JPS5817446A - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
- Publication number
- JPS5817446A JPS5817446A JP56115088A JP11508881A JPS5817446A JP S5817446 A JPS5817446 A JP S5817446A JP 56115088 A JP56115088 A JP 56115088A JP 11508881 A JP11508881 A JP 11508881A JP S5817446 A JPS5817446 A JP S5817446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pattern
- projection
- exposure
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプロジェクタ１ンアライナ等の投影露光に際し
、露光寸法のはらつきの低減を図った投影露光方法およ
び装置に関するものである。
、露光寸法のはらつきの低減を図った投影露光方法およ
び装置に関するものである。
半導体装置の製造に利用されるグロジェクシ曹ンアライ
ナ、特に１／１０縮小プロジエクシ璽ンアライナでは微
細なパターンの寸法精度を高くすることが望まれている
が、実際上は次の理由によって寸法にばらつきが生じて
いる。即ち、第１図はＩＩＪＢ（Ａｐｒｉｌ １９７−
９． Ｐ６９８〜７０４ ）号に発表されたデータであ
り、横軸に寸法、縦軸に照度を示して４μｍピッチの２
μｍ巾パターンを１１１元する際のデフォーカス量によ
る照度プロファイル差を表わしている。知形濃匿分布の
マスクパターンは投影光学系を通してウェーハ上に投影
されるが、その時の投影される像内の照度分布は理想的
には破巌のように矩形状の１ｍａｘか０のはずであるが
、実際には回折等により実線および鎖森のように複雑な
ものとなる。そして、この照度プロファイルはデフォー
カス量によって変化し、デフォーカスΔＦ、＝Ｏμｍ、
即ち焦点面におけるプロファイルは鋤形に略沿うような
２次曲巌であるが、デフォーカスが大きくなってΔｐ、
＝２μｍ。
ナ、特に１／１０縮小プロジエクシ璽ンアライナでは微
細なパターンの寸法精度を高くすることが望まれている
が、実際上は次の理由によって寸法にばらつきが生じて
いる。即ち、第１図はＩＩＪＢ（Ａｐｒｉｌ １９７−
９． Ｐ６９８〜７０４ ）号に発表されたデータであ
り、横軸に寸法、縦軸に照度を示して４μｍピッチの２
μｍ巾パターンを１１１元する際のデフォーカス量によ
る照度プロファイル差を表わしている。知形濃匿分布の
マスクパターンは投影光学系を通してウェーハ上に投影
されるが、その時の投影される像内の照度分布は理想的
には破巌のように矩形状の１ｍａｘか０のはずであるが
、実際には回折等により実線および鎖森のように複雑な
ものとなる。そして、この照度プロファイルはデフォー
カス量によって変化し、デフォーカスΔＦ、＝Ｏμｍ、
即ち焦点面におけるプロファイルは鋤形に略沿うような
２次曲巌であるが、デフォーカスが大きくなってΔｐ、
＝２μｍ。
ΔＦ３＝３μｍＫなると露光、未露光部の差のない平坦
に近いプロファイルとなる。このよう虻、プロファイル
が変化されることによりパターン寸法も変化され、例え
ばΔＦ、の場合の凹パターン巾ＸＰ、はΔＦ、やΔＦ、
の場合のパターン巾ＸＰ、、ＸＰ３ よりも小さくなる
。したがって、この檜の投影露光に際しては焦点合せが
寸法精度な＾めるために最も重要である。
に近いプロファイルとなる。このよう虻、プロファイル
が変化されることによりパターン寸法も変化され、例え
ばΔＦ、の場合の凹パターン巾ＸＰ、はΔＦ、やΔＦ、
の場合のパターン巾ＸＰ、、ＸＰ３ よりも小さくなる
。したがって、この檜の投影露光に際しては焦点合せが
寸法精度な＾めるために最も重要である。
このような焦点合せを行なうため、従来ではエアマイク
ロ法や光反射法が利用されており、曲者は露光面積全体
の平均値な出して焦点合せする方法であり、後者は面積
の微小１点のレベルを用いて合わせる方法である。しか
しこれらの方法では、ウェーハ平１ｆｉｌｆ、厚さむら
、チャック平面度等が原因とされる元軸に対するウェー
ハ表面の傾きに対してウェーハの露光面積全域を最適焦
点面に合わせることは困難である。この対策としては、
ウェーハ表面の加工精度を上げればよいが、実際にはφ
】２５．φ１５０のウェーハをサブミクロンの表面加工
槽ＷＩＬに上げることは難かしく、ｔたウェーハ自体の
形状精度を上げねばならないため不可能に近い。これに
より、従来ではウェーハ表面各部におＡて焦点の合わな
い部分が生じることになりウェーハ各部におけるパター
ン寸法にバラツキが生じるという問題がある。
ロ法や光反射法が利用されており、曲者は露光面積全体
の平均値な出して焦点合せする方法であり、後者は面積
の微小１点のレベルを用いて合わせる方法である。しか
しこれらの方法では、ウェーハ平１ｆｉｌｆ、厚さむら
、チャック平面度等が原因とされる元軸に対するウェー
ハ表面の傾きに対してウェーハの露光面積全域を最適焦
点面に合わせることは困難である。この対策としては、
