JP4750812B2 - リソグラフィック装置および位置合わせ装置 - Google Patents

リソグラフィック装置および位置合わせ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4750812B2
JP4750812B2 JP2008053523A JP2008053523A JP4750812B2 JP 4750812 B2 JP4750812 B2 JP 4750812B2 JP 2008053523 A JP2008053523 A JP 2008053523A JP 2008053523 A JP2008053523 A JP 2008053523A JP 4750812 B2 JP4750812 B2 JP 4750812B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
projection
substrate
lens system
optical path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008053523A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008219017A (ja
Inventor
キャサリヌス ヒュベルテュス ムルケンス ヨハネス
アールト ファン デン ブリンク マリヌス
ロエロフ ロープシュトラ エリック
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2008219017A publication Critical patent/JP2008219017A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4750812B2 publication Critical patent/JP4750812B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/10Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
    • B41C1/1075Mechanical aspects of on-press plate preparation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/10Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
    • B41C1/1083Mechanical aspects of off-press plate preparation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、リソグラフィック装置および位置合わせ装置に関する。
リソグラフィック装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィック装置は、たとえば集積回路(IC)の製造に使用することができる。この場合、マスクなどのパターン化手段を使用して、ICの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料(レジスト)の層を有する基板(たとえばシリコン・ウェハ)上の目標部分(たとえば1つ又は複数のダイ部分からなる)に画像化される。通常、1枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィック装置には、パターン全体を1回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向(「走査」方向)に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。
投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するべく、比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に、リソグラフィック投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを画像化することができることである。(また、液体の効果は、システムの有効NAが大きくなり、且つ、焦点深度が長くなることにあると見なすことができる。)
しかしながら、基板又は基板と基板テーブルを液体槽に浸す(たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれているUS4,509,852号を参照されたい)ことは、走査露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味しており、そのためにはモータを追加するか、或いはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響がもたらされることになる。
提案されている解決法の1つは、液体供給システムの場合、液体拘束システムを使用して、基板の局部領域上のみ、及び投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである(基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広くなっている)。参照によりその全体が本明細書に組み込まれているWO99/49504号に、そのために提案されている方法の1つが開示されている。図2及び3に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも1つの入口INによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも1つの出口OUTによって除去される。つまり、基板を最終エレメントの下を−X方向に走査する際に、最終エレメントの+X側で液体が供給され、−X側で除去される。図2は、入口INを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口OUTによって除去される構造を略図で示したものである。図2に示す図解では、液体は、必ずしもそれには限定されないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。様々な配向及び数の入口及び出口を最終エレメントの周りに配置することが可能である。図3はその実施例の1つを示したもので、両側に出口を備えた4組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。
提案されているもう1つの解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。シール部材は、Z方向(光軸の方向)における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にXY平面内に静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成される。このシールは、ガス・シールなどの非接触シールであることが好ましい。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第03252955.4号に、このようなシステムが開示されている。
液浸液と空気の屈折率が異なるため、液浸液を備えたリソグラフィック投影装置と、液浸液を備えていないリソグラフィック投影装置とでは、投影ビームの光路長が異なっている。したがって、「ドライ」リソグラフィと液浸リソグラフィの両方のための異なる投影システムを設計しなければならない。レンズの設計には経費がかかるため、たとえば集積回路の製造コストが著しく増加する。
基板を位置合せする場合にも同様の問題が生じる。基板の位置合せは、基板上若しくは基板テーブル上の基準マークに向けて投射された位置合せビームが、該基準マークから位置合せマークに向かってその一部が反射することによって実施されるが、基板テーブルと位置合せビームを投射する位置合せ装置との間に液浸液が存在している場合、その光路長が変化するため、位置合せビームは正確に基準マークの表面に集束しない。また、液浸液が予め基板テーブル上及び後続する基板上に存在し、露光に先立って位置合せを実施する場合、位置合せマークの上若しくは基板テーブル上のセンサの上に流体が残留することがある。
