JP4752374B2 - 露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路空間を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

露光装置においては、デバイスの生産性向上等を目的として、基板の移動速度の高速化が要求される。ところが、露光光の光路空間を液体で満たした状態で基板を高速で移動した場合、例えば、光路空間に満たされた液体が漏出したり、あるいは光路空間に満たされた液体の圧力（圧力分布）が大きく変動する等の不都合が生じる可能性がある。これら不都合が生じた場合、露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板を移動しつつ露光するときにも、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たし、基板を良好に露光することができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、基板（Ｐ）の表面と対向するように、且つ露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ）を囲むように設けられ、基板（Ｐ）の表面との間で液体（ＬＱ）を保持可能な第１面（７７）を有する所定部材（７０）と、露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ）に対して基板（Ｐ）を移動する移動機構（４）と、基板（Ｐ）の移動状態に応じて、第１面（７７）の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構（６０）とを備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。本発明の第１の態様によれば、基板を移動しつつ露光した場合にも、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができる。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第２の態様によれば、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。

本発明によれば、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができ、液体を介した露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。

＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージ４に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光処理に関する各種情報を記憶した記憶装置８とを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

露光装置ＥＸは、床面上に設けられたベースＢＰと、そのベースＢＰ上に設置されたメインコラム２とを備えている。照明光学系ＩＬは、メインコラム２の上部に固定された支持フレーム２Ｆにより支持されている。照明光学系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

本実施形態においては、液体ＬＱとして純水が用いられる。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。また、純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐや光学素子等に対する悪影響がない利点がある。なお、液体ＬＱとしては水以外のものであってもよい。

マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、マスクステージ定盤３Ｂ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３は、エアベアリング３Ａによりマスクステージ定盤３Ｂの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。マスクステージ定盤３Ｂは、メインコラム２の内側に向かって突出する上側支持部２Ａに防振装置３Ｓを介して支持されている。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報はレーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌは、マスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒５で保持されている。鏡筒５はフランジ５Ｆを有しており、投影光学系ＰＬはフランジ５Ｆを介して鏡筒定盤５Ｂに支持されている。鏡筒定盤５Ｂは、メインコラム２の内側に向かって突出する下側支持部２Ｂに防振装置５Ｓを介して支持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持した状態で、基板ステージ定盤４Ｂ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ４は、エアベアリング４Ａにより基板ステージ定盤４Ｂの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。基板ステージ定盤４Ｂは、ベースＢＰに防振装置４Ｓを介して支持されている。基板ステージ４（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは、基板ステージ４に設けられた移動鏡４Ｋを用いて基板ステージ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出系３０によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系３０の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。なお、基板ホルダ４Ｈは、基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する液浸機構１を備えている。液浸機構１は、基板ステージ４に保持された基板Ｐと、その基板Ｐと対向する位置に設けられた投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬとの間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。最終光学素子ＦＬは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子であり、露光光ＥＬは、その最終光学素子ＦＬを含む投影光学系ＰＬの光学素子を通過する。液浸機構１は、光路空間Ｋの近傍に設けられ、光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口及び液体ＬＱを回収する回収口を有するノズル部材７０と、供給管１３、及びノズル部材７０の供給口を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７０の回収口、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬ、及び光路空間Ｋを満たす液体ＬＱを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。

また、露光装置ＥＸは、基板Ｐの移動状態に応じて、ノズル部材７０の位置及び姿勢（傾き）の少なくとも一方を調整する調整機構６０を備えている。調整機構６０は、ノズル部材７０を支持する支持装置６１と、支持装置６１に支持されたノズル部材７０を駆動する駆動装置６３を備えており、ノズル部材７０の下面７７の少なくとも一部と基板Ｐの表面との相対的な位置関係（相対距離及び相対傾斜の少なくとも一方を含む）を調整する。本実施形態においては、支持装置６１は、メインコラム２の下側支持部２Ｂに駆動装置６３を介して接続されている。そして、ノズル部材７０は、支持装置６１及び駆動装置６３を介してメインコラム２の下側支持部２Ｂに支持されている。

次に、図２〜図５を参照しながら、ノズル部材７０について説明する。図２はノズル部材７０近傍を示す概略斜視図の一部破断図、図３はノズル部材７０を下側から見た斜視図、図４はＹＺ平面と平行な側断面図、図５はＸＺ平面と平行な側断面図である。

ノズル部材７０は、光路空間Ｋに液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有しており、最終光学素子ＦＬの近傍に設けられている。ノズル部材７０は環状部材であって、基板Ｐ（基板ステージ４）の上方において最終光学素子ＦＬを囲むように配置されている。ノズル部材７０と最終光学素子ＦＬとは離れている。また、ノズル部材７０は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と対向する上面７９を有する底板７８を有している。底板７８の一部は、Ｚ軸方向に関して、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐ（基板ステージ４）との間に配置されている。また、底板７８の中央部には、露光光ＥＬが通過する開口７６が形成されている。本実施形態においては、露光光ＥＬの断面形状（すなわち投影領域ＡＲ）は略矩形状であり、開口７６は、投影領域ＡＲに応じた平面視略矩形状に形成されている。

