JP3159163B2 - 走査露光方法及び走査露光装置 - Google Patents
走査露光方法及び走査露光装置Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程の一つとしてのフォトリソグラフィ工程で行われる露
光技術に関し、特にフォトマスクに対しスリット光での
走査を行う露光方式に用いられるフォトマスクを用いた
走査露光方法及び走査露光装置に関する。
程の一つとしてのフォトリソグラフィ工程で行われる露
光技術に関し、特にフォトマスクに対しスリット光での
走査を行う露光方式に用いられるフォトマスクを用いた
走査露光方法及び走査露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウェ
ハの表面上に形成された導電膜や絶縁膜を所要のパター
ンにエッチング形成するパターニング工程があり、この
パターニングを行うための技術としてのフォトリソグラ
フィ工程がある。このフォトリソグラフィ工程では、半
導体ウェハの表面上に形成された導電膜や絶縁膜等のパ
ターン形成膜上にフォトレジストを塗布し、形成しよう
とするパターンに対応した光透過部あるいは光不透過部
のパターンを有するフォトマスクに光源からの光を照射
し、このフォトマスクを透過した光を前記フォトレジス
トに照射することで前記パターンを露光し、その後にフ
ォトレジストを現像して露光部分のフォトレジストを除
去することで（ポジ型フォトレジスト）、前記フォトレ
ジストに前記フォトマスクのパターンを転写したパター
ン形成が行われる。しかる上で、パターン形成されたフ
ォトレジストを選択マスクとしてパターン形成膜を選択
的にエッチングすることで、前記導電膜や絶縁膜を所要
のパターンに形成することが可能となる。
ハの表面上に形成された導電膜や絶縁膜を所要のパター
ンにエッチング形成するパターニング工程があり、この
パターニングを行うための技術としてのフォトリソグラ
フィ工程がある。このフォトリソグラフィ工程では、半
導体ウェハの表面上に形成された導電膜や絶縁膜等のパ
ターン形成膜上にフォトレジストを塗布し、形成しよう
とするパターンに対応した光透過部あるいは光不透過部
のパターンを有するフォトマスクに光源からの光を照射
し、このフォトマスクを透過した光を前記フォトレジス
トに照射することで前記パターンを露光し、その後にフ
ォトレジストを現像して露光部分のフォトレジストを除
去することで（ポジ型フォトレジスト）、前記フォトレ
ジストに前記フォトマスクのパターンを転写したパター
ン形成が行われる。しかる上で、パターン形成されたフ
ォトレジストを選択マスクとしてパターン形成膜を選択
的にエッチングすることで、前記導電膜や絶縁膜を所要
のパターンに形成することが可能となる。
【０００３】ところで、近年における半導体装置の微細
化、高集積化に伴い、前記したフォトリソグラフィ工程
でのフォトマスクのパターンをフォトレジストに転写す
る露光技術として、スリット光を用いた走査露光技術が
提案されている。図７はその概略構成を示す図であり、
光源３０１から出射される紫外光を図外のコンデンサレ
ンズにより集光して平行光束とした上でスリット板３０
２により前記光束の一部を遮光し、光軸を含む一方向、
例えばＹ方向に細長い矩形をしたスリット光ＳＬとす
る。そして、このスリット光ＳＬを、半導体ウェハ上に
形成する半導体チップの１チップに相当する露光用パタ
ーンが形成されているフォトマスクＰＭに照射し、この
フォトマスクＰＭを透過された光を縮小投影レンズ３０
３により半導体ウェハＷの表面に集光し、前記フォトマ
スクＰＭの露光用パターンＰを半導体ウェハＷの表面に
投影露光する。前記半導体ウェハＷの表面には、図示は
省略するが前記したようにパターン形成膜が形成され、
かつその表面にフォトレジストが塗布されている。そし
て、前記フォトマスクＰＭをその面内において所定の速
度でＸ方向に移動させ、かつこれと同期して半導体ウェ
ハＷを反対の−Ｘ方向に移動させることで、前記フォト
マスクＰＭはスリット光ＳＬにより走査され、かつ半導
体ウェハＷの表面にフォトマスクＰＭのパターンが走査
露光されることになる。なお、この場合、フォトマスク
Ｐの走査速度ｖＰと、半導体ウェハＷの走査速度ｖＰ
は、縮小投影レンズ３０３の結像倍率をｍとしたとき、
ｖＰ＝ｖＷ×ｍとすれば、フォトマスクＰＭの露光用パ
ターンＰはＸ方向及びＹ方向に等しい縮小倍率で半導体
ウェハＷに露光されることになる。
化、高集積化に伴い、前記したフォトリソグラフィ工程
でのフォトマスクのパターンをフォトレジストに転写す
る露光技術として、スリット光を用いた走査露光技術が
提案されている。図７はその概略構成を示す図であり、
光源３０１から出射される紫外光を図外のコンデンサレ
ンズにより集光して平行光束とした上でスリット板３０
２により前記光束の一部を遮光し、光軸を含む一方向、
例えばＹ方向に細長い矩形をしたスリット光ＳＬとす
る。そして、このスリット光ＳＬを、半導体ウェハ上に
形成する半導体チップの１チップに相当する露光用パタ
ーンが形成されているフォトマスクＰＭに照射し、この
フォトマスクＰＭを透過された光を縮小投影レンズ３０
３により半導体ウェハＷの表面に集光し、前記フォトマ
スクＰＭの露光用パターンＰを半導体ウェハＷの表面に
投影露光する。前記半導体ウェハＷの表面には、図示は
省略するが前記したようにパターン形成膜が形成され、
かつその表面にフォトレジストが塗布されている。そし
て、前記フォトマスクＰＭをその面内において所定の速
度でＸ方向に移動させ、かつこれと同期して半導体ウェ
ハＷを反対の−Ｘ方向に移動させることで、前記フォト
マスクＰＭはスリット光ＳＬにより走査され、かつ半導
体ウェハＷの表面にフォトマスクＰＭのパターンが走査
露光されることになる。なお、この場合、フォトマスク
Ｐの走査速度ｖＰと、半導体ウェハＷの走査速度ｖＰ
は、縮小投影レンズ３０３の結像倍率をｍとしたとき、
ｖＰ＝ｖＷ×ｍとすれば、フォトマスクＰＭの露光用パ
ターンＰはＸ方向及びＹ方向に等しい縮小倍率で半導体
ウェハＷに露光されることになる。
【０００４】この走査露光方式では、光源３０１から出
射され、かつ平行光束とされた光のうち、光軸を含む矩
形のスリット領域のスリット光ＳＬのみを利用して露光
を行うために、縮小投影レンズ３０３におけるレンズ収
差の影響を小さくし、半導体ウェハＷの結像面における
歪みや焦点ボケを抑えたパターン露光が可能となる。因
みに、フォトマスクの露光用パターンを一括して半導体
ウェハに縮小投影して露光する方式の場合には、露光を
瞬時に行うことができるという利点はあるものの、縮小
投影レンズの周辺部を透過する光を利用してパターン露
光を行っているため、フォトマスクの周辺部においてレ
ンズ収差の影響が顕著となり、周辺部におけるパターン
の形状や寸法に誤差が生じ易いものとなる。
射され、かつ平行光束とされた光のうち、光軸を含む矩
形のスリット領域のスリット光ＳＬのみを利用して露光
を行うために、縮小投影レンズ３０３におけるレンズ収
差の影響を小さくし、半導体ウェハＷの結像面における
歪みや焦点ボケを抑えたパターン露光が可能となる。因
みに、フォトマスクの露光用パターンを一括して半導体
ウェハに縮小投影して露光する方式の場合には、露光を
瞬時に行うことができるという利点はあるものの、縮小
投影レンズの周辺部を透過する光を利用してパターン露
光を行っているため、フォトマスクの周辺部においてレ
ンズ収差の影響が顕著となり、周辺部におけるパターン
の形状や寸法に誤差が生じ易いものとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、前記したよう
なスリット光による走査露光を行う場合、従来ではフォ
トマスクに形成する露光用パターンは、半導体ウェハに
対するフォトマスクの配置方向に基づいてのみ設計され
ている。例えば、半導体記憶装置のメモリセルのワード
線とビット線を形成する場合を例にとって説明する。図
７に示したように、従来ではステージ上に搭載された半
導体ウェハＷのオリエンテーションフラット（以下、オ
リフラと称する）ＯＦを基準に半導体ウェハＷをＸ，−
Ｘ方向に走査しており、フォトマスクＰＭはフォトマス
クを支持するためのマスクステージに対して一定方向か
ら着脱する構成とされている。このため、メモリセルの
ワード線を露光するためのフォトマスクＰＭｗ’は、図
８（ａ）に示すように、ワード線の長辺方向がＸ方向に
沿って延長されたパターンＰｗとして形成される。これ
に対し、ワード線に直交されるビット線を露光するため
のフォトマスクＰＭｂは、図８（ｂ）に示すように、ビ
ット線の長辺方向がＹ方向に沿って延長されたパターン
Ｐｂとして形成される。したがって、これらのフォトマ
スクＰＭｗ’，ＰＭｂ’を用いてワード線とビット線の
各パターンＰｗ，Ｐｂを走査露光すると、ワード線パタ
ーンＰｗの露光時には、スリット光ＳＬはワード線パタ
ーンＰｗの長辺方向に沿って走査され、ビット線パター
ンＰｂの露光時には、スリット光ＳＬはビット線パター
ンＰｂの長辺方向と直交する方向に沿って走査される。
なスリット光による走査露光を行う場合、従来ではフォ
トマスクに形成する露光用パターンは、半導体ウェハに
対するフォトマスクの配置方向に基づいてのみ設計され
ている。例えば、半導体記憶装置のメモリセルのワード
線とビット線を形成する場合を例にとって説明する。図
７に示したように、従来ではステージ上に搭載された半
導体ウェハＷのオリエンテーションフラット（以下、オ
リフラと称する）ＯＦを基準に半導体ウェハＷをＸ，−
Ｘ方向に走査しており、フォトマスクＰＭはフォトマス
クを支持するためのマスクステージに対して一定方向か
ら着脱する構成とされている。このため、メモリセルの
ワード線を露光するためのフォトマスクＰＭｗ’は、図
８（ａ）に示すように、ワード線の長辺方向がＸ方向に
沿って延長されたパターンＰｗとして形成される。これ
に対し、ワード線に直交されるビット線を露光するため
のフォトマスクＰＭｂは、図８（ｂ）に示すように、ビ
ット線の長辺方向がＹ方向に沿って延長されたパターン
Ｐｂとして形成される。したがって、これらのフォトマ
スクＰＭｗ’，ＰＭｂ’を用いてワード線とビット線の
各パターンＰｗ，Ｐｂを走査露光すると、ワード線パタ
ーンＰｗの露光時には、スリット光ＳＬはワード線パタ
ーンＰｗの長辺方向に沿って走査され、ビット線パター
ンＰｂの露光時には、スリット光ＳＬはビット線パター
ンＰｂの長辺方向と直交する方向に沿って走査される。
【０００６】このようにして走査露光を行った上で、半
導体ウェハ上に形成されたワード線とビット線の各パタ
ーンについて本願発明者がそのパターン形状や寸法につ
いて検討したところ次のような問題が生じていることが
明らかになった。すなわち、形成されたビット線パター
ンについては、特にパターン形状と寸法に問題は生じて
いないが、ワード線パターンについては、図９に示すよ
うに、チップＣの中心部ないしその近傍領域に配設され
ているワード線パターンＰｗ１と、チップの周辺部に配
設されているワード線パターンＰｗ２とでは、ワード線
の短辺寸法、すなわちワード線幅に寸法差が生じている
ことである。多数の半導体ウェハについての検討結果で
は、中心領域を通る前者のワード線パターンＰｗ１に対
して、周辺部を通る後者のワード線パターンＰｗ２の幅
寸法が細く形成されるという傾向が生じている。このた
め、形成される個々のチップの中心領域と周辺領域とで
は、最終的に形成されるワード線の線幅が異なることに
なり、この結果ＭＯＳトランジスタをメモリ素子とする
半導体記憶装置では、ＭＯＳトランジスタのゲート長が
チップの中心領域と周辺領域とで異なる寸法に形成され
ることになり、メモリセルの特性、例えばメモリセルの
ＭＯＳトランジスタのしきい値が中心領域と周辺部とで
相違してしまうことになる。このため、例えば、記憶さ
れたデータを読み出す際にビット線に現れる電流にばら
つきが生じ、誤ったデータ読み出しが生じてしまうとい
う、半導体記憶装置にとって致命的な問題が生じること
になる。
導体ウェハ上に形成されたワード線とビット線の各パタ
ーンについて本願発明者がそのパターン形状や寸法につ
いて検討したところ次のような問題が生じていることが
明らかになった。すなわち、形成されたビット線パター
ンについては、特にパターン形状と寸法に問題は生じて
いないが、ワード線パターンについては、図９に示すよ
うに、チップＣの中心部ないしその近傍領域に配設され
ているワード線パターンＰｗ１と、チップの周辺部に配
設されているワード線パターンＰｗ２とでは、ワード線
の短辺寸法、すなわちワード線幅に寸法差が生じている
ことである。多数の半導体ウェハについての検討結果で
は、中心領域を通る前者のワード線パターンＰｗ１に対
して、周辺部を通る後者のワード線パターンＰｗ２の幅
寸法が細く形成されるという傾向が生じている。このた
め、形成される個々のチップの中心領域と周辺領域とで
は、最終的に形成されるワード線の線幅が異なることに
なり、この結果ＭＯＳトランジスタをメモリ素子とする
半導体記憶装置では、ＭＯＳトランジスタのゲート長が
チップの中心領域と周辺領域とで異なる寸法に形成され
ることになり、メモリセルの特性、例えばメモリセルの
ＭＯＳトランジスタのしきい値が中心領域と周辺部とで
相違してしまうことになる。このため、例えば、記憶さ
れたデータを読み出す際にビット線に現れる電流にばら
つきが生じ、誤ったデータ読み出しが生じてしまうとい
う、半導体記憶装置にとって致命的な問題が生じること
になる。
【０００７】なお、前記した場合とは逆に、ワード線と
ビット線のそれぞれの延長方向を互いに逆にして同様の
パターン形成を行ったところ、今度はスリット光の長辺
方向と直交する方向に延長されているビット線におい
て、チップの中心領域と周辺領域とでそれぞれのビット
線の短辺方向の寸法、すなわち線幅に寸法差が生じてい
ることが確認された。このようなビット線の寸法がチッ
プの中心領域と周辺領域とで異なると、これに伴ってビ
ット線の抵抗が相違されることになり、前記したように
読み出したデータ電流がセンスアンプに到達されるまで
の電圧降下が各ビット線によって相違され、各ビット線
におけ正確なデータの読み出しができなくなるという問
題が生じることになる。なお、このような問題は前記し
たワード線、ビット線のパターン形成のみならず、一方
向に細長いライン状パターンをスリット光を用いた走査
露光によって転写する場合に、ライン状パターンの長辺
方向がスリット光の短辺方向、すなわちスリット光の走
査方向に向けられている場合において、光軸に近い領域
と、光軸から離れた領域とでライン幅が異なるパターン
が形成されることが確認されている。
ビット線のそれぞれの延長方向を互いに逆にして同様の
パターン形成を行ったところ、今度はスリット光の長辺
方向と直交する方向に延長されているビット線におい
て、チップの中心領域と周辺領域とでそれぞれのビット
線の短辺方向の寸法、すなわち線幅に寸法差が生じてい
ることが確認された。このようなビット線の寸法がチッ
プの中心領域と周辺領域とで異なると、これに伴ってビ
ット線の抵抗が相違されることになり、前記したように
読み出したデータ電流がセンスアンプに到達されるまで
の電圧降下が各ビット線によって相違され、各ビット線
におけ正確なデータの読み出しができなくなるという問
題が生じることになる。なお、このような問題は前記し
たワード線、ビット線のパターン形成のみならず、一方
向に細長いライン状パターンをスリット光を用いた走査
露光によって転写する場合に、ライン状パターンの長辺
方向がスリット光の短辺方向、すなわちスリット光の走
査方向に向けられている場合において、光軸に近い領域
と、光軸から離れた領域とでライン幅が異なるパターン
が形成されることが確認されている。
【０００８】本発明の目的は、露光されるラインパター
ンの短辺寸法を含めたパターン寸法のバラツキを解消し
てパターン寸法精度を高め、これにより高信頼度の半導
体装置を製造することを可能にした走査露光用フォトマ
スクを用いた走査露光方法及び走査露光装置を提供する
ことにある。
ンの短辺寸法を含めたパターン寸法のバラツキを解消し
てパターン寸法精度を高め、これにより高信頼度の半導
体装置を製造することを可能にした走査露光用フォトマ
スクを用いた走査露光方法及び走査露光装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明者が前記したよ
うなライン状パターンでの幅寸法のばらつきが生じる要
因について研究を重ねたところ、チップの中心領域と周
辺領域との間に生じる寸法差、例えば前記したワード線
パターンの場合のワード線パターンの短辺の寸法差は、
縮小投影レンズを含む投影光学系において生じるコマ収
差が要因であることが確認された。すなわち、コマ収差
は縮小投影レンズの光軸を通る光と、この光軸に対して
傾斜された方向から縮小投影レンズを透過する光との焦
点位置がずれることが原因で生じるものであり、例え
ば、図１０に示すような特性を有している。同図におい
て、横軸は光軸上の焦点位置ｆ、縦軸は光がレンズに入
射する際の光軸Ｏに対する角度αである。このように、
光軸Ｏに対する角度αが増大するのに従って焦点位置の
ずれ量が増大されれるため、結像面においては焦点ボケ
が生じることになり、コマ収差が顕著なものとなる。そ
のため、このコマ収差は、スリット光ＳＬにおける光軸
からの寸法が小さい短編側の両端部よりも、光軸からの
寸法が大きな長辺側の両端部においてコマ収差の影響が
大きくなる。前記したスリット光ＳＬの場合には、長辺
端部での焦点ずれ量Δｆ１は、短辺端部での焦点ずれΔ
ｆ２に比較して大きくなっている。したがって、このス
リット光ＳＬを、例えば図８（ａ）に示したようにワー
ド線パターンＰｗの長辺方向に沿って走査したときに
は、スリット光ＳＬの中心領域において露光されるチッ
プ中心領域のワード線パターンＰｗ１よりも、スリット
光ＳＬの両端領域において露光されるチップ周辺領域の
ワード線パターンＰｗ２におけるコマ収差の影響が大き
くなる。このコマ収差の影響により、チップ周辺領域の
ワード線では集光性が劣化されて鮮鋭なパターン露光が
行われず、そのためにフォトレジストに対する露光が不
十分なものとなり、結果として、図９に示したような、
いわゆる「やせた露光」が生じ、最終的に形成されるチ
ップ周辺領域のワード線の線幅寸法が小さいものとな
る。
うなライン状パターンでの幅寸法のばらつきが生じる要
因について研究を重ねたところ、チップの中心領域と周
辺領域との間に生じる寸法差、例えば前記したワード線
パターンの場合のワード線パターンの短辺の寸法差は、
縮小投影レンズを含む投影光学系において生じるコマ収
差が要因であることが確認された。すなわち、コマ収差
は縮小投影レンズの光軸を通る光と、この光軸に対して
傾斜された方向から縮小投影レンズを透過する光との焦
点位置がずれることが原因で生じるものであり、例え
ば、図１０に示すような特性を有している。同図におい
て、横軸は光軸上の焦点位置ｆ、縦軸は光がレンズに入
射する際の光軸Ｏに対する角度αである。このように、
光軸Ｏに対する角度αが増大するのに従って焦点位置の
ずれ量が増大されれるため、結像面においては焦点ボケ
が生じることになり、コマ収差が顕著なものとなる。そ
のため、このコマ収差は、スリット光ＳＬにおける光軸
からの寸法が小さい短編側の両端部よりも、光軸からの
寸法が大きな長辺側の両端部においてコマ収差の影響が
大きくなる。前記したスリット光ＳＬの場合には、長辺
端部での焦点ずれ量Δｆ１は、短辺端部での焦点ずれΔ
ｆ２に比較して大きくなっている。したがって、このス
リット光ＳＬを、例えば図８（ａ）に示したようにワー
ド線パターンＰｗの長辺方向に沿って走査したときに
は、スリット光ＳＬの中心領域において露光されるチッ
プ中心領域のワード線パターンＰｗ１よりも、スリット
光ＳＬの両端領域において露光されるチップ周辺領域の
ワード線パターンＰｗ２におけるコマ収差の影響が大き
くなる。このコマ収差の影響により、チップ周辺領域の
ワード線では集光性が劣化されて鮮鋭なパターン露光が
行われず、そのためにフォトレジストに対する露光が不
十分なものとなり、結果として、図９に示したような、
いわゆる「やせた露光」が生じ、最終的に形成されるチ
ップ周辺領域のワード線の線幅寸法が小さいものとな
る。
【００１０】
【００１１】このことから、本発明の走査露光方法は、
フォトマスクを走査して被露光体に対してパターン露光
を行うためのスリット光は、その長辺方向が前記フォト
マスクのライン状をした露光用パターンの長辺方向と一
致した状態で走査されることを特徴とする。例えば、前
記スリット光は光軸を含む位置に固定状態とされ、前記
フォトマスクはその面内において前記スリット光の短辺
方向に移動されて前記露光用パターンが前記スリット光
により走査され、かつ前記被露光体は前記フォトマスク
と同期してその面内において反対方向に移動されて前記
スリット光により前記フォトマスクの露光用パターンが
投影されるようにする。
フォトマスクを走査して被露光体に対してパターン露光
を行うためのスリット光は、その長辺方向が前記フォト
マスクのライン状をした露光用パターンの長辺方向と一
致した状態で走査されることを特徴とする。例えば、前
記スリット光は光軸を含む位置に固定状態とされ、前記
フォトマスクはその面内において前記スリット光の短辺
方向に移動されて前記露光用パターンが前記スリット光
により走査され、かつ前記被露光体は前記フォトマスク
と同期してその面内において反対方向に移動されて前記
スリット光により前記フォトマスクの露光用パターンが
投影されるようにする。
【００１２】さらに、本発明の走査露光装置は、光源か
ら出射された光を光軸を含む矩形のスリット光に制限す
るスリット手段と、ライン状をした露光用パターンが形
成されたフォトマスクを載置するマスクステージと、前
記マスクステージを前記スリット光の短辺方向に沿って
移動させて前記スリット光に対して前記フォトマスクの
露光用パターンを走査させるためのマスクステージ駆動
機構と、前記フォトマスクを透過した光を被露光体の表
面に縮小して結像させるための縮小投影レンズと、前記
被露光体を載置する被露光体ステージと、前記被露光体
ステージを前記マスクステージと同期して当該マスクス
テージの移動方向と反対方向に移動させるための被露光
体ステージ駆動機構とを備えており、前記マスクステー
ジは前記フォトマスクを面内の９０度異なる平面方向に
載置可能に構成され、前記被露光体ステージは、載置さ
れる被露光体を平面方向に少なくとも９０度回転位置さ
せるためのθ駆動部と、前記被露光体を前記スリット光
の短辺方向と、これに直交するスリット光の長辺方向に
それぞれ移動させるＸＹ駆動部とを備え、前記マスクス
テージと前記被露光体ステージは、前記フォトマスクの
前記露光用パターンの長辺方向と、前記被露光体に露光
されるパターンの長辺方向がそれぞれ前記スリット光の
長辺方向に一致される方向に載置可能に構成される。
ら出射された光を光軸を含む矩形のスリット光に制限す
るスリット手段と、ライン状をした露光用パターンが形
成されたフォトマスクを載置するマスクステージと、前
記マスクステージを前記スリット光の短辺方向に沿って
移動させて前記スリット光に対して前記フォトマスクの
露光用パターンを走査させるためのマスクステージ駆動
機構と、前記フォトマスクを透過した光を被露光体の表
面に縮小して結像させるための縮小投影レンズと、前記
被露光体を載置する被露光体ステージと、前記被露光体
ステージを前記マスクステージと同期して当該マスクス
テージの移動方向と反対方向に移動させるための被露光
体ステージ駆動機構とを備えており、前記マスクステー
ジは前記フォトマスクを面内の９０度異なる平面方向に
載置可能に構成され、前記被露光体ステージは、載置さ
れる被露光体を平面方向に少なくとも９０度回転位置さ
せるためのθ駆動部と、前記被露光体を前記スリット光
の短辺方向と、これに直交するスリット光の長辺方向に
それぞれ移動させるＸＹ駆動部とを備え、前記マスクス
テージと前記被露光体ステージは、前記フォトマスクの
前記露光用パターンの長辺方向と、前記被露光体に露光
されるパターンの長辺方向がそれぞれ前記スリット光の
長辺方向に一致される方向に載置可能に構成される。
【００１３】このように、本発明では、フォトマスクに
形成されるライン状をした露光用パターンはそのパター
ン形状の長辺方向が露光時に走査されるスリット光の長
辺方向に一致された構成とし、スリット光の中心領域と
両端領域とのコマ収差の影響が抑制されるように、スリ
ットの長辺方向を、露光するパターンの長辺方向と一致
させて走査露光を行う。スリット光は縮小投影レンズの
光軸を含んで短辺寸法Ｗ１、長辺Ｌ１（Ｗ１＜＜Ｌ１）
の矩形のスリット光として構成されるため、前記光軸に
対してスリット短辺方向の両端部の寸法Ｗ１／２は、ス
リット長辺方向の両端部の寸法Ｌ１／２に比較して小さ
いため、スリット光の短辺方向の両端部でのコマ収差
は、スリット長辺方向の両端部でのコマ収差に比較して
小さいものとなる。この場合、スリットの長辺方向を、
露光するパターンの長辺方向と一致させることにより、
スリットの長辺方向の両端部におけるコマ収差は、露光
するパターンの長辺方向の両端部において生じるもの
の、このスリット光の短辺方向においてはスリット光が
全短辺方向にわたって露光されるため、露光するパター
ンの短辺方向の両端部でのコマ収差の影響は殆ど解消さ
れる。これにより、露光パターンの短辺方向ではフォト
レジストに対して充分な光量での露光が確保され、露光
不足に伴うパターン短辺の低減が生じることはなくな
る。また、スリット長辺方向の両端部において生じてい
るコマ収差により、露光するパターンの長辺方向の両端
部では露光量不足が生じることもあるが、この場合には
露光するパターンの長辺方向の両端部で線長が若干短く
されるのみであり、パターン短辺寸法に与える影響を殆
ど無くし、短辺寸法のばらつきの無いラインパターンの
露光、転写が実現できる。
形成されるライン状をした露光用パターンはそのパター
ン形状の長辺方向が露光時に走査されるスリット光の長
辺方向に一致された構成とし、スリット光の中心領域と
両端領域とのコマ収差の影響が抑制されるように、スリ
ットの長辺方向を、露光するパターンの長辺方向と一致
させて走査露光を行う。スリット光は縮小投影レンズの
光軸を含んで短辺寸法Ｗ１、長辺Ｌ１（Ｗ１＜＜Ｌ１）
の矩形のスリット光として構成されるため、前記光軸に
対してスリット短辺方向の両端部の寸法Ｗ１／２は、ス
リット長辺方向の両端部の寸法Ｌ１／２に比較して小さ
いため、スリット光の短辺方向の両端部でのコマ収差
は、スリット長辺方向の両端部でのコマ収差に比較して
小さいものとなる。この場合、スリットの長辺方向を、
露光するパターンの長辺方向と一致させることにより、
スリットの長辺方向の両端部におけるコマ収差は、露光
するパターンの長辺方向の両端部において生じるもの
の、このスリット光の短辺方向においてはスリット光が
全短辺方向にわたって露光されるため、露光するパター
ンの短辺方向の両端部でのコマ収差の影響は殆ど解消さ
れる。これにより、露光パターンの短辺方向ではフォト
レジストに対して充分な光量での露光が確保され、露光
不足に伴うパターン短辺の低減が生じることはなくな
る。また、スリット長辺方向の両端部において生じてい
るコマ収差により、露光するパターンの長辺方向の両端
部では露光量不足が生じることもあるが、この場合には
露光するパターンの長辺方向の両端部で線長が若干短く
されるのみであり、パターン短辺寸法に与える影響を殆
ど無くし、短辺寸法のばらつきの無いラインパターンの
露光、転写が実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の走査露光方法を実施
するための走査露光装置の構成を示す正面構成図、図２
はその要部の概略構成の斜視図である。走査露光装置１
００の上部には、紫外光を出射する光源１０１が配置さ
れており、この光源１０１から出射された紫外光を反射
鏡１０２で反射した上でコンデンサレンズ１０３により
集光して平行光束とする。この平行光束の光軸Ｏ上に
は、前記光軸Ｏを含む平面Ｙ方向に細長いスリットを有
するスリット板１０４が配置され、前記平行光束のうち
光軸Ｏを通るスリット光ＳＬのみを選択して透過させる
ように構成される。前記スリット板１０４の下側には、
マスクステージ１０５が配置されており、マスクステー
ジ駆動部１０６によって平面Ｘ方向に所要の速度で直線
移動可能に構成されている。前記マスクステージ１０５
には、露光するパターンに対応した光透過パターンを有
するフォトマスクＰＭが搭載され、前記マスクステージ
１０５によって平面Ｘ方向に走査可能とされる。また、
前記マスクステージ１０５の下側の前記平行光束の光軸
Ｏ上には、縮小投影レンズ１０７が配置され、前記マス
クステージ１０５上のフォトマスクＰＭのパターンを縮
小して後述する半導体ウェハＷの表面に結像するように
構成される。さらに、前記縮小投影レンズ１０７の下側
位置には、ウェハステージ１０８が設置されており、こ
のウェハステージ１０８上には半導体ウェハＷが載置さ
れ、前記縮小投影レンズ１０７によって前記フォトマス
クＰＦのパターンが投影露光される。
参照して説明する。図１は本発明の走査露光方法を実施
するための走査露光装置の構成を示す正面構成図、図２
はその要部の概略構成の斜視図である。走査露光装置１
００の上部には、紫外光を出射する光源１０１が配置さ
れており、この光源１０１から出射された紫外光を反射
鏡１０２で反射した上でコンデンサレンズ１０３により
集光して平行光束とする。この平行光束の光軸Ｏ上に
は、前記光軸Ｏを含む平面Ｙ方向に細長いスリットを有
するスリット板１０４が配置され、前記平行光束のうち
光軸Ｏを通るスリット光ＳＬのみを選択して透過させる
ように構成される。前記スリット板１０４の下側には、
マスクステージ１０５が配置されており、マスクステー
ジ駆動部１０６によって平面Ｘ方向に所要の速度で直線
移動可能に構成されている。前記マスクステージ１０５
には、露光するパターンに対応した光透過パターンを有
するフォトマスクＰＭが搭載され、前記マスクステージ
１０５によって平面Ｘ方向に走査可能とされる。また、
前記マスクステージ１０５の下側の前記平行光束の光軸
Ｏ上には、縮小投影レンズ１０７が配置され、前記マス
クステージ１０５上のフォトマスクＰＭのパターンを縮
小して後述する半導体ウェハＷの表面に結像するように
構成される。さらに、前記縮小投影レンズ１０７の下側
位置には、ウェハステージ１０８が設置されており、こ
のウェハステージ１０８上には半導体ウェハＷが載置さ
れ、前記縮小投影レンズ１０７によって前記フォトマス
クＰＦのパターンが投影露光される。
【００１５】前記ウェハステージ１０８は、前記半導体
ウェハＷに設けられたオリフラＯＦを基準にしてその平
面上の位置決めを行なうように構成されるとともに、ウ
ェハステージ駆動部１０９によって平面ＸＹ方向及びθ
方向に駆動可能に構成されている。すなわち、前記ウェ
ハステージ駆動部１０９は、前記ウェハステージ１０８
を搭載したθ駆動機構１１０と、このθ駆動機構１１０
を搭載して前記ウェハステージ１０８を一体的に平面Ｘ
Ｙ方向に移動させるＸＹ駆動機構１１１とを備えててい
る。そして、前記θ駆動機構１１０によって前記ウェハ
ステージ１０８をその平面上で９０度の方向に回転可能
とし、またＸＹ駆動機構１１１によって前記ウェハステ
ージ１０８をθ駆動機構１１０と共に平面Ｘ方向及びＹ
方向に直線移動可能に構成されている。そして、前記マ
スクステージ駆動部１０６、ウェハステージ駆動部１０
９はそれぞれコントローラ１１２に電気接続されてお
り、このコントローラ１１２の制御により、それぞれ前
記マスクステージ１０５とウェハステージ１０８を駆動
するように構成されている。なお、前記走査露光装置１
００には、前記した構成の他に、前記縮小投影レンズ１
０７の投影倍率を変化させるための機構や、ウェハステ
ージ１０８の焦点位置を調整するための機構等が設けら
れているが、ここではその説明は省略する。
ウェハＷに設けられたオリフラＯＦを基準にしてその平
面上の位置決めを行なうように構成されるとともに、ウ
ェハステージ駆動部１０９によって平面ＸＹ方向及びθ
方向に駆動可能に構成されている。すなわち、前記ウェ
ハステージ駆動部１０９は、前記ウェハステージ１０８
を搭載したθ駆動機構１１０と、このθ駆動機構１１０
を搭載して前記ウェハステージ１０８を一体的に平面Ｘ
Ｙ方向に移動させるＸＹ駆動機構１１１とを備えててい
る。そして、前記θ駆動機構１１０によって前記ウェハ
ステージ１０８をその平面上で９０度の方向に回転可能
とし、またＸＹ駆動機構１１１によって前記ウェハステ
ージ１０８をθ駆動機構１１０と共に平面Ｘ方向及びＹ
方向に直線移動可能に構成されている。そして、前記マ
スクステージ駆動部１０６、ウェハステージ駆動部１０
９はそれぞれコントローラ１１２に電気接続されてお
り、このコントローラ１１２の制御により、それぞれ前
記マスクステージ１０５とウェハステージ１０８を駆動
するように構成されている。なお、前記走査露光装置１
００には、前記した構成の他に、前記縮小投影レンズ１
０７の投影倍率を変化させるための機構や、ウェハステ
ージ１０８の焦点位置を調整するための機構等が設けら
れているが、ここではその説明は省略する。
【００１６】以上の構成の走査露光装置１００では、図
２のように、前記フォトマスクＰＭは、半導体ウェハＷ
に形成する半導体チップの１チップに対応するパターン
として形成されている。また、前記縮小投影レンズ１０
７は、前記フォトマスクＰＭの１チップ相当領域を縮小
して前記半導体ウェハＷの表面に結像するようにその縮
小倍率が設定されている。なお、前記半導体ウェハは、
前記各図には表れないが、その表面に絶縁膜や導電膜が
形成され、かつその上にフォトレジストが塗布されてい
る。そして、前記光源１０１からの紫外光をスリット板
１０４によりスリット光ＳＬに制限した上で、このスリ
ット光ＳＬでフォトマスクＰＭを照射し、フォトマスク
ＰＭを透過した光を縮小投影レンズ１０７により半導体
ウェハＷの表面上のフォトレジストに投影する。また、
これと同時にコントローラ１１２はマスクステージ駆動
部１０６を制御してフォトマスクＰＭをマスクステージ
１０５と共に平面Ｘ方向に所定の速度で移動させるとと
もに、これに同期してウェハ駆動部１０９によりＸＹ駆
動機構１１１を制御して半導体ウェハＷを前記フォトマ
スクＰＭとは反対の平面−Ｘ方向に所定の速度で移動さ
せる。
２のように、前記フォトマスクＰＭは、半導体ウェハＷ
に形成する半導体チップの１チップに対応するパターン
として形成されている。また、前記縮小投影レンズ１０
７は、前記フォトマスクＰＭの１チップ相当領域を縮小
して前記半導体ウェハＷの表面に結像するようにその縮
小倍率が設定されている。なお、前記半導体ウェハは、
前記各図には表れないが、その表面に絶縁膜や導電膜が
形成され、かつその上にフォトレジストが塗布されてい
る。そして、前記光源１０１からの紫外光をスリット板
１０４によりスリット光ＳＬに制限した上で、このスリ
ット光ＳＬでフォトマスクＰＭを照射し、フォトマスク
ＰＭを透過した光を縮小投影レンズ１０７により半導体
ウェハＷの表面上のフォトレジストに投影する。また、
これと同時にコントローラ１１２はマスクステージ駆動
部１０６を制御してフォトマスクＰＭをマスクステージ
１０５と共に平面Ｘ方向に所定の速度で移動させるとと
もに、これに同期してウェハ駆動部１０９によりＸＹ駆
動機構１１１を制御して半導体ウェハＷを前記フォトマ
スクＰＭとは反対の平面−Ｘ方向に所定の速度で移動さ
せる。
【００１７】これにより、フォトマスクＰＭはスリット
光ＳＬに対して走査されるとともに、スリット光ＳＬが
透過されたフォトマスクＰＭのパターンが半導体ウェハ
Ｗの表面上に走査されながら投影され、フォトレジスト
に対する１チップ分の露光が行われることになる。１チ
ップ分の露光が完了した後は、半導体ウェハＷはＸＹ駆
動機構１１１により平面Ｙ方向に１チップ分だけ移動さ
れ、次いで今度はマスクステージ駆動部１０６は反対の
−Ｘ方向に移動され、これと同期してウェハステージ駆
動部１０９のＸＹ駆動機構１１１はＸ方向に移動され、
これにより半導体ウェハＷの隣接する領域に次の１チッ
プ分の露光が行われることになる。この露光作業を繰り
返すことにより、半導体ウェハＷに対する複数チップ分
の露光が完了されることになる。なお、この場合、フォ
トマスクＰＭの走査速度ｖＰと、半導体ウェハの走査速
度ｖＷは、縮小投影レンズ１０７の結像倍率ｍとしたと
き、ｖＰ＝ｖＷ×ｍとすれば、フォトマスクＰＭのパタ
ーンはＸ方向及びＹ方向に等しい縮小倍率で半導体ウェ
ハＷに露光されることになる。
光ＳＬに対して走査されるとともに、スリット光ＳＬが
透過されたフォトマスクＰＭのパターンが半導体ウェハ
Ｗの表面上に走査されながら投影され、フォトレジスト
に対する１チップ分の露光が行われることになる。１チ
ップ分の露光が完了した後は、半導体ウェハＷはＸＹ駆
動機構１１１により平面Ｙ方向に１チップ分だけ移動さ
れ、次いで今度はマスクステージ駆動部１０６は反対の
−Ｘ方向に移動され、これと同期してウェハステージ駆
動部１０９のＸＹ駆動機構１１１はＸ方向に移動され、
これにより半導体ウェハＷの隣接する領域に次の１チッ
プ分の露光が行われることになる。この露光作業を繰り
返すことにより、半導体ウェハＷに対する複数チップ分
の露光が完了されることになる。なお、この場合、フォ
トマスクＰＭの走査速度ｖＰと、半導体ウェハの走査速
度ｖＷは、縮小投影レンズ１０７の結像倍率ｍとしたと
き、ｖＰ＝ｖＷ×ｍとすれば、フォトマスクＰＭのパタ
ーンはＸ方向及びＹ方向に等しい縮小倍率で半導体ウェ
ハＷに露光されることになる。
【００１８】前記した走査露光装置１００を用いた走査
露光方法において、今、図３及び図４に示す半導体メモ
リセルのワード線とビット線を露光する場合を説明す
る。前記半導体メモリセルとして、ここではＣＯＢ構造
のＤＲＡＭに適用した例を示している。このＣＯＢ構造
のＤＲＡＭは、データを蓄積するための容量（キャパシ
タ）がビット線よりも上側に設けられているものであ
り、図３に断面図を、またそのＡＡ線、ＢＢ線における
階層での断面図を図４（ａ），（ｂ）に示している。こ
れらの図において、Ｐ型シリコン基板２０１にＰ- 拡散
層２０２及びフィールド酸化膜２０３で素子分離領域が
形成され、素子領域内にゲート酸化膜２０４と、その上
のワード線ＷＬとしてのゲート電極２０５が形成されて
いる。このゲート電極２０５は、前記半導体ウェハＷの
オリフラＯＦと直交する平面Ｙ方向に延長Ｔれており、
その幅寸法、すなわち短辺寸法が０．２μｍ程度でピッ
チ寸法が０．２μｍ程度の複数のライン状に形成されて
いる。そして、前記ゲート電極２０５間の前記Ｐ型シリ
コン基板２０１にはソース・ドレインとなるＮ- 型拡散
層２０６とＮ+ 拡散層２０７が形成される。前記ゲート
電極２０５の上面と側面はそれぞれシリコン酸化膜２０
８，２０９で覆われており、その上に第１の層間絶縁膜
２１０が形成されている。この第１の層間絶縁膜２１０
上には、前記半導体ウェハＷのオリフラＯＦと平行な平
面Ｘ方向に延長された複数本のビット線ＢＬとしての配
線２１１が形成されており、これらビット線ＢＬは幅寸
法、すなわち短辺寸法が０．２μｍでピッチ寸法が０．
１５〜０．２μｍののライン状に形成されている。そし
て、前記ビット線ＢＬ（２１１）は前記第１の層間絶縁
膜２１０の厚さ方向にわたって設けられた第１の導電プ
ラグ２１２によって前記Ｎ+拡散層２０７に電気接続さ
れている。さらに、前記ビット線ＢＬ（２１１）上には
第２の層間絶縁膜２１３が形成され、この上には蓄積電
極２１４、容量絶縁膜２１５、共通電極２１６が順次積
層されてキャパシタが構成され、前記蓄積電極２１４は
前記第１及び第２の各層間絶縁膜２１０，２１３の厚さ
方向にわたって設けられた第２の導電プラグ２１７によ
って前記Ｎ+ 型拡散層２０７に電気接続されている。
露光方法において、今、図３及び図４に示す半導体メモ
リセルのワード線とビット線を露光する場合を説明す
る。前記半導体メモリセルとして、ここではＣＯＢ構造
のＤＲＡＭに適用した例を示している。このＣＯＢ構造
のＤＲＡＭは、データを蓄積するための容量（キャパシ
タ）がビット線よりも上側に設けられているものであ
り、図３に断面図を、またそのＡＡ線、ＢＢ線における
階層での断面図を図４（ａ），（ｂ）に示している。こ
れらの図において、Ｐ型シリコン基板２０１にＰ- 拡散
層２０２及びフィールド酸化膜２０３で素子分離領域が
形成され、素子領域内にゲート酸化膜２０４と、その上
のワード線ＷＬとしてのゲート電極２０５が形成されて
いる。このゲート電極２０５は、前記半導体ウェハＷの
オリフラＯＦと直交する平面Ｙ方向に延長Ｔれており、
その幅寸法、すなわち短辺寸法が０．２μｍ程度でピッ
チ寸法が０．２μｍ程度の複数のライン状に形成されて
いる。そして、前記ゲート電極２０５間の前記Ｐ型シリ
コン基板２０１にはソース・ドレインとなるＮ- 型拡散
層２０６とＮ+ 拡散層２０７が形成される。前記ゲート
電極２０５の上面と側面はそれぞれシリコン酸化膜２０
８，２０９で覆われており、その上に第１の層間絶縁膜
２１０が形成されている。この第１の層間絶縁膜２１０
上には、前記半導体ウェハＷのオリフラＯＦと平行な平
面Ｘ方向に延長された複数本のビット線ＢＬとしての配
線２１１が形成されており、これらビット線ＢＬは幅寸
法、すなわち短辺寸法が０．２μｍでピッチ寸法が０．
１５〜０．２μｍののライン状に形成されている。そし
て、前記ビット線ＢＬ（２１１）は前記第１の層間絶縁
膜２１０の厚さ方向にわたって設けられた第１の導電プ
ラグ２１２によって前記Ｎ+拡散層２０７に電気接続さ
れている。さらに、前記ビット線ＢＬ（２１１）上には
第２の層間絶縁膜２１３が形成され、この上には蓄積電
極２１４、容量絶縁膜２１５、共通電極２１６が順次積
層されてキャパシタが構成され、前記蓄積電極２１４は
前記第１及び第２の各層間絶縁膜２１０，２１３の厚さ
方向にわたって設けられた第２の導電プラグ２１７によ
って前記Ｎ+ 型拡散層２０７に電気接続されている。
【００１９】このようなＤＲＡＭの前記ワード線ＷＬと
ビット線ＢＬをパターン形成するためのフォトマスクの
一部を図５（ａ），（ｂ）に示す。ワード線用のフォト
マスクＰＭｗは、前記ビット線ＢＬのパターンに対応し
てフォトマスクＰＭｗの平面Ｙ方向に延長されたライン
状の光透過パターンＰｗが形成されている。また、ビッ
ト線用のフォトマスクＰＭｂは、前記ビット線ＢＬのパ
ターンに対応して平面Ｘ方向に延長されたライン状の光
透過パターンＰｂが形成されている。なお、前記ビット
線用のパターンの一部に設けられている幅広部Ｐｂ’は
前記導電プラグ２１２に接続されるコンタクト部であ
る。そして、これら各フォトマスクＰＭｗ，ＰＭｂは、
図１及び図２に示した走査露光装置１００のマスクステ
ージ１０５に搭載される。ワード線用のフォトマスクＰ
Ｍｗをマスクステージ１０５に搭載するときには、図５
（ａ）の矢印Ｓ１のように、当該フォトマスクＰＭｗの
左辺側をマスクステージ１０５にその右側から挿入して
搭載する。すなわち、ワード線パターンＰｗの長辺方向
がＹ方向に向けられるようにフォトマスクＰＭｗを搭載
し、しかる上で、図６（ａ）のように、マスクステージ
駆動部１０６によりフォトマスクＰＭｗをスリット光Ｓ
Ｌに対してＸ方向に移動させて、走査する。これによ
り、フォトマスクＰＭｗのワード線パターンＰｗは、そ
の長辺方向がスリット光ＳＬの長辺方向と一致した状態
で走査され、フォトマスクＰＭｗを透過したスリット光
ＳＬは縮小投影レンズ１０７により半導体ウェハＷの表
面に結像され、ワード線パターンＰｗが半導体ウェハＷ
に縮小されて転写されることになる。また、このマスク
ステージ１０５のＸ方向の移動に同期してウェハステー
ジ１０８を−Ｘ方向に移動させることで、前記スリット
光ＳＬによりワード線パターンＰｗは半導体ウェハＷの
表面上で走査される。この走査により、半導体ウェハに
ワード線用フォトマスクＰＭｗのワード線パターンＰｗ
が１チップ分露光されることは前記した通りである。
ビット線ＢＬをパターン形成するためのフォトマスクの
一部を図５（ａ），（ｂ）に示す。ワード線用のフォト
マスクＰＭｗは、前記ビット線ＢＬのパターンに対応し
てフォトマスクＰＭｗの平面Ｙ方向に延長されたライン
状の光透過パターンＰｗが形成されている。また、ビッ
ト線用のフォトマスクＰＭｂは、前記ビット線ＢＬのパ
ターンに対応して平面Ｘ方向に延長されたライン状の光
透過パターンＰｂが形成されている。なお、前記ビット
線用のパターンの一部に設けられている幅広部Ｐｂ’は
前記導電プラグ２１２に接続されるコンタクト部であ
る。そして、これら各フォトマスクＰＭｗ，ＰＭｂは、
図１及び図２に示した走査露光装置１００のマスクステ
ージ１０５に搭載される。ワード線用のフォトマスクＰ
Ｍｗをマスクステージ１０５に搭載するときには、図５
（ａ）の矢印Ｓ１のように、当該フォトマスクＰＭｗの
左辺側をマスクステージ１０５にその右側から挿入して
搭載する。すなわち、ワード線パターンＰｗの長辺方向
がＹ方向に向けられるようにフォトマスクＰＭｗを搭載
し、しかる上で、図６（ａ）のように、マスクステージ
駆動部１０６によりフォトマスクＰＭｗをスリット光Ｓ
Ｌに対してＸ方向に移動させて、走査する。これによ
り、フォトマスクＰＭｗのワード線パターンＰｗは、そ
の長辺方向がスリット光ＳＬの長辺方向と一致した状態
で走査され、フォトマスクＰＭｗを透過したスリット光
ＳＬは縮小投影レンズ１０７により半導体ウェハＷの表
面に結像され、ワード線パターンＰｗが半導体ウェハＷ
に縮小されて転写されることになる。また、このマスク
ステージ１０５のＸ方向の移動に同期してウェハステー
ジ１０８を−Ｘ方向に移動させることで、前記スリット
光ＳＬによりワード線パターンＰｗは半導体ウェハＷの
表面上で走査される。この走査により、半導体ウェハに
ワード線用フォトマスクＰＭｗのワード線パターンＰｗ
が１チップ分露光されることは前記した通りである。
【００２０】またこのとき、図６（ａ）に示すように、
ワード線パターンＰｗはその長辺方向がＹ方向であり、
スリット光ＳＬは長辺方向がＹ方向であるため、両者の
長辺方向は一致される。このため、縮小投影レンズ１０
７にコマ収差が生じている場合でも、スリット光ＳＬの
短辺方向では光軸からの距離が短いためにコマ収差がワ
ード線パターンＰｗの短辺寸法に与える影響は殆ど無
く、形成されるチップの全領域にわたって均一な短辺寸
法のワード線パターンを得ることが可能となる。このと
き、スリット光ＳＬの長辺方向の両端部のコマ収差はチ
ップ外周部におけるワード線パターンＰｗの端部に影響
するものの、スリット光ＳＬはその走査方向においては
スリット光ＳＬが走査に伴って重なり状態で露光が行わ
れるため、スリット光ＳＬの走査方向のコマ収差の影響
は少なく、したがってワード線パターンＰｗの短辺寸法
に対するコマ収差の影響は殆ど生じることはない。仮に
影響が生じるとしてもワード線パターンＰｗの両端部に
おいてワード線パターンＰｗの長辺方向に影響が生じ
て、ワード線パターンＰｗの両端部が若干露光不足とな
ってワード線パターンＰｗの長辺が若干短くなるのみで
ある。このワード線パターンによって形成されるワード
線ＷＬの長辺方向の端部は、通常は素子分離領域上にま
で延長辺れているため、この領域のワード線の長辺が短
くなってもメモリセルに与える特性上の影響は殆ど生じ
ることはない。
ワード線パターンＰｗはその長辺方向がＹ方向であり、
スリット光ＳＬは長辺方向がＹ方向であるため、両者の
長辺方向は一致される。このため、縮小投影レンズ１０
７にコマ収差が生じている場合でも、スリット光ＳＬの
短辺方向では光軸からの距離が短いためにコマ収差がワ
ード線パターンＰｗの短辺寸法に与える影響は殆ど無
く、形成されるチップの全領域にわたって均一な短辺寸
法のワード線パターンを得ることが可能となる。このと
き、スリット光ＳＬの長辺方向の両端部のコマ収差はチ
ップ外周部におけるワード線パターンＰｗの端部に影響
するものの、スリット光ＳＬはその走査方向においては
スリット光ＳＬが走査に伴って重なり状態で露光が行わ
れるため、スリット光ＳＬの走査方向のコマ収差の影響
は少なく、したがってワード線パターンＰｗの短辺寸法
に対するコマ収差の影響は殆ど生じることはない。仮に
影響が生じるとしてもワード線パターンＰｗの両端部に
おいてワード線パターンＰｗの長辺方向に影響が生じ
て、ワード線パターンＰｗの両端部が若干露光不足とな
ってワード線パターンＰｗの長辺が若干短くなるのみで
ある。このワード線パターンによって形成されるワード
線ＷＬの長辺方向の端部は、通常は素子分離領域上にま
で延長辺れているため、この領域のワード線の長辺が短
くなってもメモリセルに与える特性上の影響は殆ど生じ
ることはない。
【００２１】次に、ビット線用のフォトマスクをマスク
ステージに搭載するときには、図５（ｂ）に矢印Ｓ２で
示すように、当該フォトマスクＰＭｂの上辺をマスクス
テージ１０５の右側から挿入してマスクステージ１０５
に搭載する。これにより、ビット線用のフォトマスクＰ
Ｍｂは、前記したワード線用のフォトマスクＰＭｗの場
合とは９０度異なる方向を向けられてマスクステージ１
０５に搭載されることになり、その結果として、図６
（ｂ）のように、ビット線パターンＰｂはその長辺方向
が走査露光装置のＹ方向に向けられることになる。その
上で、前記ワード線用のフォトマスクＰＭｗの場合と同
様に、マスクステージ駆動部１０６によりマスクステー
ジ１０５ををＸ方向に移動させて、ビット線用のフォト
マスクＰＭｂをスリット光ＳＬに対して走査する。これ
により、当該フォトマスクＰＭｂのビット線パターンＰ
ｂは、その長辺方向がスリット光ＳＬの長辺方向と一致
した状態で走査され、フォトマスクＰＭｂを透過したス
リット光ＳＬは縮小投影レンズ１０７により半導体ウェ
ハＷの表面に結像され、ビット線パターンＰｂが半導体
ウェハＷに縮小されて転写されることになる。
ステージに搭載するときには、図５（ｂ）に矢印Ｓ２で
示すように、当該フォトマスクＰＭｂの上辺をマスクス
テージ１０５の右側から挿入してマスクステージ１０５
に搭載する。これにより、ビット線用のフォトマスクＰ
Ｍｂは、前記したワード線用のフォトマスクＰＭｗの場
合とは９０度異なる方向を向けられてマスクステージ１
０５に搭載されることになり、その結果として、図６
（ｂ）のように、ビット線パターンＰｂはその長辺方向
が走査露光装置のＹ方向に向けられることになる。その
上で、前記ワード線用のフォトマスクＰＭｗの場合と同
様に、マスクステージ駆動部１０６によりマスクステー
ジ１０５ををＸ方向に移動させて、ビット線用のフォト
マスクＰＭｂをスリット光ＳＬに対して走査する。これ
により、当該フォトマスクＰＭｂのビット線パターンＰ
ｂは、その長辺方向がスリット光ＳＬの長辺方向と一致
した状態で走査され、フォトマスクＰＭｂを透過したス
リット光ＳＬは縮小投影レンズ１０７により半導体ウェ
ハＷの表面に結像され、ビット線パターンＰｂが半導体
ウェハＷに縮小されて転写されることになる。
【００２２】一方、ウェハステージ１０８においては、
ウェハステージ駆動部１０９のθ駆動機構１１０が動作
され、ウェハステージ１０８を９０度平面方向に回転さ
せる。これにより、半導体ウェハＷのオリフラＯＦは、
図２の状態から走査露光装置１００の正面に対して直交
するＹ方向に向けられる。そして、ウェハステージ１０
８を−Ｘ方向に移動することで、前記スリット光ＳＬに
よりビット線パターンＰｂは半導体ウェハＷの表面上で
走査される。この走査により、半導体ウェハＷにビット
線用パターンＰｂが１チップ分露光される。このビット
線パターンＰｂは、ビット線用のフォトマスクＰＭｂが
平面上で９０度回転位置されており、かつ半導体ウェハ
Ｗもこれに対応して平面上で９０度回転位置されている
ため、マスクステージ１０５とウェハステージ１０８が
それぞれＸ方向、−Ｘ方向に走査されているのにもかか
わらず、前記ワード線のパターンと９０度直交する方向
に延長された状態で転写されることになる。
ウェハステージ駆動部１０９のθ駆動機構１１０が動作
され、ウェハステージ１０８を９０度平面方向に回転さ
せる。これにより、半導体ウェハＷのオリフラＯＦは、
図２の状態から走査露光装置１００の正面に対して直交
するＹ方向に向けられる。そして、ウェハステージ１０
８を−Ｘ方向に移動することで、前記スリット光ＳＬに
よりビット線パターンＰｂは半導体ウェハＷの表面上で
走査される。この走査により、半導体ウェハＷにビット
線用パターンＰｂが１チップ分露光される。このビット
線パターンＰｂは、ビット線用のフォトマスクＰＭｂが
平面上で９０度回転位置されており、かつ半導体ウェハ
Ｗもこれに対応して平面上で９０度回転位置されている
ため、マスクステージ１０５とウェハステージ１０８が
それぞれＸ方向、−Ｘ方向に走査されているのにもかか
わらず、前記ワード線のパターンと９０度直交する方向
に延長された状態で転写されることになる。
【００２３】このとき、図６（ｂ）に示したように、ビ
ット線パターンＰｂはその長辺方向がワード線の場合と
同様にＹ方向とされており、またスリット光ＳＬは長辺
方向がＹ方向であるため、両者の長辺方向は一致され
る。このため、縮小投影レンズ１０７にコマ収差が生じ
ている場合でも、スリット光ＳＬの短辺方向では光軸か
らの距離が短いためにコマ収差がビット線パターンＰｂ
の短辺寸法に与える影響は殆ど無く、形成されるチップ
の全領域にわたって均一な短辺寸法のビット線パターン
を得ることが可能となる。このとき、ワード線パターン
の場合と同様に、スリット光ＳＬの長辺方向の両端部の
コマ収差はチップ外周部におけるビット線パターンＰｂ
の端部に影響するものの、スリット光ＳＬの走査方向に
おいてはスリット光ＳＬが重なり状態で露光が行われる
ため、スリット光ＳＬの走査方向のコマ収差の影響は少
なく、したがってビット線パターンＰｂの短辺寸法に対
するコマ収差の影響は殆ど生じることはない。仮に影響
が生じるとしてもビット線パターンＰｂの両端部におい
てビット線の長辺方向に影響が生じて、ビット線の両端
部が若干露光不足となって形成されるビット線ＢＬの長
辺が若干短くなるのみである。ビット線の長辺方向の端
部は、通常はビット線における電流の通流に寄与される
ことは少ないため、この領域のビット線の長辺が短くな
ってもメモリセルに与える特性上の影響は殆ど生じるこ
とはない。
ット線パターンＰｂはその長辺方向がワード線の場合と
同様にＹ方向とされており、またスリット光ＳＬは長辺
方向がＹ方向であるため、両者の長辺方向は一致され
る。このため、縮小投影レンズ１０７にコマ収差が生じ
ている場合でも、スリット光ＳＬの短辺方向では光軸か
らの距離が短いためにコマ収差がビット線パターンＰｂ
の短辺寸法に与える影響は殆ど無く、形成されるチップ
の全領域にわたって均一な短辺寸法のビット線パターン
を得ることが可能となる。このとき、ワード線パターン
の場合と同様に、スリット光ＳＬの長辺方向の両端部の
コマ収差はチップ外周部におけるビット線パターンＰｂ
の端部に影響するものの、スリット光ＳＬの走査方向に
おいてはスリット光ＳＬが重なり状態で露光が行われる
ため、スリット光ＳＬの走査方向のコマ収差の影響は少
なく、したがってビット線パターンＰｂの短辺寸法に対
するコマ収差の影響は殆ど生じることはない。仮に影響
が生じるとしてもビット線パターンＰｂの両端部におい
てビット線の長辺方向に影響が生じて、ビット線の両端
部が若干露光不足となって形成されるビット線ＢＬの長
辺が若干短くなるのみである。ビット線の長辺方向の端
部は、通常はビット線における電流の通流に寄与される
ことは少ないため、この領域のビット線の長辺が短くな
ってもメモリセルに与える特性上の影響は殆ど生じるこ
とはない。
【００２４】したがって、この実施形態で形成される図
３及び図４に示したようなワード線ＷＬとビット線ＢＬ
は、それぞれの長辺方向にスリット光ＳＬの長辺方向が
向けられて走査露光されるために、縮小投影レンズ１０
７におけるコマ収差の影響を殆ど無視した露光が実現で
き、ワード線ＷＬにおいてはチップ内の全領域にわたっ
て均一な短辺寸法のワード線の形成が可能となり、ワー
ド線で構成されるＭＯＳトランジスタのチャネル長を均
一化し、このＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセ
ルの特性の均一化が実現できる。また、ビット線ＢＬに
おいては、チップ内の全領域にわたって均一は短辺寸法
のビット線の形成が可能となり、ビット線の抵抗を均一
化し、特にメモリセルから読み出すデータ電流の均一化
を図ってデータ読み出しの信頼性を高めることが可能と
なる。
３及び図４に示したようなワード線ＷＬとビット線ＢＬ
は、それぞれの長辺方向にスリット光ＳＬの長辺方向が
向けられて走査露光されるために、縮小投影レンズ１０
７におけるコマ収差の影響を殆ど無視した露光が実現で
き、ワード線ＷＬにおいてはチップ内の全領域にわたっ
て均一な短辺寸法のワード線の形成が可能となり、ワー
ド線で構成されるＭＯＳトランジスタのチャネル長を均
一化し、このＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセ
ルの特性の均一化が実現できる。また、ビット線ＢＬに
おいては、チップ内の全領域にわたって均一は短辺寸法
のビット線の形成が可能となり、ビット線の抵抗を均一
化し、特にメモリセルから読み出すデータ電流の均一化
を図ってデータ読み出しの信頼性を高めることが可能と
なる。
【００２５】ここで、前記実施形態では、本発明をワー
ド線、ビット線の各パターンを走査露光する例について
説明したが、これらのパターンに限定されるものではな
く、細長いパターンを転写するためのマスクを用いてス
リット光により走査露光する場合には本発明を同様に適
用することが可能である。例えば、ＡＳＩＣにおけるＸ
方向とＹ方向に交差する多数本の配線パターンを露光す
るためのフォトマスクに適用可能であることは言うまで
もない。また、実際の半導体装置のパターンは、前記し
たように単純なライン形状なものに限られるものではな
く、その長辺方向の一部において屈曲されたり、短辺寸
法が変化されるパターンが存在しているが、そのような
パターン形状の場合でも、パターンの長手方向にスリッ
トの長手方向を一致させるようにすれば、本発明の前記
した作用効果を享受することが可能となる。
ド線、ビット線の各パターンを走査露光する例について
説明したが、これらのパターンに限定されるものではな
く、細長いパターンを転写するためのマスクを用いてス
リット光により走査露光する場合には本発明を同様に適
用することが可能である。例えば、ＡＳＩＣにおけるＸ
方向とＹ方向に交差する多数本の配線パターンを露光す
るためのフォトマスクに適用可能であることは言うまで
もない。また、実際の半導体装置のパターンは、前記し
たように単純なライン形状なものに限られるものではな
く、その長辺方向の一部において屈曲されたり、短辺寸
法が変化されるパターンが存在しているが、そのような
パターン形状の場合でも、パターンの長手方向にスリッ
トの長手方向を一致させるようにすれば、本発明の前記
した作用効果を享受することが可能となる。
【００２６】また、本発明の走査露光を実施するための
走査露光装置としては、前記した実施形態の構成に限ら
れるものではなく、例えば、露光するパターン形状に応
じてスリット板のスリット方向を９０度回転させてＸ方
向に設定するとともに、マスクステージ駆動機構とウェ
ハステージ駆動機構を平面ＸＹ方向に移動可能に構成し
て、フォトマスクとウェハの走査方向をそれぞれＹ方向
に走査させるようにしてもよい。
走査露光装置としては、前記した実施形態の構成に限ら
れるものではなく、例えば、露光するパターン形状に応
じてスリット板のスリット方向を９０度回転させてＸ方
向に設定するとともに、マスクステージ駆動機構とウェ
ハステージ駆動機構を平面ＸＹ方向に移動可能に構成し
て、フォトマスクとウェハの走査方向をそれぞれＹ方向
に走査させるようにしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フォトマ
スクに形成されるライン状をした露光用パターンはその
パターン形状の長辺方向が露光時に走査されるスリット
光の長辺方向に一致された構成とし、スリット光の中心
領域と両端領域とのコマ収差の影響が抑制されるよう
に、スリットの長辺方向を、露光するパターンの長辺方
向と一致させて走査露光を行う構成とすることにより、
露光するパターンに対するスリットの長辺方向の両端部
におけるコマ収差の影響を緩和し、コマ収差の影響によ
るパターン形状やパターン寸法のばらつきを解消し、高
精度なパターンの露光、転写を実現することが可能とな
る。
スクに形成されるライン状をした露光用パターンはその
パターン形状の長辺方向が露光時に走査されるスリット
光の長辺方向に一致された構成とし、スリット光の中心
領域と両端領域とのコマ収差の影響が抑制されるよう
に、スリットの長辺方向を、露光するパターンの長辺方
向と一致させて走査露光を行う構成とすることにより、
露光するパターンに対するスリットの長辺方向の両端部
におけるコマ収差の影響を緩和し、コマ収差の影響によ
るパターン形状やパターン寸法のばらつきを解消し、高
精度なパターンの露光、転写を実現することが可能とな
る。
【図１】本発明にかかる走査露光装置の正面構成図であ
る。
る。
【図２】図１の走査露光装置の要部の概略構成と走査露
光状態を示す斜視図である。
光状態を示す斜視図である。
【図３】走査露光により形成しようとする半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】図３の半導体装置のＡＡ線、ＢＢ線の階層断面
図である。
図である。
【図５】ビット線とワード線の各フォトマスクの一部の
パターン図である。
パターン図である。
【図６】図５のビット線及びワード線の各フォトマスク
における走査露光状態を示す図である。
における走査露光状態を示す図である。
【図７】スリット光により走査露光方法を説明するため
の概念構成図である。
の概念構成図である。
【図８】従来におけるビット線とワード線の各フォトマ
スクを用いた走査露光方法を説明するための図である。
スクを用いた走査露光方法を説明するための図である。
【図９】従来における露光パターンでの不具合を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１０】コマ収差を説明するための特性図である。
１００ 走査露光装置 １０１ 光源 １０４ スリット板 １０５ マスクステージ １０６ マスクステージ駆動部 １０７ 縮小投影レンズ １０８ ウェハステージ １０９ ウェハステージ駆動部 １１０ θ駆動機構 １１１ ＸＹ駆動機構 ＰＭ フォトマスク Ｗ ウェハ ＷＬ ワート線 ＢＬ ビット線 ＰＭｗ ワード線用フォトマスク ＰＭｂ ビット線用フォトマスク Ｐｗ ワード線パターン Ｐｂ ビット線パターン ＳＬ スリット光
Claims (4)
- 【請求項１】 ライン状をした露光用パターンが形成さ
れたフォトマスクに対してスリット光をスリット短辺方
向に相対的に走査して前記露光用パターンを被露光体表
面に露光する走査露光方法において、前記スリット光
は、その長辺方向が前記フォトマスクの前記露光用パタ
ーン形状の長辺方向と一致した状態で走査されることを
特徴とする走査露光方法。 - 【請求項２】 前記スリット光は光軸を含む位置に固定
状態とされ、前記フォトマスクはその面内において前記
スリット光の短辺方向に移動されて前記露光用パターン
が前記スリット光により走査され、かつ前記被露光体は
前記フォトマスクと同期してその面内において反対方向
に移動されて前記スリット光により前記フォトマスクの
露光パターンが露光される請求項１に記載の走査露光方
法。 - 【請求項３】 前記フォトマスクの前記露光用パターン
の長辺方向がそれぞれ異なるフォトマスクを前記スリッ
ト光に対して走査する際には、各フォトマスクはそれぞ
れの前記露光用パターンの長辺方向が前記スリット光の
長辺方向に一致する方向に設定され、かつ前記露光用パ
ターンの短辺方向に沿って移動されて前記スリット光に
より走査される請求項２に記載の走査露光方法。 - 【請求項４】 光源から出射された光を光軸を含む矩形
のスリット光に制限するスリット手段と、ライン状をし
た露光用パターンが形成されたフォトマスクを載置する
マスクステージと、前記マスクステージを前記スリット
光の短辺方向に沿って移動させて前記スリット光に対し
て前記フォトマスクの露光用パターンを走査させるため
のマスクステージ駆動機構と、前記フォトマスクを透過
した光を被露光体の表面に縮小して結像させるための縮
小投影レンズと、前記被露光体を載置する被露光体ステ
ージと、前記被露光体ステージを前記マスクステージと
同期して当該マスクステージの移動方向と反対方向に移
動させるための被露光体ステージ駆動機構とを備え、前
記マスクステージは前記フォトマスクを面内の９０度異
なる平面方向に載置可能に構成され、前記被露光体ステ
ージは、載置される被露光体を平面方向に少なくとも９
０度回転位置させるためのθ駆動部と、前記被露光体を
前記スリット光の短辺方向と、これに直交するスリット
光の長辺方向にそれぞれ移動させるＸＹ駆動部とを備
え、前記マスクステージと前記被露光体ステージは、前
記フォトマスクの前記露光用パターンの長辺方向と、前
記被露光体に露光されるパターンの長辺方向がそれぞれ
前記スリット光の長辺方向に一致される方向に載置可能
に構成されることを特徴とする走査露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9370098A JP3159163B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 走査露光方法及び走査露光装置 |
| KR1019990011925A KR100325049B1 (ko) | 1998-04-06 | 1999-04-06 | 주사 노광용 포토 마스크 및 주사 노광 방법 및 주사 노광 장치 |
| US09/794,910 US6522389B2 (en) | 1998-04-06 | 2001-02-28 | Scanning exposure photo-mask and method of scanning exposure and scanning exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9370098A JP3159163B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 走査露光方法及び走査露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295873A JPH11295873A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3159163B2 true JP3159163B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=14089690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9370098A Expired - Fee Related JP3159163B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 走査露光方法及び走査露光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522389B2 (ja) |
| JP (1) | JP3159163B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100761391B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 장치의 플레어 노이즈 제거방법 |
| US6882126B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-04-19 | Nikon Corporation | Holder mover for a stage assembly |
| US6872509B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for photolithographic processing |
| KR101006435B1 (ko) * | 2003-09-01 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법 |
| JP2007201642A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Kyocera Mita Corp | 画像読取装置およびそれを備える画像形成装置 |
| CN113050381B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-04-26 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种拼接物镜的剂量控制装置、方法和曝光设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH062369B2 (ja) | 1985-08-02 | 1994-01-12 | 三井石油化学工業株式会社 | 多層プリント配線基板製造用ポリ４―メチル―１―ペンテン製表面粗化フィルム及びシート |
| JPS62262426A (ja) | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
| US4841341A (en) | 1986-06-13 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrator for an exposure apparatus or the like |
| US4758863A (en) * | 1987-02-17 | 1988-07-19 | Hewlett-Packard Company | Multi-image reticle |
| JPH01106426A (ja) | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Canon Inc | 露光装置 |
| EP0440470B1 (en) | 1990-02-02 | 1996-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| JPH05136023A (ja) | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6078381A (en) | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2852169B2 (ja) | 1993-02-25 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 投影露光方法および装置 |
| US5854671A (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
| KR0153796B1 (ko) * | 1993-09-24 | 1998-11-16 | 사토 후미오 | 노광장치 및 노광방법 |
| US5849437A (en) | 1994-03-25 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
| JPH088177A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH0844038A (ja) | 1994-08-03 | 1996-02-16 | Matsushita Electron Corp | マスターマスク作成装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH08153661A (ja) | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 投影露光方法 |
| KR0183720B1 (ko) | 1995-06-30 | 1999-04-01 | 김광호 | 보조 마스크를 이용한 투영 노광장치 |
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| JPH117120A (ja) | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Sony Corp | マスクパターン作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 |
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-
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- 1998-04-06 JP JP9370098A patent/JP3159163B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1999-04-06 KR KR1019990011925A patent/KR100325049B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-02-28 US US09/794,910 patent/US6522389B2/en not_active Expired - Fee Related
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