JPH04283916A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04283916A JPH04283916A JP3047917A JP4791791A JPH04283916A JP H04283916 A JPH04283916 A JP H04283916A JP 3047917 A JP3047917 A JP 3047917A JP 4791791 A JP4791791 A JP 4791791A JP H04283916 A JPH04283916 A JP H04283916A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- photoresist
- exposed
- resist pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特にT型形状のレジストパタ−ンを形成するた
めのフォトレジストの露光方法に関するものである。
に係り、特にT型形状のレジストパタ−ンを形成するた
めのフォトレジストの露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3(a),(b)は従来のフォトレジ
ストの露光方法を示す工程図である。すなわち、図3(
a)に示すように、半導体基板1上にフォトレジスト2
を塗布し、マスク設計上の寸法に露光する。この場合の
露光方法としては、縮小投影露光法(以下、ステッパと
略す)が用いられる。この露光の際、その焦点3をレジ
スト膜厚の中心付近に合せる。その後、現像すると図3
(b)に示すように、所望のレジストパタ−ンが得られ
る。
ストの露光方法を示す工程図である。すなわち、図3(
a)に示すように、半導体基板1上にフォトレジスト2
を塗布し、マスク設計上の寸法に露光する。この場合の
露光方法としては、縮小投影露光法(以下、ステッパと
略す)が用いられる。この露光の際、その焦点3をレジ
スト膜厚の中心付近に合せる。その後、現像すると図3
(b)に示すように、所望のレジストパタ−ンが得られ
る。
【0003】上記露光の際の焦点3を、およそフォトレ
ジスト2厚の中心付近に設定すると、レンズ特性と光源
の波長に対応した焦点深度の分が感光され、現像により
レチクルマスクに対応したパタ−ンが解像される。4は
その感光部を示す。
ジスト2厚の中心付近に設定すると、レンズ特性と光源
の波長に対応した焦点深度の分が感光され、現像により
レチクルマスクに対応したパタ−ンが解像される。4は
その感光部を示す。
【0004】上記のように形成されたレジストパタ−ン
をマスクにして図4(a)に示すように、金属6を蒸着
等により形成した後、リフトオフ法により不要の金属6
を除去することによって図4(b)に示す金属パタ−ン
が得られる。
をマスクにして図4(a)に示すように、金属6を蒸着
等により形成した後、リフトオフ法により不要の金属6
を除去することによって図4(b)に示す金属パタ−ン
が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の露光方法は、以
上のようにして行われているため、現像後のレジスト断
面は、ほぼ垂直パタ−ン(図3(b))となり、その後
、金属6の蒸着,リフトオフ法で金属6をパタ−ニング
すると、図4(b)のような台形パタ−ンとなる。この
台形パタ−ンは微細化が進むと、断面積が小さくなるた
め、このパタ−ンの配線抵抗が大きくなってしまうとい
う問題点があった。
上のようにして行われているため、現像後のレジスト断
面は、ほぼ垂直パタ−ン(図3(b))となり、その後
、金属6の蒸着,リフトオフ法で金属6をパタ−ニング
すると、図4(b)のような台形パタ−ンとなる。この
台形パタ−ンは微細化が進むと、断面積が小さくなるた
め、このパタ−ンの配線抵抗が大きくなってしまうとい
う問題点があった。
【0006】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、フォトレジストの露光断面をT
型形状にすることで、断面積が大きく、基板接触面積の
小さいT型形状のレジストパタ−ンを形成することを目
的とする。
ためになされたもので、フォトレジストの露光断面をT
型形状にすることで、断面積が大きく、基板接触面積の
小さいT型形状のレジストパタ−ンを形成することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板上に塗布されたフォトレジス
トの厚み方向の中心より上部に焦点を合せて露光する第
1の露光工程と、前記半導体基板側の未露光部を厚み方
向の中心より下部に焦点を合せて露光する第2の露光工
程とからなるものである。
の製造方法は、半導体基板上に塗布されたフォトレジス
トの厚み方向の中心より上部に焦点を合せて露光する第
1の露光工程と、前記半導体基板側の未露光部を厚み方
向の中心より下部に焦点を合せて露光する第2の露光工
程とからなるものである。
【0008】
【作用】本発明による露光方法においては、第1の露光
工程では感光部がレジスト厚に対し表面側のみ感光させ
るように焦点を合せて露光を行い、第2の露光工程では
第1の露光工程で感光されていない半導体基板側の未露
光部に焦点を合せて露光することで、現像後のレジスト
パタ−ンが上に広く下に狭いT型形状となる。
工程では感光部がレジスト厚に対し表面側のみ感光させ
るように焦点を合せて露光を行い、第2の露光工程では
第1の露光工程で感光されていない半導体基板側の未露
光部に焦点を合せて露光することで、現像後のレジスト
パタ−ンが上に広く下に狭いT型形状となる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図1(a)〜(c)は本発明の露光方法の一実施例
を示す工程断面図である。図1において、図3,図4と
同一符号は同じものを示しているが、図1(a)ではフ
ォトレジスト2内の焦点3の位置を任意に設定すること
で、フォトレジスト2内の基板側に未露光部5をつくる
ようにしたものである。
る。図1(a)〜(c)は本発明の露光方法の一実施例
を示す工程断面図である。図1において、図3,図4と
同一符号は同じものを示しているが、図1(a)ではフ
ォトレジスト2内の焦点3の位置を任意に設定すること
で、フォトレジスト2内の基板側に未露光部5をつくる
ようにしたものである。
【0010】次に、上記の露光工程について図1(a)
〜(c)を参照して説明する。まず、第1の露光工程で
は図1(a)に示すように、焦点3をずらし、フォトレ
ジスト2の上部のみが感光されるように露光する。この
時、いわゆるピンボケの状態とし、パタ−ンは本来のマ
スクパタ−ンに比べ、大きい領域が露光されるようにす
る。次に、再度第2の露光工程により露光を行う。すな
わち、第2の露光工程では第1の露光工程で感光されて
いない未露光部5に焦点3を合せ露光する。その後、現
像を行うと、図1(c)に示すように、レジストパタ−
ン断面はT型形状となる。この第2の露光工程では、感
光すべきレジスト厚は、第1の露光工程ですでにフォト
レジスト2の一部は感光されているので、従来に比べ薄
くなっている。したがって、焦点深度の浅い条件で露光
できるため、従来に比べ高解像度でパタ−ニングできる
。上記のレジストパタ−ンを用いて蒸着(図2(a))
,リフトオフ(図2(b))を行うと、基板接触面は小
さく、断面積の大きなT型形状の金属パタ−ンが半導体
基板1上に形成できる。このようなレジストパタ−ンを
、例えばFETのゲ−トに用いれば、ゲ−ト長が短く、
かつゲ−ト配線抵抗の小さいFETが実現でき、高速化
,高周波化といった素子特性の向上が図れる。
〜(c)を参照して説明する。まず、第1の露光工程で
は図1(a)に示すように、焦点3をずらし、フォトレ
ジスト2の上部のみが感光されるように露光する。この
時、いわゆるピンボケの状態とし、パタ−ンは本来のマ
スクパタ−ンに比べ、大きい領域が露光されるようにす
る。次に、再度第2の露光工程により露光を行う。すな
わち、第2の露光工程では第1の露光工程で感光されて
いない未露光部5に焦点3を合せ露光する。その後、現
像を行うと、図1(c)に示すように、レジストパタ−
ン断面はT型形状となる。この第2の露光工程では、感
光すべきレジスト厚は、第1の露光工程ですでにフォト
レジスト2の一部は感光されているので、従来に比べ薄
くなっている。したがって、焦点深度の浅い条件で露光
できるため、従来に比べ高解像度でパタ−ニングできる
。上記のレジストパタ−ンを用いて蒸着(図2(a))
,リフトオフ(図2(b))を行うと、基板接触面は小
さく、断面積の大きなT型形状の金属パタ−ンが半導体
基板1上に形成できる。このようなレジストパタ−ンを
、例えばFETのゲ−トに用いれば、ゲ−ト長が短く、
かつゲ−ト配線抵抗の小さいFETが実現でき、高速化
,高周波化といった素子特性の向上が図れる。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
焦点位置の異なる第1の露光工程と第2の露光工程によ
り同一場所で2回の露光を行うことで、レジスト解像後
の断面形状がT型のレジストパタ−ンが形成できる。こ
のレジストパタ−ンを用いればリフトオフ法により、半
導体基板上に配線抵抗の小さいT型断面形状の金属パタ
−ンを得ることができる。
焦点位置の異なる第1の露光工程と第2の露光工程によ
り同一場所で2回の露光を行うことで、レジスト解像後
の断面形状がT型のレジストパタ−ンが形成できる。こ
のレジストパタ−ンを用いればリフトオフ法により、半
導体基板上に配線抵抗の小さいT型断面形状の金属パタ
−ンを得ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す工程断面図である。
【図2】図1のレジストパタ−ンを用いて金属パタ−ン
を形成する工程を示す断面図である。
を形成する工程を示す断面図である。
【図3】従来の露光工程を示す断面図である。
【図4】第3図のレジストパタ−ンを用いて金属パタ−
ンを形成する工程を示す断面図である。
ンを形成する工程を示す断面図である。
1 半導体基板
2 フォトレジスト
3 焦点
4 感光部
5 未露光部
6 金属
Claims (1)
- 【請求項1】半導体基板上に塗布されたフォトレジスト
の基板側の一部が感光されない厚み方向の中心より上部
の位置に焦点を合せて露光する第1の露光工程と、その
後、厚み方向の中心より下部の位置に焦点を合せて前記
第1の露光工程で残った前記フォトレジストの未露光部
を前記第1の露光工程の寸法より小さなパタ−ンに露光
する第2の露光工程とからなり、前記第1,第2の露光
工程による露光を行うことにより、前記フォトレジスト
にT型形状のパタ−ンを形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047917A JPH04283916A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047917A JPH04283916A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04283916A true JPH04283916A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12788721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3047917A Pending JPH04283916A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04283916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252021A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 投影露光方法および装置 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3047917A patent/JPH04283916A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252021A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 投影露光方法および装置 |
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