ノズル部材７０のうち、基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面と対向する下面７７は平坦面となっている。下面７７は開口７６を囲むように底板７８に設けられている。以下の説明においては、ノズル部材７０の下面７７を適宜、ランド面７７と称する。ランド面７７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐの表面との間において、露光光ＥＬの光路空間Ｋ（開口７６）を囲むように設けられている。ランド面７７は、ノズル部材７０のうち、基板ステージ４に保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられており、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。光路空間Ｋを満たす液体ＬＱは底板７８及び最終光学素子ＦＬに接触する。また、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板７８の上面７９との間には所定のギャップを有する空間が設けられている。以下の説明においては、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板７８の上面７９との間の空間を含むノズル部材７０の内側の空間を適宜、内部空間Ｋ２と称する。

供給口１２は内部空間Ｋ２に接続されており、内部空間Ｋ２に液体ＬＱを供給可能である。ノズル部材７０の内部には供給口１２に接続する供給流路１４が形成されており、供給口１２は供給流路１４及び供給管１３を介して液体供給装置１１に接続されている。本実施形態においては、供給口１２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において光路空間Ｋを挟んだＹ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。

また、ノズル部材７０は内部空間Ｋ２の気体を外部空間（大気空間を含む）Ｋ３に排出（排気）する排出口１６を有している。排出口１６は内部空間Ｋ２に接続されており、本実施形態においては、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において、光路空間Ｋを挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。内部空間Ｋ２の気体は、排出口１６及びノズル部材７０の内部に設けられた排出流路１５を介して外部空間Ｋ３に排出可能となっている。

回収口２２は、基板ステージ４に保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向するように設けられている。回収口２２は、光路空間Ｋに対して供給口１２及び排出口１６の外側に設けられており、光路空間Ｋ、ランド面７７、供給口１２、及び排出口１６を囲むように環状に設けられている。回収口２２は回収流路２４及び回収管２３を介して液体回収装置２１に接続されている。回収口２２には、複数の孔を有する多孔部材２５が配置されている。多孔部材２５は基板ステージ４に保持された基板Ｐと対向する下面２６を有している。多孔部材２５の下面２６はほぼ平坦であり、多孔部材２５の下面２６とランド面７７とはほぼ面一に設けられている。本実施形態においては、液浸機構１は、多孔部材２５の各孔の径、多孔部材２５と液体ＬＱとの接触角、及び液体ＬＱの表面張力などに応じて、回収流路２４の圧力と外部空間Ｋ３の圧力との差を最適化することによって、回収口２２を介して液体ＬＱのみを回収するように設けられている。

ランド面７７は、液体ＬＱに対して親液性を有している。本実施形態においては、ランド面７７を形成する底板７８はチタンによって形成されており、親液性（親水性）を有している。なお、ランド面７７に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。また、本実施形態においては、多孔部材２５はチタン製のメッシュ部材であり、液体ＬＱに対して親液性（親水性）を有している。なお、多孔部材２５に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。

次に、図６を参照しながら、調整機構６０について説明する。調整機構６０は、基板Ｐの移動状態に応じて、ノズル部材７０のランド面７７の位置及び姿勢（傾き）の少なくとも一方を調整するものである。調整機構６０は、ノズル部材７０のランド面７７と基板Ｐの表面との間の相対距離及び相対傾斜のうち少なくとも一方を調整する。ノズル部材７０を駆動可能な駆動装置６３は、例えばローレンツ力で駆動するボイスコイルモータやリニアモータ等、振動の発生が抑制されたアクチュエータを含む。駆動装置６３は複数位置（例えば３箇所）に設けられており、制御装置７は、調整機構６０の複数の駆動装置６３のそれぞれを適宜駆動することにより、ノズル部材７０のランド面７７を、少なくともＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能である。これにより、制御装置７は、基板Ｐの表面とランド面７７との相対距離（Ｚ軸方向の距離）及び相対傾斜（θＸ、θＹ方向の傾斜）の少なくとも一方を調整可能である。なお、調整機構６０は、ノズル部材７０をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に駆動可能に設けられていてもよい。

また、露光装置ＥＸは、基板Ｐの移動状態を検出する第１検出系４０を備えている。第１検出系４０は、基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出するフォーカス・レベリング検出系３０と、基板Ｐ（基板ステージ４）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測するレーザ干渉計４Ｌとを含む。フォーカス・レベリング検出系３０は、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面に斜め方向から検出光Ｌｂを投射する投射系３１と、基板Ｐの表面で反射した検出光Ｌｂを受光可能な受光系３２とを有している。制御装置７は、フォーカス・レベリング検出系３０の検出結果に基づいて、所定の基準位置に対する基板Ｐの表面のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報を求めることができる。また、制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果に基づいて、所定の基準位置に対する基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を求めることができる。また、制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系３０の検出結果に基づいて、必要に応じてこれらの結果を演算処理することにより、基板Ｐの移動状態を求めることができる。ここで、基板Ｐの移動状態とは、基板Ｐの移動方向、移動距離、移動速度、加速度、及び減速度の少なくとも一部を含む。なお、基板Ｐの移動状態を検出する第１検出系４０としては、例えばエンコーダ等の所定の装置を用いることもできる。

また、露光装置ＥＸは、所定の基準位置に対するノズル部材７０（ひいてはランド面７７）のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報を検出する第２検出系５０を備えている。本実施形態の第２検出系５０は、メインコラム２の下側支持部２Ｂとノズル部材７０とのＺ軸方向の距離（相対位置）を計測する複数（例えば３つ）のレーザ干渉計５１を備えている。レーザ干渉計５１は、ノズル部材７０に設けられた移動鏡５２を用いて、所定の基準位置に対するノズル部材７０のＺ軸方向に関する位置情報を計測する。制御装置７は、複数のレーザ干渉計５１の計測結果に基づいて、ノズル部材７０（ランド面７７）のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報を求めることができる。

そして、制御装置７は、フォーカス・レベリング検出系３０を含む第１検出系４０の検出結果、及びレーザ干渉計５１を含む第２検出系５０の検出結果に基づいて、所定の基準位置を基準とした、基板Ｐの表面とノズル部材７０のランド面７７との相対的な位置関係（相対距離及び相対傾斜の少なくとも一方を含む）を求めることができる。なお、ノズル部材７０の位置情報を検出する第２検出系５０としては、例えばエンコーダ等の所定の装置を用いることもできる。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する方法について説明する。

露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすために、制御装置７は、液体供給装置１１及び液体回収装置２１のそれぞれを駆動する。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材７０の供給流路１４を介して、供給口１２より内部空間Ｋ２に供給される。供給口１２から内部空間Ｋ２に供給された液体ＬＱは、内部空間Ｋ２を満たした後、開口７６を介してランド面７７と基板Ｐ（基板ステージ４）との間の空間に流入し、露光光ＥＬの光路空間Ｋを満たす。このように、液浸機構１は、供給口１２から最終光学素子ＦＬと底板７８との間の内部空間Ｋ２に液体ＬＱを供給することによって、最終光学素子ＦＬ（投影光学系ＰＬ）と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。このとき、液体回収装置２１は、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを回収している。真空系を含む液体回収装置２１は、回収流路２４を負圧にすることにより、回収口２２（多孔部材２５）と基板Ｐとの間に存在する液体ＬＱを、回収口２２を介して回収することができる。露光光ＥＬの光路空間Ｋに満たされている液体ＬＱは、ノズル部材７０の回収口２２を介して回収流路２４に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液浸機構１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部の領域に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。そして、制御装置７は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、光路空間Ｋに対して基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射する。

このような走査型露光装置において、例えばノズル部材７０と基板Ｐとの位置関係によっては、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で光路空間Ｋに対して基板Ｐを移動したとき、回収口２２を介して液体ＬＱを十分に回収することができず、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが基板Ｐとノズル部材７０との間の空間よりも外側へ漏出する可能性がある。

例えば、図７に示すように、ノズル部材７０の下面７７と基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とが略平行である場合、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、図７（Ａ）に示す第１状態から光路空間Ｋに対して基板Ｐを−Ｙ方向に所定速度で所定距離だけ移動したとき、図７（Ｂ）に示すように、その液体ＬＱには基板Ｐの移動方向前方側（−Ｙ側）への力Ｆ１が作用し、液浸領域ＬＲの液体ＬＱとその外側の空間との界面ＬＧが大きく移動する可能性がある。界面ＬＧの移動距離Ｌ１や移動速度が大きくなると、液浸領域ＬＲが拡大し、液体ＬＱが漏出する可能性がある。そして、界面ＬＧの移動距離Ｌ１や移動速度は、基板Ｐの移動速度（走査速度）の高速化に伴って増大する。また、基板Ｐの移動に伴って液体ＬＱ（液体ＬＱの界面ＬＧ）が大きく移動した場合、液浸領域ＬＲの圧力や圧力分布が大きく変動し、例えば液体ＬＱに接触する最終光学素子ＦＬに外乱力として作用する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、基板Ｐを移動した場合においても、光路空間Ｋからの液体ＬＱの漏出や、外乱力の増大（変動）を抑えるために、制御装置７は、基板Ｐの移動状態に応じて、液体ＬＱと接触するランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する。上述のように、調整機構６０はノズル部材７０を駆動する駆動装置６３を有しており、駆動装置６３を用いてノズル部材７０を駆動することによってランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する。

図８は基板ＰをＹ軸方向（−Ｙ方向）に移動しつつ基板Ｐを露光している様子を示す図である。制御装置７は、調整機構６０を用いて、基板Ｐの移動状態に応じてランド面７７の位置（Ｚ軸方向の位置）及び姿勢（θＸ、θＹ方向の傾斜）の少なくとも一部を調整する。ここで、基板Ｐの移動状態とは、基板Ｐの移動方向、移動距離、移動速度、加速度、及び減速度の少なくとも一部を含む。図８に示すように、本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐが所定方向（−Ｙ方向）に移動するとき、基板Ｐの移動方向前方側（すなわち−Ｙ側）に向かうにつれて、基板Ｐの表面との間隔が漸次大きくなるように、ランド面７７を調整する。制御装置７は、ノズル部材７０と最終光学素子ＦＬとが接触しないように、ランド面７７を調整する。