本発明の目的は、液浸液の有無に関係なく使用することができるリソグラフィック投影装置及び位置合せ装置を提供することである。
本発明の一態様によれば、投影レンズ系の最終エレメントと投影レンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の投影レンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離が、投影レンズ系の前記最終エレメントと投影レンズ系の焦点との間に前記所定の液体が存在していない場合の投影レンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離と同じ距離を維持するよう、投影レンズ系の光路の補償光エレメントを他の異なる補償光エレメントに交換するステップ、若しくは投影レンズ系の光路の他の補償光エレメントを除去するステップを含む、リソグラフィック投影装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、投影レンズ系の最終エレメントと投影レンズ系の焦点との間に液体が存在していない場合の投影レンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離が、投影レンズ系の前記最終エレメントと投影レンズ系の焦点との間に前記所定の液体が存在している場合の投影レンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離と同じ距離を維持するよう、投影レンズ系の光路の補償光エレメントを他の異なる補償光エレメントに交換するステップ、若しくは投影レンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するステップを含む、リソグラフィック投影装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、位置合せレンズ系の最終エレメントと位置合せレンズ系の焦点との間に所定の量の所定の液体が存在している場合の位置合せレンズ系の非平行光エレメントからの焦点が、位置合せレンズ系の最終エレメントと位置合せレンズ系の焦点との間に前記所定の液体が存在していない場合の位置合せレンズ系の非平行光エレメントからの焦点と同じ焦点を維持するよう、位置合せレンズ系の光路の補償光エレメントを他の異なる補償光エレメントに交換するステップ、若しくは位置合せレンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するか或いは位置合せレンズ系の光路から他の補償光エレメントを除去するステップを含む、位置合せ装置の位置合せレンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、位置合せレンズ系の最終エレメントと位置合せレンズ系の焦点との間に液体が存在していない場合の位置合せレンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離が、位置合せレンズ系の最終エレメントと位置合せレンズ系の焦点との間に前記所定の液体が存在している場合の位置合せレンズ系の非平行光エレメントからの焦点距離と同じ焦点距離を維持するよう、位置合せレンズ系の光路の補償光エレメントを他の異なる補償光エレメントに交換するステップ、若しくは位置合せレンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するステップを含む、位置合せ装置の位置合せレンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、パターン化手段と前記投影ビームの焦点の間の全光路長が、前記投影レンズ系の最終エレメントと基板の間に所定の液体が存在している場合の全光路長に対して変化しないよう、前記投影レンズ系の光路の前記補償光エレメントの存在及び/又は位置を調整するべく、投影レンズ系の光路の補償光エレメントを他の補償光エレメントに交換するステップ、若しくは投影レンズ系の光路の他の補償光エレメントを除去するステップを含む、リソグラフィック投影装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、パターン化手段と前記投影ビームの焦点の間の全光路長が、前記投影レンズ系の最終エレメントと基板の間に液体が存在していない場合の全光路長に対して変化しないよう、前記投影レンズ系の光路の前記補償光エレメントの存在及び/又は位置を調整するべく、投影レンズ系の光路の補償光エレメントを他の補償光エレメントに交換するステップ、若しくは投影レンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するステップを含む、リソグラフィック投影装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、基準マークと前記位置合せビームの焦点の間の全光路長が、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと基板の間に所定の液体が存在している場合の全光路長に対して変化しないよう、前記位置合せレンズ系の光路の前記補償光エレメントの存在及び/又は位置を調整するべく、位置合せレンズ系の光路の補償光エレメントを他の補償光エレメントに交換するステップ、若しくは位置合せレンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するステップを含む、位置合せ装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、基準マークと前記位置合せビームの焦点の間の全光路長が、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと基板の間に液体が存在していない場合の全光路長に対して変化しないよう、前記位置合せレンズ系の光路の前記補償光エレメントの存在及び/又は位置を調整するべく、位置合せレンズ系の光路の補償光エレメントを他の補償光エレメントに交換するステップ、若しくは位置合せレンズ系の光路に他の補償光エレメントを追加するか或いは位置合せレンズ系の光路から他の補償光エレメントを除去するステップを含む、位置合せ装置の投影レンズ系を変換する方法が提供される。
補償光エレメントを使用して、液浸液の有無による光路長の変化が補償され、それにより装置は常に液浸液の有無に無関係に実質的に同じ空間位置に集束する。投影ビーム若しくは位置合せビーム中に配置される1つ又は複数の光エレメントは、放射源と基板若しくは基板テーブルの間の光路長が、投影ビーム若しくは位置合せビームの光路内の液体の量に無関係に一定の光路長を維持するように、つまり焦点の位置が変化しないように選択され、且つ、配置される。したがって液浸液の有無にかかわらず同じ投影ビーム若しくは位置合せシステムを装置に使用することができるため、レンズの設計及び開発コストが削減される。この装置は、液浸流体を使用した装置と液浸流体を使用しない装置の間で変換することができる。
投影ビーム若しくは位置合せビーム中の補償光エレメントの配置を変更するステップには、投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に異なる補償光エレメントを配置するステップが含まれている。投影ビーム若しくは位置合せビーム中の液体の量に応じて補償光エレメントを適切に選択することができる。別法としては、位置合せビームの光路に光エレメントを追加配置することも可能である。補償光エレメントは、投影システムの最終エレメント或いは投影位置合せシステムの最終エレメントとして便利に配置することができる。
異なる補償光エレメントは、投影ビーム若しくは位置合せビーム中の、ビームが伝搬する方向の様々な位置に配置することが好ましい。たとえば、光エレメントの各々は、投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に同時に配置された場合に、光エレメントが互いに衝突しないよう、投影ビーム若しくは位置合せビーム中に相互に排他的なステーションを有することができる。単一の光エレメントを他の光エレメントに交換する場合、液浸液と共に使用する光エレメントの方を他の光エレメントよりも基板の近くに配置しなければならない。光エレメントのいくつかを、たとえば基板テーブルにより近づけて配置し、他の光エレメントを放射源により近づけて配置することができる。個々の補償光エレメントの厚さは、30μmより厚いことが好ましく、詳細には50μmと500μmの間であることが好ましい。補償光エレメントと基板テーブルの間の間隔は3mm未満であることが好ましく、したがって補償光エレメントは像平面に近いため、視野全体に渡って球面収差が一定である。
補償光エレメントは、平面プレートであることが好ましい。投影ビーム若しくは位置合せビームの光路長を調整するために、異なる補償光エレメントには、異なる厚さ及び/又は異なる光学特性、詳細には異なる屈折率を持たせることができる。たとえば補償光エレメントを中空にし、屈折率が異なる流体を個々の補償光エレメントに充填することができる。これは、たとえば流体の塩化ナトリウム濃度を変化させることによって、或いは補償光エレメント内の流体の混合物の比率を変化させることによって達成することができる。
上で説明した方法は、ユーザが実行することができる。ユーザは、オペレータであり、或いは装置の所有者、装置を変換するために特に採用された外部業者若しくはこのような装置を変換するために必要な他の任意の個人である。この方法は、全くの非自動方法である。
本発明の他の態様によれば、
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影ビームの光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記投影レンズ系の最終エレメントと前記基板の間に液体が存在する、しないに無関係に、前記投影ビームの全光路長が変化しないことを保証することができること
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影レンズ系の最終エレメントと前記投影レンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記投影レンズ系の焦点が変化しないよう、前記投影ビームの光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置が調整されること
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せビームの光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に無関係に、前記位置合せビームの全光路長が変化しないことを保証することができること
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記位置合せレンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記位置合せレンズ系の焦点が変化しないよう、前記位置合せビームの光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置が調整されること
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
また、前記投影レンズ系或いは位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板の間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に配置するかを制御するためのコントローラが存在していることが好ましい。このコントローラは、コンピュータ・システム若しくはコンピュータ・システムにロードされたプログラムの形態を取ることができる。また、投影システム若しくは位置合せシステムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムを設けることも可能である。
本発明の他の態様によれば、
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影レンズ系と
を備えたリソグラフィック装置であって、
−前記投影ビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
−前記投影ビームの光路内の、前記複数の交換可能光エレメントを保持するための複数のドッキング・ステーションと
を特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記投影ビームの光路内の、前記複数の交換可能光エレメントを保持するための複数のドッキング・ステーションと
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
ドッキング・ステーションの各々は、前記投影レンズ系若しくは前記位置合せレンズ系の最終非平行プレート・エレメントからの距離を予め決定することができる。ドッキング・ステーションのうちの少なくとも1つは、投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に液体が存在していない場合の前記投影ビーム若しくは位置合せビームの焦点が、基板若しくは基板テーブル上に位置するように配置することができる。また、ドッキング・ステーションのうちの少なくとも1つは、投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に所定の液体が存在している場合の前記投影ビーム若しくは位置合せビームの焦点が、基板若しくは基板テーブル上に位置するように配置することができる。
本発明の他の態様によれば、
−基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
−位置合せ放射ビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と
を備えた位置合せ装置であって、
−位置合せビームの光路に除去可能に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
−前記位置合せシステムの最終エレメントと前記基板テーブルの間に液体が存在していることを検出するための検出器と、
−前記検出器による検出の結果に基づいて、どの光エレメントを前記位置合せビームの光路に配置するかを制御するためのコントローラと
を特徴とする位置合せ装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
−投影放射ビームを提供するための放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−上で説明した位置合せ装置と、
を備えたリソグラフィック投影装置が提供される。
位置合せビームは、投影システムの少なくとも一部を横切ることができる。
本発明の他の態様によれば、
−基板を提供するステップと、
−照明システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用するステップと、
−パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップと
を含むデバイス製造方法であって、
前記投影ビームの焦点を前記投影ビーム中の液体の有無に関係なく同じポイントに確実に集束させるべく、複数の光エレメントのうちの1つ又は複数を前記投影ビームの光路に挿入することによって前記投影ビームの焦点面を調整するステップを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本明細書においては、とりわけICの製造におけるリソグラフィック装置の使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィック装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは、当分野の技術者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール)或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ICを生成するべく複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外(UV)放射(たとえば、波長が365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの放射)、詳細には光放射を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
本明細書に使用されている「パターン化手段」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応している必要はないことに留意されたい。投影ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
パターン化手段は、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化手段の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能LCDパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。パターン化手段のいずれの実施例においても、支持構造は、たとえば、必要に応じて固定若しくは移動可能にすることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン化手段を確実に所望の位置に配置することができるフレーム若しくはテーブルである。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化手段」という用語の同義語と見なすことができる。
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
リソグラフィック装置は、場合によっては2つ(二重ステージ)以上の基板テーブル(及び/又は複数のマスク・テーブル)を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは1つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、1つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィック装置を略図で示したものである。この装置は、
−投影放射ビームPB(たとえばUV放射)を提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化手段(たとえばマスク)MAを支持するための、アイテムPLに対してパターン化手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなる)に結像させるための投影システム(たとえば屈折型投影レンズ)PLと
を備えている。
図に示すように、このリソグラフィック装置は、透過型(たとえば透過型マスクを使用した)タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィック装置は、反射型(たとえば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した)タイプの装置であっても良い。
イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィック装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィック装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び/又はビーム拡大器を備えたビーム引渡しシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィック装置の一構成要素である。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビーム引渡しシステムBDと共に放射システムと呼ぶことができる。
イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整手段AMを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び/又は内部ラジアル・エクステント(一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている)は調整が可能である。また、イルミネータILは、通常、インテグレータIN及びコンデンサCOなど、他の様々なコンポーネントを備えている。イルミネータは、投影ビームPBと呼ばれる、所望する一様な強度分布をその断面に有する調整済み放射ビームを提供している。
マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMAに投影ビームPBが入射する。マスクMAを透過した投影ビームPBは、ビームを基板Wの目標部分Cに集束させるレンズPLを通過する。基板テーブルWTは、第2の位置決め手段PW及び位置センサIF(たとえば干渉デバイス)を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Cを投影ビームPBの光路に位置決めすることができる。同様に、第1の位置決め手段PM及びもう1つの位置センサ(図1には明確に示されていない)を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクMAを投影ビームPBの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、対物テーブルMT及びWTの移動は、位置決め手段PM及びPWの一部を形成している長ストローク・モジュール(粗位置決め)及び短ストローク・モジュール(精密位置決め)を使用して実現されているが、ステッパ(スキャナではなく)の場合、マスク・テーブルMTは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM、M及び基板位置合せマークP、Pを使用して位置合せすることができる。
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回の照射で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
上で説明した使用モードの組合せ及び/又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
図4に示すように、検出器22は、基板W上に存在する液浸液の有無を検出している。この実施例では、検出器22は、強度の小さい電磁波の反射によって基板W上の液体の存在を検出しているが、液体の存在は、たとえばソナー・パルス或いは電流を使用して検出することも可能であり、或いは液体を物理的に検出することもできる。検出器22は、図4に示すように、基板の目標部分Cに液体が存在していることを検出することが好ましい。コントローラ21は、検出器22による測定に基づいて、1つ又は複数の光エレメント9、10、11及び12の中から必要な光エレメントを決定している。コントローラ21は、光エレメント9、10、11及び12の中から、基板の上部表面への投影ビームPBの正確な集束を保証するために必要な光エレメントを決定することができる。必要な光エレメント10が決定されると、光エレメント10が投影ビームの光路の投影システムPLの最終レンズ・エレメント50の直ぐ後段へ移動する。したがって投影ビームPBは基板の上部表面に一次まで集束し、投影システムの最終非平行エレメントと投影ビームの焦点の間の距離d1が一定に維持される。図4に示すように、光エレメント10は平面平行プレートであり、投影ビームPBが伝搬する方向に対して直角に配置されている。
図5では、同じリソグラフィック装置が液体供給システム30と共に使用されている。液体供給システム30は、屈折率が周囲のガス環境の屈折率より大きい液体を投影ビームの光路に供給しており、屈折率の差によって光路長が変化する。検出器22が投影システムと基板の間の流体を検出し、コントローラは、投影ビームPBを基板W上に集束させるためには別の光エレメント9が位置合せビームの光路に必要であることを決定する。したがって、投影ビームPBの光路に屈折率のより大きい流体が存在しているにもかかわらず、放射源と基板の表面の間の光路長及びdは一定である。光エレメント9は、投影ビームPB中の、元の光エレメント11の位置とは異なる位置(もっと下の方)に配置されている。
投影ビームPBの光路の長さは、光エレメントの厚さdを調整することによって変更することができる。屈折率がnの材料を使用して、量dによって光路を調整するためには(流体の有無を補償するためには)、平面プレートの厚さは、d=c.dで与えられる厚さdでなければならない。ここで、
Figure 0004750812
は、平面プレート光エレメントの屈折率である。
図6では、検出器22は、投影システムと基板の間に流体が存在していないことを検出し、投影システムに光エレメント11が追加されている。光エレメント9及び11は、投影ビームを基板の表面に集束させるだけの十分な組合せ厚さ及び屈折率を有している。光エレメント11は、投影ビーム中に、光エレメント9の上側若しくは下側のいずれかに配置することができる。この実施例では、光エレメント9、10、11及び12の各々は、投影ビーム中に割り当てられた(相互に排他的な)位置を有しているため、光エレメント9、10、11及び12の任意の組合せを、他の光エレメントと衝突することなく投影ビーム中に配置することができる。
別法としては、光エレメント10及び11の厚さdが固定され、屈折率が変更される。これは、たとえばガラス製の平面プレートをたとえばパースペックス(商標)の平面プレートに交換することによって達成することができる。また、別法として、光エレメントを中空平面プレートにし、屈折率が既知の流体を充填することも可能である。この場合、光エレメント10の屈折率は、流体の組成を変化させることによって変更される。図7に示すように、光エレメント14の内部の流体15は交換可能であり、その組成は、流体交換手段16によって調整されている。流体の組成は、たとえば流体の塩化ナトリウム濃度を変化させることによって調整することができ、或いは混合物中の2種類の流体の比率を変化させることによって調整することができる。また、光エレメント14の流体15を交換し、補給することによって光エレメント14が冷たい状態に維持されるため、コンポーネントの熱膨張及び収縮によるエラー及び損傷が低減される。
図8は位置合せ装置を示したもので、位置合せシステムASを介して位置合せビームABが基板マークPに向かって投射されている。位置合せビームABは、基板マークPで一部が反射する。この位置合せビームは、位置合せマークM上に結像する。知られている方法を使用して基板マークPと位置合せマークMの位置合せが検出され、基板Wの位置合せが決定される。図10に示すように、検出器22が基板上の液体の量を検出し、検出された液体の量に応じてコントローラ21が光エレメント10を選択している。
また、位置合せは、図9に示すいわゆるスルー・ザ・レンズ・システムを使用して実施することも可能である。このようなシステムの場合、位置合せビームABは、投影レンズPLを介して基板マークPに向けて投射され、マスクMA上のマークMに向かって反射する。この場合も、基板マークP上への位置合せビームの正確な集束を保証するべく、検出器22が投影システムの最終エレメントと基板の間の液体の量を検出し、コントローラ21が位置合せビーム中に配置すべき適切な光エレメントを選択している。
図10では、投影システムを使用して位置合せビームABが基板テーブルWT上の基準マークFに向けて投射されている。この基準マークFは、部分反射型位相格子である。部分的に反射する位置合せビームABの鮮明度は、液体の厚さの非一様性によって低下するが、依然として位置合せを可能にするだけの十分な鮮明性を有している。検出器22が基板W上に微小量の液体が存在していることを検出すると、コントローラ21によって薄い光エレメント11が選択され、位置合せビームABの光路に配置される。検出器がさらに微小な量の液体を検出した場合、より分厚い光エレメント10が選択され、また、検出器がもう少し多量の液体を検出した場合、さらに薄い光エレメント9が選択されることになる。
上で説明した実施例では、球面収差が視野全体に渡って確実に一定になるよう、光エレメントは、位置合せビーム中の、投影システムPL若しくは位置合せシステムASの直ぐ後段に配置されているが、図11に示すように、システム内の異なる位置に光エレメントを配置することも可能である。光エレメント10は、投影システムPLを介した投射に先立って、位置合せビームAB中に配置されているが、依然として位置合せビームABが正確に基板マークP上に集束することを保証している。投影ビーム若しくは位置合せビームの光路に異なる光エレメントを挿入する場合、投影ビームPB若しくは位置合せビームABを基板の表面或いは基板マーク上に二次若しくはより高次まで集束させるべく、投影システムPL若しくは位置合せシステムAS内の光エレメントの位置を調整することができる。
投影ビームPB若しくは位置合せビームABの光路に光エレメントを配置する必要性の有無、及び配置すべき光エレメントを決定している検出器22及びコントローラ21に代わって、技術者が液浸形式の装置から「ドライ」装置への装置変更を決定することができる。光エレメント10、11及び12は、投影システムPL若しくは位置合せシステムASの底部に、適切な間隔を隔ててネジ止めすることができ、或いは恒久的に取り付けることができる。技術者が「ドライ」装置から液浸装置への装置変更を決定した場合、光エレメント10、11及び12が除去され、液体供給システム30によって投影システムPL若しくは位置合せシステムASと基板Wの間の空間に流体が供給される。また、技術者は、投影システムのいくつかの他の光エレメントの位置及び場合によっては形状を調整することができ、それにより、より高次の光効果を考慮することができる。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明を制限することを意図したものではない。
本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を示す図である。 液体供給システムを示す図である。 図2に示す液体供給システムの代替図である。 本発明の一実施例による、光エレメントが投影ビーム中に配置されたリソグラフィック投影装置を示す図である。 異なる光エレメントが投影ビーム中に配置された、図4に示すリソグラフィック投影装置を示す図である。 投影ビーム中に光エレメントの組合せを備えたリソグラフィック投影装置を示す図である。 リソグラフィック投影装置の光エレメントに流体が充填された構造を示す線図である。 本発明による位置合せ装置を示す図である。 本発明の一実施例による代替位置合せ装置を示す図である。 本発明の一実施例による、位置合せモードにある投影システムを示す図である。 本発明による位置合せ装置の光エレメントの代替構造を示す図である。
符号の説明
9、10、11、12、14 光エレメント
15 光エレメントの内部の流体
16 流体交換手段
21 コントローラ
22 検出器
30 液体供給システム
50 投影システムPLの最終レンズ・エレメント
AB 位置合せビーム
AM 調整手段
AS 位置合せシステム
BD ビーム引渡しシステム
C 目標部分
CO コンデンサ
基準マーク
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN 入口
IN インテグレータ
、M マスク位置合せマーク
MA パターン化手段(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
OUT 出口
、P 基板位置合せマーク
PB 投影放射ビーム(投影ビーム)
PM 第1の位置決め手段
PL 投影システム(レンズ、投影レンズ)
PW 第2の位置決め手段
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル

Claims (8)

  1. 板テーブルと、
    パターン化されたビームを投射するための投影レンズ系と、
    前記投影ビームの光路除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
    を備えたリソグラフィック装置であって、
    前記投影ビームの前記光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記投影レンズ系の最終エレメントと前記基板の間に液体が存在する、しないに無関係に、前記投影ビームの全光路長が変化しないことを保証することができ、
