KR960001367Y1 - 패턴 마스크 구조 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1a 도 종래의 패턴 마스크구조 평면도
제 1b 도는제 1a 도의 A-A'성상의 단면도
제 2a 도 본 고안의 패턴 마스크구조 평면도
제 2b 도는제 2a 도의 B-B'신상 단면도
본 고안은 반도체 소자 제조공정에 관한 것으로, 특히 포토레지스트(Photo Resist)성의에 적당하도록 패턴마스크 (Pattern mask)구조에 관한 것이다.
종래에 패턴 마스크를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제 1a 도는 종래의 패턴 마스크 구조 평면도이고, 제 1b 도는 제 1a 도의 A-A'신상 단면도이다.
일반적으로 반도체 제조공정 중에는 원하는 모양으로 임의의 층을 패터닝하고자 할 때 사진석판술(photo thography)을 많이 이용하고 있다.
여기서, 사진석판술이란 패터닝 하고자하는 임의의 층을 증착하고 그 층위에 포토레지스트를 증착한 다음, 미리 만들어진 패턴 마스크를 이용하여 포토레지스트를 노광하여 패턴을 성의한 후, 포토레지스트롤 마스크로이용하여 임의의 층을 패터닝한다.
이와 같이 사진석판술에서 이용하는 패턴 마스크는 투명 마스크 기판상에 빛을 차단할 수 있는 물질로 패터닝하고자 하는 모양을 갖는 패턴이 형성되어 있다.
그런데 종래의 패턴 마스크는 제 1a 도, 2b도와 같이 투명 마스크 기판(1)상에 패터닝 하고자하는 크기와 동일하게 패턴(2)이 형성되어 있다.
그러나, 이와 같은 종래의 패턴 마스크를 이용하여 사진석판술에 의해 반도체를 제조함에 있어서 칩 사이즈는 증가하고 있는 반면, 기존의 스테퍼 렌즈(Stepper Lens) 가공기술이 극히 제한적이므로 노광시 렌즈의 모서리 영역(Field Size)에서 기판으로 전사되는 레지스트 패턴 프로파일(Resist Pattern Profile)이 왜곡되어 모서리 영역에서는 원하는 패턴을 얻을 수 없었다.
이러한 현상으로 필드에 지최외각부위에서의 임계치수(Critcal Dimen Sion : CD)와 필드중심에서의 임계치수와의 불균일성 및 패턴형태 불균일성 등을 초래하여 소자의 전기적 기능을 저하시킬 뿐만 아니라, 소자의 고집적, 고단차 추세에 따라 칩에지에서 고단차에 의함 임계치수(C D) 차이가 발생되어 포토레지스트 패턴성의시 칩 에지 부위에서 포토레지스트 패턴이 역시 비정상적인 레지스트 프로파일 및 임계치수를 초래하게 되는 문제점이 있었다.
본 고안은 이와 같온 문제점을 해결하기 의하여 안출한 것으로써 마스크 기판위에 형성되는 패턴을 마스크기판의 중심영역으로 부터 외곽으로 갈수록 노광하고자하는 기판의 단차에 비례하여 패턴의 크기가 다르도록 패턴 마스크를 형성하여 고단차 및 스데퍼 렌즈로 부터 발생되어지는 레지스트 프로파연 및 잉계치수 저하를 방지하는 데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은 마스크 기판의 중심으로 부터 웨이퍼의 단차성도에 비례하고 실제렌즈 이메지 가능영역을 보상하여 외곽으로 갈수록 마스크 패턴 사이즈를 달리해서 제작한 패턴 마스크이다.
이와같은 본 고안의 패턴 마스크를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제 2a 도는 본 고안의 패턴 마스크 구조 평면도이고, 제 2b 도는 제 2a 도의 B-Br선상의 단면도이다. 마스크 기판(1) 에지로 부터 중심부를 지나 다른 에지에 이르는 곳까지 패턴(2) 사이즈를 단차에 의해 임계치수(C D)값이 작아지는 값만큼을 보상하여 형성한다.
즉, 레지스트 패턴 사이즈를 0.6×0.6μm로 할 경우 마스크 기판(1)에 형성될 패턴(2)을 마스크 기판(1)의중심으로 부터 웨이퍼의 단차정도에 비례해서 0.62×0. 62μm,0.64 × 0.64μm로 점점크게 형성한다.
이와 같은 본 고안의 패턴 마스크를 이용하여 노광 할 경우 실제 렌즈 이메징(Lens Imaging) 영역과 실제디바이스 필드영역과의 차이를 보이는 부의는 제작되는 레티클(Reticle)상의 패턴사이즈를 제작하면, 실제 웨이퍼상에 성의되는 레지스트 패턴프로파인 및 임계치수는 보상되어 렌즈사이즈 및 단차에 의한 효과를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 마스크 기판위에 패턴이 형성되는 패턴 마스크에 있어서,상기 패턴은 상기 마스크 기판의 중심영역으로 부터 외곽으로 갈수록 노광하고자 하는 웨이퍼의 단차에 비례하여 크기를 순차적으로 달리하는 것을 특징으로 하는 패턴 마스크 구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR92020140U KR960001367Y1 (ko) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 패턴 마스크 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR92020140U KR960001367Y1 (ko) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 패턴 마스크 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940011100U KR940011100U (ko) | 1994-05-27 |
| KR960001367Y1 true KR960001367Y1 (ko) | 1996-02-13 |
Family
ID=19342077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR92020140U KR960001367Y1 (ko) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 패턴 마스크 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960001367Y1 (ko) |
-
1992
- 1992-10-19 KR KR92020140U patent/KR960001367Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940011100U (ko) | 1994-05-27 |
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