ウェーハ表面の加工精度を上げればよいが、実際にはφ
】２５．φ１５０のウェーハをサブミクロンの表面加工
槽ＷＩＬに上げることは難かしく、ｔたウェーハ自体の
形状精度を上げねばならないため不可能に近い。これに
より、従来ではウェーハ表面各部におＡて焦点の合わな
い部分が生じることになりウェーハ各部におけるパター
ン寸法にバラツキが生じるという問題がある。
しなかって本発明の目的は、ガラス基板上に形成し＋被
露光パターンを感光材を塗布した薄板基材上に投影光学
系を用いて露光するに際し、ガラス基板、薄板基材、投
影光学系の少なくとも一つを光軸方向に微小振動させる
ことにより、ウェーハ表面各部の露光量を平均化し、こ
れによりパターン寸法のばらつきの低減を因ることにあ
る。
露光パターンを感光材を塗布した薄板基材上に投影光学
系を用いて露光するに際し、ガラス基板、薄板基材、投
影光学系の少なくとも一つを光軸方向に微小振動させる
ことにより、ウェーハ表面各部の露光量を平均化し、こ
れによりパターン寸法のばらつきの低減を因ることにあ
る。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第２図は本発明装置の全体構成図であり、ｌは所要の被
露光パターンを形成したガラス基板としてのマスク（レ
チクル）、２は表面に感光材を塗布した薄板基材として
のウェーハである。前記マスク１のパターンをウェーハ
２上に露光する投影光学系３は、ハロゲンランプ４２反
射鏡５．アパーチャ６、コンデンサレンズ７を有スる照
明部８と、縮小用の結像レンズ９を有する結像部１０と
からなり、照明部８にてマスクｌを照明した上で結像部
ＩＯにてつ玉−ハ２表面にマスク像を結像させる。そし
て、本実施例にあっては前記ウェーハ２を載置したウェ
ーハ支持台１１に振動源１２を付設しウェーハを上下方
向、即ち光軸方向に微小振動させるように構成している
。この振動＠１２には電磁式０機械式等の公知の起振機
を採用することができる。
露光パターンを形成したガラス基板としてのマスク（レ
チクル）、２は表面に感光材を塗布した薄板基材として
のウェーハである。前記マスク１のパターンをウェーハ
２上に露光する投影光学系３は、ハロゲンランプ４２反
射鏡５．アパーチャ６、コンデンサレンズ７を有スる照
明部８と、縮小用の結像レンズ９を有する結像部１０と
からなり、照明部８にてマスクｌを照明した上で結像部
ＩＯにてつ玉−ハ２表面にマスク像を結像させる。そし
て、本実施例にあっては前記ウェーハ２を載置したウェ
ーハ支持台１１に振動源１２を付設しウェーハを上下方
向、即ち光軸方向に微小振動させるように構成している
。この振動＠１２には電磁式０機械式等の公知の起振機
を採用することができる。
以上のように構成した不実施例装＃においては、投影光
学系３を用いてマスク１のパターンをウェーハ２表面に
露光するが、この露光に際して前記振動源１２を作動し
てウェーハ２を光軸方向に微小振動させる。このように
ウェーハを微小振動ζせると、ウェーハは全露光域が投
影光学系８の焦点面の前後で振動され、焦点が合う瞬間
とデフォーカスの瞬間とが交互に生じることになる。し
たがって、第３図にデフォーカス量ΔＦＫ対する露光量
Ｅ（照度×露光時間）の変化を示すように、露光量は焦
点面で最大デフォーカスが正、負いずれに進んでも漸減
する特性を有しているため、焦点面を中心に振動される
ウェーハの各部は図示特性曲線に沿って＊−ｙｅ量が変
化され、結果として同図の鎖線Ｅｍで示す露光量に平均
化されることになる。具体的に言えば焦点合せ状圃ΔＦ
１時の露光１ｇは１１で最大Ｅｍａｘであり、デフォー
カスΔＦ 、 、 Δｐ 、のときは”ＦＩ ＦＪＦ８
でＥｍａｘより小さい。したがって、フォーカスを±Δ
Ｆ、の範囲で振動させると露光量Ｅは”ＦｌからＥ２□
の積分値の平均値Ｅｍとなる。そして、露光量Ｅはパタ
ーン寸法ＸＰ （第１図参照）Ｋ変換できる値であり、
Ｅが大きい程Ｘ、は大きくなることから、ウェーハの各
部のパターン寸法は前述のように平均化された露光量Ｅ
ｍＫよ〜て決定されることになり、ウェーハの各部にお
いて均一なパターン巾を得ることになる。なお、ウェー
ハの振動はデフォーカス士ΔＦ、の範囲で振動させるこ
とが好ましく、また、振動周波数は露光時間（１＞が０
．１秒の場合もあるので１０〜５０Ｈｚｇ［の範囲で雛
元時間に合わせて適宜圧制御するようにする。
学系３を用いてマスク１のパターンをウェーハ２表面に
露光するが、この露光に際して前記振動源１２を作動し
てウェーハ２を光軸方向に微小振動させる。このように
ウェーハを微小振動ζせると、ウェーハは全露光域が投
影光学系８の焦点面の前後で振動され、焦点が合う瞬間
とデフォーカスの瞬間とが交互に生じることになる。し
たがって、第３図にデフォーカス量ΔＦＫ対する露光量
Ｅ（照度×露光時間）の変化を示すように、露光量は焦
点面で最大デフォーカスが正、負いずれに進んでも漸減
する特性を有しているため、焦点面を中心に振動される
ウェーハの各部は図示特性曲線に沿って＊−ｙｅ量が変
化され、結果として同図の鎖線Ｅｍで示す露光量に平均
化されることになる。具体的に言えば焦点合せ状圃ΔＦ
１時の露光１ｇは１１で最大Ｅｍａｘであり、デフォー
カスΔＦ 、 、 Δｐ 、のときは”ＦＩ ＦＪＦ８
でＥｍａｘより小さい。したがって、フォーカスを±Δ
Ｆ、の範囲で振動させると露光量Ｅは”ＦｌからＥ２□
の積分値の平均値Ｅｍとなる。そして、露光量Ｅはパタ
ーン寸法ＸＰ （第１図参照）Ｋ変換できる値であり、
Ｅが大きい程Ｘ、は大きくなることから、ウェーハの各
部のパターン寸法は前述のように平均化された露光量Ｅ
ｍＫよ〜て決定されることになり、ウェーハの各部にお
いて均一なパターン巾を得ることになる。なお、ウェー
ハの振動はデフォーカス士ΔＦ、の範囲で振動させるこ
とが好ましく、また、振動周波数は露光時間（１＞が０
．１秒の場合もあるので１０〜５０Ｈｚｇ［の範囲で雛
元時間に合わせて適宜圧制御するようにする。
ここで、本発明ではマスクパターンの焦点ｉｉ［ＴＫ対
してウェーハ表面を光軸方向に相対的に微小感動させれ
ばよ（、°したがってウェーハな微小感動する代りにマ
スク、投影光学系（特に結像Ｓ）を微小振動させてもよ
く、あるいはこれらを組合わせて振動させるよ５ｆｆし
てもよい。
してウェーハ表面を光軸方向に相対的に微小感動させれ
ばよ（、°したがってウェーハな微小感動する代りにマ
スク、投影光学系（特に結像Ｓ）を微小振動させてもよ
く、あるいはこれらを組合わせて振動させるよ５ｆｆし
てもよい。
本発明者の実験によれば無振動状態の露光で±０．３μ
ｍの範囲にばらつ力ていたパターン寸法ヲ、本発明方法
では±０．１５μｍｎの範囲に抑制することが９症とな
、た。
ｍの範囲にばらつ力ていたパターン寸法ヲ、本発明方法
では±０．１５μｍｎの範囲に抑制することが９症とな
、た。
以上のように本発明方法および装置１によれば、ガラス
基板）［形ｂｙ ｔ、 ＊、 ｎ露光パターンを感覚材
を塗布した薄板基材上に投影光学系を周込【露光するに
際し、ガラス基板、薄板基材、投影光学系の少な（とも
一つを光軸方向に微小振動させるようにしているので、
薄板基材の表面が＃斜したり表面凹凸が存在している場
合にも薄板基材の露光面全域のパターン寸法のばらつき
を低減して均一な寸法のパターンを得ることができると
いう効果を奏する。
基板）［形ｂｙ ｔ、 ＊、 ｎ露光パターンを感覚材
を塗布した薄板基材上に投影光学系を周込【露光するに
際し、ガラス基板、薄板基材、投影光学系の少な（とも
一つを光軸方向に微小振動させるようにしているので、
薄板基材の表面が＃斜したり表面凹凸が存在している場
合にも薄板基材の露光面全域のパターン寸法のばらつき
を低減して均一な寸法のパターンを得ることができると
いう効果を奏する。
第１１ｇはデフォーカスと露光量の関係を示す図、第２
図は本発明装置の一実施例の構成図、第３図は本発明の
作用効果を説明するための図である。 ｌ・・・マスク（ガラス基板）、２・・・ウェーハ（薄
板基材）、３・・・投影光学系、８・・・照明部、１ｏ
・・・結儂部。
図は本発明装置の一実施例の構成図、第３図は本発明の
作用効果を説明するための図である。 ｌ・・・マスク（ガラス基板）、２・・・ウェーハ（薄
板基材）、３・・・投影光学系、８・・・照明部、１ｏ
・・・結儂部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガラス基板上の被露光パターンを感光材を塗布し
た薄板基材上に投影光学系を用いて露光する投影露光方
法において、前記ガラス基板、薄板基材、投影光学系の
少な（とも一つを光軸方向忙微小撮動させながら露光す
ることを特徴とする投影露光方法。 ２、被露光パターンを有するガラス基板と、感光材を塗
布した薄板基材と、前記ガラス基板のパターンを薄板基
材上に結儂させる投影光学系と、前記ガラス基板、薄板
基材、投影光学系の少なくとも一つを光軸方向に微小振
動させる手段とを備えることを特徴とする投影露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115088A JPS5817446A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 投影露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115088A JPS5817446A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 投影露光方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817446A true JPS5817446A (ja) | 1983-02-01 |
| JPH0410209B2 JPH0410209B2 (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=14653893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115088A Granted JPS5817446A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 投影露光方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817446A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342122A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63194250A (ja) * | 1987-02-07 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | ホトレジストパターンの形成方法 |
