JPH06124874A - パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置Info
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- JPH06124874A JPH06124874A JP4040119A JP4011992A JPH06124874A JP H06124874 A JPH06124874 A JP H06124874A JP 4040119 A JP4040119 A JP 4040119A JP 4011992 A JP4011992 A JP 4011992A JP H06124874 A JPH06124874 A JP H06124874A
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- light
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- exposure light
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数回分割露光と同等のパターン形成領域に
おける光コントラストの平均化による濃度拡大効果が得
られるとともに、これを１回露光で達成できるようにし
て、多数回分割露光の難点であったスループットダウン
やアライメントズレの問題を解決したパターン形成方法
を提供し、またこのようなパターン形成用投影露光装置
を提供すること。 【構成】 被露光体に露光光を照射してパターン形成を
行うパターン形成方法において、照射する露光光のバン
ド幅を広帯域化して露光を行うことを特徴とするパター
ン形成方法、及び各露光光について対応した広帯域化を
行って露光する露光装置。
おける光コントラストの平均化による濃度拡大効果が得
られるとともに、これを１回露光で達成できるようにし
て、多数回分割露光の難点であったスループットダウン
やアライメントズレの問題を解決したパターン形成方法
を提供し、またこのようなパターン形成用投影露光装置
を提供すること。 【構成】 被露光体に露光光を照射してパターン形成を
行うパターン形成方法において、照射する露光光のバン
ド幅を広帯域化して露光を行うことを特徴とするパター
ン形成方法、及び各露光光について対応した広帯域化を
行って露光する露光装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法、及
びパターン形成用投影露光装置に関する。本発明は、例
えば、微細化・集積化した半導体装置等の電子材料の製
造の際のパターン形成のために利用することができる。
びパターン形成用投影露光装置に関する。本発明は、例
えば、微細化・集積化した半導体装置等の電子材料の製
造の際のパターン形成のために利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】露光光を照射してパターン形成を行う技
術は各種の分野で用いられており、代表的には、半導体
装置の製造の際のパターン形成に用いられている。例え
ばその配線構造や、微細な接続孔の形成や、絶縁領域形
成のためのフォトリソグラフィー技術として使用されて
いる。
術は各種の分野で用いられており、代表的には、半導体
装置の製造の際のパターン形成に用いられている。例え
ばその配線構造や、微細な接続孔の形成や、絶縁領域形
成のためのフォトリソグラフィー技術として使用されて
いる。
【０００３】一般に、パターン形成は、露光光を投影す
る露光装置（ステッパーと称されるもの等。縮小投影露
光する形式や、１対１投影露光する形式の装置等があ
る）を用いて行われる。
る露光装置（ステッパーと称されるもの等。縮小投影露
光する形式や、１対１投影露光する形式の装置等があ
る）を用いて行われる。
【０００４】近年、半導体デバイスパターンの微細化に
伴い、フォトリソグラフィー工程で使用される露光装置
（ステッパー）の高性能化が図られている。即ち、Ｌ−
Ｌ−の式 Ｒ＝Ｋ1 λ／ＮＡ， Ｄ．Ｏ．Ｆ＝Ｋ2 λ／ＮＡ2 （ただし、Ｒ：パターンサイズ、λ：波長、ＮＡ：投影
レンズ開口数、Ｄ．Ｏ．Ｆ：焦点深度、Ｋ1 ，Ｋ2 ：プ
ロセス係数）における高ＮＡ化、短波長化を図ることに
より、微細化を達成することを試みている。
伴い、フォトリソグラフィー工程で使用される露光装置
（ステッパー）の高性能化が図られている。即ち、Ｌ−
Ｌ−の式 Ｒ＝Ｋ1 λ／ＮＡ， Ｄ．Ｏ．Ｆ＝Ｋ2 λ／ＮＡ2 （ただし、Ｒ：パターンサイズ、λ：波長、ＮＡ：投影
レンズ開口数、Ｄ．Ｏ．Ｆ：焦点深度、Ｋ1 ，Ｋ2 ：プ
ロセス係数）における高ＮＡ化、短波長化を図ることに
より、微細化を達成することを試みている。
【０００５】上記高ＮＡ化、短波長化を達成することに
より、たしかにＲは小さくなる。しかし、同時に、Ｄ．
Ｏ．Ｆも小さくなってしまう。従って凹凸のある実デバ
イスパターンにおいては、焦点深度のマージンが少なく
なってきている。この傾向は、特にコンタクトホールの
形成において顕著である。
