JP2852169B2 - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
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- G—PHYSICS
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の製
造工程で回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関する。
造工程で回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路などの微細パターン加工
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数と露光波長に依存する。解像度を向上するため
に開口数を大きくしたり、露光波長を短くするとそれに
ともなって焦点深度は浅くなってしまう。
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数と露光波長に依存する。解像度を向上するため
に開口数を大きくしたり、露光波長を短くするとそれに
ともなって焦点深度は浅くなってしまう。
【0003】解像度を一定に保ったまま焦点深度を深め
る露光方法として特開昭63−42122号には光軸上
の複数の位置で露光する多重露光方法(FLEX法)が
述べられている。また、焦点深度を深める他の方法とし
て特開平4−180612には照明光学系の光路中に光
束変換部材を入れ光束を分割する変形照明法が述べられ
ている。
る露光方法として特開昭63−42122号には光軸上
の複数の位置で露光する多重露光方法(FLEX法)が
述べられている。また、焦点深度を深める他の方法とし
て特開平4−180612には照明光学系の光路中に光
束変換部材を入れ光束を分割する変形照明法が述べられ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】FLEX法では、マス
クパターンのうち隣接開口部間距離が離れている孤立パ
ターンの焦点深度を拡大するが、隣接開口部間の距離が
短くなると光学像のコントラストが下がり解像不能にな
る。このためFLEX法は孤立パターンに対してのみ有
効であり、その用途はコンタクトホール露光工程に限ら
れてきた。従来コンタクトホールを含むマスク中の隣接
ホール間距離はホール径の2倍以上離れていたため、コ
ンタクトホールはほぼ孤立パターンと見なすことができ
た。ところが近年半導体集積回路の集積度を向上させる
ため、図2に示すように、同一マスク4内に孤立ホール
のパターン13と、ホール間距離がホール径の2倍以下
に近接した配列パターン14との両者を含むマスクパタ
ーンを用いる必要が生じてきた。この場合にFLEX法
を用いて孤立パターンの焦点深度を拡大しようとすると
配列パターンが解像不能になるという問題が生じる。
クパターンのうち隣接開口部間距離が離れている孤立パ
ターンの焦点深度を拡大するが、隣接開口部間の距離が
短くなると光学像のコントラストが下がり解像不能にな
る。このためFLEX法は孤立パターンに対してのみ有
効であり、その用途はコンタクトホール露光工程に限ら
れてきた。従来コンタクトホールを含むマスク中の隣接
ホール間距離はホール径の2倍以上離れていたため、コ
ンタクトホールはほぼ孤立パターンと見なすことができ
た。ところが近年半導体集積回路の集積度を向上させる
ため、図2に示すように、同一マスク4内に孤立ホール
のパターン13と、ホール間距離がホール径の2倍以下
に近接した配列パターン14との両者を含むマスクパタ
ーンを用いる必要が生じてきた。この場合にFLEX法
を用いて孤立パターンの焦点深度を拡大しようとすると
配列パターンが解像不能になるという問題が生じる。
【0005】これに対し変形照明法を用いると配列パタ
ーン14の焦点深度は拡大するが孤立パターン13の焦
点深度は拡大しない。このため変形照明法を用いても図
2に示されるようなマスクでは全パターンの焦点深度を
拡大することができない。図3は孤立ラインパターン1
5及びライン配列パターン16が混在したマスクを示す
平面図であるが、図3のマスクについても上記従来法に
おける解決すべき課題は図2のマスクにおけると同様に
残っている。
ーン14の焦点深度は拡大するが孤立パターン13の焦
点深度は拡大しない。このため変形照明法を用いても図
2に示されるようなマスクでは全パターンの焦点深度を
拡大することができない。図3は孤立ラインパターン1
5及びライン配列パターン16が混在したマスクを示す
平面図であるが、図3のマスクについても上記従来法に
