JPH05346503A - ゾーンプレートの製造方法 - Google Patents
ゾーンプレートの製造方法Info
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- JPH05346503A JPH05346503A JP4155328A JP15532892A JPH05346503A JP H05346503 A JPH05346503 A JP H05346503A JP 4155328 A JP4155328 A JP 4155328A JP 15532892 A JP15532892 A JP 15532892A JP H05346503 A JPH05346503 A JP H05346503A
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- mask
- ion beam
- zone
- pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高分解能のゾーンプレートを安定かつ大量に
製造することを可能にする。 【構成】 透過部２３および非透過部２２がそれぞれ所
定のパターンに形成されたマスク２０を照明し、このマ
スク２０からの透過光２５を用いてゾーンプレート２６
を製造する方法において、非透過部２２を挾む各透過部
２３からそれぞれ透過する透過光２５の間に位相差を生
じさせる位相シフト手段２４を設けた。
製造することを可能にする。 【構成】 透過部２３および非透過部２２がそれぞれ所
定のパターンに形成されたマスク２０を照明し、このマ
スク２０からの透過光２５を用いてゾーンプレート２６
を製造する方法において、非透過部２２を挾む各透過部
２３からそれぞれ透過する透過光２５の間に位相差を生
じさせる位相シフト手段２４を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゾーンプレートの輪帯
に対応するパターンが形成されたマスクを用いてゾーン
プレートを製造する方法に関し、特に、輪帯の線幅の微
細化が可能なものである。
に対応するパターンが形成されたマスクを用いてゾーン
プレートを製造する方法に関し、特に、輪帯の線幅の微
細化が可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】ゾーンプレートとは、図５に示すよう
に、透明なガラス板またはフィルムに、半径が中心から
数えた番号の平方根に比例する多数の同心円を描き、こ
れらが作る輪帯を交互に透明、不透明にした光学素子で
あり、単色光に対して正、または負の焦点距離を有する
結像素子として働く。
に、透明なガラス板またはフィルムに、半径が中心から
数えた番号の平方根に比例する多数の同心円を描き、こ
れらが作る輪帯を交互に透明、不透明にした光学素子で
あり、単色光に対して正、または負の焦点距離を有する
結像素子として働く。
【０００３】図５に示すようなゾーンプレートを製造す
る方法としては、従来、フォトリソグラフィ、微細加工
技術を用いて描画、転写加工する方法や、細線の回りに
多層膜を形成した後、細線の軸に対して垂直に切断する
積層法などがあった。中でも、フォトリソグラフィを用
いた方法は、ゾーンプレートの大量生産に適した方法で
ある。
る方法としては、従来、フォトリソグラフィ、微細加工
技術を用いて描画、転写加工する方法や、細線の回りに
多層膜を形成した後、細線の軸に対して垂直に切断する
積層法などがあった。中でも、フォトリソグラフィを用
いた方法は、ゾーンプレートの大量生産に適した方法で
ある。
【０００４】フォトリソグラフィを用いたゾーンプレー
ト製造方法としては、従来、ゾーンプレートに対応する
パターンが描かれた縮小原画（マスク）を用いて露光を
行う縮小露光法、電子ビームを用いて直接描画する電子
ビーム法、ホログラフィを用いて露光を行うホログラフ
ィ法などがあった。中でも、縮小露光法は、大口径のゾ
ーンプレートの露光が容易であり、ゾーンプレートを安
定かつ大量に生産できる、という利点がある。
ト製造方法としては、従来、ゾーンプレートに対応する
パターンが描かれた縮小原画（マスク）を用いて露光を
行う縮小露光法、電子ビームを用いて直接描画する電子
ビーム法、ホログラフィを用いて露光を行うホログラフ
ィ法などがあった。中でも、縮小露光法は、大口径のゾ
ーンプレートの露光が容易であり、ゾーンプレートを安
定かつ大量に生産できる、という利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の縮小露光法にあっては、縮小原画たるマスクに
より所定パターンを露光してゾーンプレートを製造して
いるので、その解像度、すなわち最小輪帯線幅は光源の
波長に依存し、これを越えることはできない。一例とし
て、半導体集積回路に用いられているＫｒＦレーザー
（波長λ＝248ｎｍ）を光源として用いた場合、レジス
トの膜厚を〜0.3μｍとすれば0.25μｍ以下の線幅の輪
帯を有するゾーンプレートを製造することは不可能に近
い。ゾーンプレートの最小輪帯線幅はそのゾーンプレー
トの集光効率、拡大率を決める要因となるとともに、最
小輪帯線幅、すなわち最外周輪帯幅はゾーンプレートそ
のものの最小分解能にほぼ等しく、この線幅がゾーンプ
レートの解像限界を定めるパラメータとなる。この場
合、光源の波長λを短くすればその分線幅を縮小するこ
とが可能であるが、ＫｒＦレーザーより短波長な光を用
いたフォトリソグラフィ技術は未だ十分に確立されてい
ない。したがって、この縮小露光法によっては、高分解
能を有するゾーンプレートを大量に生産することが困難
であった。
た従来の縮小露光法にあっては、縮小原画たるマスクに
より所定パターンを露光してゾーンプレートを製造して
いるので、その解像度、すなわち最小輪帯線幅は光源の
波長に依存し、これを越えることはできない。一例とし
て、半導体集積回路に用いられているＫｒＦレーザー
（波長λ＝248ｎｍ）を光源として用いた場合、レジス
トの膜厚を〜0.3μｍとすれば0.25μｍ以下の線幅の輪
帯を有するゾーンプレートを製造することは不可能に近
い。ゾーンプレートの最小輪帯線幅はそのゾーンプレー
トの集光効率、拡大率を決める要因となるとともに、最
小輪帯線幅、すなわち最外周輪帯幅はゾーンプレートそ
のものの最小分解能にほぼ等しく、この線幅がゾーンプ
レートの解像限界を定めるパラメータとなる。この場
合、光源の波長λを短くすればその分線幅を縮小するこ
とが可能であるが、ＫｒＦレーザーより短波長な光を用
いたフォトリソグラフィ技術は未だ十分に確立されてい
ない。したがって、この縮小露光法によっては、高分解
能を有するゾーンプレートを大量に生産することが困難
であった。
【０００６】本発明の目的は、高分解能のゾーンプレー
トを安定かつ大量に製造することの可能なゾーンプレー
トの製造方法を提供することにある。
トを安定かつ大量に製造することの可能なゾーンプレー
トの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１およ
び図３に対応付けて説明すると、本発明は、透過部２３
および非透過部２２がそれぞれ所定のパターンに形成さ
れたマスク２０を照明し、このマスク２０からの透過光
２５を用いてゾーンプレート２６を製造する方法に適用
される。そして、上述の目的は、前記非透過部２２を挾
む各透過部２３からそれぞれ透過する前記透過光２５の
間に位相差を生じさせる位相シフト手段２４を設けるこ
とにより達成される。なお、本明細書において、「光」
とは可視領域の光線のみならず、赤外域、紫外域、およ
びＸ線領域などマスクを用いた露光工程に使用され得る
全ての電磁波を含むものである。
び図３に対応付けて説明すると、本発明は、透過部２３
および非透過部２２がそれぞれ所定のパターンに形成さ
れたマスク２０を照明し、このマスク２０からの透過光
２５を用いてゾーンプレート２６を製造する方法に適用
される。そして、上述の目的は、前記非透過部２２を挾
む各透過部２３からそれぞれ透過する前記透過光２５の
間に位相差を生じさせる位相シフト手段２４を設けるこ
とにより達成される。なお、本明細書において、「光」
とは可視領域の光線のみならず、赤外域、紫外域、およ
びＸ線領域などマスクを用いた露光工程に使用され得る
全ての電磁波を含むものである。
【０００８】
【作用】位相シフト手段２４が設けられていない場合、
マスク２０の各透過部２３からの透過光２５はそれぞれ
同位相で伝播し、ゾーンプレート形成部に至る。したが
って、隣り合う各透過部２３からの透過光２５は相互の
振幅を互いに強め合うように合成されるので、非透過部
２２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくするこ
とができない。このため、透過部２３間、あるいは非透
過部２２間の距離がレイリー（Rayleigh）の解像限界よ
り小さい場合は、これらを明瞭に分離することができな
い。一方、位相シフト手段２４が設けられている場合、
隣り合う透過部からの透過光２５はそれぞれ位相差をも
って伝播し、ゾーンプレート形成部に至る。したがっ
て、隣り合う各透過部２３からの透過光２５は相互の振
幅を互いに弱め合うように合成されるので、非透過部２
２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくすること
ができる。このため、透過部２３間、あるいは非透過部
２２間の距離がレイリーの解像限界より小さい場合であ
っても、これらを明瞭に分離することが可能となる。
マスク２０の各透過部２３からの透過光２５はそれぞれ
同位相で伝播し、ゾーンプレート形成部に至る。したが
って、隣り合う各透過部２３からの透過光２５は相互の
振幅を互いに強め合うように合成されるので、非透過部
２２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくするこ
とができない。このため、透過部２３間、あるいは非透
過部２２間の距離がレイリー（Rayleigh）の解像限界よ
り小さい場合は、これらを明瞭に分離することができな
い。一方、位相シフト手段２４が設けられている場合、
隣り合う透過部からの透過光２５はそれぞれ位相差をも
って伝播し、ゾーンプレート形成部に至る。したがっ
て、隣り合う各透過部２３からの透過光２５は相互の振
幅を互いに弱め合うように合成されるので、非透過部２
２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくすること
ができる。このため、透過部２３間、あるいは非透過部
２２間の距離がレイリーの解像限界より小さい場合であ
っても、これらを明瞭に分離することが可能となる。
【０００９】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して、本発明による
ゾーンプレートの製造方法の一実施例を説明する。本実
施例のゾーンプレートは、Ｘ線の集光、拡散に用いられ
る光学素子として使用される。
ゾーンプレートの製造方法の一実施例を説明する。本実
施例のゾーンプレートは、Ｘ線の集光、拡散に用いられ
る光学素子として使用される。
【００１１】(１) 支持膜形成、Ｘ線吸収体成膜（図２
(ａ)） 支持基板（一例として、本実施例ではＳｉ基板）１０の
表面全体にゾーンプレートの支持膜１１ａを形成すると
ともに、ゾーンプレートが形成される領域（図２(ａ)に
おいてＡで示す）を避けた支持基板１０の裏面に同様に
支持膜１１ｂを形成する。支持膜１１ａは、ゾーンプレ
ートにより集光、拡散すべきＸ線を透過する性質を有す
る材質で形成される。次いで、この支持膜１１ａの表面
全体にＸ線吸収体１２を成膜する。
(ａ)） 支持基板（一例として、本実施例ではＳｉ基板）１０の
表面全体にゾーンプレートの支持膜１１ａを形成すると
ともに、ゾーンプレートが形成される領域（図２(ａ)に
おいてＡで示す）を避けた支持基板１０の裏面に同様に
支持膜１１ｂを形成する。支持膜１１ａは、ゾーンプレ
ートにより集光、拡散すべきＸ線を透過する性質を有す
る材質で形成される。次いで、この支持膜１１ａの表面
全体にＸ線吸収体１２を成膜する。
【００１２】(２) 縮小露光（図２(ｂ)） Ｘ線吸収体１２の表面全体にレジスト１３を塗付し、次
いで、イオンビームによりこのレジスト１３を露光し、
製造すべきゾーンプレートに対応するパターン１４を形
成する。この露光工程は、半導体集積装置を製造するさ
いの縮小投影型露光装置を用いればよい。
いで、イオンビームによりこのレジスト１３を露光し、
製造すべきゾーンプレートに対応するパターン１４を形
成する。この露光工程は、半導体集積装置を製造するさ
いの縮小投影型露光装置を用いればよい。
【００１３】図１および図３は、縮小露光用マスク２０
によりパターン１４を形成する過程を示す図であり、図
３(ａ)はこのマスク２０の一部拡大断面図である。図１
および図３(ａ)において、マスク２０は、イオンビーム
に対して透過性を有する基板２１と、この基板２１の表
面に形成され、製造すべきゾーンプレートを所定倍率、
通常は５〜２０倍に拡大したパターン（所定間隔を有す
る同心円状の輪帯のパターン）を有するＣｒ膜などの遮
光膜２２とを備えている。この遮光膜２２は、パターン
１４の形成時にはイオンビーム非透過部として作用し、
遮光膜２２の間の基板２１の領域は、パターン１４の形
成時にはイオンビーム透過部２３として作用する。図３
(ａ)にその詳細を示すように、隣り合う遮光膜２２の間
に位置するイオンビーム透過部２３の表面には、１つお
きに凹部２４が形成されている。凹部２４は、イオンビ
ーム透過部２３の光路差を隣り合う透過部２３の間で互
いに異ならせることにより、イオンビームが縮小露光用
マスク２０を透過した時点で隣り合うイオンビーム透過
部２３から出射するイオンビームの位相を互いに１８０
゜シフト（ずらす）させるために設けられたものであ
り、凹部２４は位相シフト手段として作用する。凹部２
４の深さｄは、イオンビームの波長をλ、基板２１の屈
折率をｎとすると、ｄ＝λ／２（ｎ−１）となるように
設定されている。なお、凹部２４の形成方法は任意であ
り、一例として、遮光膜２２を形成する前にエッチング
等により予め凹部２４を形成しておく方法が挙げられ
る。
によりパターン１４を形成する過程を示す図であり、図
３(ａ)はこのマスク２０の一部拡大断面図である。図１
および図３(ａ)において、マスク２０は、イオンビーム
に対して透過性を有する基板２１と、この基板２１の表
面に形成され、製造すべきゾーンプレートを所定倍率、
通常は５〜２０倍に拡大したパターン（所定間隔を有す
る同心円状の輪帯のパターン）を有するＣｒ膜などの遮
光膜２２とを備えている。この遮光膜２２は、パターン
１４の形成時にはイオンビーム非透過部として作用し、
遮光膜２２の間の基板２１の領域は、パターン１４の形
成時にはイオンビーム透過部２３として作用する。図３
(ａ)にその詳細を示すように、隣り合う遮光膜２２の間
に位置するイオンビーム透過部２３の表面には、１つお
きに凹部２４が形成されている。凹部２４は、イオンビ
ーム透過部２３の光路差を隣り合う透過部２３の間で互
いに異ならせることにより、イオンビームが縮小露光用
マスク２０を透過した時点で隣り合うイオンビーム透過
部２３から出射するイオンビームの位相を互いに１８０
゜シフト（ずらす）させるために設けられたものであ
り、凹部２４は位相シフト手段として作用する。凹部２
４の深さｄは、イオンビームの波長をλ、基板２１の屈
折率をｎとすると、ｄ＝λ／２（ｎ−１）となるように
設定されている。なお、凹部２４の形成方法は任意であ
り、一例として、遮光膜２２を形成する前にエッチング
等により予め凹部２４を形成しておく方法が挙げられ
る。
【００１４】図１および図３(ａ)に示すように、基板２
１の表面側（すなわち遮光膜２２が形成されている側）
からイオンビーム２５が照射されると、このイオンビー
ム２５はイオンビーム透過部２３を透過してレジスト１
３に至り、遮光膜２２のパターンに対応したパターン１
４が露光される。このとき、上述のようにイオンビーム
透過部２３には１つおきに位相シフト手段たる凹部２４
が形成されているので、図３(ｂ)に示すように、縮小露
光用マスク２０を透過した時点でのイオンビーム２５の
振幅分布は、隣り合うイオンビーム透過部２３の間でそ
の位相が互いに１８０゜シフトしている。
１の表面側（すなわち遮光膜２２が形成されている側）
からイオンビーム２５が照射されると、このイオンビー
ム２５はイオンビーム透過部２３を透過してレジスト１
３に至り、遮光膜２２のパターンに対応したパターン１
４が露光される。このとき、上述のようにイオンビーム
透過部２３には１つおきに位相シフト手段たる凹部２４
が形成されているので、図３(ｂ)に示すように、縮小露
光用マスク２０を透過した時点でのイオンビーム２５の
振幅分布は、隣り合うイオンビーム透過部２３の間でそ
の位相が互いに１８０゜シフトしている。
【００１５】縮小露光用マスク２０上のパターン（遮光
膜２２）によりイオンビーム２５は回折され、１つの透
過部２３を透過してレジスト１３上に至ったイオンビー
ム２５の振幅分布は、図３(ｃ)の点線で示すように左右
に広がりをもっている。但し、回折によってもマスク２
０を透過した際の位相差はそのまま保持されているの
で、各透過部２３を透過した各々のイオンビーム２５
は、相互の振幅を互いに弱め合うようにしてレジスト１
３上で合成される。したがって、透過部２３を透過して
レジスト１３上に至ったイオンビーム２５の合成振幅分
布は図３(ｃ)に示すようなものとなる。そして、イオン
ビーム２５の強度は振幅の２乗であるから、レジスト１
３上のイオンビーム２５の強度分布は図３(ｄ)に示すよ
うなものとなる。
膜２２）によりイオンビーム２５は回折され、１つの透
過部２３を透過してレジスト１３上に至ったイオンビー
ム２５の振幅分布は、図３(ｃ)の点線で示すように左右
に広がりをもっている。但し、回折によってもマスク２
０を透過した際の位相差はそのまま保持されているの
で、各透過部２３を透過した各々のイオンビーム２５
は、相互の振幅を互いに弱め合うようにしてレジスト１
３上で合成される。したがって、透過部２３を透過して
レジスト１３上に至ったイオンビーム２５の合成振幅分
布は図３(ｃ)に示すようなものとなる。そして、イオン
ビーム２５の強度は振幅の２乗であるから、レジスト１
３上のイオンビーム２５の強度分布は図３(ｄ)に示すよ
うなものとなる。
【００１６】(３) Ｘ線吸収体エッチング（図１(ｃ)） レジスト１３によるパターン１４が形成された状態で、
パターン１４が形成されていない領域のＸ線吸収体１２
をエッチングなどにより除去してＸ線吸収体１２をパタ
ーニングし、さらにレジスト１３を溶解する。
パターン１４が形成されていない領域のＸ線吸収体１２
をエッチングなどにより除去してＸ線吸収体１２をパタ
ーニングし、さらにレジスト１３を溶解する。
【００１７】(４) 支持基板エッチング（図１(ｄ)） 支持基板１０の裏面からこの支持基板１０をエッチング
し、支持膜１１ｂが形成されていない領域（これは上述
のようにゾーンプレートが形成される領域である）の支
持基板１０を取り除けば、支持膜１１ａおよび所定の同
心円状パターンを有するＸ線吸収体１２からなる透過型
ゾーンプレート２６を製造することができる。
し、支持膜１１ｂが形成されていない領域（これは上述
のようにゾーンプレートが形成される領域である）の支
持基板１０を取り除けば、支持膜１１ａおよび所定の同
心円状パターンを有するＸ線吸収体１２からなる透過型
ゾーンプレート２６を製造することができる。
【００１８】したがって、本実施例によれば、位相シフ
ト手段（凹部２４）により互いに隣り合うイオンビーム
透過部２３を透過するイオンビーム２５にそれぞれ１８
０゜の位相差を生じさせているので、図３(ｃ)に示すよ
うに、これらイオンビーム２５がレジスト１３上で合成
される際に相互の振幅を互いに弱め合うように合成され
るので、非透過部（遮光膜２２）に対応する領域のイオ
ンビーム強度を十分に小さくしてマスク２０のパターン
像をレジスト１３上において明瞭に分離することができ
る。
ト手段（凹部２４）により互いに隣り合うイオンビーム
透過部２３を透過するイオンビーム２５にそれぞれ１８
０゜の位相差を生じさせているので、図３(ｃ)に示すよ
うに、これらイオンビーム２５がレジスト１３上で合成
される際に相互の振幅を互いに弱め合うように合成され
るので、非透過部（遮光膜２２）に対応する領域のイオ
ンビーム強度を十分に小さくしてマスク２０のパターン
像をレジスト１３上において明瞭に分離することができ
る。
【００１９】これを、図４に示す位相シフト手段が設け
られていない従来のマスクと比較してみる。図４(ａ)に
示すマスク２０´は、図３(ａ)と同一のスケールで描か
れたものであるが、イオンビーム透過部２３´に位相シ
フト手段（凹部２４）が設けられていない。マスク透過
時におけるイオンビーム２５´の振幅分布は図４(ｂ)に
示すようなものとなり、それぞれのイオンビーム２５´
は同一の位相で伝播する。したがって、各透過部２３´
を透過してレジスト上に至ったイオンビーム２５´は相
互の振幅を互いに強め合うように合成されるので、レジ
スト上におけるイオンビーム２５´の振幅分布および強
度分布は図４(ｃ)、(ｄ)に示すようなものとなり、非透
過部２２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくす
ることができない。このため、透過部２３´間、あるい
は非透過部２２´間の距離がレイリーの解像限界より小
さい場合は、これらを明瞭に分離することができない。
られていない従来のマスクと比較してみる。図４(ａ)に
示すマスク２０´は、図３(ａ)と同一のスケールで描か
れたものであるが、イオンビーム透過部２３´に位相シ
フト手段（凹部２４）が設けられていない。マスク透過
時におけるイオンビーム２５´の振幅分布は図４(ｂ)に
示すようなものとなり、それぞれのイオンビーム２５´
は同一の位相で伝播する。したがって、各透過部２３´
を透過してレジスト上に至ったイオンビーム２５´は相
互の振幅を互いに強め合うように合成されるので、レジ
スト上におけるイオンビーム２５´の振幅分布および強
度分布は図４(ｃ)、(ｄ)に示すようなものとなり、非透
過部２２に対応する領域の透過光強度を十分に小さくす
ることができない。このため、透過部２３´間、あるい
は非透過部２２´間の距離がレイリーの解像限界より小
さい場合は、これらを明瞭に分離することができない。
【００２０】一方、本実施例によれば、上述のように非
透過部に対応する領域のイオンビーム強度を十分に小さ
くすることができるため、透過部２３間、あるいは非透
過部２２間の距離がレイリーの解像限界より小さい場合
であっても、これらを明瞭に分離することが可能とな
る。したがって、このレイリーの解像限界を越えて非透
過部２２、透過部２３の線幅を狭くすることができ、ゾ
ーンプレートの最小輪帯幅を狭めることができる。一例
として、ＫｒＦレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）を光源
として使用した場合、レジスト膜厚〜0.3μｍで0.2μｍ
以下の最小輪帯幅を有するゾーンプレートを露光、製造
することが可能となる。これにより、ゾーンプレートの
集光効率、拡大率を大幅に改善することができるととも
に、高分解能なゾーンプレートを大量かつ安定に製造す
ることができる。さらに、本実施例によれば、マスク２
０によるパターンの線幅制御性が向上し、Ｌ／Ｓ（ライ
ン／スペース）比〜１の理想的なパターンを容易に形成
することができる。
透過部に対応する領域のイオンビーム強度を十分に小さ
くすることができるため、透過部２３間、あるいは非透
過部２２間の距離がレイリーの解像限界より小さい場合
であっても、これらを明瞭に分離することが可能とな
る。したがって、このレイリーの解像限界を越えて非透
過部２２、透過部２３の線幅を狭くすることができ、ゾ
ーンプレートの最小輪帯幅を狭めることができる。一例
として、ＫｒＦレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）を光源
として使用した場合、レジスト膜厚〜0.3μｍで0.2μｍ
以下の最小輪帯幅を有するゾーンプレートを露光、製造
することが可能となる。これにより、ゾーンプレートの
集光効率、拡大率を大幅に改善することができるととも
に、高分解能なゾーンプレートを大量かつ安定に製造す
ることができる。さらに、本実施例によれば、マスク２
０によるパターンの線幅制御性が向上し、Ｌ／Ｓ（ライ
ン／スペース）比〜１の理想的なパターンを容易に形成
することができる。
【００２１】なお、本発明のゾーンプレート製造方法
は、その細部が上述の一実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。一例として、上述の一実施例ではＸ線
の集光、拡散用のゾーンプレートの製造方法について説
明したが、可視領域の光線に対するゾーンプレートを製
造する場合にも本発明が適用できる。この場合、Ｘ線吸
収体にかえて遮光膜を支持膜上に形成すればよい。ま
た、位相シフト手段は一実施例の凹部のような構成に限
定されず、たとえば、非透過部間に位相シフト用の透過
膜を形成してもよい。
は、その細部が上述の一実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。一例として、上述の一実施例ではＸ線
の集光、拡散用のゾーンプレートの製造方法について説
明したが、可視領域の光線に対するゾーンプレートを製
造する場合にも本発明が適用できる。この場合、Ｘ線吸
収体にかえて遮光膜を支持膜上に形成すればよい。ま
た、位相シフト手段は一実施例の凹部のような構成に限
定されず、たとえば、非透過部間に位相シフト用の透過
膜を形成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、マスクの非透過部を挾む各透過部からそれぞれ透
過する透過光の間に位相差を生じさせる位相シフト手段
を設けたので、非透過部に対応する領域のイオンビーム
強度を十分に小さくすることができる。したがって、こ
のレイリーの解像限界を越えて非透過部、透過部の線幅
を狭くすることができ、ゾーンプレートの最小輪帯幅を
狭めて高分解能なゾーンプレートを大量かつ安定に製造
することができる。
れば、マスクの非透過部を挾む各透過部からそれぞれ透
過する透過光の間に位相差を生じさせる位相シフト手段
を設けたので、非透過部に対応する領域のイオンビーム
強度を十分に小さくすることができる。したがって、こ
のレイリーの解像限界を越えて非透過部、透過部の線幅
を狭くすることができ、ゾーンプレートの最小輪帯幅を
狭めて高分解能なゾーンプレートを大量かつ安定に製造
することができる。
【図１】本発明の一実施例であるゾーンプレートの製造
方法における露光過程の概略を示す斜視図である。
方法における露光過程の概略を示す斜視図である。
【図２】一実施例の製造方法を説明するための工程図で
ある。
ある。
【図３】一実施例における露光工程の詳細を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のマスクを用いた露光工程の詳細を示す図
である。
である。
【図５】ゾーンプレートの一例を示す平面図である。
１１ａ 支持膜 １２ Ｘ線吸収体 １３ レジスト ２０ 縮小露光用マスク ２１ 基板 ２２ 遮光膜 ２３ 透過部 ２４ 凹部 ２５ イオンビーム ２６ ゾーンプレート
Claims (1)
- 【請求項１】 透過部および非透過部がそれぞれ所定の
パターンに形成されたマスクを照明し、このマスクから
の透過光を用いてゾーンプレートを製造する方法におい
て、 前記非透過部を挾む各透過部からそれぞれ透過する前記
透過光の間に位相差を生じさせる位相シフト手段が設け
られたマスクを用いたことを特徴とするゾーンプレート
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155328A JPH05346503A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | ゾーンプレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155328A JPH05346503A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | ゾーンプレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346503A true JPH05346503A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15603492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155328A Pending JPH05346503A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | ゾーンプレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05346503A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007078979A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Ricoh Co Ltd | 光学素子および光学素子製造方法 |
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| US9541773B2 (en) | 2012-10-17 | 2017-01-10 | Brien Holden Vision Institute | Lenses, devices, methods and systems for refractive error |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4155328A patent/JPH05346503A/ja active Pending
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