より、たしかにＲは小さくなる。しかし、同時に、Ｄ．
Ｏ．Ｆも小さくなってしまう。従って凹凸のある実デバ
イスパターンにおいては、焦点深度のマージンが少なく
なってきている。この傾向は、特にコンタクトホールの
形成において顕著である。
【０００６】このような背景から、コンタクトホールの
深度拡大技術として、近年、フレックス露光法が提案さ
れている（特開昭６３−６４０３７、同１８１３１８、
同４２１２２、同１７７１２４）。
深度拡大技術として、近年、フレックス露光法が提案さ
れている（特開昭６３−６４０３７、同１８１３１８、
同４２１２２、同１７７１２４）。
【０００７】フレックス露光法は、投影レンズ光軸方向
の異なる面で多数回の分割露光することを特徴とする技
術であり、例えば図８に示すように、レチクル（マス
ク）１を通った光を投影レンズ２を介して被露光体に照
射して露光するに際し、１回目露光を、例えば図８に示
す被露光体（ウェハー）面３の、フォーカス位置３０よ
りもレンズ２がわの符号３ａの露光位置で行い、次い
で、符号３ｂで示すフォーカス位置３０よりもレンズ２
から遠いがわで行うようにする。図中４は光軸を示す。
の異なる面で多数回の分割露光することを特徴とする技
術であり、例えば図８に示すように、レチクル（マス
ク）１を通った光を投影レンズ２を介して被露光体に照
射して露光するに際し、１回目露光を、例えば図８に示
す被露光体（ウェハー）面３の、フォーカス位置３０よ
りもレンズ２がわの符号３ａの露光位置で行い、次い
で、符号３ｂで示すフォーカス位置３０よりもレンズ２
から遠いがわで行うようにする。図中４は光軸を示す。
【０００８】その結果、図９に示すように、本来のベス
トフォーカス面（図８の符号３０の位置、図９のたて軸
の０で示す位置）における光コントラストは通常露光法
（図９の（ａ）による場合よりも低下するが、図９
（ｂ）に示すように、１回目露光の露光光Ｉと２回目露
光の露光光IIとの和（Ｉ＋II）でみると、ディフォーカ
ス領域の光コントラストが向上する。
トフォーカス面（図８の符号３０の位置、図９のたて軸
の０で示す位置）における光コントラストは通常露光法
（図９の（ａ）による場合よりも低下するが、図９
（ｂ）に示すように、１回目露光の露光光Ｉと２回目露
光の露光光IIとの和（Ｉ＋II）でみると、ディフォーカ
ス領域の光コントラストが向上する。
【０００９】即ち、フレックス露光法によれば、パター
ンが形成されるフォーカス領域内（図９でΔＦで示す範
囲）における光コントラストの平均化が図られる。
ンが形成されるフォーカス領域内（図９でΔＦで示す範
囲）における光コントラストの平均化が図られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする問題点】上記フレックス露光
法においては、分割露光を行うため、図１０に示すよう
に、露光装置（ステッパー）のＺステージ１１を、その
つど動かす必要がある。図１１に、フレックス露光法の
シーケンスを示すとおりである。（図１０中、３は被露
光体であるウェハーの面、４は光軸である）。
法においては、分割露光を行うため、図１０に示すよう
に、露光装置（ステッパー）のＺステージ１１を、その
つど動かす必要がある。図１１に、フレックス露光法の
シーケンスを示すとおりである。（図１０中、３は被露
光体であるウェハーの面、４は光軸である）。
【００１１】そのため、従来技術であるフレックス露光
法は、以下に示す問題点を有する。 １ショット当たりの露光処理時間が長びく。例えば約
３０％程度能率が低下すると言われている。 Ｚステージの機構誤差により、アライメントズレが生
じる。
法は、以下に示す問題点を有する。 １ショット当たりの露光処理時間が長びく。例えば約
３０％程度能率が低下すると言われている。 Ｚステージの機構誤差により、アライメントズレが生
じる。
【００１２】
【発明の目的】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、多数回分割露光と同等のパターン形成領域における
光コントラストの平均化による濃度拡大効果が得られる
とともに、これを１回露光で達成できるようにして、多
数回分割露光の難点であったスループットダウンやアラ
イメントズレの問題を解決したパターン形成方法を提供
しようとするものであり、また、このようなパターン形
成用投影露光装置を提供しようとするものである。
で、多数回分割露光と同等のパターン形成領域における
光コントラストの平均化による濃度拡大効果が得られる
とともに、これを１回露光で達成できるようにして、多
数回分割露光の難点であったスループットダウンやアラ
イメントズレの問題を解決したパターン形成方法を提供
しようとするものであり、また、このようなパターン形
成用投影露光装置を提供しようとするものである。
【００１３】
【問題点を解決するための手段及び作用】本出願の請求
項１の発明は、被露光体に露光光を照射してパターン形
成を行うパターン形成方法において、照射する露光光の
バンド幅を広帯域化して露光を行うことを特徴とするパ
ターン形成方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