おける解決すべき課題は図2のマスクにおけると同様に
残っている。
【0006】そこで、本発明の目的は、孤立パターンと
配列パターンの両者が混在したマスク内の全パターンの
焦点深度を向上させる投影露光方法および投影露光装置
を提供することにある。
配列パターンの両者が混在したマスク内の全パターンの
焦点深度を向上させる投影露光方法および投影露光装置
を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、被露光パター
ンを有するマスクを照明光学系を用いて照明するととも
に前記被露光パターンをレジスト膜を塗布したウエファ
上に投影光学系を用いて投影する投影露光方法におい
て、前記照明光学系中に備えた照明形状変形部材により
照明光の光束の中心部を暗くして前記照明光が前記マス
クに斜め方向から入射するようにするとともに、前記被
露光パターンの結像面が露光光の光軸上に複数の位置に
形成され、かつ、異なる結像面に同一の被露光パターン
を露光することを特徴とする投影露光方法である。本発
明は、被露光パターンを有するマスクと、レジスト膜を
塗布したウエファと、前記マスクを照明する照明光学系
と、前記マスク上のパターンをウエファ上に結像させる
投影光学系と、前記照明光学系による照明光束の中心部
を暗くして前記照明光が前記マスクに斜め方向から入射
させる照明形状変形部材と、前記被露光パターンの結像
面が露光光の光軸上に複数の位置に形成され、かつ、異
なる結像面に同一の被露光パターンを露光する手段を備
えることを特徴とする投影露光装置である。
ンを有するマスクを照明光学系を用いて照明するととも
に前記被露光パターンをレジスト膜を塗布したウエファ
上に投影光学系を用いて投影する投影露光方法におい
て、前記照明光学系中に備えた照明形状変形部材により
照明光の光束の中心部を暗くして前記照明光が前記マス
クに斜め方向から入射するようにするとともに、前記被
露光パターンの結像面が露光光の光軸上に複数の位置に
形成され、かつ、異なる結像面に同一の被露光パターン
を露光することを特徴とする投影露光方法である。本発
明は、被露光パターンを有するマスクと、レジスト膜を
塗布したウエファと、前記マスクを照明する照明光学系
と、前記マスク上のパターンをウエファ上に結像させる
投影光学系と、前記照明光学系による照明光束の中心部
を暗くして前記照明光が前記マスクに斜め方向から入射
させる照明形状変形部材と、前記被露光パターンの結像
面が露光光の光軸上に複数の位置に形成され、かつ、異
なる結像面に同一の被露光パターンを露光する手段を備
えることを特徴とする投影露光装置である。
【0008】
【作用】本発明によれば照明光の光束の中心部を暗くす
ることにより孤立パターンの焦点深度が向上するととも
に、マスク、ウエファ,投影光学系の少なくとも一つを
光軸方向に移動させ複数回露光することにより配列パタ
ーンの焦点深度が向上する。このような方法で露光する
本発明の採用により、孤立パターンと配列パターンの混
在したマスク内の全パターンの焦点深度を向上できる。
ることにより孤立パターンの焦点深度が向上するととも
に、マスク、ウエファ,投影光学系の少なくとも一つを
光軸方向に移動させ複数回露光することにより配列パタ
ーンの焦点深度が向上する。このような方法で露光する
本発明の採用により、孤立パターンと配列パターンの混
在したマスク内の全パターンの焦点深度を向上できる。
【0009】図4に示される様なホールの配列パターン
14の場合、ホール間距離LSとホールサイズLHとの比
が大きくなると、隣接ホールからの回折光の影響が弱ま
り孤立パターンに近づく。通常LS/LHが3以上になる
と隣接ホールからの回折光の影響は無視できる。図4の
パターンをKrFエキシマステッパで露光したときに得
られる焦点深度をLS/LHの関数として表したものを図
5に示す。図5において、17は通常法により得られる
焦点深度、18は二回露光法により得られる焦点深度、
19は変形照明法により得られる焦点深度、20は本発
明方法により得られる焦点深度である。ステッパのNA
=0.5、σ=0.5であり、ホールサイズLHはウエ
ファ上で0.25μmである。できあがり寸法の許容値
は設計寸法の±10%とした。二回露光をしたときのス
テージ移動距離Δzは1.2μm、照明光束を変形した
とき、その形状は図7(b)に示すものを用い、中心の
十字型遮光帯の幅はσの40%とした。
14の場合、ホール間距離LSとホールサイズLHとの比
が大きくなると、隣接ホールからの回折光の影響が弱ま
り孤立パターンに近づく。通常LS/LHが3以上になる
と隣接ホールからの回折光の影響は無視できる。図4の
パターンをKrFエキシマステッパで露光したときに得
られる焦点深度をLS/LHの関数として表したものを図
5に示す。図5において、17は通常法により得られる
焦点深度、18は二回露光法により得られる焦点深度、
19は変形照明法により得られる焦点深度、20は本発
明方法により得られる焦点深度である。ステッパのNA
=0.5、σ=0.5であり、ホールサイズLHはウエ
ファ上で0.25μmである。できあがり寸法の許容値
は設計寸法の±10%とした。二回露光をしたときのス
テージ移動距離Δzは1.2μm、照明光束を変形した
とき、その形状は図7(b)に示すものを用い、中心の
十字型遮光帯の幅はσの40%とした。
【0010】図5よりわかるように、二回露光をする
と、孤立パターンに近いLS/LHが3付近では通常法に
比べ焦点深度が増大しているが、LS/LHが1.5以下
になるとコントラストが急激に悪化するため焦点深度が
急速に浅くなってしまう。また、図6は各種露光方法に
より得られる合焦点位置におけるホール径(でき上り寸
法)を示す図である。図6に示されるように合焦点位置
におけるホールのできあがり寸法はLS/LHが1.5以
下で設計寸法より大きめになっている。なお、図6にお
いて、21は通常法により得られるホール径、22は二
回露光法により得られるホール径、23は変形照明法に
より得られるホール径、24は本発明方法により得られ
るホール径である。
と、孤立パターンに近いLS/LHが3付近では通常法に
比べ焦点深度が増大しているが、LS/LHが1.5以下
になるとコントラストが急激に悪化するため焦点深度が
急速に浅くなってしまう。また、図6は各種露光方法に
より得られる合焦点位置におけるホール径(でき上り寸
法)を示す図である。図6に示されるように合焦点位置
におけるホールのできあがり寸法はLS/LHが1.5以
下で設計寸法より大きめになっている。なお、図6にお
いて、21は通常法により得られるホール径、22は二
回露光法により得られるホール径、23は変形照明法に
より得られるホール径、24は本発明方法により得られ
るホール径である。
【0011】これに対し、照明光束を変形するとLS/
LHが1.2以下で通常法に比べ焦点深度が向上する
が、LS/LHが3付近では通常法とほとんど変わらな
い。そして、照明光束を変形するとLS/LHが1.5近
辺で焦点深度が取れなくなっている。これは、図6に示
されるように合焦点位置におけるできあがり寸法が設計
寸法より小さくなりすぎているためである。
LHが1.2以下で通常法に比べ焦点深度が向上する
が、LS/LHが3付近では通常法とほとんど変わらな
い。そして、照明光束を変形するとLS/LHが1.5近
辺で焦点深度が取れなくなっている。これは、図6に示
されるように合焦点位置におけるできあがり寸法が設計
寸法より小さくなりすぎているためである。
【0012】本発明により二回露光と照明光束の変形を
組み合わせると図5に符号20で示されるようにLS/
LHが1.2から3の範囲で1μm以上の焦点深度がと
れる。これは、図6よりわかるようにLS/LHが1.5
付近で、二回露光によりできあがり寸法が大きくなる効
果と変形照明によりできあがり寸法が小さくなる効果が
ちょうど打ち消し合い、寸法変動が小さくなる非常に良
い組み合わせになっているからである。このため、本発
明によれば孤立パターンと配列パターンの混在したマス
ク内の全パターンの焦点深度を向上することが可能とな
る。
組み合わせると図5に符号20で示されるようにLS/
LHが1.2から3の範囲で1μm以上の焦点深度がと
れる。これは、図6よりわかるようにLS/LHが1.5
付近で、二回露光によりできあがり寸法が大きくなる効
果と変形照明によりできあがり寸法が小さくなる効果が
ちょうど打ち消し合い、寸法変動が小さくなる非常に良
い組み合わせになっているからである。このため、本発
明によれば孤立パターンと配列パターンの混在したマス
ク内の全パターンの焦点深度を向上することが可能とな
る。
【0013】
【実施例】図1は、請求項1及び3に記載した発明にな
る方法の実施例を示す概念図である。レジストをウェフ
ァ7上に塗布しレジスト層6を形成した。KrFエキシ
マ光を光源とする投影露光装置を用いてマスク4上のパ
ターンを2回露光した。1回目と2回目の露光の間にウ
エファ7を乗せたステージ8は光軸方向にΔzだけ移動
されている。また、露光中に照明光束変換部材1を通っ
た光2はその中心部が暗くなっている。露光後にレジス
ト層6を現像することによりマスク4上のパターンがレ
ジスト層6に縮小転写される。
る方法の実施例を示す概念図である。レジストをウェフ
ァ7上に塗布しレジスト層6を形成した。KrFエキシ
マ光を光源とする投影露光装置を用いてマスク4上のパ
ターンを2回露光した。1回目と2回目の露光の間にウ
エファ7を乗せたステージ8は光軸方向にΔzだけ移動
されている。また、露光中に照明光束変換部材1を通っ
た光2はその中心部が暗くなっている。露光後にレジス
ト層6を現像することによりマスク4上のパターンがレ
ジスト層6に縮小転写される。
【0014】図8は、請求項2及び4に記載した発明装
置の実施例の構成を示す概念図である。KrFエキシマ
レーザ光源9より出射し反射鏡10により反射された光
は空間的に不均一な分布をしているためホモジナイザ1
1で光強度分布を均一にしている。照明形状変形部材1
としては図7(a)の様な輪帯状遮光板25または図7
(b)の様な四つ穴状の遮光板26を挿入し光束の中心
を暗くしている。照明光学系3より出た光はマスク4を
照らし、投影光学系5を通り縮小されたのち、レジスト
を塗布したウエファ12上に結像する。ステージ8は複
数露光の間および露光中に上下動するようになってい
る。
置の実施例の構成を示す概念図である。KrFエキシマ
レーザ光源9より出射し反射鏡10により反射された光
は空間的に不均一な分布をしているためホモジナイザ1
1で光強度分布を均一にしている。照明形状変形部材1
としては図7(a)の様な輪帯状遮光板25または図7
(b)の様な四つ穴状の遮光板26を挿入し光束の中心
を暗くしている。照明光学系3より出た光はマスク4を
照らし、投影光学系5を通り縮小されたのち、レジスト
を塗布したウエファ12上に結像する。ステージ8は複
数露光の間および露光中に上下動するようになってい
る。
【0015】光軸上の複数の位置において露光する方法
としてステージを上下動する方法以外に、請求項5に記
載した発明方法および請求項6に記載した発明装置のよ
うに光源の波長を変えて複数回または連続して露光する
こともできる。これは光源の波長が異なると投影レンズ
の焦点位置が色収差のため変動するからで、このときの
焦点位置変動Δzは次式で与えられる。
としてステージを上下動する方法以外に、請求項5に記
載した発明方法および請求項6に記載した発明装置のよ
うに光源の波長を変えて複数回または連続して露光する
こともできる。これは光源の波長が異なると投影レンズ
の焦点位置が色収差のため変動するからで、このときの
焦点位置変動Δzは次式で与えられる。
【0016】
【数1】
【0017】ここでmおよびfは結像光学系の倍率およ
び焦点距離であり、それぞれ1/5および100mmで
ある。また、nおよびdn/dλはレンズに用いる合成
石英のλ=248.3nmにおける屈折率および屈折率
分散であり、それぞれ1.51および0.24μm-1と
なる。上式に波長差としてΔλ=21pmを代入すると
焦点位置変動は1.2μmとなる。KrFエキシマレー
ザは中心波長248.3nm、半値幅350pmで発振
するが、色収差を抑えるため半値幅を3pmまで回折格
子、エタロン、プリズム等を用いて狭帯域化している。
狭帯域化素子を微小回転することにより中心波長24
8.2nmおよび248.31nmでの発振が可能にな
る。また、より簡単に請求項7に記載した発明方法およ
び請求項8に記載した発明装置では狭帯域化を抑え、半
値幅20pmでKrFエキシマレーザを発振することに
より同様の効果を得ている。
び焦点距離であり、それぞれ1/5および100mmで
ある。また、nおよびdn/dλはレンズに用いる合成
石英のλ=248.3nmにおける屈折率および屈折率
分散であり、それぞれ1.51および0.24μm-1と
なる。上式に波長差としてΔλ=21pmを代入すると
焦点位置変動は1.2μmとなる。KrFエキシマレー
ザは中心波長248.3nm、半値幅350pmで発振
するが、色収差を抑えるため半値幅を3pmまで回折格
子、エタロン、プリズム等を用いて狭帯域化している。
狭帯域化素子を微小回転することにより中心波長24
8.2nmおよび248.31nmでの発振が可能にな
る。また、より簡単に請求項7に記載した発明方法およ
び請求項8に記載した発明装置では狭帯域化を抑え、半
値幅20pmでKrFエキシマレーザを発振することに
より同様の効果を得ている。
【0018】請求項9に記載した発明方法および請求項
10に記載した発明装置ではマスクとウエファの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入し光路長を延ばす
ことにより焦点位置を変動させる。ステージ等を移動す
る必要がないので移動にともなう位置ずれが生じない。
光路長をΔzだけ延ばすのに必要な物質の厚さtは次式
で与えられる。
10に記載した発明装置ではマスクとウエファの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入し光路長を延ばす
ことにより焦点位置を変動させる。ステージ等を移動す
る必要がないので移動にともなう位置ずれが生じない。
光路長をΔzだけ延ばすのに必要な物質の厚さtは次式
で与えられる。
【0019】
【数2】
【0020】ここでnfは物質の屈折率である。物質と
して合成石英を用いると1.2μmの焦点位置変動を得
るために必要な厚さは2.4μmとなる。これは1回目
と2回目露光の間に厚さが2.4μmだけ異なる合成石
英板を入れ替えることにより実現される。
して合成石英を用いると1.2μmの焦点位置変動を得
るために必要な厚さは2.4μmとなる。これは1回目
と2回目露光の間に厚さが2.4μmだけ異なる合成石
英板を入れ替えることにより実現される。
【0021】請求項11に記載した発明方法および請求
項12に記載した発明装置で投影光学系に多焦点レンズ
を用いている。多焦点レンズとして二重焦点レンズを用
い、二つの焦点間の距離を焦点移動距離Δzと等しくな
るようにするとステージをΔzだけ移動するのと同様な
効果を得る事ができる。
項12に記載した発明装置で投影光学系に多焦点レンズ
を用いている。多焦点レンズとして二重焦点レンズを用
い、二つの焦点間の距離を焦点移動距離Δzと等しくな
るようにするとステージをΔzだけ移動するのと同様な
効果を得る事ができる。
【0022】なお、請求項1から請求項12に記載した
発明に関する以上の実施例では光源としてKrFエキシ
マレーザを用いたが、ArFエキシマレーザ、高圧水銀
ランプのi線などを代わりに用いることもできる。また
照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射鏡や
プリズムなどを用いても良い。
発明に関する以上の実施例では光源としてKrFエキシ
マレーザを用いたが、ArFエキシマレーザ、高圧水銀
ランプのi線などを代わりに用いることもできる。また
照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射鏡や
プリズムなどを用いても良い。
【0023】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
方法または装置を用いると、孤立パターンと配列パター
ンの両者が混在したマスク内の全パターンの焦点深度を
向上させることができる。ホール配列パターンに対して
はホール間隔とホール径の比が1.2以上の範囲で本発
明は通常法に比べ最大2.5倍、最小でも1.4倍の焦
点深度を得ることができる。
方法または装置を用いると、孤立パターンと配列パター
ンの両者が混在したマスク内の全パターンの焦点深度を
向上させることができる。ホール配列パターンに対して
はホール間隔とホール径の比が1.2以上の範囲で本発
明は通常法に比べ最大2.5倍、最小でも1.4倍の焦
点深度を得ることができる。
【図1】請求項1に記載した発明方法の実施例を示す概
念図。
念図。
【図2】孤立ホールパターンおよびホール配列パターン
が混在したマスクを示す平面図。
が混在したマスクを示す平面図。
【図3】孤立ラインパターンおよびライン配列パターン
が混在したマスクを示す平面図。
が混在したマスクを示す平面図。
【図4】ホール配列パターンを示す平面図。
【図5】各種露光方法により得られる焦点深度を示す
図。
図。
【図6】各種露光方法により得られる合焦点位置におけ
るホール径(できあがり寸法)を示す図。
るホール径(できあがり寸法)を示す図。
【図7】照明形状変形部材として用いられる遮光板を示
す平面図。
す平面図。
【図8】請求項2に記載した発明装置の実施例の構成を
示す概念図。
示す概念図。
1 照明光束変換部材 2 照明光束変換部材を通った光 3 照明光学系 4 マスク 5 投影光学系 6 レジスト系 7,12 ウェファ 8 ステージ 9 KrFエキシマレーザ光源 10 反射鏡 11 ホモジナイザ 13 孤立ホールパターン 14 ホール配列パターン 15 孤立ラインパターン 16 ライン配列パターン 17 通常法により得られる焦点深度 18 二回露光法により得られる焦点深度 19 変形照明法により得られる焦点深度 20 本発明方法により得られる焦点深度 21 通常法により得られるホール径 22 二回露光法により得られるホール径 23 変形照明法により得られるホール径 24 本発明方法により得られるホール径 25 輪帯状の遮光板 26 四つ穴状の遮光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027
Claims (12)
- 【請求項1】 被露光パターンを有するマスクを照明光
学系を用いて照明するとともに前記被露光パターンをレ
ジスト膜を塗布したウエファ上に投影光学系を用いて投
影する投影露光方法において、前記照明光学系中に備え
た照明形状変形部材により照明光の光束の中心部を暗く
して前記照明光が前記マスクに斜め方向から入射するよ
うにするとともに、前記被露光パターンの結像面が露光
光の光軸上に複数の位置に形成され、かつ、異なる結像
面に同一の被露光パターンを露光することを特徴とする
投影露光方法。 - 【請求項2】 被露光パターンを有するマスクと、レジ
スト膜を塗布したウエファと、前記マスクを照明する照
明光学系と、前記マスク上のパターンをウエファ上に結
像させる投影光学系と、前記照明光学系による照明光束
の中心部を暗くして前記照明光が前記マスクに斜め方向
から入射させる照明形状変形部材と、前記被露光パター
ンの結像面が露光光の光軸上に複数の位置に形成され、
かつ、異なる結像面に同一の被露光パターンを露光する
手段を備えることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項3】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記マスク,ウエファ又は投影光学系のう
ちの少なくとも一つを光軸方向に移動させ複数回または
連続して露光することを特徴とする請求項1に記載の投
影露光方法。 - 【請求項4】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光する手段として、前記マスク,ウエファまたは投影光
学系のうちの少なくとも一つを複数露光の間または露光
中に光軸方向に移動させる手段を備えることを特徴とす
る請求項2に記載の投影露光装置。 - 【請求項5】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる 光軸上の複数の位置において
露光するため、前記照明光学系の光源の波長を変えて複
数回または連続して露光することを特徴とする請求項1
に記載の投影露光方法。 - 【請求項6】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる 光軸上の複数の位置において
露光する手段として、前記照明光学系の光源の波長 を
複数露光の間または露光中に変える手段を備えることを
特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。 - 【請求項7】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記照明光学系の光源を複数波長または連
続波長として露光することを特徴とする請求項1に記載
の投影露光方法。 - 【請求項8】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光する手段として、前記照明光学系の光源の波長を複数
波長または連続波長とする手段を備えることを特徴とす
る請求項2に記載の投影露光装置。 - 【請求項9】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記マスクとウエファとの間に空気と異な
る屈折率を有する物質を挿入して複数回露光することを
特徴とする請求項1に記載の投影露光方法。 - 【請求項10】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光する手段として、前記マスクとウエファとの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入する手段を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。 - 【請求項11】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光するため、前記投影光学系に多焦点レンズを用いて
露光することを特徴とする請求項1に記載の投影露光方
法。 - 【請求項12】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光する手段として、前記投影光学系に多焦点レンズを
用いることを特徴とする請求項2に記載の投影露光装
置。
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-
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950718 |