図９はノズル部材７０のランド面７７を調整しつつ基板Ｐを−Ｙ方向に移動したときの液体ＬＱの挙動を説明するための模式図である。光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で光路空間Ｋに対して基板Ｐを所定方向（−Ｙ方向）に所定速度で所定距離だけ移動したとき、図７を参照して説明したように、液体ＬＱには基板Ｐの移動方向前方側（−Ｙ側）への力Ｆ１が作用するが、基板Ｐの移動方向前方側に向かうにつれて基板Ｐの表面との間隔が漸次大きくなるようにランド面７７の姿勢（位置）を調整しつつ、基板Ｐを移動することで、液浸領域ＬＲの液体ＬＱの界面ＬＧの移動距離Ｌ１や移動速度の増大を抑えることができる。すなわち、ランド面７７の姿勢（位置）を調整しつつ、図９（Ａ）に示すような状態から、光路空間Ｋに対して基板Ｐを−Ｙ方向に所定速度で所定距離だけ移動した場合、図９（Ｂ）に示すように、液体ＬＱには基板Ｐの移動方向後方側（＋Ｙ側）への力Ｆ２も作用する。すなわち、基板Ｐの移動方向前方側に向かうにつれて基板Ｐの表面との間隔が漸次大きくなるようにランド面７７の姿勢（位置）を調整することで、ランド面７７の＋Ｙ側の領域と基板Ｐとの間の距離が、ランド面７７の−Ｙ側の領域と基板Ｐとの間の距離よりも小さくなり、これにより、液浸領域ＬＲの液体ＬＱには、毛管現象に基づき、＋Ｙ側への力Ｆ２が作用する。このように、ランド面７７の姿勢（位置）を調整することで、液体ＬＱには、基板Ｐの移動に起因する−Ｙ側へ移動する成分と、毛管現象に起因する＋Ｙ側へ移動する成分とが生成される。そして、界面ＬＧの移動距離Ｌ１や移動速度が小さくなるように、ランド面７７の姿勢（位置）を調整することで、基板Ｐを移動したときでも、界面ＬＧの移動距離Ｌ１や移動速度の増大を抑え、液体ＬＱの漏出等の不都合を防止することができる。

基板Ｐの表面に対するノズル部材７０のランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方は、上述の基板Ｐの移動状態に応じて最適化される。例えば、基板Ｐを第１の移動速度で移動する場合には、制御装置７は、基板Ｐの表面に対してランド面７７が第１の角度（又は第１の距離）となるように、調整機構６０を用いてランド面７７を調整し、基板Ｐを第２の移動速度で移動する場合には、制御装置７は、基板Ｐの表面に対してランド面７７が第２の角度（又は第２の距離）となるように、調整機構６０を用いてランド面７７を調整する。また、基板ＰをＹ軸方向（走査方向）に移動する場合のみならず、Ｘ軸方向（非走査方向）や、水平面においてＹ軸方向に対して斜め方向に移動する場合にも、その移動方向に応じて、基板Ｐの表面とランド面７７との位置関係が適宜調整される。

また、本実施形態においては、ランド面７７と多孔部材２５の下面２６とはほぼ面一であり、調整機構６０によってノズル部材７０が駆動されることにより、ランド面７７及び多孔部材２５の下面２６と基板Ｐの表面との相対距離及び相対傾斜の少なくとも一部が最適に調整される。

また、制御装置７は、基板Ｐの表面とランド面７７（多孔部材２５の下面２６を含む）との間に存在する液体ＬＱが、ランド面７７から離れないように（剥離しないように）、調整機構６０を用いて、基板Ｐの表面に対するランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する。上述のように、本実施形態においては、ランド面７７及び多孔部材２５の下面２６は液体ＬＱに対して親液性を有しており、ランド面７７（下面２６）は、基板Ｐの表面とランド面７７（下面２６）との間に存在する液体ＬＱを、密着させる（保持する）ことができる。また、制御装置７は、基板Ｐの移動状態に応じて、基板Ｐの表面に対するランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整することによって、液体ＬＱをランド面７７に密着させ続けることができる。ランド面７７から液体ＬＱが離れる（剥離する）と、その液体ＬＱは基板Ｐ上で薄膜を形成する可能性がある。その液体ＬＱの薄膜は回収口２２（多孔部材２５）とは離れているため、その液体ＬＱの薄膜部分が回収口２２の直下に移動しても、回収口２２によって回収できない状況が生じる可能性がある。本実施形態では、基板Ｐの表面とランド面７７（下面２６）との間に存在する液体ＬＱがランド面７７（下面２６）から離れないように、基板Ｐの表面とランド面７７との位置関係や、ランド面７７の表面状態（液体ＬＱに対する接触角を含む）が最適化されるので、液体ＬＱを良好に回収することができる。

基板Ｐの移動状態に応じたランド面７７の最適な位置及び姿勢に関する情報は、実験又はシミュレーション等によって予め求められ、記憶装置８に記憶されている。記憶装置８には、実験又はシミュレーション等によって求めた、互いに異なる複数の基板Ｐの移動状態のそれぞれに対応するランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報が複数記憶されている。制御装置７は、基板Ｐの移動状態と記憶装置８の記憶情報とに基づいて、調整機構６０を用いて、ランド面７７を調整する。具体的には、制御装置７は、記憶装置８に記憶されている複数のランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報の中から基板Ｐの移動状態に応じたランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報を選択し、その選択されたランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方となるように、調整機構６０を用いて、ランド面７７を調整する。これにより、例えばロット毎に基板Ｐの移動状態を変えつつ基板Ｐを露光するような場合でも、基板Ｐの表面とランド面７７との位置関係を最適にすることができる。

ランド面７７を調整するときには、制御装置７は、基板Ｐの露光中に、基板Ｐの移動状態を上述の第１検出系４０で検出し、その検出結果に基づいて、基板Ｐの表面とランド面７７とが最適な位置関係となるように、ランド面７７を調整する。例えば、投影光学系ＰＬの像面位置に対する基板Ｐの表面の位置を調整（合致）するために、基板Ｐの表面のＺ軸方向の位置及びθＸ、θＹ方向の傾斜（姿勢）が変動する場合には、制御装置７は、フォーカス・レベリング検出系３０の検出結果に基づいて、基板Ｐの表面に対して、ランド面７７が所望の位置関係となるように、ランド面７７を調整する。

あるいは、基板Ｐの露光前に、基板Ｐが露光されるときの基板Ｐの移動状態（フォーカス位置を含む）を予め求めて記憶しておき、基板Ｐの露光中には、第１検出系４０の検出結果を用いずに、その求めた記憶情報に基づいて、ランド面７７を調整するようにしてもよい。

また、ノズル部材７０のランド面７７を動かすときには、ランド面７７（ノズル部材７０）の位置及び姿勢を、基板Ｐの露光中にモニタしつつ、ノズル部材７０を動かすようにしてもよいし、基板Ｐの露光前に、調整機構６０による最適なノズル部材７０の駆動量を設定しておき、基板Ｐの露光中には、その設定された駆動量に基づいて、ノズル部材７０を動かすようにしてもよい。

以上説明したように、基板Ｐの移動状態に応じて、ノズル部材７０のランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整することで、光路空間Ｋの液体ＬＱが漏出したり、液浸領域ＬＲの液体ＬＱの圧力（圧力分布）の変動に起因して外乱力が発生する等といった不都合の発生を抑制することができる。したがって、基板Ｐを移動しつつ露光する場合にも、光路空間Ｋを液体ＬＱで所望状態に満たした状態で、基板Ｐを良好に露光することができる。そして、基板Ｐの移動状態に応じて適宜ノズル部材７０を駆動することで、基板Ｐの移動状態が変化する場合でも、その移動状態の変化に対応することができる。

また、ノズル部材７０はランド面７７を有しているため、基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持することができる。したがって、基板Ｐの露光中等においても、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで確実に満たすことができる。また、本実施形態においては、ノズル部材７０は排気口１６を有しているため、光路空間Ｋを満たす液体ＬＱ中に気泡が生成されてしまう不都合が抑制される。したがって、露光光ＥＬを基板Ｐまで良好に到達させることができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分には同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１０〜図１３は第２実施形態に係るノズル部材７０を示す図である。図１０はノズル部材７０近傍を示す概略斜視図の一部破断図、図１１はノズル部材７０を下側から見た斜視図、図１２はＹＺ平面と平行な側断面図、図１３はＸＺ平面と平行な側断面図である。

本実施形態のノズル部材７０は、基板Ｐの表面と対向するように、基板ステージ４に保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられ、ＸＹ平面と平行な平坦面である第１ランド面７７と、基板Ｐの表面と対向するように、且つ光路空間Ｋに対して第１ランド面７７の外側に設けられ、基板Ｐの表面に対して第１ランド面７７よりも離れた位置に設けられた第２ランド面８８を備えている。本実施形態においては、図１１に示すように、第２ランド面８８は、平面視において、露光光ＥＬの光路空間Ｋから外側に離れるにつれて漸次拡がる形状（台形状）に設けられている。

第２ランド面８８は、光路空間Ｋから外側に向かうにつれて基板Ｐの表面との間隔が漸次大きくなる斜面である。第２ランド面８８は、第１ランド面７７を囲むように設けられている。基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面はＸＹ平面とほぼ平行であるため、ノズル部材７０の第２ランド面８８は、基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ基板Ｐの表面（ＸＹ平面）に対して傾斜するように設けられた構成となっている。そして、第１ランド面７７及び第２ランド面８８の一部には液浸領域ＬＲを形成する液体ＬＱが接触するようになっている。また、第２ランド面８８は、第１ランド面７７と同様、液体ＬＱに対して親液性（親水性）を有している。また、第１ランド面７７と液体ＬＱとの接触角と、第２ランド面８８と液体ＬＱとの接触角とはほぼ等しくなっている。

図１１に示すように、回収口２２は、第１ランド面７７を囲むように、第２ランド面８８に設けられている。回収口２２は、基板ステージ４に保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向する位置に設けられている。また、回収口２２には多孔部材２５が配置されている。多孔部材２５の下面２６は、第２ランド面８８の一部を構成している。多孔部材２５は、液体ＬＱに対して親液性（親水性）を有している。

図１４は基板ＰをＹ軸方向（−Ｙ方向）に移動しつつ基板Ｐを露光している様子を示す図である。調整機構６０は、ノズル部材７０の第１ランド面７７及び第２ランド面８８を、少なくともＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能であり、基板Ｐの表面と第１、第２ランド面７７、８８との相対距離及び相対傾斜の少なくとも一方を調整可能である。そして、制御装置７は、基板Ｐの移動状態に応じて、ノズル部材７０の第１、第２ランド面７７、８８の位置（Ｚ軸方向の位置）及び姿勢（θＸ、θＹ方向の傾斜）の少なくとも一部を調整する。例えば、制御装置７は、基板Ｐが−Ｙ方向に移動するとき、基板Ｐの移動方向前方側（すなわち−Ｙ側）に向かうにつれて、基板Ｐの表面との間隔が漸次大きくなるように、第１、第２ランド面７７、８８を調整する。これにより、光路空間Ｋに対して基板Ｐを移動しつつ露光した場合でも、液体ＬＱの漏出等の不都合を防止できる。

そして、基板Ｐの表面に対するノズル部材７０の第１、第２ランド面７７、８８の位置及び姿勢の少なくとも一方は、上述の基板Ｐの移動状態に応じて、最適化される。また、基板ＰをＹ軸方向（走査方向）に移動する場合のみならず、Ｘ軸方向（非走査方向）や、水平面においてＹ軸方向に対して斜め方向に移動する場合にも、その移動方向に応じて、基板Ｐの表面と第１、第２ランド面７７、８８との位置関係が適宜調整される。

また、制御装置７は、基板Ｐの表面と第１ランド面７７との間に存在する液体ＬＱが、第１ランド面７７から離れないように、調整機構６０を用いて、ノズル部材７０の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整するとともに、基板Ｐの表面と第２ランド面８８との間に存在する液体ＬＱが、第２ランド面８８から離れないように、調整機構６０を用いて、ノズル部材７０の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する。第１、第２ランド面７７、８８は液体ＬＱに対して親液性であるため、液体ＬＱを密着させる（保持する）ことができる。また、制御装置７は、基板Ｐの移動状態に応じて、基板Ｐの表面に対する第１、第２ランド面７７、７８を含むノズル部材７０の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整することによって、液体ＬＱを第１、第２ランド面７７、８８に密着させ続けることができる。

上述の第１実施形態同様、基板Ｐの移動状態に応じた第１、第２ランド面７７、８８の最適な位置及び姿勢に関する情報は、記憶装置８に予め記憶されている。制御装置７は、基板Ｐの移動状態と記憶装置８の記憶情報とに基づいて、調整機構６０を用いて、第１、第２ランド面７７、８８を調整する。

なお、第２実施形態においては、光路空間Ｋを囲むように斜面（第２ランド面）８８が設けられているが、例えばＹ軸方向（走査方向）の下面のみを斜面としてもよい。また、第２実施形態においては、第２ランド面は平面であるが、曲面であってもよい。あるいは、第２ランド面は複数の平面の組み合わせであってもよい。

＜第３実施形態＞
上述の実施形態においては、基板Ｐの移動状態に応じて、ノズル部材７０の位置及び姿勢の少なくとも一方が調整されるが、制御装置７は、基板Ｐの表面状態も考慮して、調整機構６０を用いてランド面７７（第２ランド面８８を含む）を調整するようにしてもよい。例えばロット毎に、基板Ｐの表面状態が変動する場合、基板Ｐを移動しつつ露光するときの液体ＬＱの挙動が変化する可能性がある。ここで、基板Ｐの表面状態とは、基板Ｐの表面を形成する膜の状態（条件）を含む。例えば、基板Ｐの表面を形成する膜が、感光材からなる第１の膜である場合と、その第１の膜を覆う第２の膜である場合とでは、その膜に接触する液体ＬＱの挙動が変化する可能性がある。例えば、基板Ｐの表面（膜）の液体ＬＱに対する接触角に応じて、液体ＬＱの挙動が変化する可能性がある。なお、感光材からなる第１の膜を覆う第２の膜としては、例えばトップコート膜と呼ばれる感光材を液体ＬＱから保護する機能を有する撥液性を有する膜や、反射防止用の膜が挙げられる。

基板Ｐの表面状態に応じて、液体ＬＱの挙動が変化する可能性があるため、制御装置７は、基板Ｐの表面状態に応じて、ノズル部材７０のランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整することができる。記憶装置８に、互いに異なる複数の基板Ｐの表面状態のそれぞれに対応するランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報を複数記憶しておくことにより、制御装置７は、基板Ｐの表面状態と、記憶装置８の記憶情報とに基づいて、ランド面７７を調整することができる。基板Ｐの表面状態に応じた最適なランド面７７の位置及び姿勢に関する情報は、実験又はシミュレーションによって予め求めることができ、記憶装置８に予め記憶することができる。制御装置７は、記憶装置８に記憶されている複数のランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報の中から基板Ｐの移動状態に応じたランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報を選択し、その選択されたランド面７７の位置及び姿勢の少なくとも一方となるように、ランド面７７を調整することができる。

なお、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬが照射可能な位置に基板Ｐを配置した状態で、すなわち投影光学系ＰＬと基板Ｐとが対向している状態で光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされている場合について説明したが、基板Ｐ以外の物体（例えば基板ステージ４の上面４Ｆ）が投影光学系ＰＬと対向している状態で光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされている場合も同様である。ここで、露光光ＥＬが照射可能な位置とは、投影光学系ＰＬと対向する位置を含む。

なお、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。

また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るノズル部材近傍を示す概略斜視図の一部破断図である。 第１実施形態に係るノズル部材を下側から見た斜視図である。 第１実施形態に係るノズル部材のＹＺ平面と平行な側断面図である。 第１実施形態に係るノズル部材のＸＺ平面と平行な側断面図である。 第１実施形態に係る調整機構を説明するための図である。 液体の挙動の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作を説明するための図である。 第１実施形態に係る液体の挙動の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係るノズル部材近傍を示す概略斜視図の一部破断図である。 第２実施形態に係るノズル部材を下側から見た斜視図である。 第２実施形態に係るノズル部材のＹＺ平面と平行な側断面図である。 第２実施形態に係るノズル部材のＸＺ平面と平行な側断面図である。 第２実施形態に係る露光装置の動作を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…液浸機構、４…基板ステージ（移動機構）、４Ｌ…レーザ干渉計、７…制御装置、８…記憶装置、１２…供給口、２２…回収口、２５…多孔部材、２６…下面、３０…フォーカス・レベリング検出系、４０…第１検出系、５０…第２検出系、６０…調整機構、６３…駆動装置、７０…ノズル部材（所定部材）、７６…開口、７７…ランド面（第１面）、７８…底板（板部材）、８８…第２ランド面（第２面）、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＦＬ…最終光学素子（光学部材）、Ｋ…光路空間、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系

Claims (47)

1. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   投影光学系と、
   前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記基板の表面との間で液体を保持可能な第１面を有するノズル部材と、
   前記露光光の光路空間に対して物体を移動する移動機構と、
   前記投影光学系と対向する前記物体の移動状態に応じて、前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構とを備え、
   前記物体の移動状態は、前記物体の移動速度を含む露光装置。
2. 前記物体の移動状態は、前記物体の加速度を含む請求項１記載の露光装置。
3. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   投影光学系と、
   前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記基板の表面との間で液体を保持可能な第１面を有するノズル部材と、
   前記露光光の光路空間に対して物体を移動する移動機構と、
   前記投影光学系と対向する前記物体の移動状態に応じて、前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構とを備え、
   前記物体の移動状態は、前記物体の加速度を含む露光装置。
4. 前記物体の移動状態は、前記物体の減速度を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
5. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   投影光学系と、
   前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記基板の表面との間で液体を保持可能な第１面を有するノズル部材と、
   前記露光光の光路空間に対して物体を移動する移動機構と、
   前記投影光学系と対向する前記物体の移動状態に応じて、前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構とを備え、
   前記物体の移動状態は、前記物体の減速度を含む露光装置。
6. 前記物体の移動状態は、前記物体の移動距離を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
7. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   投影光学系と、
   前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記基板の表面との間で液体を保持可能な第１面を有するノズル部材と、
   前記露光光の光路空間に対して物体を移動する移動機構と、
   前記投影光学系と対向する前記物体の移動状態に応じて、前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構とを備え、
   前記物体の移動状態は、前記物体の移動距離を含む露光装置。
8. 互いに異なる複数の前記移動状態のそれぞれに対応する前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報を複数記憶した記憶装置を備え、
   前記調整機構は、前記物体の移動状態と前記記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記第１面を調整する請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
9. 前記調整機構は、前記記憶装置に記憶されている前記複数の第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方に関する情報の中から前記物体の移動状態に応じた情報を選択し、該選択された第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方となるように、前記第１面を調整する請求項８記載の露光装置。
10. 前記物体の移動状態を検出する検出系を備え、
    前記調整機構は、前記検出系の検出結果に基づいて、前記第１面を調整する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
11. 前記検出系は、前記物体の表面の面位置情報を検出する第１検出装置を含み、
    前記調整機構は、前記第１検出装置の検出結果に基づいて、前記第１面を調整する請求項１０記載の露光装置。
12. 前記物体が第１の移動状態で移動する場合に、前記調整機構により前記物体の表面と前記第１面との相対距離が第１の距離に調整され、前記物体が第２の移動状態で移動する場合に、前記調整機構により前記相対距離が第２の距離に調整される請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記物体が第１の移動状態で移動する場合に、前記調整機構により前記物体の表面と前記第１面との相対傾斜が第１の角度に調整され、前記物体が第２の移動状態で移動する場合に、前記調整機構により前記相対傾斜が第２の角度に調整される請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記調整機構は、前記物体の表面と前記第１面との相対距離及び相対傾斜の少なくとも一方を調整する請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
15. 前記調整機構は、前記物体の移動方向前方側に向かうにつれて前記物体の表面との間隔が漸次大きくなるように、前記第１面を調整する請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
16. 前記調整機構は、前記物体の表面状態も考慮して、前記第１面を調整する請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
    投影光学系と、
    前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記基板の表面との間で液体を保持可能な第１面を有するノズル部材と、
    前記露光光の光路空間に対して物体を移動する移動機構と、
    前記投影光学系と対向する前記物体の表面状態に応じて、前記第１面の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整機構とを備えた露光装置。
18. 前記物体の表面状態は、前記物体の表面の前記液体に対する接触角を含む請求項１６又は１７記載の露光装置。
19. 前記調整機構は、前記ノズル部材を駆動する駆動装置を含み、前記ノズル部材を駆動することによって、前記第１面を調整する請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
20. 前記第１面は、前記ノズル部材の、前記物体に最も近い平坦面を含む請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
21. 前記調整機構は、前記物体の表面と前記第１面との間に存在する液体が、前記第１面から離れないように、前記第１面を調整する請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
22. 前記第１面は、液体に対して親液性を有する請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
23. 前記ノズル部材は、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間に対して前記第１面の外側に設けられた第２面を有し、
    前記第２面は、前記物体の表面に対して前記第１面よりも離れた位置に設けられている請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
24. 前記第２面は、前記第１面を囲むように設けられている請求項２３記載の露光装置。
25. 前記第２面は、前記光路空間から外側に向かうにつれて前記物体の表面との間隔が漸次大きくなる斜面を含む請求項２３又は２４記載の露光装置。
26. 前記調整機構は、前記物体の表面と前記第２面との間に存在する液体が、前記第２面から離れないように、前記第２面を調整する請求項２３〜２５のいずれか一項記載の露光装置。
27. 前記第２面は、液体に対して親液性を有する請求項２３〜２６のいずれか一項記載の露光装置。
28. 前記ノズル部材は、液体を回収する回収口を有し、
    前記回収口は、前記光路空間を囲むように設けられている請求項１〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
29. 前記回収口は、前記物体の表面と対向するように設けられ、
    前記回収口には多孔部材が配置され、
    前記第１面は多孔部材の下面を含む請求項２８記載の露光装置。
30. 前記ノズル部材は、液体を回収する回収口を有し、
    前記回収口は、前記第１面を囲むように、前記第２面に設けられている請求項２３〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
31. 前記回収口には多孔部材が配置され、
    前記第２面は前記多孔部材の下面を含む請求項３０記載の露光装置。
32. 前記ノズル部材は、前記光路空間に液体を供給する供給口を有する請求項１〜３１のいずれか一項記載の露光装置。
33. 前記ノズル部材は、前記投影光学系の最終光学部材と前記物体との間に配置され、前記露光光が通過する開口を有する板部材を有し、
    前記第１面は、前記開口を囲むように前記板部材に設けられ、
    前記供給口は、前記最終光学部材と前記板部材との間に液体を供給することによって、前記最終光学部材と前記物体との間の前記露光光の光路空間を液体で満たす請求項３２記載の露光装置。
34. 前記物体は、前記基板を含む請求項１〜３３のいずれか一項記載の露光装置。
35. 前記物体は、前記基板を保持するホルダを有する基板ステージを含む請求項１〜３４のいずれか一項記載の露光装置。
36. 請求項１〜請求項３５のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
37. 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記投影光学系と対向するように配置された物体と前記投影光学系との間に前記液体が保持された状態で、前記露光光の光路空間に対して前記物体を移動することと、
    前記物体の移動速度を含む前記物体の移動状態に応じて、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間を囲むように設けられるノズル部材の第１面と、前記物体の表面との相対位置及び相対傾斜の少なくとも一方を調整することと、を含む液体保持方法。
38. 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記投影光学系と対向するように配置された物体と前記投影光学系との間に前記液体が保持された状態で、前記露光光の光路空間に対して前記物体を移動することと、
    前記物体の加速度を含む前記物体の移動状態に応じて、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間を囲むように設けられるノズル部材の第１面と、前記物体の表面との相対位置及び相対傾斜の少なくとも一方を調整することと、を含む液体保持方法。
39. 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記投影光学系と対向するように配置された物体と前記投影光学系との間に前記液体が保持された状態で、前記露光光の光路空間に対して前記物体を移動することと、
    前記物体の減速度を含む前記物体の移動状態に応じて、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間を囲むように設けられるノズル部材の第１面と、前記物体の表面との相対位置及び相対傾斜の少なくとも一方を調整することと、を含む液体保持方法。
40. 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記投影光学系と対向するように配置された物体と前記投影光学系との間に前記液体が保持された状態で、前記露光光の光路空間に対して前記物体を移動することと、
    前記物体の移動距離を含む前記物体の移動状態に応じて、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間を囲むように設けられるノズル部材の第１面と、前記物体の表面との相対位置及び相対傾斜の少なくとも一方を調整することと、を含む液体保持方法。
41. 前記物体が第１の移動状態で移動する場合に、前記物体の表面と前記第１面との相対距離が第１の距離に調整され、前記物体が第２の移動状態で移動する場合に、前記相対距離が第２の距離に調整される請求項３７〜４０のいずれか一項記載の液体保持方法。
42. 前記物体が第１の移動状態で移動する場合に、前記物体の表面と前記第１面との相対傾斜が第１の角度に調整され、前記物体が第２の移動状態で移動する場合に、前記相対傾斜が第２の角度に調整される請求項３７〜４０のいずれか一項記載の液体保持方法。
43. 前記物体の移動方向前方側に向かうにつれて前記物体の表面と前記第１面との間隔を漸次大きくする請求項３７〜４２のいずれか一項記載の液体保持方法。
44. 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記投影光学系と対向するように配置された物体と前記投影光学系との間に前記液体が保持された状態で、前記露光光の光路空間に対して前記物体を移動することと、
    前記物体の表面状態に応じて、前記物体の表面と対向するように、且つ前記光路空間を囲むように設けられるノズル部材の第１面と、前記物体の表面との相対位置及び相対傾斜の少なくとも一方を調整することと、を含む液体保持方法。
45. 前記物体の表面状態は、前記物体の表面の前記液体に対する接触角を含む請求項４４記載の液体保持方法。
46. 前記物体は、前記光路空間の液体を介して露光光が照射される基板を含む請求項３７〜４５のいずれか一項記載の液体保持方法。
47. 前記物体は、前記光路空間の液体を介して露光光が照射される基板を保持するホルダを有する基板ステージを含む請求項３７〜４６のいずれか一項記載の液体保持方法。

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