JPH05205990A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05205990A JPH05205990A JP4034206A JP3420692A JPH05205990A JP H05205990 A JPH05205990 A JP H05205990A JP 4034206 A JP4034206 A JP 4034206A JP 3420692 A JP3420692 A JP 3420692A JP H05205990 A JPH05205990 A JP H05205990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- opening
- pattern
- photoresist
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】分割露光を行うフォトリソグラフィでパターン
を形成しても、ショット間のパターンの面積のばらつき
を抑える。 【構成】Ａｌ膜１１上にポジ形のフォトレジストを塗布
し、形成すべき開口１３、１４のうちの一方向のみを決
定するパターンに分割露光して、Ａｌ膜１１に開口１５
を形成する。次に、Ａｌ膜１１上に絶縁膜及び第２層目
のＡｌ膜１６を堆積させ、このＡｌ膜１６上にネガ形の
フォトレジストを塗布する。そして、形成すべき開口１
３、１４のうちの他の一方向のみを決定するパターンに
分割露光して、Ａｌ膜１６に開口１７、１８を形成す
る。このため、開口１４では、互いに対向する一対の辺
が開口１３の対応する一対の辺よりも長いが、他の一対
の辺は短く、開口１３、１４の面積のばらつきが小さ
い。
を形成しても、ショット間のパターンの面積のばらつき
を抑える。 【構成】Ａｌ膜１１上にポジ形のフォトレジストを塗布
し、形成すべき開口１３、１４のうちの一方向のみを決
定するパターンに分割露光して、Ａｌ膜１１に開口１５
を形成する。次に、Ａｌ膜１１上に絶縁膜及び第２層目
のＡｌ膜１６を堆積させ、このＡｌ膜１６上にネガ形の
フォトレジストを塗布する。そして、形成すべき開口１
３、１４のうちの他の一方向のみを決定するパターンに
分割露光して、Ａｌ膜１６に開口１７、１８を形成す
る。このため、開口１４では、互いに対向する一対の辺
が開口１３の対応する一対の辺よりも長いが、他の一対
の辺は短く、開口１３、１４の面積のばらつきが小さ
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィ技
術を用いて半導体装置等における膜にパターンを形成す
るパターン形成方法に関するものである。
術を用いて半導体装置等における膜にパターンを形成す
るパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばリニアイメージセンサの製造に際
しては、遮光膜になるＡｌ膜上にポジ形のフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストを露光及び現像してパ
ターニングし、パターニングしたフォトレジストをマス
クにしたエッチングでＡｌ膜に開口を設けて、感光部を
形成している。
しては、遮光膜になるＡｌ膜上にポジ形のフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストを露光及び現像してパ
ターニングし、パターニングしたフォトレジストをマス
クにしたエッチングでＡｌ膜に開口を設けて、感光部を
形成している。
【０００３】ところが、リニアイメージセンサが長くな
ると、フォトレジストの全体を一括露光することができ
ない。このため、フォトレジストを複数回に分けて露光
してパターンをつなぎ合わせるという分割露光を行って
いる。
ると、フォトレジストの全体を一括露光することができ
ない。このため、フォトレジストを複数回に分けて露光
してパターンをつなぎ合わせるという分割露光を行って
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、露光装置には
ランプの照度むら等があり、マスクのパターン寸法が同
じでも、露光のショット間でパターンの幅にばらつきが
生じる。このため、図２に示す様に、Ａｌ膜１１のショ
ットのつなぎ目１２の両側に開口１３、１４を形成した
場合に、開口１３を形成すべき部分に対するショット照
度よりも開口１４を形成すべき部分に対するショット照
度の方が強いとすると、開口１３の面積が、 ｌ1 ×ｌ2 であるのに対して、開口１４の面積は、０＜α＜１とし
て、 ｌ1 （１＋α）×ｌ2 （１＋α） になる。
ランプの照度むら等があり、マスクのパターン寸法が同
じでも、露光のショット間でパターンの幅にばらつきが
生じる。このため、図２に示す様に、Ａｌ膜１１のショ
ットのつなぎ目１２の両側に開口１３、１４を形成した
場合に、開口１３を形成すべき部分に対するショット照
度よりも開口１４を形成すべき部分に対するショット照
度の方が強いとすると、開口１３の面積が、 ｌ1 ×ｌ2 であるのに対して、開口１４の面積は、０＜α＜１とし
て、 ｌ1 （１＋α）×ｌ2 （１＋α） になる。
【０００５】つまり、開口１４の何れの辺も開口１３の
対応する辺よりも長くなり、開口１４の面積は開口１３
の面積よりも大幅に大きくなる。従って、この様な従来
の方法で製造したリニアイメージセンサには、チップ内
での感度差が大きいという欠点があった。
対応する辺よりも長くなり、開口１４の面積は開口１３
の面積よりも大幅に大きくなる。従って、この様な従来
の方法で製造したリニアイメージセンサには、チップ内
での感度差が大きいという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるパターン形
成方法は、第１の膜１１上に第１のフォトレジストを塗
布する工程と、形成すべきパターン１３、１４のうちの
第１の方向における第１のパターン部を前記第１のフォ
トレジストに形成する工程と、前記第１のフォトレジス
トをマスクにして前記第１の膜１１に前記第１のパター
ン部１５を形成する工程と、前記第１の膜１１の上層に
第２の膜１６を形成する工程と、前記第１のフォトレジ
ストとは逆感光性の第２のフォトレジストを前記第２の
膜１６上に塗布する工程と、前記パターン１３、１４の
うちの前記第１の方向と交わる第２の方向における第２
のパターン部を前記第２のフォトレジストに形成する工
程と、前記第２のフォトレジストをマスクにして前記第
２の膜１６に前記第２のパターン部１７、１８を形成し
て、前記第１及び第２のパターン部１５、１７、１８の
重畳部で前記第１及び第２の膜１１、１６に前記パター
ン１３、１４を形成する工程とを有している。
成方法は、第１の膜１１上に第１のフォトレジストを塗
布する工程と、形成すべきパターン１３、１４のうちの
第１の方向における第１のパターン部を前記第１のフォ
トレジストに形成する工程と、前記第１のフォトレジス
トをマスクにして前記第１の膜１１に前記第１のパター
ン部１５を形成する工程と、前記第１の膜１１の上層に
第２の膜１６を形成する工程と、前記第１のフォトレジ
ストとは逆感光性の第２のフォトレジストを前記第２の
膜１６上に塗布する工程と、前記パターン１３、１４の
うちの前記第１の方向と交わる第２の方向における第２
のパターン部を前記第２のフォトレジストに形成する工
程と、前記第２のフォトレジストをマスクにして前記第
２の膜１６に前記第２のパターン部１７、１８を形成し
て、前記第１及び第２のパターン部１５、１７、１８の
重畳部で前記第１及び第２の膜１１、１６に前記パター
ン１３、１４を形成する工程とを有している。
【０００７】
【作用】本発明によるパターン形成方法では、第１及び
第２のフォトレジストが互いに逆感光性であるので、露
光装置のランプの照度むら等のために、互いに交わる方
向における第１及び第２のパターン部１５、１７、１８
のうちの第１のパターン部１５の幅が所望の幅よりも例
えば太くなれば、第２のパターン部１７、１８の幅は所
望の幅よりも細くなる。
第２のフォトレジストが互いに逆感光性であるので、露
光装置のランプの照度むら等のために、互いに交わる方
向における第１及び第２のパターン部１５、１７、１８
のうちの第１のパターン部１５の幅が所望の幅よりも例
えば太くなれば、第２のパターン部１７、１８の幅は所
望の幅よりも細くなる。
【０００８】
【実施例】以下、リニアイメージセンサの製造に適用し
た本発明の一実施例を、図１を参照しながら説明する。
なお、図２に示した一従来例と対応する部分には、同一
の符号を付してある。
た本発明の一実施例を、図１を参照しながら説明する。
なお、図２に示した一従来例と対応する部分には、同一
の符号を付してある。
【０００９】本実施例でも、半導体基板（図示せず）の
上層の全面にＡｌ膜１１を形成し、このＡｌ膜１１上に
ポジ形のフォトレジスト（図示せず）を塗布するまで
は、図２に示した一従来例と実質的に同様の工程を実行
する。
上層の全面にＡｌ膜１１を形成し、このＡｌ膜１１上に
ポジ形のフォトレジスト（図示せず）を塗布するまで
