fabricating devices using an attenuated phase-shifting mask and an attenuated phase-shifting mask
US6335128B1 (en) * 1999-09-28 2002-01-01 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for determining phase shifts and trim masks for an integrated circuit
US6528232B1 (en) 1999-11-01 2003-03-04 Nec Corporation Sulfonium salt compound, photoresist composition and method for patterning by employing same
US6537867B1 (en) * 1999-11-03 2003-03-25 Agere Systems Inc. High speed low voltage semiconductor devices and method of fabrication
US20020094492A1 (en) 1999-12-17 2002-07-18 Randall John N. Two-exposure phase shift photolithography with improved inter-feature separation
US6274281B1 (en) 1999-12-28 2001-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using different transmittance with attenuate phase shift mask (APSM) to compensate ADI critical dimension proximity
US6638663B1 (en) * 2000-01-20 2003-10-28 Agere Systems Inc. Phase-shifting mask and semiconductor device
US6265120B1 (en) 2000-02-01 2001-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Geometry design of active region to improve junction breakdown and field isolation in STI process
US7494749B2 (en) * 2000-02-04 2009-02-24 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithography using interdependent binary masks
US6584609B1 (en) 2000-02-28 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction
US6493866B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-10 Synopsys, Inc. Phase-shift lithography mapping and apparatus
US6777141B2 (en) 2000-07-05 2004-08-17 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces
US7028285B2 (en) * 2000-07-05 2006-04-11 Synopsys, Inc. Standard cell design incorporating phase information
US6787271B2 (en) 2000-07-05 2004-09-07 Numerical Technologies, Inc. Design and layout of phase shifting photolithographic masks
US6681379B2 (en) 2000-07-05 2004-01-20 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting design and layout for static random access memory
US6503666B1 (en) 2000-07-05 2003-01-07 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns
US7083879B2 (en) * 2001-06-08 2006-08-01 Synopsys, Inc. Phase conflict resolution for photolithographic masks
US6524752B1 (en) 2000-07-05 2003-02-25 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for intersecting lines
US6811935B2 (en) * 2000-07-05 2004-11-02 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask layout process for patterns including intersecting line segments
US6733929B2 (en) * 2000-07-05 2004-05-11 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns with proximity adjustments
US6541165B1 (en) 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6978436B2 (en) * 2000-07-05 2005-12-20 Synopsys, Inc. Design data format and hierarchy management for phase processing
US6632590B1 (en) * 2000-07-14 2003-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Enhance the process window of memory cell line/space dense pattern in sub-wavelength process
US6523162B1 (en) 2000-08-02 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. General purpose shape-based layout processing scheme for IC layout modifications
US6866971B2 (en) * 2000-09-26 2005-03-15 Synopsys, Inc. Full phase shifting mask in damascene process
US6625801B1 (en) 2000-09-29 2003-09-23 Numerical Technologies, Inc. Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6792590B1 (en) 2000-09-29 2004-09-14 Numerical Technologies, Inc. Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) 2000-09-29 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US6539521B1 (en) 2000-09-29 2003-03-25 Numerical Technologies, Inc. Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6622288B1 (en) 2000-10-25 2003-09-16 Numerical Technologies, Inc. Conflict sensitive compaction for resolving phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features
US6584610B1 (en) 2000-10-25 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features
US6901575B2 (en) 2000-10-25 2005-05-31 Numerical Technologies, Inc. Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters
US6728946B1 (en) 2000-10-31 2004-04-27 Franklin M. Schellenberg Method and apparatus for creating photolithographic masks
US6673524B2 (en) 2000-11-17 2004-01-06 Kouros Ghandehari Attenuating extreme ultraviolet (EUV) phase-shifting mask fabrication method
US6665856B1 (en) * 2000-12-01 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Displacing edge segments on a fabrication layout based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects
US6653026B2 (en) 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US6534224B2 (en) 2001-01-30 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Phase shift mask and system and method for making the same
TW479159B (en) * 2001-02-09 2002-03-11 Nanya Technology Corp Interlacing phase shift mask and its manufacturing method
US6551750B2 (en) 2001-03-16 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US6617081B2 (en) * 2001-03-20 2003-09-09 United Microelectronics Corp. Method for improving process window in semi-dense area by using phase shifter
US6635393B2 (en) 2001-03-23 2003-10-21 Numerical Technologies, Inc. Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer
US6566019B2 (en) 2001-04-03 2003-05-20 Numerical Technologies, Inc. Using double exposure effects during phase shifting to control line end shortening
US6553560B2 (en) 2001-04-03 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Alleviating line end shortening in transistor endcaps by extending phase shifters
US6593038B2 (en) 2001-05-04 2003-07-15 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters
US6569583B2 (en) 2001-05-04 2003-05-27 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for using phase shifter cutbacks to resolve phase shifter conflicts
US6789237B1 (en) * 2001-05-11 2004-09-07 Northwestern University Efficient model order reduction via multi-point moment matching
US6721938B2 (en) 2001-06-08 2004-04-13 Numerical Technologies, Inc. Optical proximity correction for phase shifting photolithographic masks
CN101726988B (zh) * 2001-06-08 2012-09-05 新思公司 相移光刻掩模的设计和布局
US6852471B2 (en) * 2001-06-08 2005-02-08 Numerical Technologies, Inc. Exposure control for phase shifting photolithographic masks
US6523165B2 (en) 2001-07-13 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. Alternating phase shift mask design conflict resolution
US7178128B2 (en) * 2001-07-13 2007-02-13 Synopsys Inc. Alternating phase shift mask design conflict resolution
US6664009B2 (en) 2001-07-27 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for allowing phase conflicts in phase shifting mask and chromeless phase edges
US6684382B2 (en) 2001-08-31 2004-01-27 Numerical Technologies, Inc. Microloading effect correction
US6798017B2 (en) * 2001-08-31 2004-09-28 International Business Machines Corporation Vertical dual gate field effect transistor
US6738958B2 (en) 2001-09-10 2004-05-18 Numerical Technologies, Inc. Modifying a hierarchical representation of a circuit to process composite gates
US6735752B2 (en) 2001-09-10 2004-05-11 Numerical Technologies, Inc. Modifying a hierarchical representation of a circuit to process features created by interactions between cells
US6698007B2 (en) 2001-10-09 2004-02-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters
US6670082B2 (en) * 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US6981240B2 (en) 2001-11-15 2005-12-27 Synopsys, Inc. Cutting patterns for full phase shifting masks
US6797438B1 (en) 2001-12-11 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and enhancing clear field phase shift masks with border around edges of phase regions
US6749970B2 (en) * 2001-12-11 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions
US6675369B1 (en) * 2001-12-11 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region
US6749971B2 (en) * 2001-12-11 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions
US6670646B2 (en) * 2002-02-11 2003-12-30 Infineon Technologies Ag Mask and method for patterning a semiconductor wafer
US6605481B1 (en) 2002-03-08 2003-08-12 Numerical Technologies, Inc. Facilitating an adjustable level of phase shifting during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit
EP1359464B1 (en) * 2002-03-25 2006-05-24 ASML MaskTools B.V. Method and apparatus for defining patterns of a photomask utilizing a boolean operation between the design data and scaled design data
US6704921B2 (en) 2002-04-03 2004-03-09 Numerical Technologies, Inc. Automated flow in PSM phase assignment
US7001694B2 (en) * 2002-04-30 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask and method for producing the same
US7037791B2 (en) * 2002-04-30 2006-05-02 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Application of single exposure alternating aperture phase shift mask to form sub 0.18 micron polysilicon gates
US6875624B2 (en) * 2002-05-08 2005-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Combined E-beam and optical exposure semiconductor lithography
US6785879B2 (en) * 2002-06-11 2004-08-31 Numerical Technologies, Inc. Model-based data conversion
US6711732B1 (en) 2002-07-26 2004-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Full sized scattering bar alt-PSM technique for IC manufacturing in sub-resolution era
US6821689B2 (en) 2002-09-16 2004-11-23 Numerical Technologies Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
JP3793147B2 (ja) * 2002-12-04 2006-07-05 株式会社東芝 レチクルセット、レチクルセットの設計方法、露光モニタ方法、レチクルセットの検査方法及び半導体装置の製造方法
US6986972B1 (en) 2003-02-04 2006-01-17 Lsi Logic Corporation Alternating aperture phase-shift mask fabrication method
CN1688934B (zh) * 2003-02-27 2010-05-26 富士通微电子株式会社 半导体器件的制造方法
US7135255B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 International Business Machines Corporation Layout impact reduction with angled phase shapes
US20040241554A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Lsi Logic Corporation, Milpitas, Ca Ion implantation phase shift mask
CN100478782C (zh) * 2003-06-16 2009-04-15 旺宏电子股份有限公司 不同层次的曝光方法
US7318214B1 (en) 2003-06-19 2008-01-08 Invarium, Inc. System and method for reducing patterning variability in integrated circuit manufacturing through mask layout corrections
CN100339765C (zh) * 2003-08-18 2007-09-26 旺宏电子股份有限公司 可降低光学接近效应的光罩
CN100380231C (zh) * 2003-08-28 2008-04-09 力晶半导体股份有限公司 光学光刻方法
JP2007511800A (ja) * 2003-11-17 2007-05-10 トッパン、フォウタマスクス、インク 位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させる方法
JP4488727B2 (ja) * 2003-12-17 2010-06-23 株式会社東芝 設計レイアウト作成方法、設計レイアウト作成システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及び設計レイアウト作成プログラム
US20050263103A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Willard Updyke Double leash coupler
US7266800B2 (en) * 2004-06-04 2007-09-04 Invarium, Inc. Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
JP4582574B2 (ja) * 2004-06-04 2010-11-17 シャープ株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
US7435533B2 (en) 2004-06-14 2008-10-14 Photronics, Inc. Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases
US7396617B2 (en) 2004-06-14 2008-07-08 Photronics, Inc. Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases
US7588868B2 (en) * 2004-10-06 2009-09-15 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements
JP4598575B2 (ja) * 2005-03-17 2010-12-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法
US7470504B2 (en) * 2005-11-03 2008-12-30 International Business Machines Corporation Reflective film interface to restore transverse magnetic wave contrast in lithographic processing
US8048590B2 (en) * 2005-11-14 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography mask having a scattering bar structure that includes transverse linear assist features
KR101477262B1 (ko) * 2005-12-28 2014-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
JP2007264475A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujitsu Ltd フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法
US7748839B2 (en) * 2006-05-09 2010-07-06 Lexmark International, Inc. Handheld printing with reference indicia
US20090037866A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 International Business Machines Corporation Alternating phase shift mask optimization for improved process window
US9005848B2 (en) 2008-06-17 2015-04-14 Photronics, Inc. Photomask having a reduced field size and method of using the same
US9005849B2 (en) 2009-06-17 2015-04-14 Photronics, Inc. Photomask having a reduced field size and method of using the same
CN103105727B (zh) * 2011-11-15 2014-06-04 无锡华润上华科技有限公司 形成光掩膜版的方法及光掩膜版
US8875067B2 (en) * 2013-03-15 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reusable cut mask for multiple layers

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2865685B2 (ja) * 1988-03-16 1999-03-08 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
US5328807A (en) * 1990-06-11 1994-07-12 Hitichi, Ltd. Method of forming a pattern
JP3187859B2 (ja) * 1991-05-22 2001-07-16 株式会社日立製作所 マスクのパターンデータ作成方法および製造方法
JPH05232679A (ja) * 1992-02-21 1993-09-10 Hitachi Ltd マスク製造方法及びマスク欠陥修正方法
JPH05265183A (ja) * 1992-03-24 1993-10-15 Hitachi Ltd マスクパタン設計方法及びマスク
US5391441A (en) * 1992-02-21 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Exposure mask and method of manufacture thereof
JPH05341498A (ja) * 1992-04-10 1993-12-24 Toshiba Corp フォトマスク設計装置および設計方法
US5308741A (en) * 1992-07-31 1994-05-03 Motorola, Inc. Lithographic method using double exposure techniques, mask position shifting and light phase shifting
US5302477A (en) * 1992-08-21 1994-04-12 Intel Corporation Inverted phase-shifted reticle
US5538815A (en) * 1992-09-14 1996-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for designing phase-shifting masks with automatization capability
US5308722A (en) * 1992-09-24 1994-05-03 Advanced Micro Devices Voting technique for the manufacture of defect-free printing phase shift lithography
JP3260474B2 (ja) * 1993-04-22 2002-02-25 株式会社日立製作所 位相シフタ自動配置方法及びそれを用いた位相シフタ自動配置装置
US5567553A (en) * 1994-07-12 1996-10-22 International Business Machines Corporation Method to suppress subthreshold leakage due to sharp isolation corners in submicron FET structures
US5573890A (en) * 1994-07-18 1996-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of optical lithography using phase shift masking

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100969430B1 (ko) * 2002-02-26 2010-07-14 시놉시스, 인크. 완전 위상 및 트림 마스크를 이용한 임계 치수 제어
CN112432308A (zh) * 2020-11-20 2021-03-02 珠海格力电器股份有限公司 触控交互装置及其控制方法、装置、空调机组
CN112432308B (zh) * 2020-11-20 2022-07-08 珠海格力电器股份有限公司 触控交互装置及其控制方法、装置、空调机组

Also Published As

Publication number Publication date
EP0698916A2 (en) 1996-02-28
EP1786024A1 (en) 2007-05-16
US5573890A (en) 1996-11-12
US5766804A (en) 1998-06-16
KR100382043B1 (ko) 2003-07-04
TW285756B (ko) 1996-09-11
US5766806A (en) 1998-06-16
EP0698916A3 (en) 1997-07-30
CN1115876A (zh) 1996-01-31
US5702848A (en) 1997-12-30
JPH08179492A (ja) 1996-07-12
JP3751051B2 (ja) 2006-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960005760A (ko) 위상전이 마스크를 사용하는 광학 리소그래피 방법
US5565286A (en) Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
US6258493B1 (en) Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5858580A (en) Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
KR0166401B1 (ko) 미세패턴 형성방법
EP0927381B1 (en) Phase shifting circuit manufacturing method and device
JPH0950116A (ja) フォトマスク及びその製造方法並びにそのフォトマスクを用いた露光方法
KR960032090A (ko) 패턴 형성 방법
US6902851B1 (en) Method for using phase-shifting mask
KR940020479A (ko) 위상 시프트 마스크와 그 검사 방법(Phase shift mask and its inspection method)
US6534224B2 (en) Phase shift mask and system and method for making the same
KR100193873B1 (ko) 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크
KR100236075B1 (ko) 마스크 패턴
JP2002072444A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
KR100224717B1 (ko) 위상반전 마스크 제조방법
JPH0770468B2 (ja) レジストパターンの形成方法
JP2002116528A (ja) 露光用マスク
JPH07281416A (ja) 露光マスク
JPH07130615A (ja) 微細パターンの形成方法
JPH0619117A (ja) 投影露光装置
JPH04273118A (ja) 縮小投影露光装置
JPH04184441A (ja) フォトマスク
JPH05158217A (ja) 露光用マスク

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130320

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140319

Year of fee payment: 12