JPS61150330A - 露光装置用照度補正板 - Google Patents
露光装置用照度補正板Info
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- JPS61150330A JPS61150330A JP59271951A JP27195184A JPS61150330A JP S61150330 A JPS61150330 A JP S61150330A JP 59271951 A JP59271951 A JP 59271951A JP 27195184 A JP27195184 A JP 27195184A JP S61150330 A JPS61150330 A JP S61150330A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体プロセスにおいて、透光性基板
上に遮光性薄膜全被着したフォトマスクブランクや、シ
リコンウェー八等の半導体基板上に酸化物被膜、導電性
被膜を被着したもの等の原[Kフォトレジストを塗布し
た後、そのフォトレジストを所定のパターンに形成する
際などに使用される露光装置の付属品として用いる照度
補正板に関する。
上に遮光性薄膜全被着したフォトマスクブランクや、シ
リコンウェー八等の半導体基板上に酸化物被膜、導電性
被膜を被着したもの等の原[Kフォトレジストを塗布し
た後、そのフォトレジストを所定のパターンに形成する
際などに使用される露光装置の付属品として用いる照度
補正板に関する。
従来この種の露光装置においては、一般にその光源と原
板との間の光路上にインチグレーターあるいはコリメー
ターレンズ等の光学系が配置され、光源のランプから発
した光はこれらの光学系によシ平行光化されて原板t−
通し、フオトレジス)1−塗布した露光対象基板に照射
される。その場合、通常は光源ランプの取シ付は場所に
位置調整用のつまみが設けられ、光軸の調整が行なえる
ようになっている。
板との間の光路上にインチグレーターあるいはコリメー
ターレンズ等の光学系が配置され、光源のランプから発
した光はこれらの光学系によシ平行光化されて原板t−
通し、フオトレジス)1−塗布した露光対象基板に照射
される。その場合、通常は光源ランプの取シ付は場所に
位置調整用のつまみが設けられ、光軸の調整が行なえる
ようになっている。
しかしながら、上述したようなインチグレーター−?コ
リメーターレンズ等は特にその装置専用に作られるもの
でもなく、例えば各装置ととt/c特有の微妙な照度分
布のむらがある場合忙これを均一にしたり、あるいはそ
の傾向をさら忙強調したりする調整機能はもちあわせて
いない。
リメーターレンズ等は特にその装置専用に作られるもの
でもなく、例えば各装置ととt/c特有の微妙な照度分
布のむらがある場合忙これを均一にしたり、あるいはそ
の傾向をさら忙強調したりする調整機能はもちあわせて
いない。
このような問題点を解決するため罠、本発明の露光装置
用照度補正板は、選択的に遮光部を有する透光性基板を
光源と露光対象基板間の光路上に配置するようにしたも
ので、上記遮光部は、上記透光性基板の主面上に、当該
補正板がない時の露光対象基板の主面上における照度分
布に正または負の相関を有する密度をもって分布させた
ものである。
用照度補正板は、選択的に遮光部を有する透光性基板を
光源と露光対象基板間の光路上に配置するようにしたも
ので、上記遮光部は、上記透光性基板の主面上に、当該
補正板がない時の露光対象基板の主面上における照度分
布に正または負の相関を有する密度をもって分布させた
ものである。
照度分布に対し正の相関を有する密度で遮光部を分布さ
せれば、照度分布のむらを相殺することができるし、負
の相関を有する密度で分布させた場合には、照度分布の
不均一をさらに強調させることができる。
せれば、照度分布のむらを相殺することができるし、負
の相関を有する密度で分布させた場合には、照度分布の
不均一をさらに強調させることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置の構成図であ
る。同図において、1は例えば超高圧水銀灯やXe −
Hg灯などの紫外線または遠紫外線を発する光源ランプ
、2は例えばMgF、をコーティングした集光ミラー、
3は赤外域や可視域の元を透過させ紫外域の光を反射さ
せるコールドミラーである。ここで反射された光は小さ
な凸レンズの集合板であるインチグレーター4を通って
平行光化された後、凹面鏡からなるコリメーターレンズ
5で反射されてさらに平行光化され、反射ミラー6によ
って反射されてフォトマスク等の原板1t−通過し、7
オトレジス)1−塗布した露光対象基板である材料基板
8の主面圧到達する。この時、原板Tの直前に照度補正
板9が配置してあり、平行光化された光はこの補正板9
でその照度分布を調整されて原板8に入射する。
る。同図において、1は例えば超高圧水銀灯やXe −
Hg灯などの紫外線または遠紫外線を発する光源ランプ
、2は例えばMgF、をコーティングした集光ミラー、
3は赤外域や可視域の元を透過させ紫外域の光を反射さ
せるコールドミラーである。ここで反射された光は小さ
な凸レンズの集合板であるインチグレーター4を通って
平行光化された後、凹面鏡からなるコリメーターレンズ
5で反射されてさらに平行光化され、反射ミラー6によ
って反射されてフォトマスク等の原板1t−通過し、7
オトレジス)1−塗布した露光対象基板である材料基板
8の主面圧到達する。この時、原板Tの直前に照度補正
板9が配置してあり、平行光化された光はこの補正板9
でその照度分布を調整されて原板8に入射する。
ここで、照度補正板9は、第2図(&)に示すような矩
形板状で、同図価)に示すように紫外線の透過率が高い
石英からなるガラス基板91上にクロムM92からなる
遮光部を選択的く形成したものであるが、このクロム膜
92鉱、第3図(&)にA部分、同図(b)にB部分、
同図(c)KC部分の平面図を示したように1中心部が
密に1周辺部はど粗に形成しである。本実施例は、例え
ば当該補正板9に入射する元の照度分布が第4図に示す
よう罠中心部が高く周辺部はど低い場合に1これを補正
して均一にするために配置したもので、その透過率は第
5図に示すように照度分布く対し負の相関をもった分布
となるため、原板Tに入射する光は第6図に示すように
照度のばらつきが除去されて均一な分布を有するものと
なる。
形板状で、同図価)に示すように紫外線の透過率が高い
石英からなるガラス基板91上にクロムM92からなる
遮光部を選択的く形成したものであるが、このクロム膜
92鉱、第3図(&)にA部分、同図(b)にB部分、
同図(c)KC部分の平面図を示したように1中心部が
密に1周辺部はど粗に形成しである。本実施例は、例え
ば当該補正板9に入射する元の照度分布が第4図に示す
よう罠中心部が高く周辺部はど低い場合に1これを補正
して均一にするために配置したもので、その透過率は第
5図に示すように照度分布く対し負の相関をもった分布
となるため、原板Tに入射する光は第6図に示すように
照度のばらつきが除去されて均一な分布を有するものと
なる。
このような照度補正板9は、写真製版に用いる網点スク
リーンと同様のもので、網目スクリーンの一種であるコ
ンタクトスクリーンを用いて、次のようにして製造する
ことができる。
リーンと同様のもので、網目スクリーンの一種であるコ
ンタクトスクリーンを用いて、次のようにして製造する
ことができる。
コンタクトスクリーンは、第7図に示したように軟質フ
ィルム上に形成した2次元の各格子状に、同一の光学濃
度分布をもった網点を配列したものであシ、任意の隣接
格子の■−■断面に沿った製置分布を第8図に破線で示
したように1格子の交点で最大で周辺にいくにつれて連
続的に低下していく光学濃度分布を有し、同図中に実線
で示したように透過率が各ます目の中心で最大、周辺に
いくにつれて連続的に低下していく構造となっているた
め、光の強さによって、各ます目における透過面積が異
なシ、これを用いることくよシ光の照度を透過面積に変
換することができる。格子の本数は、通常1インチ当た
シ85〜200本である。
ィルム上に形成した2次元の各格子状に、同一の光学濃
度分布をもった網点を配列したものであシ、任意の隣接
格子の■−■断面に沿った製置分布を第8図に破線で示
したように1格子の交点で最大で周辺にいくにつれて連
続的に低下していく光学濃度分布を有し、同図中に実線
で示したように透過率が各ます目の中心で最大、周辺に
いくにつれて連続的に低下していく構造となっているた
め、光の強さによって、各ます目における透過面積が異
なシ、これを用いることくよシ光の照度を透過面積に変
換することができる。格子の本数は、通常1インチ当た
シ85〜200本である。
85本の場合で格子の間隔は約0.3 gmとなる。こ
の間隔は小さい方が照度分布を忠実に写しとることがで
きることはいうまでもないが適宜選択する。
の間隔は小さい方が照度分布を忠実に写しとることがで
きることはいうまでもないが適宜選択する。
なお、軟質フィルムの代、94Cガラス基板を用いても
よい。
よい。
そこで、例えばjI9図に示したように1ガラス基板9
1の主面iCJ光性薄膜としてクロム膜92を全面に被
着したマスクブランク上にさらにネガタイプのフォトレ
ジスト93(例えば東京応化工業のOMR−83)を塗
布した上に、このコンタクトスクリーン10t−重ね、
石英ガラスからなるダ′ミーガラス94で押えて第1図
の補正板9の位置に配置し、露光を行なう(第9図(a
))。本実施例の露光は、中心部はど照度が高いために
、コンタクトスクリーン10の各ます目ごとの透過面積
は中心部はど大きくなシ、このようKして露光したブラ
ンクを現像、エツチングした後(第9図缶))、不要と
なったレジスト93を剥離することにより、第2図およ
び第3図に示したようなガラス基板91上にクロム膜9
2による網点が形成された補正板9ができあがる。
1の主面iCJ光性薄膜としてクロム膜92を全面に被
着したマスクブランク上にさらにネガタイプのフォトレ
ジスト93(例えば東京応化工業のOMR−83)を塗
布した上に、このコンタクトスクリーン10t−重ね、
石英ガラスからなるダ′ミーガラス94で押えて第1図
の補正板9の位置に配置し、露光を行なう(第9図(a
))。本実施例の露光は、中心部はど照度が高いために
、コンタクトスクリーン10の各ます目ごとの透過面積
は中心部はど大きくなシ、このようKして露光したブラ
ンクを現像、エツチングした後(第9図缶))、不要と
なったレジスト93を剥離することにより、第2図およ
び第3図に示したようなガラス基板91上にクロム膜9
2による網点が形成された補正板9ができあがる。
第1図において、原板Tは、例えば第10図に示すよう
に透光性ガラス基板T1に所望パターンのクロム膜T2
を形成した吃のであシ、材料基板8は例えば透光性ガラ
ス基板81にクロム膜82を全面に被着しその上にフォ
トレジスト83を塗布したものであシ、原板Tの透光部
を透過した光によシアオドレジスト83が露光され、現
像、エツチングによシネガタイブのレジストであれば感
光した部分のみが残されて、クロム膜T2のパターンが
クロム膜82に反転して転写され、一方ボシタイブのレ
ジストであれば感光した部分が除去されるためクロム膜
T2のパターンがクロム膜82にそのまま転写される。
に透光性ガラス基板T1に所望パターンのクロム膜T2
を形成した吃のであシ、材料基板8は例えば透光性ガラ
ス基板81にクロム膜82を全面に被着しその上にフォ
トレジスト83を塗布したものであシ、原板Tの透光部
を透過した光によシアオドレジスト83が露光され、現
像、エツチングによシネガタイブのレジストであれば感
光した部分のみが残されて、クロム膜T2のパターンが
クロム膜82に反転して転写され、一方ボシタイブのレ
ジストであれば感光した部分が除去されるためクロム膜
T2のパターンがクロム膜82にそのまま転写される。
この時、実際には、原板Tの透光部を透過しfc光は図
示のようにR元部の方まで回り込むが、図中AおよびF
の位置で臨界照度となシ、それよシ内側では臨界照度以
下となるように設計しておけば、A〜Fの位置では光が
照射されても感光せず、したがってクロム膜γ2のパタ
ーンを忠実に再現できる。
示のようにR元部の方まで回り込むが、図中AおよびF
の位置で臨界照度となシ、それよシ内側では臨界照度以
下となるように設計しておけば、A〜Fの位置では光が
照射されても感光せず、したがってクロム膜γ2のパタ
ーンを忠実に再現できる。
ところが、前述したようにたまたま光学系等の影響で照
度にばらつきが生じた場合、照度が上述した設計値よシ
高い部分では、例えば上記BやEでも臨界照度以上とな
って感光し、ポジタイプのレジストを用いた場合であれ
ばその部分でパターンの線幅が設計値よシ小さく、逆に
ネガタイプのレジストt−用いた場合であれば大きくな
って、線幅にばらつきを生じる。
度にばらつきが生じた場合、照度が上述した設計値よシ
高い部分では、例えば上記BやEでも臨界照度以上とな
って感光し、ポジタイプのレジストを用いた場合であれ
ばその部分でパターンの線幅が設計値よシ小さく、逆に
ネガタイプのレジストt−用いた場合であれば大きくな
って、線幅にばらつきを生じる。
これに対し、予め前述した方法で炸裂した補正板9を挿
入することによシ、照度分布の不均一は解消され、した
がって線幅のばらつきを抑えることができる。
入することによシ、照度分布の不均一は解消され、した
がって線幅のばらつきを抑えることができる。
逆に、中心部の照度が低い場合には、ポジタイプのレジ
ス)1−用いる場合には中心部で線幅が大きく、ネガタ
イプのレジストを用いる場合には小さくなる事態が生じ
るが、これを均一にするためKは、ポジタイプの7オト
レジスト(例えばヘキスト社のMP−1350)を用い
て前述したと同様の工程により、中心部に粗、周辺部に
密のクロム膜92が被着した補正板9t−作り、これを
介在させればよい。
ス)1−用いる場合には中心部で線幅が大きく、ネガタ
イプのレジストを用いる場合には小さくなる事態が生じ
るが、これを均一にするためKは、ポジタイプの7オト
レジスト(例えばヘキスト社のMP−1350)を用い
て前述したと同様の工程により、中心部に粗、周辺部に
密のクロム膜92が被着した補正板9t−作り、これを
介在させればよい。
ところで、余ル高い解偉度を必要とせず投影露光方式を
とる場合や、密着露光方式でも原板7と材料基板8とを
ほぼ完全に密着させることによシ、両者の平行・平面度
を保つ良状態で露光する場合には、線幅がばらつく場合
として主として照度分布の不均一のみ考慮すればよいが
、照度分布が均一であっても線幅のばらつきが生じる場
合がある。
とる場合や、密着露光方式でも原板7と材料基板8とを
ほぼ完全に密着させることによシ、両者の平行・平面度
を保つ良状態で露光する場合には、線幅がばらつく場合
として主として照度分布の不均一のみ考慮すればよいが
、照度分布が均一であっても線幅のばらつきが生じる場
合がある。
すなわち、密着露光方式でポジタイプの7オトレジス)
1−使用する場合、露光によシレジストの感光成分であ
る例えばキノンジアジドが分解してN2ガスを発生し、
その圧力で原板7および材料基板8の少なくとも一方が
例えば第11図に示すように彎曲する場合がある。この
ような場合には、原板7と材料基板8との間の距離が、
中央部で大きく周辺部はど小さくなる。このため、照度
分布が均一であっても、回折による回シ込み量との関係
で、材料基板8上での照度分布は必ずしも均一にはなら
ず、原板7との距臨が大きい中心部はど、線幅が大きく
なる。このような場合には、むしろ、照度分布を積極的
に不均一にするような、つまシ、中心部の照度を周辺部
に比較して高くシ、それによる線幅縮小の効果によシ上
述した彎曲による線幅拡大の効果が相殺されるようKす
る必要があるが、この場合、照度分布は均一であるため
、前述したような単純に照度分布の不均一を利用した方
法によシ補正板を作ることはできない。
1−使用する場合、露光によシレジストの感光成分であ
る例えばキノンジアジドが分解してN2ガスを発生し、
その圧力で原板7および材料基板8の少なくとも一方が
例えば第11図に示すように彎曲する場合がある。この
ような場合には、原板7と材料基板8との間の距離が、
中央部で大きく周辺部はど小さくなる。このため、照度
分布が均一であっても、回折による回シ込み量との関係
で、材料基板8上での照度分布は必ずしも均一にはなら
ず、原板7との距臨が大きい中心部はど、線幅が大きく
なる。このような場合には、むしろ、照度分布を積極的
に不均一にするような、つまシ、中心部の照度を周辺部
に比較して高くシ、それによる線幅縮小の効果によシ上
述した彎曲による線幅拡大の効果が相殺されるようKす
る必要があるが、この場合、照度分布は均一であるため
、前述したような単純に照度分布の不均一を利用した方
法によシ補正板を作ることはできない。
さらに、露光後の現像やエツチング工程において、例え
ば材料基板8をスピンナーで回転させながら現像液やエ
ツチング液をスプレーするような場合など、中心部はど
現像やエツチングが進行する結果、やはり、線幅が中心
部で大きく周辺部はど小さくなるかまたは逆の分布とな
ることが生ずる。この場合も、最終的に均一な線幅を得
るためには、積極的に照度分布を不均一にする必要が生
ずる。
ば材料基板8をスピンナーで回転させながら現像液やエ
ツチング液をスプレーするような場合など、中心部はど
現像やエツチングが進行する結果、やはり、線幅が中心
部で大きく周辺部はど小さくなるかまたは逆の分布とな
ることが生ずる。この場合も、最終的に均一な線幅を得
るためには、積極的に照度分布を不均一にする必要が生
ずる。
以上をまとめると、補正を必要とする場合には1、中心
部の照度を周辺部に比べて低く修正したい場合、つまり
ポジタイプのレジスト工程において中心部のクロム膜線
幅が小さくなってしまいこれを修正したいような場合と
、 n、中心部の照度を周辺部に比べて高く修正したい場合
、つまりポジタイプのレジスト工程において中心部のク
ロム膜線幅が大きくなってしまいこれを修正したいよう
な場合 とがあり、さらにそれぞれに、 ■ 照度は均一な場合、 ■ 中心部の照度が高い場合 ■ 中心部の照度が低い場合 がある。
部の照度を周辺部に比べて低く修正したい場合、つまり
ポジタイプのレジスト工程において中心部のクロム膜線
幅が小さくなってしまいこれを修正したいような場合と
、 n、中心部の照度を周辺部に比べて高く修正したい場合
、つまりポジタイプのレジスト工程において中心部のク
ロム膜線幅が大きくなってしまいこれを修正したいよう
な場合 とがあり、さらにそれぞれに、 ■ 照度は均一な場合、 ■ 中心部の照度が高い場合 ■ 中心部の照度が低い場合 がある。
そして、上記1−■の場合であれば、補正板は、前述し
たようなポジタイプのレジストを用いた密着露光におけ
るガスによる彎曲現象を逆に利用して作成することがで
きる。つまシ、例えば第12図に示すように透光性のガ
ラス基板81Aの主面にクロムKN 92A @被着し
、ポジタイプのレジスト93P k塗布したブランクと
コンタクトスクリーン10とを、後者を光源側圧して光
路上に配置し、露光した後、現偉およびエツチングを行
なうことにより中心部のクロム膜92Aの面積の大きい
補正板9Aが形成できる。
たようなポジタイプのレジストを用いた密着露光におけ
るガスによる彎曲現象を逆に利用して作成することがで
きる。つまシ、例えば第12図に示すように透光性のガ
ラス基板81Aの主面にクロムKN 92A @被着し
、ポジタイプのレジスト93P k塗布したブランクと
コンタクトスクリーン10とを、後者を光源側圧して光
路上に配置し、露光した後、現偉およびエツチングを行
なうことにより中心部のクロム膜92Aの面積の大きい
補正板9Aが形成できる。
夏−■の場合は、第13図に示すように、ネガタイプの
レジス)93N’を塗布したブランクスを用い、中心部
のクロム膜92Aの面積が大きい補正板9Aが得られる
。
レジス)93N’を塗布したブランクスを用い、中心部
のクロム膜92Aの面積が大きい補正板9Aが得られる
。
これに対し、■−■の場合は、第14図に示すようにポ
ジタイプのレジスト93P を塗布したブランクスを用
いると七によシ同様の補正板9Aを得ることができる。
ジタイプのレジスト93P を塗布したブランクスを用
いると七によシ同様の補正板9Aを得ることができる。
一方、l−〇の場合は、上記I−■〜■で作った補正板
のパターンを反転させる。つt#)、第15図に示すよ
うに、透光性のガラス基板91Bの主面にクロム419
2B t−被着し、ネガタイプのレジスト93Nk塗布
したブランクスと上記補正板9Aとを、後者を光源側に
して光路上に配置し露光することKよシ、中心部のクロ
ム膜92Bの面積が小さい補正板9Bが形成できる。前
述したように、ポジタイプのレジスト工程において、照
度分布が均一であるにもかかわらずガスによる彎曲によ
って線幅のばらつきが生ずる場合には、前記I−■の方
法で同様のばらつきをもった網点スクリーンを形成し、
それを上述した方法で反転させることによシ、目的の補
正板が形成できる。
のパターンを反転させる。つt#)、第15図に示すよ
うに、透光性のガラス基板91Bの主面にクロム419
2B t−被着し、ネガタイプのレジスト93Nk塗布
したブランクスと上記補正板9Aとを、後者を光源側に
して光路上に配置し露光することKよシ、中心部のクロ
ム膜92Bの面積が小さい補正板9Bが形成できる。前
述したように、ポジタイプのレジスト工程において、照
度分布が均一であるにもかかわらずガスによる彎曲によ
って線幅のばらつきが生ずる場合には、前記I−■の方
法で同様のばらつきをもった網点スクリーンを形成し、
それを上述した方法で反転させることによシ、目的の補
正板が形成できる。
またl−■の場合は、第16図に示すようにポジタイプ
のレジス)93Pe用いて前記I−■の場合と同様に、
同じく…−■の場合は第17図に示すように、ネガタイ
プのレジス)93N’を用いて■−■の場合と同様にし
て、中心部のクロム膜92Bの面積が小さい補正板9B
を得ることができる。
のレジス)93Pe用いて前記I−■の場合と同様に、
同じく…−■の場合は第17図に示すように、ネガタイ
プのレジス)93N’を用いて■−■の場合と同様にし
て、中心部のクロム膜92Bの面積が小さい補正板9B
を得ることができる。
なお、ポジタイプのレジストとしては、上述したMP−
1350(ヘキスト社)の他にも、例えばKo−dak
posi 809 (コダック社)、0FPR(東京応
化工業)などを用いてもよい。同様にネガタイプのレジ
ストについても、上述したOMR−83(東京応化工業
)の他に、KMR−747(コダック社)、セレクテイ
ラツクスーN(EMケミカル社)その他を用いることが
できる。また、遮光部の材料としては、上述したクロム
の他にも、ニッケル、アルミニウム、チタン、鉄、コバ
ルト、ジルコニウム、ゲルマニウム、タンタル、モリブ
デンなどが好ましく、さらに種々の合金、例えばニクロ
ム。
1350(ヘキスト社)の他にも、例えばKo−dak
posi 809 (コダック社)、0FPR(東京応
化工業)などを用いてもよい。同様にネガタイプのレジ
ストについても、上述したOMR−83(東京応化工業
)の他に、KMR−747(コダック社)、セレクテイ
ラツクスーN(EMケミカル社)その他を用いることが
できる。また、遮光部の材料としては、上述したクロム
の他にも、ニッケル、アルミニウム、チタン、鉄、コバ
ルト、ジルコニウム、ゲルマニウム、タンタル、モリブ
デンなどが好ましく、さらに種々の合金、例えばニクロ
ム。
クロムサーメット、ニッケルシリコン、ステンレス、チ
タンシリコンなども使用できる。また、これらの酸化物
、窒化物、炭化物な1ども使用できる。
タンシリコンなども使用できる。また、これらの酸化物
、窒化物、炭化物な1ども使用できる。
このようにして得喪各タイプの補正板を第1図に示した
ように光路上に挿入することくよシ、補正前の露光装置
本来の照度分布との組合せにより、種々の補正もしくは
調整照度分布が得られる。第18図ないし第20図にこ
れを示す。各図とも(4)は補正前の照度分布で、第1
8図(4)の(a−■)が照度が均一な場合、第19図
(4)の(a−■)が中心部の照度が高い場合、第20
図(4)の(a−■)が中心の照度が低い場合の照度分
布を示す。また各図(B) 、 @、 CF”)は補正
板の透過率分布で、各図(B)の(b−1)は中心部の
透過率が低い、すなわち前述したタイプIの補正板、各
図(6)の(b−1)は中心の透過率が高い、すなわち
タイプ1の補正板、各図(巧の(b−1)は中心部の透
過率が(b−1)よシも低い、新たなタイプ1の補正板
、さらに(b−ff)は中心部の透過率が(ト」)よシ
も高い、新たなタイプ■の補正板の透過率分布を示す。
ように光路上に挿入することくよシ、補正前の露光装置
本来の照度分布との組合せにより、種々の補正もしくは
調整照度分布が得られる。第18図ないし第20図にこ
れを示す。各図とも(4)は補正前の照度分布で、第1
8図(4)の(a−■)が照度が均一な場合、第19図
(4)の(a−■)が中心部の照度が高い場合、第20
図(4)の(a−■)が中心の照度が低い場合の照度分
布を示す。また各図(B) 、 @、 CF”)は補正
板の透過率分布で、各図(B)の(b−1)は中心部の
透過率が低い、すなわち前述したタイプIの補正板、各
図(6)の(b−1)は中心の透過率が高い、すなわち
タイプ1の補正板、各図(巧の(b−1)は中心部の透
過率が(b−1)よシも低い、新たなタイプ1の補正板
、さらに(b−ff)は中心部の透過率が(ト」)よシ
も高い、新たなタイプ■の補正板の透過率分布を示す。
そして各図(C) 、 (E) 、 (G)は補正後の
照度分布で、各図(C)の(c−1)が(b−1)の補
正板を用いた場合、各図(ト)の(c−1)が(b−u
)の補正板を用いた場合、各図(G)の(c−1)が(
b−1)の補正板を用いた場合、さらに(c−■)が(
b−ff)の補正板を用いた場合の照度分布を示す。
照度分布で、各図(C)の(c−1)が(b−1)の補
正板を用いた場合、各図(ト)の(c−1)が(b−u
)の補正板を用いた場合、各図(G)の(c−1)が(
b−1)の補正板を用いた場合、さらに(c−■)が(
b−ff)の補正板を用いた場合の照度分布を示す。
なお、先に現像やエツチングプロセスによっても線幅に
ばらつきが生ずると述べた。また照度は同じでも露光時
間によって、現実に感光に寄与する露光光量は異なって
くる。このことは、逆に、これらを調整することによっ
て最終的な線幅に合わせることも可能であることを意味
する。例えば、中心部の照度を高くするために、第21
図に示すように中心部が高い透過率分布を有する補正板
を用いる場合でも、その透過率の変化幅を同図(a)の
B、 とするか、あるいは同図(b)のB2とするか
は、上述した露光時間または現像時間、エツチング時間
等との組合せで適宜選定することが可能である。
ばらつきが生ずると述べた。また照度は同じでも露光時
間によって、現実に感光に寄与する露光光量は異なって
くる。このことは、逆に、これらを調整することによっ
て最終的な線幅に合わせることも可能であることを意味
する。例えば、中心部の照度を高くするために、第21
図に示すように中心部が高い透過率分布を有する補正板
を用いる場合でも、その透過率の変化幅を同図(a)の
B、 とするか、あるいは同図(b)のB2とするか
は、上述した露光時間または現像時間、エツチング時間
等との組合せで適宜選定することが可能である。
また、第1図の例では、補正板9は原板Tの直前に配置
した。これは、l!!jVにこに限られるものではなく
、光源ランプ1から原板γに至る光路上のどこに挿入し
てもよいが、光学系に照度を不均一にする要因がある場
合には、それらの影響がすべて表われた原板7の直前で
補正することが最も効果的であるためである。
した。これは、l!!jVにこに限られるものではなく
、光源ランプ1から原板γに至る光路上のどこに挿入し
てもよいが、光学系に照度を不均一にする要因がある場
合には、それらの影響がすべて表われた原板7の直前で
補正することが最も効果的であるためである。
また、第1図には原板Tおよび材料基板8をそれぞれ水
平方向に配置し、これに垂直方向から元を照射する場合
を図示したが、原板Tおよび材料基板8を垂直方向に配
置し、水平方向から光を照射する構造の露光装置にも全
く同様に適用できる。
平方向に配置し、これに垂直方向から元を照射する場合
を図示したが、原板Tおよび材料基板8を垂直方向に配
置し、水平方向から光を照射する構造の露光装置にも全
く同様に適用できる。
以上説明したように1本発明によれば、透光性基板の主
面に当該補正板がない時の露光対象基板の主面上におけ
る照度分布に相関する密度で遮光部を分布させた照度補
正板を配置するようにしたことによシ、尚該露光装置に
固有の照度分布の不均一を解消したシ、あるいは特定の
目的に応じて適当な分布に調整したシすることができる
。
面に当該補正板がない時の露光対象基板の主面上におけ
る照度分布に相関する密度で遮光部を分布させた照度補
正板を配置するようにしたことによシ、尚該露光装置に
固有の照度分布の不均一を解消したシ、あるいは特定の
目的に応じて適当な分布に調整したシすることができる
。
第1図は本発明の一実施例を使用した露光装置の構成図
、第2図(a)は本発明の一実施例を示す照度補正板の
平面図、同図(b)はそのb−b断面図、第3図は第2
図(a)の詳細図、第4図は補正前の照度分布の一例を
示す図、第5図は補正板の透過率分布の一例を示す図、
第6図は補正後の照度分布の一例を示す図、第7図はコ
ンタクトスクリーンの構成例を示す平面図、第8図はそ
の透過率分布を示す図、第9図は補正板の製造方法の一
例を示す工程断面図、第10図および第11図はパター
ン転写の原理を説明するための図、第12図ないし第1
7図はそれぞれ補正板の製造方法の一例を説明するため
の断面図、第18図ないし第20図は補正板の効果を示
す図、第21図は補正板の透過率分布の設計方法を説明
するための図である。 1・・・・光源ランプ、1・・・・原板、8・・Φ・材
料基板、9,9A、9B ・・・・照度補正板、10e
・・・コンタクトスクリーン、71゜81.91・・・
・透光性ガラス基板、72 、82 。 92・・・・クロム膜、83.93−−−−フォトレジ
スト、93N・・・・ネガタイプのフォトレジスト、9
3P・・・・ボジタイグのフォトレジスト。
、第2図(a)は本発明の一実施例を示す照度補正板の
平面図、同図(b)はそのb−b断面図、第3図は第2
図(a)の詳細図、第4図は補正前の照度分布の一例を
示す図、第5図は補正板の透過率分布の一例を示す図、
第6図は補正後の照度分布の一例を示す図、第7図はコ
ンタクトスクリーンの構成例を示す平面図、第8図はそ
の透過率分布を示す図、第9図は補正板の製造方法の一
例を示す工程断面図、第10図および第11図はパター
ン転写の原理を説明するための図、第12図ないし第1
7図はそれぞれ補正板の製造方法の一例を説明するため
の断面図、第18図ないし第20図は補正板の効果を示
す図、第21図は補正板の透過率分布の設計方法を説明
するための図である。 1・・・・光源ランプ、1・・・・原板、8・・Φ・材
料基板、9,9A、9B ・・・・照度補正板、10e
・・・コンタクトスクリーン、71゜81.91・・・
・透光性ガラス基板、72 、82 。 92・・・・クロム膜、83.93−−−−フォトレジ
スト、93N・・・・ネガタイプのフォトレジスト、9
3P・・・・ボジタイグのフォトレジスト。
Claims (1)
- 光源およびこの光源から発した光を露光対象基板に照射
させる光学系を備えた露光装置において、上記光源と露
光対象基板との間の光路上に配設される主面上に選択的
に遮光部を有する透光性基板からなり、当該遮光部は、
上記光源からの光の上記露光対象基板主面上における照
度分布に正または負の相関を有する密度分布をもつこと
を特徴とする露光装置用照度補正板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59271951A JPS61150330A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 露光装置用照度補正板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59271951A JPS61150330A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 露光装置用照度補正板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61150330A true JPS61150330A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17507083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59271951A Pending JPS61150330A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 露光装置用照度補正板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61150330A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252021A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 投影露光方法および装置 |
JPH06283404A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Nec Corp | 縮小投影露光装置用のアパーチャ |
WO2000011706A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Nikon Corporation | Illuminateur et appareil d'exposition a la projection |
KR100852504B1 (ko) | 2007-03-02 | 2008-08-18 | 삼성전기주식회사 | 노광장치 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP59271951A patent/JPS61150330A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252021A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 投影露光方法および装置 |
JPH06283404A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Nec Corp | 縮小投影露光装置用のアパーチャ |
WO2000011706A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Nikon Corporation | Illuminateur et appareil d'exposition a la projection |
KR100852504B1 (ko) | 2007-03-02 | 2008-08-18 | 삼성전기주식회사 | 노광장치 |
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