JPH06252021A - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
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- JPH06252021A JPH06252021A JP5036914A JP3691493A JPH06252021A JP H06252021 A JPH06252021 A JP H06252021A JP 5036914 A JP5036914 A JP 5036914A JP 3691493 A JP3691493 A JP 3691493A JP H06252021 A JPH06252021 A JP H06252021A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Abstract
(57)【要約】
【目的】投影露光において孤立パターンと規則的に配置
された配列パターンの焦点深度を同時に向上させる。 【構成】照明光の形状を中心部が暗くなるように変型
し、同時にウエファを光軸方向に移動させ複数回露光す
る。
された配列パターンの焦点深度を同時に向上させる。 【構成】照明光の形状を中心部が暗くなるように変型
し、同時にウエファを光軸方向に移動させ複数回露光す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の製
造工程で回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関する。
造工程で回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路などの微細パターン加工
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数と露光波長に依存する。解像度を向上するため
に開口数を大きくしたり、露光波長を短くするとそれに
ともなって焦点深度は浅くなってしまう。
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数と露光波長に依存する。解像度を向上するため
に開口数を大きくしたり、露光波長を短くするとそれに
ともなって焦点深度は浅くなってしまう。
【０００３】解像度を一定に保ったまま焦点深度を深め
る露光方法として特開昭６３−４２１２２号には光軸上
の複数の位置で露光する多重露光方法（ＦＬＥＸ法）が
述べられている。また、焦点深度を深める他の方法とし
て特開平４−１８０６１２には照明光学系の光路中に光
束変換部材を入れ光束を分割する変形照明法が述べられ
ている。
る露光方法として特開昭６３−４２１２２号には光軸上
の複数の位置で露光する多重露光方法（ＦＬＥＸ法）が
述べられている。また、焦点深度を深める他の方法とし
て特開平４−１８０６１２には照明光学系の光路中に光
束変換部材を入れ光束を分割する変形照明法が述べられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＦＬＥＸ法では、マス
クパターンのうち隣接開口部間距離が離れている孤立パ
ターンの焦点深度を拡大するが、隣接開口部間の距離が
短くなると光学像のコントラストが下がり解像不能にな
る。このためＦＬＥＸ法は孤立パターンに対してのみ有
効であり、その用途はコンタクトホール露光工程に限ら
れてきた。従来コンタクトホールを含むマスク中の隣接
ホール間距離はホール径の２倍以上離れていたため、コ
ンタクトホールはほぼ孤立パターンと見なすことができ
た。ところが近年半導体集積回路の集積度を向上させる
ため、図２に示すように、同一マスク４内に孤立ホール
のパターン１３と、ホール間距離がホール径の２倍以下
に近接した配列パターン１４との両者を含むマスクパタ
ーンを用いる必要が生じてきた。この場合にＦＬＥＸ法
を用いて孤立パターンの焦点深度を拡大しようとすると
配列パターンが解像不能になるという問題が生じる。
クパターンのうち隣接開口部間距離が離れている孤立パ
ターンの焦点深度を拡大するが、隣接開口部間の距離が
短くなると光学像のコントラストが下がり解像不能にな
る。このためＦＬＥＸ法は孤立パターンに対してのみ有
効であり、その用途はコンタクトホール露光工程に限ら
れてきた。従来コンタクトホールを含むマスク中の隣接
ホール間距離はホール径の２倍以上離れていたため、コ
ンタクトホールはほぼ孤立パターンと見なすことができ
た。ところが近年半導体集積回路の集積度を向上させる
ため、図２に示すように、同一マスク４内に孤立ホール
のパターン１３と、ホール間距離がホール径の２倍以下
に近接した配列パターン１４との両者を含むマスクパタ
ーンを用いる必要が生じてきた。この場合にＦＬＥＸ法
を用いて孤立パターンの焦点深度を拡大しようとすると
配列パターンが解像不能になるという問題が生じる。
【０００５】これに対し変形照明法を用いると配列パタ
ーン１４の焦点深度は拡大するが孤立パターン１３の焦
点深度は拡大しない。このため変形照明法を用いても図
２に示されるようなマスクでは全パターンの焦点深度を
拡大することができない。図３は孤立ラインパターン１
５及びライン配列パターン１６が混在したマスクを示す
平面図であるが、図３のマスクについても上記従来法に
おける解決すべき課題は図２のマスクにおけると同様に
残っている。
ーン１４の焦点深度は拡大するが孤立パターン１３の焦
点深度は拡大しない。このため変形照明法を用いても図
２に示されるようなマスクでは全パターンの焦点深度を
拡大することができない。図３は孤立ラインパターン１
５及びライン配列パターン１６が混在したマスクを示す
平面図であるが、図３のマスクについても上記従来法に
おける解決すべき課題は図２のマスクにおけると同様に
残っている。
【０００６】そこで、本発明の目的は、孤立パターンと
配列パターンの両者が混在したマスク内の全パターンの
焦点深度を向上させる投影露光方法および投影露光装置
を提供することにある。
配列パターンの両者が混在したマスク内の全パターンの
焦点深度を向上させる投影露光方法および投影露光装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、照明形状変形
部材により照明光の光束の中心部を暗くするとともに、
マスクパターンの結像面とレジスト膜の相対的に異なる
光軸上の複数の位置において露光する投影露光方法、お
よびこの方法を実施するための投影露光装置である。
部材により照明光の光束の中心部を暗くするとともに、
マスクパターンの結像面とレジスト膜の相対的に異なる
光軸上の複数の位置において露光する投影露光方法、お
よびこの方法を実施するための投影露光装置である。
【０００８】
【作用】本発明によれば照明光の光束の中心部を暗くす
ることにより孤立パターンの焦点深度が向上するととも
に、マスク、ウエファ，投影光学系の少なくとも一つを
光軸方向に移動させ複数回露光することにより配列パタ
ーンの焦点深度が向上する。このような方法で露光する
本発明の採用により、孤立パターンと配列パターンの混
在したマスク内の全パターンの焦点深度を向上できる。
ることにより孤立パターンの焦点深度が向上するととも
に、マスク、ウエファ，投影光学系の少なくとも一つを
光軸方向に移動させ複数回露光することにより配列パタ
ーンの焦点深度が向上する。このような方法で露光する
本発明の採用により、孤立パターンと配列パターンの混
在したマスク内の全パターンの焦点深度を向上できる。
【０００９】図４に示される様なホールの配列パターン
１４の場合、ホール間距離ＬSとホールサイズＬHとの比
が大きくなると、隣接ホールからの回折光の影響が弱ま
り孤立パターンに近づく。通常ＬS／ＬHが３以上になる
と隣接ホールからの回折光の影響は無視できる。図４の
パターンをＫｒＦエキシマステッパで露光したときに得
られる焦点深度をＬS／ＬHの関数として表したものを図
５に示す。図５において、１７は通常法により得られる
焦点深度、１８は二回露光法により得られる焦点深度、
１９は変形照明法により得られる焦点深度、２０は本発
明方法により得られる焦点深度である。ステッパのＮＡ
＝０．５、σ＝０．５であり、ホールサイズＬHはウエ
ファ上で０．２５μｍである。できあがり寸法の許容値
は設計寸法の±１０％とした。二回露光をしたときのス
テージ移動距離Δｚは１．２μｍ、照明光束を変形した
とき、その形状は図７（ｂ）に示すものを用い、中心の
十字型遮光帯の幅はσの４０％とした。
１４の場合、ホール間距離ＬSとホールサイズＬHとの比
が大きくなると、隣接ホールからの回折光の影響が弱ま
り孤立パターンに近づく。通常ＬS／ＬHが３以上になる
と隣接ホールからの回折光の影響は無視できる。図４の
パターンをＫｒＦエキシマステッパで露光したときに得
られる焦点深度をＬS／ＬHの関数として表したものを図
５に示す。図５において、１７は通常法により得られる
焦点深度、１８は二回露光法により得られる焦点深度、
１９は変形照明法により得られる焦点深度、２０は本発
明方法により得られる焦点深度である。ステッパのＮＡ
＝０．５、σ＝０．５であり、ホールサイズＬHはウエ
ファ上で０．２５μｍである。できあがり寸法の許容値
は設計寸法の±１０％とした。二回露光をしたときのス
テージ移動距離Δｚは１．２μｍ、照明光束を変形した
とき、その形状は図７（ｂ）に示すものを用い、中心の
十字型遮光帯の幅はσの４０％とした。
【００１０】図５よりわかるように、二回露光をする
と、孤立パターンに近いＬS／ＬHが３付近では通常法に
比べ焦点深度が増大しているが、ＬS／ＬHが１．５以下
になるとコントラストが急激に悪化するため焦点深度が
急速に浅くなってしまう。また、図６は各種露光方法に
より得られる合焦点位置におけるホール径（でき上り寸
法）を示す図である。図６に示されるように合焦点位置
におけるホールのできあがり寸法はＬS／ＬHが１．５以
下で設計寸法より大きめになっている。なお、図６にお
いて、２１は通常法により得られるホール径、２２は二
回露光法により得られるホール径、２３は変形照明法に
より得られるホール径、２４は本発明方法により得られ
るホール径である。
と、孤立パターンに近いＬS／ＬHが３付近では通常法に
比べ焦点深度が増大しているが、ＬS／ＬHが１．５以下
になるとコントラストが急激に悪化するため焦点深度が
急速に浅くなってしまう。また、図６は各種露光方法に
より得られる合焦点位置におけるホール径（でき上り寸
法）を示す図である。図６に示されるように合焦点位置
におけるホールのできあがり寸法はＬS／ＬHが１．５以
下で設計寸法より大きめになっている。なお、図６にお
いて、２１は通常法により得られるホール径、２２は二
回露光法により得られるホール径、２３は変形照明法に
より得られるホール径、２４は本発明方法により得られ
るホール径である。
【００１１】これに対し、照明光束を変形するとＬS／
ＬHが１．２以下で通常法に比べ焦点深度が向上する
が、ＬS／ＬHが３付近では通常法とほとんど変わらな
い。そして、照明光束を変形するとＬS／ＬHが１．５近
辺で焦点深度が取れなくなっている。これは、図６に示
されるように合焦点位置におけるできあがり寸法が設計
寸法より小さくなりすぎているためである。
ＬHが１．２以下で通常法に比べ焦点深度が向上する
が、ＬS／ＬHが３付近では通常法とほとんど変わらな
い。そして、照明光束を変形するとＬS／ＬHが１．５近
辺で焦点深度が取れなくなっている。これは、図６に示
されるように合焦点位置におけるできあがり寸法が設計
寸法より小さくなりすぎているためである。
【００１２】本発明により二回露光と照明光束の変形を
組み合わせると図５に符号２０で示されるようにＬS／
ＬHが１．２から３の範囲で１μｍ以上の焦点深度がと
れる。これは、図６よりわかるようにＬS／ＬHが１．５
付近で、二回露光によりできあがり寸法が大きくなる効
果と変形照明によりできあがり寸法が小さくなる効果が
ちょうど打ち消し合い、寸法変動が小さくなる非常に良
い組み合わせになっているからである。このため、本発
明によれば孤立パターンと配列パターンの混在したマス
ク内の全パターンの焦点深度を向上することが可能とな
る。
組み合わせると図５に符号２０で示されるようにＬS／
ＬHが１．２から３の範囲で１μｍ以上の焦点深度がと
れる。これは、図６よりわかるようにＬS／ＬHが１．５
付近で、二回露光によりできあがり寸法が大きくなる効
果と変形照明によりできあがり寸法が小さくなる効果が
ちょうど打ち消し合い、寸法変動が小さくなる非常に良
い組み合わせになっているからである。このため、本発
明によれば孤立パターンと配列パターンの混在したマス
ク内の全パターンの焦点深度を向上することが可能とな
る。
【００１３】
【実施例】図１は、請求項１及び３に記載した発明にな
る方法の実施例を示す概念図である。レジストをウェフ
ァ７上に塗布しレジスト層６を形成した。ＫｒＦエキシ
マ光を光源とする投影露光装置を用いてマスク４上のパ
ターンを２回露光した。１回目と２回目の露光の間にウ
エファ７を乗せたステージ８は光軸方向にΔｚだけ移動
されている。また、露光中に照明光束変換部材１を通っ
た光２はその中心部が暗くなっている。露光後にレジス
ト層６を現像することによりマスク４上のパターンがレ
ジスト層６に縮小転写される。
る方法の実施例を示す概念図である。レジストをウェフ
ァ７上に塗布しレジスト層６を形成した。ＫｒＦエキシ
マ光を光源とする投影露光装置を用いてマスク４上のパ
ターンを２回露光した。１回目と２回目の露光の間にウ
エファ７を乗せたステージ８は光軸方向にΔｚだけ移動
されている。また、露光中に照明光束変換部材１を通っ
た光２はその中心部が暗くなっている。露光後にレジス
ト層６を現像することによりマスク４上のパターンがレ
ジスト層６に縮小転写される。
【００１４】図８は、請求項２及び４に記載した発明装
置の実施例の構成を示す概念図である。ＫｒＦエキシマ
レーザ光源９より出射し反射鏡１０により反射された光
は空間的に不均一な分布をしているためホモジナイザ１
１で光強度分布を均一にしている。照明形状変形部材１
としては図７（ａ）の様な輪帯状遮光板２５または図７
（ｂ）の様な四つ穴状の遮光板２６を挿入し光束の中心
を暗くしている。照明光学系３より出た光はマスク４を
照らし、投影光学系５を通り縮小されたのち、レジスト
を塗布したウエファ１２上に結像する。ステージ８は複
数露光の間および露光中に上下動するようになってい
る。
置の実施例の構成を示す概念図である。ＫｒＦエキシマ
レーザ光源９より出射し反射鏡１０により反射された光
は空間的に不均一な分布をしているためホモジナイザ１
１で光強度分布を均一にしている。照明形状変形部材１
としては図７（ａ）の様な輪帯状遮光板２５または図７
（ｂ）の様な四つ穴状の遮光板２６を挿入し光束の中心
を暗くしている。照明光学系３より出た光はマスク４を
照らし、投影光学系５を通り縮小されたのち、レジスト
を塗布したウエファ１２上に結像する。ステージ８は複
数露光の間および露光中に上下動するようになってい
る。
【００１５】光軸上の複数の位置において露光する方法
としてステージを上下動する方法以外に、請求項５に記
載した発明方法および請求項６に記載した発明装置のよ
うに光源の波長を変えて複数回または連続して露光する
こともできる。これは光源の波長が異なると投影レンズ
の焦点位置が色収差のため変動するからで、このときの
焦点位置変動Δｚは次式で与えられる。
としてステージを上下動する方法以外に、請求項５に記
載した発明方法および請求項６に記載した発明装置のよ
うに光源の波長を変えて複数回または連続して露光する
こともできる。これは光源の波長が異なると投影レンズ
の焦点位置が色収差のため変動するからで、このときの
焦点位置変動Δｚは次式で与えられる。
【００１６】
【数１】
【００１７】ここでｍおよびｆは結像光学系の倍率およ
び焦点距離であり、それぞれ１／５および１００ｍｍで
ある。また、ｎおよびｄｎ／ｄλはレンズに用いる合成
石英のλ＝２４８．３ｎｍにおける屈折率および屈折率
分散であり、それぞれ１．５１および０．２４μｍ-1と
なる。上式に波長差としてΔλ＝２１ｐｍを代入すると
焦点位置変動は１．２μｍとなる。ＫｒＦエキシマレー
ザは中心波長２４８．３ｎｍ、半値幅３５０ｐｍで発振
するが、色収差を抑えるため半値幅を３ｐｍまで回折格
子、エタロン、プリズム等を用いて狭帯域化している。
狭帯域化素子を微小回転することにより中心波長２４
８．２ｎｍおよび２４８．３１ｎｍでの発振が可能にな
る。また、より簡単に請求項７に記載した発明方法およ
び請求項８に記載した発明装置では狭帯域化を抑え、半
値幅２０ｐｍでＫｒＦエキシマレーザを発振することに
より同様の効果を得ている。
び焦点距離であり、それぞれ１／５および１００ｍｍで
ある。また、ｎおよびｄｎ／ｄλはレンズに用いる合成
石英のλ＝２４８．３ｎｍにおける屈折率および屈折率
分散であり、それぞれ１．５１および０．２４μｍ-1と
なる。上式に波長差としてΔλ＝２１ｐｍを代入すると
焦点位置変動は１．２μｍとなる。ＫｒＦエキシマレー
ザは中心波長２４８．３ｎｍ、半値幅３５０ｐｍで発振
するが、色収差を抑えるため半値幅を３ｐｍまで回折格
子、エタロン、プリズム等を用いて狭帯域化している。
狭帯域化素子を微小回転することにより中心波長２４
８．２ｎｍおよび２４８．３１ｎｍでの発振が可能にな
る。また、より簡単に請求項７に記載した発明方法およ
び請求項８に記載した発明装置では狭帯域化を抑え、半
値幅２０ｐｍでＫｒＦエキシマレーザを発振することに
より同様の効果を得ている。
【００１８】請求項９に記載した発明方法および請求項
１０に記載した発明装置ではマスクとウエファの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入し光路長を延ばす
ことにより焦点位置を変動させる。ステージ等を移動す
る必要がないので移動にともなう位置ずれが生じない。
光路長をΔｚだけ延ばすのに必要な物質の厚さｔは次式
で与えられる。
１０に記載した発明装置ではマスクとウエファの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入し光路長を延ばす
ことにより焦点位置を変動させる。ステージ等を移動す
る必要がないので移動にともなう位置ずれが生じない。
光路長をΔｚだけ延ばすのに必要な物質の厚さｔは次式
で与えられる。
【００１９】
【数２】
【００２０】ここでｎfは物質の屈折率である。物質と
して合成石英を用いると１．２μｍの焦点位置変動を得
るために必要な厚さは２．４μｍとなる。これは１回目
と２回目露光の間に厚さが２．４μｍだけ異なる合成石
英板を入れ替えることにより実現される。
して合成石英を用いると１．２μｍの焦点位置変動を得
るために必要な厚さは２．４μｍとなる。これは１回目
と２回目露光の間に厚さが２．４μｍだけ異なる合成石
英板を入れ替えることにより実現される。
【００２１】請求項１１に記載した発明方法および請求
項１２に記載した発明装置で投影光学系に多焦点レンズ
を用いている。多焦点レンズとして二重焦点レンズを用
い、二つの焦点間の距離を焦点移動距離Δｚと等しくな
るようにするとステージをΔｚだけ移動するのと同様な
効果を得る事ができる。
項１２に記載した発明装置で投影光学系に多焦点レンズ
を用いている。多焦点レンズとして二重焦点レンズを用
い、二つの焦点間の距離を焦点移動距離Δｚと等しくな
るようにするとステージをΔｚだけ移動するのと同様な
効果を得る事ができる。
【００２２】なお、請求項１から請求項１２に記載した
発明に関する以上の実施例では光源としてＫｒＦエキシ
マレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高圧水銀
ランプのｉ線などを代わりに用いることもできる。また
照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射鏡や
プリズムなどを用いても良い。
発明に関する以上の実施例では光源としてＫｒＦエキシ
マレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高圧水銀
ランプのｉ線などを代わりに用いることもできる。また
照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射鏡や
プリズムなどを用いても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
方法または装置を用いると、孤立パターンと配列パター
ンの両者が混在したマスク内の全パターンの焦点深度を
向上させることができる。ホール配列パターンに対して
はホール間隔とホール径の比が１．２以上の範囲で本発
明は通常法に比べ最大２．５倍、最小でも１．４倍の焦
点深度を得ることができる。
方法または装置を用いると、孤立パターンと配列パター
ンの両者が混在したマスク内の全パターンの焦点深度を
向上させることができる。ホール配列パターンに対して
はホール間隔とホール径の比が１．２以上の範囲で本発
明は通常法に比べ最大２．５倍、最小でも１．４倍の焦
点深度を得ることができる。
【図１】請求項１に記載した発明方法の実施例を示す概
念図。
念図。
【図２】孤立ホールパターンおよびホール配列パターン
が混在したマスクを示す平面図。
が混在したマスクを示す平面図。
【図３】孤立ラインパターンおよびライン配列パターン
が混在したマスクを示す平面図。
が混在したマスクを示す平面図。
【図４】ホール配列パターンを示す平面図。
【図５】各種露光方法により得られる焦点深度を示す
図。
図。
【図６】各種露光方法により得られる合焦点位置におけ
るホール径（できあがり寸法）を示す図。
るホール径（できあがり寸法）を示す図。
【図７】照明形状変形部材として用いられる遮光板を示
す平面図。
す平面図。
【図８】請求項２に記載した発明装置の実施例の構成を
示す概念図。
示す概念図。
１ 照明光束変換部材 ２ 照明光束変換部材を通った光 ３ 照明光学系 ４ マスク ５ 投影光学系 ６ レジスト系 ７，１２ ウェファ ８ ステージ ９ ＫｒＦエキシマレーザ光源 １０ 反射鏡 １１ ホモジナイザ １３ 孤立ホールパターン １４ ホール配列パターン １５ 孤立ラインパターン １６ ライン配列パターン １７ 通常法により得られる焦点深度 １８ 二回露光法により得られる焦点深度 １９ 変形照明法により得られる焦点深度 ２０ 本発明方法により得られる焦点深度 ２１ 通常法により得られるホール径 ２２ 二回露光法により得られるホール径 ２３ 変形照明法により得られるホール径 ２４ 本発明方法により得られるホール径 ２５ 輪帯状の遮光板 ２６ 四つ穴状の遮光板
Claims (12)
- 【請求項１】 被露光パターンを有するマスクを照明光
学系を用いて照明するとともに前記被露光パターンをレ
ジスト膜を塗布したウエファ上に投影光学系を用いて投
影する投影露光方法において、前記照明光学系中に備え
た照明形状変形部材により照明光の光束の中心部を暗く
するとともに、前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光することを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】 被露光パターンを有するマスクと、レジ
スト膜を塗布したウエファと、前記マスクを照明する照
明光学系と、前記マスク上のパターンをウエファ上に結
像させる投影光学系と、前記照明光学系による照明光束
の中心部を暗くする照明形状変形部材と、前記被露光パ
ターンの結像面と前記レジスト膜の相対的に異なる光軸
上の複数の位置において露光する手段とを備えることを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記マスク，ウエファ又は投影光学系のう
ちの少なくとも一つを光軸方向に移動させ複数回または
連続して露光することを特徴とする請求項１に記載の投
影露光方法。 - 【請求項４】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光する手段として、前記マスク，ウエファまたは投影光
学系のうちの少なくとも一つを複数露光の間または露光
中に光軸方向に移動させる手段を備えることを特徴とす
る請求項２に記載の投影露光装置。 - 【請求項５】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記照明光学系の光源の波長を変えて複数
回または連続して露光することを特徴とする請求項１に
記載の投影露光方法。 - 【請求項６】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光する手段として、前記照明光学系の光源の波長を複数
露光の間または露光中に変える手段を備えることを特徴
とする請求項２に記載の投影露光装置。 - 【請求項７】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記照明光学系の光源を複数波長または連
続波長として露光することを特徴とする請求項１に記載
の投影露光方法。 - 【請求項８】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光する手段として、前記照明光学系の光源の波長を複数
波長または連続波長とする手段を備えることを特徴とす
る請求項２に記載の投影露光装置。 - 【請求項９】 前記被露光パターンの結像面と前記レジ
スト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において露
光するため、前記マスクとウエファとの間に空気と異な
る屈折率を有する物質を挿入して複数回露光することを
特徴とする請求項１に記載の投影露光方法。 - 【請求項１０】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光する手段として、前記マスクとウエファとの間に空
気と異なる屈折率を有する物質を挿入する手段を備える
ことを特徴とする請求項２に記載の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光するため、前記投影光学系に多焦点レンズを用いて
露光することを特徴とする請求項１に記載の投影露光方
法。 - 【請求項１２】 前記被露光パターンの結像面と前記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
露光する手段として、前記投影光学系に多焦点レンズを
用いることを特徴とする請求項２に記載の投影露光装
置。
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|---|---|---|---|
| JP5036914A JP2852169B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 投影露光方法および装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950718 |