    前記交換可能光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
    前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板の間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記投影ビームの前記光路に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
    リソグラフィック装置。
  2. 板テーブルと、
    パターン化されたビームを投射するための投影レンズ系と、
    前記投影ビームの光路除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、前記投影ビームの焦点面を調整するための複数の交換可能光エレメントと、
    を備えたリソグラフィック装置であって、
    前記投影レンズ系の最終エレメントと前記投影レンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記投影レンズ系の前記焦点が変化しないよう、前記投影ビームの前記光路の前記交換可能光エレメントの存在及び/又は位置が調整され、
    前記交換可能光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
    前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板の間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記投影ビームの前記光路に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
    リソグラフィック装置
  3. 基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
    位置合せビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と、
    前記位置合せビームの光路除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
    を備えた位置合せ装置であって、
    前記位置合せビームの前記光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置を調整することができ、それにより、前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に無関係に、前記位置合せビームの全光路長が変化しないことを保証することができ、
    前記光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
    前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記位置合せビーム中に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
    ことを特徴とする位置合せ装置。
  4. 基板マークを有する基板を保持するための基板テーブルと、
    位置合せビームを使用して基準マークと前記基板マークの間の位置合せを検出するための位置合せレンズ系と、
    前記位置合せビームの光路除去可能に互いに異なる位置に位置決めすることができる、位置合せを検出する際に位置合せシステムの焦点面を調整するための複数の光エレメントと、
    を備えた位置合せ装置であって、
    前記位置合せレンズ系の最終エレメントと前記位置合せレンズ系の焦点との間に所定の液体が存在している場合の前記位置合せレンズ系の前記焦点が変化しないよう、前記位置合せビームの前記光路の前記光エレメントの存在及び/又は位置が調整され、
    前記光エレメントのうちの複数が中空であり、互いに屈折率が異なる流体が充填され、
    前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の液体の量に応じて、前記光エレメントのうちのいずれの光エレメントを前記位置合せビーム中に配置するかを制御するためのコントローラをさらに備えた、
    ことを特徴とする位置合せ装置。
  5. 前記位置合せレンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムをさらに備えた、請求項3または4に記載の位置合わせ装置。
  6. ターン化されたビームを射するための投影システムと、
    請求項3から5までのいずれか一項に記載の位置合せ装置と、を備えたリソグラフィック装置。
  7. 前記位置合せビームが前記投影システムの少なくとも一部を横切る、請求項6に記載のリソグラフィック装置。
  8. 前記投影レンズ系の前記最終エレメントと前記基板テーブルの間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムをさらに備えた、請求項1または2に記載のリソグラフィック装置。
JP2008053523A 2003-12-23 2008-03-04 リソグラフィック装置および位置合わせ装置 Expired - Fee Related JP4750812B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/743,266 US7589818B2 (en) 2003-12-23 2003-12-23 Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US10/743266 2003-12-23

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004371208A Division JP4248490B2 (ja) 2003-12-23 2004-12-22 リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010155780A Division JP2011009753A (ja) 2003-12-23 2010-07-08 位置合わせ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008219017A JP2008219017A (ja) 2008-09-18
JP4750812B2 true JP4750812B2 (ja) 2011-08-17

Family

ID=34678625

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004371208A Expired - Fee Related JP4248490B2 (ja) 2003-12-23 2004-12-22 リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法
JP2008053523A Expired - Fee Related JP4750812B2 (ja) 2003-12-23 2008-03-04 リソグラフィック装置および位置合わせ装置
JP2010155780A Ceased JP2011009753A (ja) 2003-12-23 2010-07-08 位置合わせ装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004371208A Expired - Fee Related JP4248490B2 (ja) 2003-12-23 2004-12-22 リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010155780A Ceased JP2011009753A (ja) 2003-12-23 2010-07-08 位置合わせ装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7589818B2 (ja)
JP (3) JP4248490B2 (ja)

Families Citing this family (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101181688B1 (ko) * 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE602004020200D1 (de) * 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4488004B2 (ja) * 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
CN104597717B (zh) * 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
KR101129213B1 (ko) * 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
KR20170064003A (ko) * 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101508810B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) * 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI503865B (zh) * 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR20060009956A (ko) * 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP2216685B1 (en) 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005006416A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005010960A1 (ja) * 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264535B1 (en) * 2003-07-28 2013-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101171809B1 (ko) * 2003-08-26 2012-08-13 가부시키가이샤 니콘 광학소자 및 노광장치
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
EP1670039B1 (en) * 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20170058458A (ko) 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101319109B1 (ko) 2003-10-08 2013-10-17 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI530762B (zh) 2003-12-03 2016-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
KR101119813B1 (ko) * 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
DE602005019689D1 (de) * 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1716454A1 (en) * 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101504445B1 (ko) 2004-03-25 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
CN105467775B (zh) 2004-06-09 2018-04-10 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) * 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2006006562A1 (ja) * 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
JP2008516420A (ja) * 2004-10-05 2008-05-15 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006114839A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
US7158896B1 (en) * 2004-11-01 2007-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Real time immersion medium control using scatterometry
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7161654B2 (en) * 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200625026A (en) * 2004-12-06 2006-07-16 Nikon Corp Substrate processing method, method of exposure, exposure device and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2006084641A2 (en) * 2005-02-10 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
EP1865539A4 (en) * 2005-03-30 2011-09-07 Nikon Corp METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITIONS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE PRODUCTION APPARATUS
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2527921A3 (en) 2005-04-28 2017-10-18 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021161A1 (de) * 2005-05-25 2006-11-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv insbesondere für die Mirkolithographie
US20070013882A1 (en) * 2005-06-07 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing projection objectives and set of projection objectives manufactured by that method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446855B2 (en) * 2005-07-25 2008-11-04 Micron Technology, Inc Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP4826755B2 (ja) * 2006-03-28 2011-11-30 株式会社ニコン 露光装置、露光装置の調整方法、およびデバイスの製造方法