項１の発明は、被露光体に露光光を照射してパターン形
成を行うパターン形成方法において、照射する露光光の
バンド幅を広帯域化して露光を行うことを特徴とするパ
ターン形成方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００１４】本出願の請求項２の発明は、被露光体に露
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ｇ線を露光光とするとともに、投影レ
ンズに与えるｇ線の分光スペクトルは、半値幅で、最大
１１〜１５ｎｍとすることを特徴とするパターン形成用
投影露光装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ｇ線を露光光とするとともに、投影レ
ンズに与えるｇ線の分光スペクトルは、半値幅で、最大
１１〜１５ｎｍとすることを特徴とするパターン形成用
投影露光装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１５】本出願の請求項３の発明は、被露光体に露
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ｉ線を露光光とするとともに、投影レ
ンズに与えるｉ線の分光スペクトルは、半値幅で、最大
６．５〜１０ｎｍとすることを特徴とするパターン形成
用投影露光装置であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ｉ線を露光光とするとともに、投影レ
ンズに与えるｉ線の分光スペクトルは、半値幅で、最大
６．５〜１０ｎｍとすることを特徴とするパターン形成
用投影露光装置であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００１６】本出願の請求項４の発明は、被露光体に露
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ＫｒＦエキシマレーザ光を露光光とす
るとともに、投影レンズに与えるＫｒＦエキシマレーザ
光の分光スペクトルは、半値幅で、最大３．３〜５ｐｍ
とすることを特徴とするパターン形成用投影露光装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
光光を照射してパターン形成を行うために用いる投影露
光装置において、ＫｒＦエキシマレーザ光を露光光とす
るとともに、投影レンズに与えるＫｒＦエキシマレーザ
光の分光スペクトルは、半値幅で、最大３．３〜５ｐｍ
とすることを特徴とするパターン形成用投影露光装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１７】本出願の発明においては、照射する露光光
のバンド幅を広帯域化して露光を行うが、その広域化
は、露光光がｇ線である場合、投影レンズに入射する分
光スペクトルを、半値幅で好ましくは最大１１〜１５ｎ
ｍとし、より好ましくは６〜１１ｎｍ、更に好ましくは
６〜１０ｎｍ程度とし、また露光光がｉ線である場合、
同じく分光スペクトルを半値幅で好ましくは最大６．５
〜１０ｎｍとし、より好ましくは４〜６．５ｎｍ、更に
好ましくは４〜６ｎｍ程度とし、また、露光光がＫｒＦ
エキシマレーザ光である場合、同じく分光スペクトルを
半値幅で好ましくは最大３．３〜５ｐｍとし、より好ま
しくは１．５〜５ｐｍ、更に好ましくは１．５〜３ｐｍ
程度とする。
のバンド幅を広帯域化して露光を行うが、その広域化
は、露光光がｇ線である場合、投影レンズに入射する分
光スペクトルを、半値幅で好ましくは最大１１〜１５ｎ
ｍとし、より好ましくは６〜１１ｎｍ、更に好ましくは
６〜１０ｎｍ程度とし、また露光光がｉ線である場合、
同じく分光スペクトルを半値幅で好ましくは最大６．５
〜１０ｎｍとし、より好ましくは４〜６．５ｎｍ、更に
好ましくは４〜６ｎｍ程度とし、また、露光光がＫｒＦ
エキシマレーザ光である場合、同じく分光スペクトルを
半値幅で好ましくは最大３．３〜５ｐｍとし、より好ま
しくは１．５〜５ｐｍ、更に好ましくは１．５〜３ｐｍ
程度とする。
【００１８】具体的な装置設計に当たっては、この程度
のバンド幅の入射光に対しては、光学系の収差（球面、
コマ、非点、像面、歪曲、色）をとり除くように設計す
る。
のバンド幅の入射光に対しては、光学系の収差（球面、
コマ、非点、像面、歪曲、色）をとり除くように設計す
る。
【００１９】本発明を具体化する際においては、上述し
た光学系各収差のうち、図１に示すように色収差（更に
詳しくは軸上色収差）を故意に発生させて、これにより
帯域幅を大きくし、例えばコンタクトホールのパターン
形成の際の深度拡大を図る。即ち、図１において、半値
幅のひろがりが、軸上色収差となる。
た光学系各収差のうち、図１に示すように色収差（更に
詳しくは軸上色収差）を故意に発生させて、これにより
帯域幅を大きくし、例えばコンタクトホールのパターン
形成の際の深度拡大を図る。即ち、図１において、半値
幅のひろがりが、軸上色収差となる。
【００２０】ここで軸上色収差に着目すると、 λ1 の波長の焦点距離 ｆ1 λ2 の波長の焦点距離 ｆ2 λ3 の波長の焦点距離 ｆ3 となる。
【００２１】ゆえに、λ1 ，λ2 ，λ3 を合算した光
（ただし、合成スペクトルが中心波長に対して対象であ
るとする）を投影レンズに入射させた場合、実質フレッ
クス露光法におけるＺステージを上下に振って露光する
のと等価になる。即ち、投影レンズに入射する光のバン
ド幅をコントロールすることにより、フレックス露光と
同等の効果を１回の露光のみで実現することが可能とな
る。
（ただし、合成スペクトルが中心波長に対して対象であ
るとする）を投影レンズに入射させた場合、実質フレッ
クス露光法におけるＺステージを上下に振って露光する
のと等価になる。即ち、投影レンズに入射する光のバン
ド幅をコントロールすることにより、フレックス露光と
同等の効果を１回の露光のみで実現することが可能とな
る。
【００２２】上述のように本発明においては、照射する
露光光のバンド幅を広帯域化して露光を行うので、図２
（ｂ）に示すように、符号III の部分において広帯域化
したフォーカス位置を示すが、これは図２（ａ）に示す
ようにコンタクトホール形成用の幅Ｚ（コンタクトホー
ルについては深さ方向）で露光光が集束し、コンタクト
ホールの開孔は良好に行われることになる。
露光光のバンド幅を広帯域化して露光を行うので、図２
（ｂ）に示すように、符号III の部分において広帯域化
したフォーカス位置を示すが、これは図２（ａ）に示す
ようにコンタクトホール形成用の幅Ｚ（コンタクトホー
ルについては深さ方向）で露光光が集束し、コンタクト
ホールの開孔は良好に行われることになる。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例について、詳述する。な
お当然のことであるが、本発明は以下の実施例により限
定されるものではない。
お当然のことであるが、本発明は以下の実施例により限
定されるものではない。
【００２４】実施例１ ここでは、ｇ、ｉ線ステッパーにおける実施例を以下示
す。
す。
【００２５】図３に、本例装置の構成を示す。図３にお
ける水銀ランプのｇ線（ｉ線）スペクトルを図４に示
す。また、図３におけるｇ線（ｉ線）フィルターの分光
透過率を図５に示す。
ける水銀ランプのｇ線（ｉ線）スペクトルを図４に示
す。また、図３におけるｇ線（ｉ線）フィルターの分光
透過率を図５に示す。
【００２６】投影レンズに入る光は、図４の水銀ランプ
の分光出力と（図５）のｇ（ｉ）線フィルターの分光透
過率との相互作用により、バンド幅が決まる。
の分光出力と（図５）のｇ（ｉ）線フィルターの分光透
過率との相互作用により、バンド幅が決まる。
【００２７】そこで、コンタクトホールの露光に対して
は、投影レンズに入射する光の中心波長（即ち、ランプ
の分光出力最大波長、フィルターの分光透過率最大波
長）をλ0 、半値幅をΔλ0 ，λ0 の光の焦点距離をＺ
0 、λ／ＮＡ2 （μｍ）程度焦点距離がＺ0 よりレンズ
に近づくような波長をλ1、λ／ＮＡ2 （μｍ）程度焦
点距離がＺ0 よりレンズから遠のくような波長をλ2 、
（ただし、｜λ1 −λ0 ｜＝｜λ2 −λ0 ｜とする）と
すると、投影レンズに入射する光のバンド幅が、Δλ0
＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜となるようなｇ
（ｉ）線フィルターを用いて露光すれば、フレックス露
光と同等の効果を１回の露光のみで実現することが可能
となる。
は、投影レンズに入射する光の中心波長（即ち、ランプ
の分光出力最大波長、フィルターの分光透過率最大波
長）をλ0 、半値幅をΔλ0 ，λ0 の光の焦点距離をＺ
0 、λ／ＮＡ2 （μｍ）程度焦点距離がＺ0 よりレンズ
に近づくような波長をλ1、λ／ＮＡ2 （μｍ）程度焦
点距離がＺ0 よりレンズから遠のくような波長をλ2 、
（ただし、｜λ1 −λ0 ｜＝｜λ2 −λ0 ｜とする）と
すると、投影レンズに入射する光のバンド幅が、Δλ0
＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜となるようなｇ
（ｉ）線フィルターを用いて露光すれば、フレックス露
光と同等の効果を１回の露光のみで実現することが可能
となる。
【００２８】通常の矩形パターン（例えばライン＆スペ
ース）の露光に対しては、現行の半値幅Δλ0 のフィル
ターを使用する。
ース）の露光に対しては、現行の半値幅Δλ0 のフィル
ターを使用する。
【００２９】即ち、図３におけるｇ，ｉ線フィルター３
５の配置部に、投影レンズに入射する光のバンド幅をΔ
λ0 及びΔλ0 ＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜とな
るようなフィルターを配置する。そして、フィルターの
切り換えのために、図６に示すフィルター回転切り換え
機構を付加する。その際の露光シーケンスを図７に示
す。
５の配置部に、投影レンズに入射する光のバンド幅をΔ
λ0 及びΔλ0 ＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜とな
るようなフィルターを配置する。そして、フィルターの
切り換えのために、図６に示すフィルター回転切り換え
機構を付加する。その際の露光シーケンスを図７に示
す。
【００３０】これらの露光シーケンスを用いることによ
り、従来のフレックス法に対し、通常の１回露光と同等
以上のスループットを達成することができる。即ち、Δ
λ0の場合は、スループットは通常露光法と同じであ
り、Δλ0 ＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜の場合
は、バンド幅が広いことにより投影レンズに入射する光
量の絶対値が大きくなるため、分割露光によるＺステー
ジの機構エラーがなくなる。そのため、アライメントズ
レを低減する。
り、従来のフレックス法に対し、通常の１回露光と同等
以上のスループットを達成することができる。即ち、Δ
λ0の場合は、スループットは通常露光法と同じであ
り、Δλ0 ＋｜λ1 −λ0 ｜＋｜λ2 −λ0 ｜の場合
は、バンド幅が広いことにより投影レンズに入射する光
量の絶対値が大きくなるため、分割露光によるＺステー
ジの機構エラーがなくなる。そのため、アライメントズ
レを低減する。
【００３１】本実施例によれば、コンタクトホールの深
度拡大のために、ｇ（ｉ）線において、ｇ（ｉ）線フィ
ルターを複数個配置することにより、ステッパー投影レ
ンズに入射する光のバンド幅を通常（Δλ0 ）よりも広
くし、これにより、投影レンズ内において故意に軸上色
収差を発生させ、フレックス露光（多数回分割露光）と
同等の効果を１回の露光で得ることができる。ただし、
光のバンド幅は、中心波長に対して対象な分布をもたせ
るものとする。
度拡大のために、ｇ（ｉ）線において、ｇ（ｉ）線フィ
ルターを複数個配置することにより、ステッパー投影レ
ンズに入射する光のバンド幅を通常（Δλ0 ）よりも広
くし、これにより、投影レンズ内において故意に軸上色
収差を発生させ、フレックス露光（多数回分割露光）と
同等の効果を１回の露光で得ることができる。ただし、
光のバンド幅は、中心波長に対して対象な分布をもたせ
るものとする。
【００３２】実施例２ 本実施例は、エキシマレーザーステッパー（エキシマレ
ーザー露光装置）に本発明を適用した場合である。本例
では、実施例１の水銀ランプに代えて、数ｐｍ程度に狭
帯域化したエキシマレーザーを光源とする。このような
エキシマレーザーステッパーにおいて、投影レンズに入
射する光のバンド幅をエキシマレーザー部において３ｐ
ｍ程度にコントロールしている。バンド幅のコントロー
ルは、レーザーの機種、タイプにより異なるが、一般的
にはグレーティング（回折格子）のスリットを調整する
ことで行うことができる。
ーザー露光装置）に本発明を適用した場合である。本例
では、実施例１の水銀ランプに代えて、数ｐｍ程度に狭
帯域化したエキシマレーザーを光源とする。このような
エキシマレーザーステッパーにおいて、投影レンズに入
射する光のバンド幅をエキシマレーザー部において３ｐ
ｍ程度にコントロールしている。バンド幅のコントロー
ルは、レーザーの機種、タイプにより異なるが、一般的
にはグレーティング（回折格子）のスリットを調整する
ことで行うことができる。
【００３３】よって本例では、図７に示したシーケンス
におけるフィルターの選択の変わりに、グレーティング
のスリットを選択すればよい。
におけるフィルターの選択の変わりに、グレーティング
のスリットを選択すればよい。
【００３４】このように本実施例では、コンタクトホー
ルの深度拡大のために、レーザー内回折格子のスリット
をコントロールすることにより、ステッパー投影レンズ
に入射する光のバンド幅を通常（Δλ0 ）よりも広くし
て、投影レンズ内において故意に軸上色収差を発生さ
せ、フレックス露光（多数回分割露光）と同等の効果を
１回の露光で得る。ただし、光のバンド幅は、中心波長
に対して対象な分布をもたせるものとする。
ルの深度拡大のために、レーザー内回折格子のスリット
をコントロールすることにより、ステッパー投影レンズ
に入射する光のバンド幅を通常（Δλ0 ）よりも広くし
て、投影レンズ内において故意に軸上色収差を発生さ
せ、フレックス露光（多数回分割露光）と同等の効果を
１回の露光で得る。ただし、光のバンド幅は、中心波長
に対して対象な分布をもたせるものとする。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、多数回分割露光と同等
のパターン形成領域における光コントラストの平均化に
よる深度拡大効果が得られるとともに、これを１回露光
で達成でき、多数回分割露光の難点であったスループッ
トダウンやアライメントズレの問題を解決できる。
のパターン形成領域における光コントラストの平均化に
よる深度拡大効果が得られるとともに、これを１回露光
で達成でき、多数回分割露光の難点であったスループッ
トダウンやアライメントズレの問題を解決できる。
【図１】本発明の作用を説明する図であって、光軸上の
色収差発生の説明図である。
色収差発生の説明図である。
【図２】本発明の作用説明図である。
【図３】パターン形成用投影露光装置の構成例を示す図
である。
である。
【図４】実施例１の露光光のスペクトルを示す図であ
る。
る。
【図５】実施例１のフィルターの分光透過率を示す図で
ある。
ある。
【図６】実施例１のフィルター切り換え機構を示す図で
ある。
ある。
【図７】実施例の露光シーケンスを示す図である。
【図８】従来技術（フレックス露光法）を示す図であ
る。
る。
【図９】フレックス露光法の作用説明図である。
【図１０】従来技術の問題点を示す図である。
【図１１】フレックス露光法シーケンスを示す図であ
る。
る。
２ 投影レンズ
Claims (4)
- 【請求項１】被露光体に露光光を照射してパターン形成
を行うパターン形成方法において、 照射する露光光のバンド幅を広帯域化して露光を行うこ
とを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】被露光体に露光光を照射してパターン形成
を行うために用いる投影露光装置において、 ｇ線を露光光とするとともに、投影レンズに与えるｇ線
の分光スペクトルは、半値幅で、最大１１〜１５ｎｍと
することを特徴とするパターン形成用投影露光装置。 - 【請求項３】被露光体に露光光を照射してパターン形成
を行うために用いる投影露光装置において、 ｉ線を露光光とするとともに、投影レンズに与えるｉ線
の分光スペクトルは、半値幅で、最大６．５〜１０ｎｍ
とすることを特徴とするパターン形成用投影露光装置。 - 【請求項４】被露光体に露光光を照射してパターン形成
を行うために用いる投影露光装置において、 ＫｒＦエキシマレーザ光を露光光とするとともに、投影
レンズに与えるＫｒＦエキシマレーザ光の分光スペクト
ルは、半値幅で、最大３．３〜５ｐｍとすることを特徴
とするパターン形成用投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040119A JPH06124874A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040119A JPH06124874A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124874A true JPH06124874A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=12571944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040119A Pending JPH06124874A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | パターン形成方法及びパターン形成用投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124874A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| WO2005031820A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
| JP2008199061A (ja) * | 2003-10-15 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4040119A patent/JPH06124874A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101238134B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법 |
| US8724076B2 (en) | 2003-09-26 | 2014-05-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, cleaning and maintenance methods of a projection exposure apparatus, and device manufacturing method |
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| US7961293B2 (en) | 2003-10-15 | 2011-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8711330B2 (en) | 2003-10-15 | 2014-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9285685B2 (en) | 2003-10-15 | 2016-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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