は、図２に示した一従来例と実質的に同様の工程を実行
する。
【００１０】しかし、本実施例では、図１（ａ）に示す
様に、形成すべき開口１３、１４のうちの図中の上下方
向のみを決定するパターンにポジ形のフォトレジストを
露光及び現像し、このポジ形のフォトレジストをマスク
にしてＡｌ膜１１をエッチングして、図中の左右方向に
延びる帯状の開口１５をＡｌ膜１１に形成する。
様に、形成すべき開口１３、１４のうちの図中の上下方
向のみを決定するパターンにポジ形のフォトレジストを
露光及び現像し、このポジ形のフォトレジストをマスク
にしてＡｌ膜１１をエッチングして、図中の左右方向に
延びる帯状の開口１５をＡｌ膜１１に形成する。
【００１１】この際、本実施例でも露光のつなぎ目１２
を境にして分割露光を行うので、露光装置のランプの照
度むら等のために、開口１３を形成すべき部分に対する
ショット照度よりも開口１４を形成すべき部分に対する
ショット照度の方が強いとすると、開口１５のうちで開
口１３を形成すべき部分の幅がｌ1 であるのに対して、
開口１４を形成すべき部分の幅は、 ｌ1 （１＋α） になる。
を境にして分割露光を行うので、露光装置のランプの照
度むら等のために、開口１３を形成すべき部分に対する
ショット照度よりも開口１４を形成すべき部分に対する
ショット照度の方が強いとすると、開口１５のうちで開
口１３を形成すべき部分の幅がｌ1 であるのに対して、
開口１４を形成すべき部分の幅は、 ｌ1 （１＋α） になる。
【００１２】本実施例では、次に、Ａｌ膜１１上に絶縁
膜（図示せず）を堆積させた後、この絶縁膜上の全面
に、図１（ｂ）に示す様に、第２層目のＡｌ膜１６を堆
積させる。そして、このＡｌ膜１６上に今度はネガ形の
フォトレジスト（図示せず）を塗布する。
膜（図示せず）を堆積させた後、この絶縁膜上の全面
に、図１（ｂ）に示す様に、第２層目のＡｌ膜１６を堆
積させる。そして、このＡｌ膜１６上に今度はネガ形の
フォトレジスト（図示せず）を塗布する。
【００１３】その後、形成すべき開口１３、１４のうち
の図中の左右方向のみを決定するパターンにネガ形のフ
ォトレジストを露光及び現像し、このネガ形のフォトレ
ジストをマスクにしてＡｌ膜１６をエッチングして、開
口１７、１８をＡｌ膜１６に形成する。
の図中の左右方向のみを決定するパターンにネガ形のフ
ォトレジストを露光及び現像し、このネガ形のフォトレ
ジストをマスクにしてＡｌ膜１６をエッチングして、開
口１７、１８をＡｌ膜１６に形成する。
【００１４】ところで、既述の様に、開口１３を形成す
べき部分に対するショット照度よりも開口１４を形成す
べき部分に対するショット照度の方が強いとしている
が、開口１７、１８を形成するために露光したフォトレ
ジストがネガ形であるので、開口１７の幅がｌ2 である
のに対して、開口１８の幅は、０＜β＜１として、 ｌ2 （１−β） になる。
べき部分に対するショット照度よりも開口１４を形成す
べき部分に対するショット照度の方が強いとしている
が、開口１７、１８を形成するために露光したフォトレ
ジストがネガ形であるので、開口１７の幅がｌ2 である
のに対して、開口１８の幅は、０＜β＜１として、 ｌ2 （１−β） になる。
【００１５】この結果、Ａｌ膜１１の開口１５とＡｌ膜
１６の開口１７、１８との重畳部が、開口１３、１４に
なるが、開口１３の面積が、 ｌ1 ×ｌ2 であるのに対して、開口１４の面積は、 ｌ1 （１＋α）×ｌ2 （１−β） になる。
１６の開口１７、１８との重畳部が、開口１３、１４に
なるが、開口１３の面積が、 ｌ1 ×ｌ2 であるのに対して、開口１４の面積は、 ｌ1 （１＋α）×ｌ2 （１−β） になる。
【００１６】つまり、以上の本実施例で形成した開口１
４では、互いに対向する一対の辺が開口１３の対応する
一対の辺よりも長いが、他の一対の辺は開口１３の対応
する一対の辺よりも短い。
４では、互いに対向する一対の辺が開口１３の対応する
一対の辺よりも長いが、他の一対の辺は開口１３の対応
する一対の辺よりも短い。
【００１７】このため、式と式との比較からも明ら
かな様に、本実施例で形成した開口１４の面積の方が、
既述の一従来例で形成した開口１４の面積よりも、開口
１３の面積に近い。従って、本実施例では、分割露光で
形成した開口１３、１４の面積のばらつきが小さく、チ
ップ内での感度差が小さいリニアイメージセンサを製造
することができる。
かな様に、本実施例で形成した開口１４の面積の方が、
既述の一従来例で形成した開口１４の面積よりも、開口
１３の面積に近い。従って、本実施例では、分割露光で
形成した開口１３、１４の面積のばらつきが小さく、チ
ップ内での感度差が小さいリニアイメージセンサを製造
することができる。
【００１８】なお、以上の実施例は本発明をリニアイメ
ージセンサの製造に適用したものであるが、バイポーラ
トランジスタのエミッタの様に面積によって電流が変わ
るパターン等の形成に本発明を適用しても有効である。
しかも、半導体装置が高集積化されてパターンが微細に
なるほど、パターンの面積のばらつきの影響が大きくな
るので、本発明は高集積化された半導体装置の製造に適
用するのに好適である。
ージセンサの製造に適用したものであるが、バイポーラ
トランジスタのエミッタの様に面積によって電流が変わ
るパターン等の形成に本発明を適用しても有効である。
しかも、半導体装置が高集積化されてパターンが微細に
なるほど、パターンの面積のばらつきの影響が大きくな
るので、本発明は高集積化された半導体装置の製造に適
用するのに好適である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によるパターン形成方法では、第
１及び第２のパターン部のうちの第１のパターン部の幅
が所望の幅よりも例えば太くなれば、第２のパターン部
の幅は所望の幅よりも細くなるので、これら第１及び第
２のパターン部の重畳部であるパターンの面積のばらつ
きを抑えることができる。
１及び第２のパターン部のうちの第１のパターン部の幅
が所望の幅よりも例えば太くなれば、第２のパターン部
の幅は所望の幅よりも細くなるので、これら第１及び第
２のパターン部の重畳部であるパターンの面積のばらつ
きを抑えることができる。
【図１】本発明の一実施例を順次に示す平面図である。
【図２】本発明の一従来例で形成したパターンの平面図
である。
である。
１１ Ａｌ膜 １３ 開口 １４ 開口 １５ 開口 １６ Ａｌ膜 １７ 開口 １８ 開口
Claims (1)
- 【請求項１】第１の膜上に第１のフォトレジストを塗布
する工程と、 形成すべきパターンのうちの第１の方向における第１の
パターン部を前記第１のフォトレジストに形成する工程
と、 前記第１のフォトレジストをマスクにして前記第１の膜
に前記第１のパターン部を形成する工程と、 前記第１の膜の上層に第２の膜を形成する工程と、 前記第１のフォトレジストとは逆感光性の第２のフォト
レジストを前記第２の膜上に塗布する工程と、 前記パターンのうちの前記第１の方向と交わる第２の方
向における第２のパターン部を前記第２のフォトレジス
トに形成する工程と、 前記第２のフォトレジストをマスクにして前記第２の膜
に前記第２のパターン部を形成して、前記第１及び第２
のパターン部の重畳部で前記第１及び第２の膜に前記パ
ターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034206A JPH05205990A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034206A JPH05205990A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205990A true JPH05205990A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12407686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4034206A Pending JPH05205990A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102867833A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 索尼公司 | 成像器件和成像装置 |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP4034206A patent/JPH05205990A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102867833A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 索尼公司 | 成像器件和成像装置 |
| JP2013016608A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
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