JP4750812B2 - リソグラフィック装置および位置合わせ装置 - Google Patents
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Description
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影ビームの光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記投影レンズ系の最終エレメントと前記基板の間に液体が存在する、しないに無関係に、前記投影ビームの全光路長が変化しないことを保証することができること
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影レンズ系の最終エレメントと前記投影レンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記投影レンズ系の焦点が変化しないよう、前記投影ビームの光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置が調整されること
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せビームの光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に無関係に、前記位置合せビームの全光路長が変化しないことを保証することができること
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記位置合せレンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記位置合せレンズ系の焦点が変化しないよう、前記位置合せビームの光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置が調整されること
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影ビームの光路内の、前記複数の交換可能光エレメントを保持するための複数のドッキング・ステーションと
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記投影ビームの光路内の、前記複数の交換可能光エレメントを保持するための複数のドッキング・ステーションと
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せシステムの最終エレメントと前記基板テーブルの間に液体が存在していることを検出するための検出器と、
−前記検出器による検出の結果に基づいて、どの光エレメントを前記位置合せビームの光路に配置するかを制御するためのコントローラと
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
−投影放射ビームを提供するための放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−上で説明した位置合せ装置と、
を備えたリソグラフィック投影装置が提供される。
−基板を提供するステップと、
−照明システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用するステップと、
−パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップと
を含むデバイス製造方法であって、
前記投影ビームの焦点を前記投影ビーム中の液体の有無に関係なく同じポイントに確実に集束させるべく、複数の光エレメントのうちの1つ又は複数を前記投影ビームの光路に挿入することによって前記投影ビームの焦点面を調整するステップを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
−投影放射ビームPB(たとえばUV放射)を提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化手段(たとえばマスク)MAを支持するための、アイテムPLに対してパターン化手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなる)に結像させるための投影システム(たとえば屈折型投影レンズ)PLと
を備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回の照射で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
15 光エレメントの内部の流体
16 流体交換手段
21 コントローラ
22 検出器
30 液体供給システム
50 投影システムPLの最終レンズ・エレメント
AB 位置合せビーム
AM 調整手段
AS 位置合せシステム
BD ビーム引渡しシステム
C 目標部分
CO コンデンサ
F1 基準マーク
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN 入口
IN インテグレータ
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化手段(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
OUT 出口
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影放射ビーム(投影ビーム)
PM 第1の位置決め手段
PL 投影システム(レンズ、投影レンズ)
PW 第2の位置決め手段
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (8)
- 基板テーブルと、
パターン化されたビームを投射するための投影レンズ系と、
前記投影ビームの光路で除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
を備えたリソグラフィック装置であって、
前記投影ビームの前記光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記投影レンズ系の最終エレメントと前記基板の間に液体が存在する、しないに無関係に、前記投影ビームの全光路長が変化しないことを保証することができ、
前記交換可能光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板の間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記投影ビームの前記光路に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
リソグラフィック装置。 - 基板テーブルと、
パターン化されたビームを投射するための投影レンズ系と、
前記投影ビームの光路で除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
を備えたリソグラフィック装置であって、
前記投影レンズ系の最終エレメントと前記投影レンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記投影レンズ系の前記焦点が変化しないよう、前記投影ビームの前記光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置が調整され、
前記交換可能光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板の間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記投影ビームの前記光路に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
リソグラフィック装置 - 基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
位置合せビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と、
前記位置合せビームの光路で除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
を備えた位置合せ装置であって、
前記位置合せビームの前記光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に無関係に、前記位置合せビームの全光路長が変化しないことを保証することができ、
前記光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記位置合せビーム中に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
ことを特徴とする位置合せ装置。 - 基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
位置合せビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と、
前記位置合せビームの光路で除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
を備えた位置合せ装置であって、
前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記位置合せレンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記位置合せレンズ系の前記焦点が変化しないよう、前記位置合せビームの前記光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置が調整され、
前記光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記位置合せビーム中に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
ことを特徴とする位置合せ装置。 - 前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムをさらに備えた、請求項3または4に記載の位置合わせ装置。
- パターン化されたビームを投射するための投影システムと、
請求項3から5までのいずれか一項に記載の位置合せ装置と、を備えたリソグラフィック装置。 - 前記位置合せビームが前記投影システムの少なくとも一部を横切る、請求項6に記載のリソグラフィック装置。
- 前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムをさらに備えた、請求項1または2に記載のリソグラフィック装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/743,266 US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2003-12-23 | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US10/743266 | 2003-12-23 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004371208A Division JP4248490B2 (ja) | 2003-12-23 | 2004-12-22 | リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010155780A Division JP2011009753A (ja) | 2003-12-23 | 2010-07-08 | 位置合わせ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008219017A JP2008219017A (ja) | 2008-09-18 |
JP4750812B2 true JP4750812B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=34678625
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004371208A Expired - Fee Related JP4248490B2 (ja) | 2003-12-23 | 2004-12-22 | リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法 |
JP2008053523A Expired - Fee Related JP4750812B2 (ja) | 2003-12-23 | 2008-03-04 | リソグラフィック装置および位置合わせ装置 |
JP2010155780A Ceased JP2011009753A (ja) | 2003-12-23 | 2010-07-08 | 位置合わせ装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004371208A Expired - Fee Related JP4248490B2 (ja) | 2003-12-23 | 2004-12-22 | リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010155780A Ceased JP2011009753A (ja) | 2003-12-23 | 2010-07-08 | 位置合わせ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7589818B2 (ja) |
JP (3) | JP4248490B2 (ja) |
Families Citing this family (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
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US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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2004
- 2004-12-22 JP JP2004371208A patent/JP4248490B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008053523A patent/JP4750812B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-07 US US12/537,536 patent/US20090296061A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-07-08 JP JP2010155780A patent/JP2011009753A/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20050132914A1 (en) | 2005-06-23 |
JP2008219017A (ja) | 2008-09-18 |
US7589818B2 (en) | 2009-09-15 |
JP2005184004A (ja) | 2005-07-07 |
US20090296061A1 (en) | 2009-12-03 |
JP2011009753A (ja) | 2011-01-13 |
JP4248490B2 (ja) | 2009-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20100408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110519 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |