KR960032090A - 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

패턴 형성 방법에서, 원하는 패턴을 포함하는 포토 마스크가 제공된다. 감광 수지막이 반도체 기판상에 스핀 코팅된다. 그후, 감광 수지막의 표면은 현상액에 저항성을 갖도록 변경된다. 다음에, 포토 마스크를 통과하도록 광이 조명된다. 그에따라, 포토 마스크를 통과하는 광에 의해, 원하는 패턴에 대응하는 감광 수지막의 표면부에서만 감광 수지막의 특성에 기초하여 저항성이 감소된다. 마지막으로, 감광층은 현상액으로 현상된다.

Description

패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11도는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법을 설명하는 흐름도.
내용 없음

Claims (8)

  1. 원하는 패턴을 포함하는 포토 마스크를 제공하는 단계와; 반도체 기판상에 감광 수지막을 코팅하는 단계와; 상기 감광 수지막의 표면을 현상액에 대한 저항성을 갖도록 만드는 단계와; 상기 포토 마스크를 통과하도록 광을 조명하여 상기 포토 마스크를 통과하는 광에 의해 상기 원하는 패턴에 대응하는 상기 감광 수직막의 표면부에서만 상기 저항성을 감소시키는 단계 및; 상기 감광층과 상기 현상액을 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토 마스크는 투명 기판상에 투명 영역 및 반투명 영역을 포함하는 망판형 위상 시프트 포토 마스크인데, 상기 투명 영역을 통과하는 광 성분은 상기 반투명 영역을 통과하는 광 성분의 위상과 다른 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포토 마스크는 투명 기판상에 광 차폐 영역 및 투명 영역을 포함하는 원하는 패턴을 가지고, 상기 투명 영역의 패턴은 적어도 하나의 제1패턴 및 적어도 하나의 제2패턴을 포함하고, 상기 제1패턴은 W1≥0.5×λ/NA(단, W2는 투사 평면상의 패턴 크기χ는 상기 광의 파장, NA는 수치 개구)의 크기를 가지고, 상기 제2패턴은 W2≤0.5×λ/NA(단, W2는 투사 평면상의 패턴크기)의 크기를 가지며,상기 제1패턴을 통과하는 광 성분은 상기 제2패턴을 통과하는 광 성분의 위상과 다른 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제2항 또는 3항에 있어서, 0.35㎛패턴에 의해 상기 포토 마스크에 0.05㎛의 마스크 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광 수지막의 표면을 현상액에 대한 저항성을 갖도록 만드는 단계는 상기 감광 수지막의 표면을 알칼리 용액에 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 감광막 수지막의 표면을 알칼리 용액에 접촉시키는 단계는 상기 감광 수지막의 표면을 2.38wt%의 TMAH에 1분 이상 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명 단계는 상기 감광 수지막의 막두께 방향으로 초점 위치를 변경시키면서 상기 광을 여러번 조명하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광을 여러번 조명하는 단계는 상기 감광 수지막의 표면상에 집속하는 상태와 상기 감광 수지막과 상기 반도체 기판 사이의 경계상에 접속하는 상태에서 상기 광을 조명하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960004107A 1995-02-17 1996-02-15 패턴 형성 방법 KR100215354B1 (ko)

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