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) * 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2011090690A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US11502724B2 (en) * 2019-12-03 2022-11-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transitioning between electromagnetic wave modes

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (ja)
DE224448C (ja)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58179834A (ja) * 1982-04-14 1983-10-21 Canon Inc 投影露光装置及び方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS60223122A (ja) 1984-04-19 1985-11-07 Canon Inc 投影露光装置
JPS60223112A (ja) 1984-04-20 1985-11-07 Agency Of Ind Science & Technol 半導体熱処理装置
JPS6232613A (ja) 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
DE3782505T2 (de) * 1986-01-14 1993-03-25 Kobe Steel Ltd Verfahren und vorrichtung zur messung der ofentemperatur in einer isostatischen heisspresseneinheit.
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5083324A (en) * 1991-02-28 1992-01-28 Strong Eric A Portable collapsible toilet seat
US5088324A (en) * 1991-03-08 1992-02-18 Imo Industries, Inc. Combined liquid-level and conductivity sensor
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH05275306A (ja) 1991-03-29 1993-10-22 Hoya Corp 露光方法及び露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
US6304317B1 (en) * 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH0817719A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JP2994968B2 (ja) * 1994-10-06 1999-12-27 ウシオ電機株式会社 マスクとワークの位置合わせ方法および装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
JPH11201717A (ja) 1998-01-09 1999-07-30 Canon Inc 物体認識装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP1293832A1 (en) * 1998-06-08 2003-03-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6791661B2 (en) * 1999-12-09 2004-09-14 Nikon Corporation Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP2002031758A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡
JP2002040330A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd 光学素子切換え制御装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
DE10103256A1 (de) * 2001-01-25 2002-08-08 Leica Microsystems Sicherheitsvorrichtung für Mikroskope mit einem Laserstrahl als Beleuchtungsquelle
EP1231513A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20110086130A (ko) 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20050132914A1 (en) 2005-06-23
JP2008219017A (ja) 2008-09-18
US7589818B2 (en) 2009-09-15
JP2005184004A (ja) 2005-07-07
US20090296061A1 (en) 2009-12-03
JP2011009753A (ja) 2011-01-13
JP4248490B2 (ja) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4750812B2 (ja) リソグラフィック装置および位置合わせ装置
JP6630419B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4689693B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP1519231B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100699567B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2004165666A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005294839A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス
JP2006140499A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4383408B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法
KR100616601B1 (ko) 디바이스 제조방법
JP2006140494A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5155277B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4459176B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4335777B2 (ja) デバイス製造方法
US20110244647A1 (en) Mark Structure for Coarse Wafer Alignment and Method for Manufacturing Such a Mark Structure

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090323

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20100408

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100708

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110519

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees