JPH08153661A

JPH08153661A - 投影露光方法

Info

Publication number: JPH08153661A
Application number: JP6293468A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Someya; 篤志染矢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-11-28
Filing date: 1994-11-28
Publication date: 1996-06-11
Also published as: US5883700A; DE69512354T2; KR960018770A; EP0715213A1; DE69512354D1; EP0715213B1

Abstract

(57)【要約】【構成】ｗなる開口幅を有するスリット２を通過した
照明光Ｌをフォトマスク４に対してスキャンさせ、該フ
ォトマスク４のパターンを投影光学系５を用いてウェハ
７上に投影するに際して、ｗなる距離だけ照明光Ｌをス
キャンさせる間に、結像面を２μｍなる振幅にて１周期
だけ変化させる。具体的には、照明ユニット１および投
影光学系５とを固定した状態にて、フォトマスク４をｘ
軸方向にｗだけ移動させる間に、ウェハ７を該フォトマ
スク４に同期させてｘ軸方向に移動させると共に、ｚ軸
方向にも２μｍなる振幅で１周期移動させる。【効果】ステップ・アンド・スキャン方式による投影
露光にＦＬＥＸ法が適用でき、露光エリアの拡大と焦点
深度の拡大が同時に達成できる。このため、微細化およ
び大口径化される半導体装置を製造するプロセスにおい
て、フォトリソグラフィ工程の信頼性が大幅に向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造分野
等においてフォトリソグラフィに適用される投影露光方
法に関し、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光を十分な焦点深度を確保しながら行う方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造分野では、ハーフミク
ロン（０．５μｍ）・レベルのデザイン・ルールに基づ
く１６ＭＤＲＡＭが既に量産ラインに移行されており、
研究分野では次世代の６４ＭＤＲＡＭで必要とされるサ
ブハーフミクロン（〜０．３５μｍ）・レベル、次々世
代の２５６ＭＤＲＡＭで必要とされるクォーターミクロ
ン（０．２５μｍ）・レベルの加工について検討が進め
られている。かかる微細加工の進歩の鍵となった技術は
フォトリソグラフィであり、従来の進歩は露光波長の短
波長化、および縮小投影露光装置（ステッパ）の縮小投
影レンズの高開口数（ＮＡ）化によるところが大きい。
しかし、これら短波長化、高ＮＡ化は、いずれも焦点深
度（ＤＯＦ）を増大させる観点からは不利な条件であ
る。それは、ＤＯＦが露光波長λに比例し、開口数ＮＡ
の二乗に反比例するからである。

【０００３】その一方で、被露光体である半導体ウェハ
の表面段差は、半導体集積回路の高密度化に伴って年々
増大している。これは、デバイスの構成が三次元化して
いる状況下で回路の性能や信頼性を維持する観点から、
二次元方向のデザイン・ルールの縮小に比べて三次元方
向の縮小が進まないためである。このように大きな段差
を有する半導体ウェハの表面にフォトレジスト材料を塗
布すると、形成されたフォトレジスト層にも大きな表面
段差や膜厚ムラが生じてしまう。また、投影レンズの像
面歪みの存在により結像面は完全平面とはなり得ず、基
体表面も投影光学系の光軸に対して完全に垂直となる面
からは若干傾斜している。これらの要因は、単一結像面
におけるウェハ全体の均一露光を困難とするものであ
る。

【０００４】そこで、上述の問題を解決するために、投
影光学系のＮＡを一定レベルに抑え、かつ実用レベルの
ＤＯＦを確保した上で、露光装置の使用法を工夫して高
コントラスト化を図り、高解像度を達成しようとする技
術がいくつか検討されている。

【０００５】そのひとつに、いわゆるＦＬＥＸ（Focus
Latitude enhancement EXposure ）法がある。これは、
特開昭５８−１７４４６号公報に開示されるように、同
一のフォトマスクを介して結像面をシフトさせながら同
一露光地点において複数回の露光を行うことにより、光
軸方向に実効的に長く光学像コントラストを維持するこ
とを可能とする方法である。上記公報では、結像面をシ
フトさせるための方法としてフォトマスク、ウェハ、投
影光学系の少なくともひとつを光軸方向に微小振動させ
ている。結像面をシフトさせる他の方法としては、この
他にも例えば特開昭６３−６４０３７号公報において、
これらの部材の位置を露光の度に段階的もしくは連続的
にシフトさせる方法が開示されている。

【０００６】ところで、投影露光装置においては、ＤＯ
Ｆを拡大する以外にも、様々な課題がある。例えば、半
導体集積回路のさらなる高集積化によるチップサイズの
大面積化に対応するため、１回の露光で露光される領
域、即ち露光エリアを拡大することが求められてきてい
る。

【０００７】従来より適用されているステップ・アンド
・リピート方式、即ち、少なくとも１個のチップを含む
露光エリアに対して一括露光を行い、この露光エリアを
基板上で次々に移動させていく方式において、露光エリ
アの拡大を図るには、投影レンズを大口径化する必要が
ある。しかしながら、収差のない大口径レンズを製造す
ることは、技術的にも価格的にも非常に困難である。

【０００８】そこで、ひとつの露光エリアを一括露光す
るのではなく、照明光のビーム・スポットをスキャンさ
せながら露光することにより上述の問題を解決する方式
が考えられた。この方式は、ステップ・アンド・スキャ
ン方式と呼ばれ、光源から出射されスリットを通過した
フォトマスクよりも小面積のビーム・スポットを、フォ
トマスクに対してスキャンさせながら、ウェハに対する
露光を行うものである。なお、実用的には、照明光学系
と投影光学系は固定したまま、フォトマスクとウェハと
を同期させながらその面内方向に移動させる。

【０００９】このステップ・アンド・スキャン方式を適
用すれば、投影レンズを大口径化することなく、露光エ
リアを拡大することが可能となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のステ
ップ・アンド・スキャン方式は、上述したようにチップ
サイズの大面積化に対応できるが、焦点深度（ＤＯＦ）
の拡大という課題には必ずしも十分に対応できていなか
った。

【００１１】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光を十分なＤＯＦを確保しながら行える投
影露光方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る投影露光方
法は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、スリットを通過した照明光をフォトマスクに対して
スキャンさせ、該フォトマスクのパターンを投影光学系
を用いて基板上に投影するものであって、基板上の任意
の１地点を複数の結像面にて露光するものである。

【００１３】即ち、本発明は、ステップ・アンド・スキ
ャン方式にＦＬＥＸ法を適用することによって、露光エ
リアの拡大のみならずＤＯＦの拡大をも図る投影露光方
法である。

【００１４】前記複数の結像面による露光は、結像面を
個々に設定したスキャンを複数回行うことによって達成
できる。例えば、２つの結像面にて露光するためには、
ある結像面に設定した状態にてスキャンを行うことによ
り１回目の露光を行い、その後、異なる結像面に設定し
た状態にて再びスキャンを行って、基板の同一地点を再
度露光すればよい。

【００１５】また、結像面を光軸方向に周期的に変化さ
せながらスキャンを１回行っても、複数の結像面による
露光を行うことができる。なお、いずれの露光地点にお
いても結像面の変化範囲のあらゆる位置での露光がなさ
れるように、前記スリットの開口幅に等しい距離のスキ
ャンを行う間に、結像面の周期的な変化を少なくとも１
周期行わせて好適である。

【００１６】ところで、前記スキャンは、前記基板と前
記フォトマスクとを互いに同期させながら各々光軸に垂
直な面内方向に移動させることによって行えばよい。一
方、複数の結像面は、該基板を光軸方向に移動させるこ
とにより、個々に設定することも、周期的に変化させる
こともできる。このため、１回のスキャンにて複数の結
像面による露光を行うためには、基板に、光軸に垂直な
面内方向の動きと光軸方向の周期的な動きとを合成した
動きをさせればよい。

【００１７】

【作用】本発明を適用すると、ステップ・アンド・スキ
ャン方式の投影露光にＦＬＥＸ法が適用できるため、Ｄ
ＯＦの拡大と露光エリアの拡大とを同時に達成すること
が可能となる。

【００１８】結像面を個々に設定したスキャンを複数回
行うことにより複数の結像面による露光を行うならば、
従来使用されているステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光装置をそのまま使用して、ＤＯＦの拡大が図れ
る。

【００１９】また、結像面を光軸方向に周期的に変化さ
せながらスキャンを行えば、１回のスキャンによって、
基板上の任意の１地点に対して複数の結像面による露光
を行える。このため、スループットの劣化が防止できる
と共に、パターンの合わせズレによる解像度の低下を防
止できる。

【００２０】この場合、スリットの開口幅に等しい距離
だけスキャンさせる間に、結像面を少なくとも１周期変
化させれば、基板上の任意の１地点に対して露光を行っ
ている間に結像面を少なくとも１周期変化させることが
できる。このため、いずれの露光地点においても結像面
の変化範囲のあらゆる位置での露光を行うことができ、
基板内の露光の均一化を図ることができる。

【００２１】なお、ステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光は、基板とフォトマスクとを互い同期させて各
面内方向に移動させることにより容易に実現でき、か
つ、該基板を光軸方向にも移動させれば、容易にＦＬＥ
Ｘ法を適用させることができる。このため、基板に、光
軸に垂直な面内方向の動きと光軸方向の周期的な動きと
を合成した動きをさせれば、１回のスキャンにて複数の
結像面による露光を行うことも可能となる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明に係る投影露光方法について、
図面を参照しながら説明する。

【００２３】先ず、本実施例に用いたステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置の概略的な構成を図１に
示す。この投影露光装置は、照明ユニット１において、
図示しない水銀灯からｉ線を平行光に変換してから出射
し、この光をスリット２を介してフォトマスク・ステー
ジ３上のフォトマスク４に通過させ、該フォトマスク４
のパターンを投影光学系５を介してウェハ・ステージ６
上のウェハ７に縮小投影するものである。

【００２４】上記投影露光装置においては、照明ユニッ
ト１、スリット２、投影光学系５が固定されているのに
対し、フォトマスク・ステージ３はｘ軸方向に移動可能
となされている。上記スリット２の開口２ａは、ｙ軸方
向（紙面に垂直方向）にはフォトマスク４のｙ軸方向の
寸法より多少大きい幅（図示せず。）にて開口している
が、ｘ軸方向にはフォトマスク４のｘ軸方向の寸法より
狭いｗなる幅にて開口している。このため、フォトマス
ク・ステージ３を駆動してフォトマスク４をｘ軸プラス
（＋）方向へ移動させると、図２に示されるように、上
記スリット２を通過したｗなる幅の照明光Ｌは、フォト
マスク４上をｘ軸マイナス（−）方向へスキャンするこ
ととなる。

【００２５】上記ウェハ・ステージ６は、ウェハ７をｘ
ｙ面内でに移動させるためのｘｙステージ８と、ｚ軸方
向に移動させるためのｚステージ９とから構成され、両
ステージ８，９の動作の組合せにより該ウェハ７を指定
された位置へ３次元的に移動させることを可能としてい
る。

【００２６】上記ｘｙステージ８は、ウェハ７をフォト
マスク４に同期させて移動させるために露光中にｘ軸方
向へ移動し、露光が終了後には、ウェハ７の異なる領域
に対して同様の露光を行うためにｘｙ面内の所定位置に
移動する。一方、上記ｚステージ９を露光中に移動させ
ると、上記投影光学系５から投影される結像の焦点面と
ウェハ面との相対位置を変化させる、即ち、結像面を変
化させることができる。なお、以下、焦点面をｚ＝０、
ウェハ７の表層部を被覆するフォトレジスト塗膜の段差
上下の平均的な位置をウェハ面と定義し、ウェハ面を投
影光学系５に近づける方向をｚ軸プラス（＋）方向と定
める。

【００２７】ところで、上述の投影露光装置における各
構成部材は、露光のタイミングを制御するシャッタ制御
系１０、上記フォトマスク・ステージ３を指定された位
置へ駆動するフォトマスク制御系１１、上記ウェハ・ス
テージ６のｘｙステージ８を指定された位置へ駆動する
ｘｙ制御系１３、ｚステージ９を指定された位置へ駆動
するｚ制御系１５等により制御されている。なお、フォ
トマスク制御系１１、ｘｙ制御系１３、ｚ制御系１５に
は、それぞれｘ軸方向でのフォトマスク４の相対位置を
検出するフォトマスク・センサ１２、ｘｙ面内でのウェ
ハ７の相対位置を検出するｘｙセンサ１４、ｚ軸方向で
のウェハ７の相対位置を検出するｚセンサ１６が接続さ
れている。また、上記各制御系１０，１１，１３，１５
は装置全体を一括制御するコンピュータ１７とバスライ
ン１８を介して接続している。

【００２８】上記コンピュータ１７には、ウェハ７上に
おけるｘｙ面内の露光位置、ｚステージ９の位置、露光
量等が予め記憶されている。そして、上記各制御系１
０，１１，１３，１５は、この情報に基づいて生成され
る各種の信号をバスライン１８を介して受け取って所定
の動作を行うようになされている。

【００２９】また、このコンピュータ１７には、フォト
マスク・ステージ３のｘ軸方向の移動速度や、「フォト
マスク・ステージ３のｘ軸方向の移動量」に対する「ｘ
ｙステージ８のｘ軸方向の移動量」も記憶されており、
この情報に基づいて生成される信号によって、フォトマ
スク制御系１１とｘｙ制御系１３は、フォトマスク４と
ウェハ７とを同期させてｘ軸方向へそれぞれ移動させ
る。例えば投影露光系５が縮小比１／５の縮小投影を行
うものであるならば、ｘｙステージ８は、フォトマスク
・ステージ３に同期して、該フォトマスク・ステージ３
のｘ軸方向の移動量の１／５だけ移動することとなる。

【００３０】なお、フォトマスク・ステージ３のｘ軸方
向の相対位置およびｘｙステージ８のｘ軸方向の相対位
置に関する情報は、常にフォトマスク・センサ１２およ
びｘｙセンサ１４からフォトマスク制御系１１およびｘ
ｙ制御系１３にフィードバックされているため、「フォ
トマスク・ステージ３のｘ軸方向の移動量」に対する
「ｘｙステージ８のｘ軸方向の移動量」にズレが生じた
ときには、ｘｙステージ８の駆動によって補正すること
ができる。

【００３１】このため、フォトマスク４とウェハ７をそ
れぞれｘ軸方向に移動させながら露光を行えば、ｗなる
幅の照明光Ｌをフォトマスク４にスキャンさせながら、
該照明光Ｌにて照らされた領域のパターンをウェハ７の
対応する領域に対して連続的に投影することができ、い
わゆるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光が行
えることとなる。

【００３２】実施例１本実施例では、上述した投影露光装置を用いて、異なる
２つを結像面での露光を行った例について説明する。

【００３３】異なる２つの結像面を得るためには、図３
に投影露光装置の要部を示すように、フォトマスク２
４、投影光学系内の投影レンズ２５を通過した光の焦点
面（ｚ＝０）に対して、ウェハ面２７ａを例えば＋１．
０μｍと−１．０μｍなる２つの位置に設定すればよ
い。

【００３４】即ち、図１の投影装置において、先ず、ｚ
ステージ９をウェハ面が＋１．０μｍとなるように駆動
した後、フォトマスク４への照明光Ｌの照射を開始し
て、フォトマスク・ステージ３をｘ軸プラス（＋）に駆
動し、これに同期させてｘｙステージ８をｘ軸方向に駆
動した。そして、フォトマスク・ステージ３およびｘｙ
ステージ８を所定量移動させて、フォトマスク４の所定
のパターンの全てをウェハ７に投影したら、照明光Ｌの
照射を終了した。なお、照明光Ｌの照射の開始／停止は
シャッタ制御系１０を駆動することによって行った。

【００３５】続いて、ｚステージ９をウェハ面が−１．
０μｍとなるように駆動した後、再び照明光Ｌの照射を
開始し、フォトマスク・ステージ３を今度はｘ軸マイナ
ス（−）方向に駆動して、これに同期させてｘｙステー
ジ８をｘ軸方向に駆動した。そして、フォトマスク・ス
テージ３およびｘｙステージ８を、１回目の露光前の位
置まで移動させ、フォトマスク４の所定のパターンの全
てをウェハ７の同一地点に再び投影したら、照明光Ｌの
照射を終了した。

【００３６】これによって、フォトマスク４に対して照
明光Ｌを往復させながら、異なる２つの結像面にてウェ
ハ７の同一地点に対する露光が行われた。

【００３７】このため、本実施例の投影露光方法を適用
することにより、ステップ・アンド・スキャン方式の投
影露光を焦点深度を拡大しながら行うことができる。

【００３８】実施例２本実施例では、フォトマスク４をｘ軸方向にｗだけ移動
させる間に、結像面を周期的に変化させる例について説
明する。

【００３９】具体的には、図１に示す投影露光装置にお
いて、フォトマスク４をｘ軸方向にスリット２の開口２
ａの幅ｗだけ移動させる間に、ウェハ７をｚ軸方向に１
周期だけ振動させるように、「フォトマスク・ステージ
３のｘ軸方向の移動量」に対する「ｚステージ９のｚ軸
方向における移動量」をコンピュータ１７に記憶させ
た。なお、フォトマスク・ステージ３のｘ軸方向の相対
位置およびｚステージ９のｚ軸方向の相対位置に関する
情報を、常にフォトマスク・センサ１２およびｚセンサ
１６からフォトマスク制御系１１およびｚ制御系へフォ
ードバックすることにより、「フォトマスク・ステージ
３のｘ軸方向の移動量」に対する「ｚステージ９のｚ軸
方向の移動量」にズレが生じたときには、ｚステージ９
の駆動によって、このズレを補正することができる。

【００４０】また、ここでは、露光量が常に一定となる
ように、また、ｚステージ９の振幅が２．０μｍとなる
ように設定した。

【００４１】実際に投影露光を行うには、先ず、フォト
マスク・ステージ３、ｘｙステージ８、ｚステージ９を
所定の位置に設定した状態にて、フォトマスク４への照
明光Ｌの照射を開始して、フォトマスク・ステージ３を
ｘ軸プラス（＋）に駆動させ、これに同期させてｘｙス
テージ８をｘ軸方向に駆動させた。また、ｚステージに
は、フォトマスク・ステージ３がｗだけ移動する間に、
２μｍなる振幅にて１周期だけ振動させた。そして、フ
ォトマスク・ステージ３およびｘｙステージ８をｘ軸方
向に所定量移動させて、フォトマスク４の所定のパター
ンの全てをウェハ７に投影したら、照明光Ｌの照射を終
了した。

【００４２】ここで、この投影露光における、フォトマ
スク４のｘ軸方向の位置（横軸）に対するウェハ面のｚ
軸方向の位置（縦軸）との関係を図４に示す。なお、横
軸は、照明光Ｌの照射領域にフォトマスク４のパターン
のエッジが重なり始める位置をｘ＝０とする。また、縦
軸は、焦点面（ｚ＝０）に対するウェハ面の位置を示す
ものとする。

【００４３】即ち、フォトマスク４のパターンのエッジ
が照明光Ｌの照射領域を通過し始めてから、照明光Ｌの
照射領域を通過し終わるまで、ウェハ面は、フォトマス
ク４がｗ／４だけ移動する間に焦点面から＋１．０μｍ
まで移動し、フォトマスク４が次のｗ／４まで移動する
間に焦点面へ戻り、フォトマスク４がまた次のｗ／４ま
で移動する間に焦点面から−１．０μｍまで移動し、フ
ォトマスク４がさらに次のｗ／４まで移動する間に焦点
面へ戻る、という振動を繰り返した。

【００４４】これにより、照明光Ｌをｗだけスキャンさ
せる間に、結像面を２．０μｍなる振幅にて１周期変化
させながら、ウェハ７に対する露光を行うことができ
た。

【００４５】このため、本実施例の投影露光において
は、ウェハ７のいずれの露光地点においても、あらゆる
結像面での露光がなされたこととなり、焦点深度が確保
された。また、本実施例を適用すると、ウェハ７の露光
が１度で済むため、実施例１に比してスループットが向
上した。さらに、パターンの合わせズレの発生が防止で
きるため、解像度も向上した。

【００４６】以上、本発明に係る投影露光方法について
説明したが、本発明は上述の実施例に限定されるもので
はない。例えば、実施例１では、１回目の露光と２回目
の露光とで、フォトマスク４およびウェハ７の移動方向
を逆としたが、１回目の露光が終了後、フォトマスク４
およびウェハ７を１回目の露光の開始前の位置へ戻し、
２回目の露光も１回目の露光と同方向にフォトマスク４
およびウェハ７を移動させてもよい。

【００４７】また、実施例２において、「フォトマスク
・ステージ３の移動量」に対する「ｚステージ９の移動
量」を変更し、ウェハ面の位置が極大値および極小値と
なる付近でｚステージ９の移動速度が遅くなるように設
定してもよい。あるいは、フォトマスク４がｗだけ移動
する間に、結像面が２周期以上変化するようにしてもよ
い。さらに、露光量を常に一定としたが、結像面によっ
て露光量を異ならせてもよい。

【００４８】また、実施例２では、フォトマスク・ステ
ージ３のｘ軸方向の移動とｚステージ９のｚ軸方向にお
ける移動とを同期させるために、「フォトマスク・ステ
ージ３のｘ軸方向の移動量」に対する「ｚステージ９の
ｚ軸方向における移動量」をコンピュータ１７に記憶さ
せたが、フォトマスク・ステージ３のｘ軸方向の移動と
ｘｙステージ８のｘ軸方向の移動とは同期させてあるた
め、コンピュータ１７に「ｘｙステージ８のｘ軸方向の
移動量」に対する「ｚステージ９のｚ軸方向の移動量」
を記憶させてもよい。

【００４９】その他、上述した投影露光装置において
は、照明光Ｌとして水銀灯の輝線であるｉ線を用いた
が、同じく水銀灯の輝線であるｇ線を用いたり、ＫｒＦ
等のエキシマレーザ光を用いる等の変更も可能である。
但し、エキシマレーザ光を用いる場合には、照明光Ｌは
パルス発振されるため、図１におけるシャッタ制御系１
０なる部材が不要となる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る投影露光方法を適用すると、ステップ・アンド
・スキャン方式による投影露光に対して、容易にＦＬＥ
Ｘ法が適用でき、露光エリアの拡大と焦点深度の拡大が
同時に達成できる。

【００５１】また、結像面を周期的に変化させながらス
キャンを１回行うことにより、複数の結像面による露光
を行うと、スループットや解像度も維持できる。

【００５２】このため、微細化および大口径化される半
導体装置のフォトリソグラフィ工程の信頼性を大幅に向
上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に適用されるステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置の構成例を示す模式図である。

【図２】本発明による投影露光におけるフォトマスクと
これをスキャンする照明光Ｌとを示す模式図である。

【図３】２段階のＦＬＥＸ法を適用した場合におけるウ
ェハ面の位置を示す模式図である。

【図４】フォトマスクの位置とウェハ面の位置との関係
を示すグラフである。

【符号の説明】

１照明光学系２スリット３フォトマスク・ステージ４フォトマスク５投影光学系６ウェハ・ステージ７ウェハ９ｚステージ１１フォトマスク制御系１５ｚ制御系１７コンピュータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スリットを通過した照明光をフォトマス
クに対してスキャンさせ、該フォトマスクのパターンを
投影光学系を用いて基板上に投影する投影露光方法にお
いて、基板上の任意の１地点を複数の結像面により露光するこ
とを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】前記複数の結像面による露光を、結像面
を個々に設定したスキャンを複数回行うことによって達
成することを特徴とする請求項１記載の投影露光方法。
【請求項３】前記複数の結像面による露光を、結像面
を光軸方向に周期的に変化させながらスキャンを１回行
うことによって達成することを特徴とする請求項１記載
の投影露光方法。
【請求項４】前記周期的な変化を、前記スリットの開
口幅に等しい距離だけスキャンさせる間に、少なくとも
１周期行わせることを特徴とする請求項３記載の投影露
光方法。
【請求項５】前記スキャンは、前記基板と前記フォト
マスクとを互いに同期させながら各々光軸に垂直な面内
方向に移動させることによって行い、かつ、複数の結像
面は、該基板を光軸方向に移動させることにより個々に
設定することを特徴とする請求項２記載の投影露光方
法。
【請求項６】前記スキャンは、前記基板と前記フォト
マスクとを互いに同期させながら各々光軸に垂直な面内
方向に移動させることによって行い、かつ、複数の結像
面は、該基板を光軸方向に移動させることにより周期的
に変化させることを特徴とする請求項３または請求項４
に記載の投影露光方法。