JP2008199061A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008199061A JP2008199061A JP2008120508A JP2008120508A JP2008199061A JP 2008199061 A JP2008199061 A JP 2008199061A JP 2008120508 A JP2008120508 A JP 2008120508A JP 2008120508 A JP2008120508 A JP 2008120508A JP 2008199061 A JP2008199061 A JP 2008199061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- projection
- liquid
- final element
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】液浸リソグラフィで投影系PLを浸液10から密封するのに使用される平行平板である投影系の最終要素50が、装置の光軸に対して傾斜する場合投影ビームの入射角を変化させる。この浸液で発生する力を受動的に利用したり、最終要素を移動させることにより、基板上のあらゆる点で連続的に焦点を変化させて焦点寛容度を向上させる。また基板に対して投影ビームを傾斜させるなど、いくつかの方法が開示される。
【選択図】図4b
Description
放射の投射ビームを供給する照明系と、
投射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
投射系を使用して基板の対象部分にパターン形成ビームを投射する投射系と、
前記投射系の最終要素と前記基板との間の空間に液体を少なくとも部分的に充填する液体供給システムとを備えるリソグラフィ装置であって、
パターン形成ビームの投射中に、前記基板に対する複数の位置でパターン形成ビームを集束するコントローラを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
基板を設けること、
照明系を使用して放射の投射ビームを供給すること、
投射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成手段を使用すること、
投射系の最終要素と前記基板との間の空間に液体を少なくとも部分的に充填すること、
前記投射系を使用して、基板の対象部分に放射のパターン形成ビームを投射することを含むデバイス製造方法であって、
前記基板に対する前記パターン形成ビーム・パターンの焦点位置を変化させることを特徴とする方法が提供される。
図1に、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置の略図を示す。この装置は、
放射(UV放射)の投射ビームPBを供給する照明系ILと、
アイテムPLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1位置決め手段に接続された、パターン形成手段(例えばマスク)MAを支持する第1支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2位置決め手段PWに接続された、基板(例えばレジスト被覆ウェハ)を保持する基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
投射ビームPBに付与されたパターンをパターン形成手段MAによって基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを有する)対象部分C上に結像する投射系(例えば屈折投射レンズ)PLとを備える。
第2実施例を図5に略図で示す。第1実施例と同じく、この目的は、投射ビームが基板表面上に直角に投射しないように、基板Wに対する投射ビームPBの傾斜を誘発することである。図5に示すケースでは、このことは、投射系PLの光軸に対して基板Wを傾斜させることによって達成され、その結果、基板Wが投射系PLの下で走査され、マスクMAが投射系PLの上で逆方向に走査されるとき、基板W上のあらゆる点で連続的フォーカス・シフトを受ける。走査中、基板Wの対象部分(基板上で位置が変化している)は、投射系PLの最終要素から一定の距離のままとなる。
第3実施例を図6に示す。第3実施例は、以下に説明することを除いて第1実施例と同じである。
第4及び第5実施例は、パターン形成投射ビームPBの所望の焦点位置の変化を達成するために浸液10が変化することが浸液10の特徴であることを除いて、第1実施例と同じである。他の実施例と同じく、どんな液体供給システムも使用することができるが、第4実施例では、図2及び3に示すような液体供給システムが最も適している。第5実施例では、欧州特許出願03252955.4で説明されているような液体閉込めシステムLCSが最適である。
複数の位置で投射ビームPBを集束させる他の方法には、例えば投射ビームPBを発生するレーザ中のガスの組成を変化させること、レーザ中のガスの圧力を変化させること、又はライン・ナローイング・ユニットを使用することによって投射ビームPBの帯域幅を変化させることが含まれる。屈折投射光学系を使用する場合、焦点位置は、使用する波長に依存する(レンズはアキシアル・カラーを有すると言われる)。したがって、投射ビームPBの帯域幅を増大させることにより、複数のアンテナ・イメージ(波長当たり1つ)が同時に結像される。同じ効果は、2つ以上の異なる(ほぼ一定の)波長の複数の投射ビームを使用することによって達成することができる。投射ビームは、同一の放射源又は異なる放射源によって供給することができる。投射ビームの焦点位置は、マスクの変位、傾動、又は回転によって変化させることもできる。
BD ビーム送達システム
C 対象部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明系
IN 積分器、入口
LCS 液体閉込めシステム
MA パターン形成手段
MA パターン形成手段
MT 第1支持構造
M1、M2 マスク位置合せマーク
PB 投射ビーム
PL 投射系
PW 第2位置決め手段
P1、P2 基板位置合せマーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (22)
- 放射の投射ビームを供給する照明系と、
前記投射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
投射系を使用して前記基板の対象部分に前記パターン形成ビームを投射する投射系と、
前記投射系の最終要素と前記基板との間の空間に液体を少なくとも部分的に充填する液体供給システムとを備えるリソグラフィ装置であって、
前記パターン形成ビームの投射中に、前記基板に対する複数の位置で前記パターン形成ビームを集束するコントローラを有すること特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記パターン形成ビームが、浸液の作用によって複数の位置で集束される請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記投射系の前記最終要素を移動することによって焦点位置を変化させるためのものである請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記最終要素が、前記液体の圧力の作用によって可動となる請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板の移動が、前記圧力を生成するのに有効である請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記最終要素が、前記投射系内の他の光学要素に対して傾斜する請求項3から5までのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記最終要素が、前記装置の光軸の方向に移動する請求項3から6までのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが前記液体供給システムを制御し、前記液体の屈折率を変化させることによって前記位置を変化させる請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記屈折率が、前記液体の組成の変化によって変化する請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記屈折率が、前記液体の温度の変化によって変化する請求項8又は9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記基板を移動すること、前記投射ビームの帯域幅を広げること、及び/又は前記投射ビームとは異なる波長の少なくとも1つの別の投射ビームを供給すること、及び/又は前記基板に対して前記投射ビームを傾斜させること、及び/又は前記パターン形成手段を移動することによって前記焦点位置を変化させる請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 基板を設けること、
照明系を使用して放射の投射ビームを供給すること、
前記投射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成手段を使用すること、
投射系の最終要素と前記基板との間の空間に液体を少なくとも部分的に充填すること、
前記投射系を使用して、前記基板の対象部分に放射のパターン形成ビームを投射することを含むデバイス製造方法であって、
前記基板に対する複数の位置で前記パターン形成ビームを集束することを特徴とする方法。 - 前記パターン形成ビームが、浸液の作用によって複数の位置で集束される請求項12に記載の方法。
- 前記焦点位置が、前記投射系の前記最終要素の移動によって変化する請求項12又は13に記載の方法。
- 前記最終要素が、前記最終要素に対する前記液体の圧力の作用によって移動する請求項14に記載の方法。
- 前記液体中の前記圧力が、前記基板の移動によって生成される請求項15に記載の方法。
- 前記最終要素が、前記投射系内の他の光学要素に対して傾斜する請求項14から16までのいずれかに記載の方法。
- 前記最終要素が、光軸の方向に移動する請求項14から17までのいずれかに記載の方法。
- 前記焦点位置が、前記液体の屈折率を変化させることによって変化する請求項12又は13に記載の方法。
- 前記液体の屈折率が、前記液体の組成を変化させることによって変化する請求項19に記載の方法。
- 前記液体の屈折率が、前記液体の温度を変化させることによって変化する請求項20に記載の方法。
- 前記焦点位置が、前記基板を移動すること、前記投射ビームの帯域幅を広げること、及び/又は前記投射ビームとは異なる波長の少なくとも1つの別の投射ビームを供給すること、及び/又は前記基板に対して前記投射ビームを傾斜させること、及び/又は前記パターン形成手段を移動することによって変化する請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03256498A EP1524557A1 (en) | 2003-10-15 | 2003-10-15 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004300277A Division JP4179616B2 (ja) | 2003-10-15 | 2004-10-14 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008199061A true JP2008199061A (ja) | 2008-08-28 |
JP4482594B2 JP4482594B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=34354599
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004300277A Expired - Fee Related JP4179616B2 (ja) | 2003-10-15 | 2004-10-14 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2008120508A Active JP4482594B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008120509A Expired - Fee Related JP4689693B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008120507A Active JP4482593B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004300277A Expired - Fee Related JP4179616B2 (ja) | 2003-10-15 | 2004-10-14 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008120509A Expired - Fee Related JP4689693B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008120507A Active JP4482593B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7352435B2 (ja) |
EP (1) | EP1524557A1 (ja) |
JP (4) | JP4179616B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101940892B1 (ko) | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
KR101686762B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101682884B1 (ko) | 2003-12-03 | 2016-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
KR101681852B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2016-12-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
KR20180117228A (ko) * | 2004-01-05 | 2018-10-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
CN1938646B (zh) * | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7688421B2 (en) * | 2004-06-17 | 2010-03-30 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
WO2006007111A2 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | A dynamic fluid control system for immersion lithography |
JP2006032834A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4872916B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4752374B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 |
JP4715505B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
KR100871749B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2008-12-05 | 주식회사 동부하이텍 | 이머전 리소그라피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
WO2009018846A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of structuring a photosensitive material |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US8969969B2 (en) | 2009-03-20 | 2015-03-03 | International Business Machines Corporation | High threshold voltage NMOS transistors for low power IC technology |
NL2005120A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005126A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005666A (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-21 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2365390A3 (en) | 2010-03-12 | 2017-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2009692A (en) | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04277612A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH06124874A (ja) * | 1992-01-30 | 1994-05-06 | Sony Corp | パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 |
JPH088157A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08153661A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 投影露光方法 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11162824A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Sony Corp | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2002208551A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
JP2003178974A (ja) * | 2002-12-05 | 2003-06-27 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
US660547A (en) * | 1899-10-14 | 1900-10-23 | Henry Dyer | Compound bicycle-gear. |
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