| JPS6477123A (en) * | 1987-06-17 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Reduction stepper and exposure process |
| JPH02137217A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Yamaha Corp | 投影露光法 |
| JPH02137216A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Yamaha Corp | 投影露光法 |
| EP0484131A2 (en) * | 1990-10-30 | 1992-05-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| EP0489426A2 (en) * | 1990-12-06 | 1992-06-10 | Sony Corporation | Projection exposure method |
| US5343270A (en) * | 1990-10-30 | 1994-08-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JPH0758003A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| EP0715213A1 (en) | 1994-11-28 | 1996-06-05 | Sony Corporation | Method of optical projection exposure to light |
| USRE36731E (en) * | 1986-08-08 | 2000-06-13 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516565A (ja) * | 1974-06-06 | 1976-01-20 | Ibm | Kogakutekifukushakinioite butsutaihyomenoyobi * moshikuhazohyomenojidotekiniichitsukerutameno hoho |
| JPS53132270A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Optical device for projecting pattern |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115088A patent/JPS5817446A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516565A (ja) * | 1974-06-06 | 1976-01-20 | Ibm | Kogakutekifukushakinioite butsutaihyomenoyobi * moshikuhazohyomenojidotekiniichitsukerutameno hoho |
| JPS53132270A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Optical device for projecting pattern |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588531B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1993-12-22 | Hitachi Ltd | |
| USRE36731E (en) * | 1986-08-08 | 2000-06-13 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
| JPS6342122A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63194250A (ja) * | 1987-02-07 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | ホトレジストパターンの形成方法 |
| JPS6477123A (en) * | 1987-06-17 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Reduction stepper and exposure process |
| JPH02137217A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Yamaha Corp | 投影露光法 |
| JPH02137216A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Yamaha Corp | 投影露光法 |
| US5343270A (en) * | 1990-10-30 | 1994-08-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| EP0819988A1 (en) * | 1990-10-30 | 1998-01-21 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| EP0484131A2 (en) * | 1990-10-30 | 1992-05-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5255050A (en) * | 1990-12-06 | 1993-10-19 | Sony Corporation | Projection exposure method |
| EP0489426A2 (en) * | 1990-12-06 | 1992-06-10 | Sony Corporation | Projection exposure method |
| JPH0758003A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| EP0715213A1 (en) | 1994-11-28 | 1996-06-05 | Sony Corporation | Method of optical projection exposure to light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410209B2 (ja) | 1992-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20040057034A1 (en) | Exposure apparatus including micro mirror array and exposure method using the same | |
| JPH0478002B2 (ja) | ||
| JP2817615B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS5817446A (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP2506616B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 | |
| JPH08153661A (ja) | 投影露光方法 | |
| JPH0766121A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| EP1486830A2 (en) | Device manufacturing method | |
| JP2503696B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2624193B2 (ja) | 半導体露光装置の照明光学系および照明方法 | |
| JPH1092729A (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
| KR100677985B1 (ko) | 반도체 제조용 노광장치 | |
| JPH0574681A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH09127418A (ja) | 照明光学系 | |
| JPH11320963A (ja) | 光像形成方法及びその装置、光加工装置並びに露光装置 | |
| JP2847915B2 (ja) | 投影露光装置及びその露光方法 | |
| JPH0963943A (ja) | 照明光学装置および該装置を備えた露光装置 | |
| JPH06318542A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3109946B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2606797B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた照明方法 | |
| KR0134583Y1 (ko) | 압전소자 장치 | |
| JPS62294202A (ja) | インテグレ−タ−およびそれを用いた露光装置 | |
| JPH03255610A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS6329930A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH09260260A (ja) | 投影露光装置 |