JP2000267258A - レチクル - Google Patents

レチクル

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JP2000267258A
JP2000267258A JP7032599A JP7032599A JP2000267258A JP 2000267258 A JP2000267258 A JP 2000267258A JP 7032599 A JP7032599 A JP 7032599A JP 7032599 A JP7032599 A JP 7032599A JP 2000267258 A JP2000267258 A JP 2000267258A
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Kazuki Yokota
和樹 横田
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Abstract

(57)【要約】 【課題】 欠陥検査領域の明確化と遮光領域規定パター
ンを縮小投影露光装置の解像限界以下とする。 【解決手段】 スリット３を、縮小投影露光装置の解像
限界以下のピッチを有するラインアンドスペースパター
ンＰにより構成する。スリット３を構成するラインアン
ドスペースパターンＰは縞模様に形成している。ライン
アンドスペースパターンＰは、縮小投影露光装置の解像
限界以下のピッチであるため、そのパターンＰを通して
ウェハ上に結像することがなく、露光に支障を与えるこ
とがない。したがって、縮小投影露光装置のレチクル照
明光学系で発生した迷光により、遮光領域２が照明され
た場合にも、そのラインアンドスペースパターンＰが半
導体ウェハ上に結像することを防止することができる。
さらに、ラインアンドスペースパターンＰは、周期パタ
ーンであるため、光学顕微鏡を使って目視した場合に視
認性が高く、欠陥検査領域を明確にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縮小投影露光装置
に用いられるレチクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縮小投影露光装置に用いられるレチクル
は、回路パターン領域を規定するための遮光領域を有し
ており、その遮光領域の規定パターンは、レチクル上の
欠陥検査領域を明確化すること及び、そのパターンを縮
小投影露光装置の解像限界以下とすることが重要な要素
となっている。
【０００３】上述した目的のため、遮光領域規定パター
ンには通常図４に示すような単一のスリット３が備えら
れており、かつ、そのスリット３の幅Ｗ２を縮小投影露
光装置の解像限界以下まで細くする必要がある。
【０００４】このような例は特開昭６２−２１９９４１
号公報及び特開平３−２３８４５５号公報に開示されて
おり、特開昭６２−２１９９４１号公報ではスリット３
の幅Ｗ２を２μｍに設定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図４に示
す従来技術では、今後縮小投影露光装置の解像力が向上
した場合、スリット３の幅Ｗ２をより細くする必要があ
り、スリット３の幅Ｗ２が微少になることにより、単一
スリットのパターン認識が困難となり、結果として遮光
領域規定パターン本来の目的である欠陥検査領域の明確
化が難しくなるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、欠陥検査領域の明確化と
遮光領域規定パターンを縮小投影露光装置の解像限界以
下とすることを両立させて実現したレチクルを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレチクルは、ウェハ上に転写する回路
パターンを象った透過部と、その回路パターン領域を規
定するための遮光領域とを有するレチクルであって、前
記遮光領域は、レチクル上の欠陥検査領域を明確化する
ためのスリットを有しており、前記スリットは、縮小投
影露光装置の解像限界以下のピッチを有するラインアン
ドスペースパターンにより構成したものである。
【０００８】また前記ラインアンドスペースパターン
は、１次元周期パターンである。
【０００９】また前記ラインアンドスペースパターン
は、２次元周期パターンである
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
【００１１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るレチクルを示す構成図である。
【００１２】図１において本発明の実施形態１に係るレ
チクルは、ウェハ上に転写する回路パターンを象った透
過部１と、その回路パターン領域を規定するための遮光
領域２とを有している。
【００１３】遮光領域２は露光光を完全に遮光する必要
があり、ピンホールなどの欠陥の有無についての欠陥検
査を行う必要がある。
【００１４】また遮光領域２の幅Ｗ１は、縮小投影露光
装置が備える遮光機能の精度分必要であり、その領域に
おいて欠陥保証されればよいものである。
【００１５】通常、遮光領域２には、レチクル上の欠陥
検査領域を明確化するためにスリット３が設けられてい
る。
【００１６】スリット３は、万が一縮小投影露光装置の
レチクル照明光学系で発生したように迷光により照明さ
れた場合にも、そのパターンがウェハ上に結像すること
を防ぐため、そのスリット３の開口寸法（幅Ｗ２）を縮
小投影露光装置の解像限界以下に設定しており、かつ回
路パターン形成用の透過部１の縁部から縮小投影露光装
置が備えた遮光機能の精度分離れた距離に配置する必要
がある。
【００１７】スリット３の開口寸法（幅Ｗ２）は、縮小
投影露光装置の解像力と関係しており、その解像力が向
上するのに伴って縮小される関係にある。
【００１８】従来のように単一のスリットでは、縮小投
影露光装置の解像力の向上に伴って、その開口寸法が縮
小されるため、レチクル上の欠陥検査時にそのスリット
の位置を光学顕微鏡で認識することが困難となる。
【００１９】そこで、本発明の実施形態１では、スリッ
ト３を、縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチを有
するラインアンドスペースパターンＰにより構成したこ
とを特徴とするものであり、図２に示すスリット３を構
成するラインアンドスペースパターンＰは縞模様に形成
している。
【００２０】ラインアンドスペースパターンＰは、縮小
投影露光装置の解像限界以下のピッチであるため、その
パターンＰの像はウェハ上に結像することがなく、露光
に支障を与えることがない。
【００２１】したがって、縮小投影露光装置のレチクル
照明光学系で発生した迷光により、遮光領域規定パター
ン３が照明された場合にも、そのラインアンドスペース
パターンＰが半導体ウェハ上に結像することを防止する
ことができる。
【００２２】さらに、ラインアンドスペースパターンＰ
は、周期パターンであるため、光学顕微鏡を使って目視
した場合に視認性が高く、欠陥検査領域を明確にするこ
とができる。
【００２３】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２に係るレチクルを拡大した構成図である。
【００２４】図２に示す実施形態１では、１次元周期パ
ターンであるラインアンドスペースパターンＰとした例
を示したが、図３に示す本発明の実施形態２では、ライ
ンアンドスペースパターンＰを２次元周期パターンとし
て構成したものである。
【００２５】すなわち図３に示す本発明の実施形態２に
おけるラインアンドスペースパターンＰは、ホールをマ
トリックス状に配列して２次元周期パターンとして構成
している。
【００２６】図３に示す本発明の実施形態２におけるラ
インアンドスペースパターンＰは実施形態１と同様に、
縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチを有してお
り、実施形態１と同様な効果を有している。
【００２７】なお、図２に示すスリット３を構成をする
ラインアンドスペースパターンＰは縞模様に形成してお
り、図３のラインアンドスペースパターンＰは格子模様
に形成しているが、ラインアンドスペースパターンＰは
図示のものに限定されるものではなく、縮小投影露光装
置の解像限界以下のピッチを有するものであれば、いず
れの形状のものでもよいものである。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ラインア
ンドスペースパターンＰは、縮小投影露光装置の解像限
界以下のピッチであるため、そのパターンＰの像をウェ
ハ上に結像することがなく、露光に支障を与えることが
なく、縮小投影露光装置のレチクル照明光学系で発生し
た迷光により、遮光領域規定パターン３が照明された場
合にも、そのラインアンドスペースパターンＰが半導体
ウェハ上に結像することを防止することができる。
【００２９】さらに、ラインアンドスペースパターン
は、周期パターンであるため、光学顕微鏡を使って目視
した場合に視認性が高く、欠陥検査領域を明確にするこ
とができ、欠陥検査の精度向上及び検査時間の短縮を実
現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係るレチクルを示す構成
図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るレチクルを拡大した
構成図である。
【図３】本発明の実施形態２に係るレチクルを拡大した
構成図である。
【図４】従来例に係るレチクルを拡大した構成図であ
る。
【符号の説明】
１ 透過部 ２ 遮光領域 ３ スリット Ｐ ラインアンドスペースパターン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハ上に転写する回路パターンを象っ
    た透過部と、その回路パターン領域を規定するための遮
    光領域とを有するレチクルであって、 前記遮光領域は、レチクル上の欠陥検査領域を明確化す
    るためのスリットを有しており、 前記スリットは、縮小投影露光装置の解像限界以下のピ
    ッチを有するラインアンドスペースパターンにより構成
    したものであることを特徴とするレチクル。
  2. 【請求項２】 前記ラインアンドスペースパターンは、
    １次元周期パターンであることを特徴とする請求項１に
    記載のレチクル。
  3. 【請求項３】 前記ラインアンドスペースパターンは、
    ２次元周期パターンであることを特徴とする請求項１に
    記載のレチクル。
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