GB1267824A (en) | 1969-09-10 | 1972-03-22 | Barr & Stroud Ltd | Apparatus for automatically drawing lines |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) * | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JP2852169B2 (ja) * | 1993-02-25 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 投影露光方法および装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
WO1999031717A1 (fr) | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Procede d'exposition par projection et graveur a projection |
JPH11251229A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US7023521B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and process for producing device |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
EP1446703A2 (en) | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6707534B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-03-16 | Anvik Corporation | Maskless conformable lithography |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI255971B (en) | 2002-11-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
WO2004053954A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG152063A1 (en) | 2002-12-10 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4179283B2 (ja) | 2002-12-10 | 2008-11-12 | 株式会社ニコン | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN101424883B (zh) | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7006209B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US6844206B1 (en) * | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-10-15 EP EP03256498A patent/EP1524557A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-10-14 JP JP2004300277A patent/JP4179616B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-15 US US10/964,816 patent/US7352435B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-17 US US12/076,307 patent/US7961293B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 JP JP2008120508A patent/JP4482594B2/ja active Active
- 2008-05-02 JP JP2008120509A patent/JP4689693B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 JP JP2008120507A patent/JP4482593B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-06 US US13/102,620 patent/US8711330B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-24 US US14/261,208 patent/US9285685B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04277612A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH06124874A (ja) * | 1992-01-30 | 1994-05-06 | Sony Corp | パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 |
JPH088157A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08153661A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 投影露光方法 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11162824A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Sony Corp | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2002208551A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
JP2003178974A (ja) * | 2002-12-05 | 2003-06-27 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1524557A1 (en) | 2005-04-20 |
JP4482593B2 (ja) | 2010-06-16 |
US20050174550A1 (en) | 2005-08-11 |
JP4179616B2 (ja) | 2008-11-12 |
US20080170215A1 (en) | 2008-07-17 |
US7961293B2 (en) | 2011-06-14 |
JP4689693B2 (ja) | 2011-05-25 |
JP2005175438A (ja) | 2005-06-30 |
US20110211181A1 (en) | 2011-09-01 |
JP4482594B2 (ja) | 2010-06-16 |
JP2008199062A (ja) | 2008-08-28 |
US8711330B2 (en) | 2014-04-29 |
US20140293248A1 (en) | 2014-10-02 |
US7352435B2 (en) | 2008-04-01 |
JP2008235930A (ja) | 2008-10-02 |
US9285685B2 (en) | 2016-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4482593B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4750812B2 (ja) | リソグラフィック装置および位置合わせ装置 | |
JP5344691B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP5108157B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
JP4502993B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4728382B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2009094529A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100674701B1 (ko) | 기판노광방법 및 리소그래피 투영장치 | |
JP2008537356A (ja) | 傾斜したシャワーヘッドを備える液浸リソグラフィシステム | |
US9477153B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2012160729A (ja) | 照明系、リソグラフィ装置および方法 | |
JP4435762B2 (ja) | レンズ素子、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2006178465A (ja) | リソグラフィ装置用投影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090619 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100315 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |