JPH052261A - マスクとそれを用いた投影露光方法 - Google Patents
マスクとそれを用いた投影露光方法Info
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- JPH052261A JPH052261A JP3177816A JP17781691A JPH052261A JP H052261 A JPH052261 A JP H052261A JP 3177816 A JP3177816 A JP 3177816A JP 17781691 A JP17781691 A JP 17781691A JP H052261 A JPH052261 A JP H052261A
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- Japan
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- light
- pattern
- shielding portion
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 開口部フィルタを用いることなく、コントラ
スト，解像性を向上させた投影露光方法およびそれに用
いるマスクを実現する。 【構成】 回折光の各次数の光強度がマスクパタンのフ
ーリエ展開したときの各成分の大きさに比例することに
着目し、マスク４の遮光部２を半透明にし、その透過率
をパタン性状に基いて設定するとともに、その遮光部分
の透過光がマスク透明部３の通過光と１８０°の位相差
をもつようにする。これにより、回折光の０次成分を相
対的に１／２となるようにし、１次回折光とのバランス
を、開口部フィルタを用いることなく達成できる。さら
に、高コントラストと高解像性とを投影レンズ系を変更
することなく、両立させることができる。
スト，解像性を向上させた投影露光方法およびそれに用
いるマスクを実現する。 【構成】 回折光の各次数の光強度がマスクパタンのフ
ーリエ展開したときの各成分の大きさに比例することに
着目し、マスク４の遮光部２を半透明にし、その透過率
をパタン性状に基いて設定するとともに、その遮光部分
の透過光がマスク透明部３の通過光と１８０°の位相差
をもつようにする。これにより、回折光の０次成分を相
対的に１／２となるようにし、１次回折光とのバランス
を、開口部フィルタを用いることなく達成できる。さら
に、高コントラストと高解像性とを投影レンズ系を変更
することなく、両立させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パタン
を投影光学系を用いて基板上に形成するときの微細パタ
ン形成方法いわゆる投影露光方法およびそれに用いるマ
スク（レチクル）に関するものである。
を投影光学系を用いて基板上に形成するときの微細パタ
ン形成方法いわゆる投影露光方法およびそれに用いるマ
スク（レチクル）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＬＳＩ等の微細パタンを形成
するための投影露光装置には高い解像力が要求されてい
る。そのため、最近の投影露光装置の投影レンズ系は、
光の波長から決まる理論限界に近い解像度を有してい
る。それにもかかわらず、さらに微細なパタンを形成す
ることが要求されている。それに答えるための方法とし
て、位相シフト法が知られている。この位相シフト法で
は従来法の約２倍の解像度の向上が図れるが、適用でき
るパタンが限定される。マスクの製作が複雑で信頼性や
歩留りの低下の原因になるなどの欠点を有していた。
するための投影露光装置には高い解像力が要求されてい
る。そのため、最近の投影露光装置の投影レンズ系は、
光の波長から決まる理論限界に近い解像度を有してい
る。それにもかかわらず、さらに微細なパタンを形成す
ることが要求されている。それに答えるための方法とし
て、位相シフト法が知られている。この位相シフト法で
は従来法の約２倍の解像度の向上が図れるが、適用でき
るパタンが限定される。マスクの製作が複雑で信頼性や
歩留りの低下の原因になるなどの欠点を有していた。
【０００３】これに対し、同一出願人にて既に提案した
「微細パタン投影露光方法」では、マスクを照明する光
線に対し、投影レンズの開口数に対応した傾きを光軸に
対し付与したマスク照明系を用いることによって、従来
のマスクを用いても位相シフト法と同程度の高解像性を
実現できることを明らかにした。
「微細パタン投影露光方法」では、マスクを照明する光
線に対し、投影レンズの開口数に対応した傾きを光軸に
対し付与したマスク照明系を用いることによって、従来
のマスクを用いても位相シフト法と同程度の高解像性を
実現できることを明らかにした。
【０００４】その原理を図３に示す。図３(a)に示す従
来法では、照射光Ｉはマスク１１にほぼ垂直に入射す
る。そして、マスクパタン１２の波数（空間周波数）に
応じた回折光を生じて、その回折光が投影レンズ系１３
の入射瞳（アパーチャ）１４を通過して基板つまりウエ
ハ上に像を生じる。このとき、用いる光の波数ｋ0（波
数の逆数）に対し、ｋ1＝ｋ0ｓｉｎα（ただしｓｉｎ
α：投影レンズの開口数）で与えられる波数ｋ1が投影
レンズ系１３を通過できる最大波数を与え、解像限界を
与える。
来法では、照射光Ｉはマスク１１にほぼ垂直に入射す
る。そして、マスクパタン１２の波数（空間周波数）に
応じた回折光を生じて、その回折光が投影レンズ系１３
の入射瞳（アパーチャ）１４を通過して基板つまりウエ
ハ上に像を生じる。このとき、用いる光の波数ｋ0（波
数の逆数）に対し、ｋ1＝ｋ0ｓｉｎα（ただしｓｉｎ
α：投影レンズの開口数）で与えられる波数ｋ1が投影
レンズ系１３を通過できる最大波数を与え、解像限界を
与える。
【０００５】これに対し、図３(b)に示す如く投影レン
ズ系の開口数に対応させて斜め方向からマスク１１を照
射する斜入射法では、マスクパタン１２の波数成分の２
ｋ1までが投影レンズ系１３を通過できるようになり、
従来の約２倍の解像性が得られるようになる。詳しくは
先の同一出願人に係る上記「微細パタン投影露光方法」
を参照されたい。なお、図３中Ｉ′はマスク１１を斜め
方向から照射するために投影レンズ系の開口数に対応し
た角度の傾きが光軸ｚに対し付与される照射光であり、
Ｉ0とＩ+1，Ｉ-1はマスクパタンの波数に応じた０次と
＋１次，−１次の回折光をそれぞれ示している。
ズ系の開口数に対応させて斜め方向からマスク１１を照
射する斜入射法では、マスクパタン１２の波数成分の２
ｋ1までが投影レンズ系１３を通過できるようになり、
従来の約２倍の解像性が得られるようになる。詳しくは
先の同一出願人に係る上記「微細パタン投影露光方法」
を参照されたい。なお、図３中Ｉ′はマスク１１を斜め
方向から照射するために投影レンズ系の開口数に対応し
た角度の傾きが光軸ｚに対し付与される照射光であり、
Ｉ0とＩ+1，Ｉ-1はマスクパタンの波数に応じた０次と
＋１次，−１次の回折光をそれぞれ示している。
【０００６】ここで説明のため、マスクパタン（マスク
通過直後の光）が１＋ｃｏｓｋｘで与えられるような１
次元格子パタンを考える。その時、回折光は０次と＋１
次，−１次の３つの成分からなり（Ｉ0，Ｉ+1，
Ｉ-1）、その振幅の比は２：１：１となる。図３(a)の
従来方法ではその全部を利用して、マスクパタンを像と
して再現する。
通過直後の光）が１＋ｃｏｓｋｘで与えられるような１
次元格子パタンを考える。その時、回折光は０次と＋１
次，−１次の３つの成分からなり（Ｉ0，Ｉ+1，
Ｉ-1）、その振幅の比は２：１：１となる。図３(a)の
従来方法ではその全部を利用して、マスクパタンを像と
して再現する。
【０００７】しかし、図３(b)の斜入射法を用いた投影
露光方法では０次と＋１次の２つの成分（Ｉ0，Ｉ+1）
のみしか利用しないので、高解像性が得られる反面、像
のコントラストが低下する。上記の「微細パタン投影露
光方法」では、これを解決するために、投影レンズの開
口絞り部に０次光成分を１／２にするようなフィルタを
設ける方法を提案している。
露光方法では０次と＋１次の２つの成分（Ｉ0，Ｉ+1）
のみしか利用しないので、高解像性が得られる反面、像
のコントラストが低下する。上記の「微細パタン投影露
光方法」では、これを解決するために、投影レンズの開
口絞り部に０次光成分を１／２にするようなフィルタを
設ける方法を提案している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな投影露光方法においては、投影レンズ系の設計では
種々の収差を極限まで低下するようにし、きわめて高精
度に製造され、調整されているので、開口絞り部に設け
るフィルタの精度や構成が十分ではない場合は、期待さ
れる解像特性の向上が十分には実現できないこともあり
うるという欠点がある。
うな投影露光方法においては、投影レンズ系の設計では
種々の収差を極限まで低下するようにし、きわめて高精
度に製造され、調整されているので、開口絞り部に設け
るフィルタの精度や構成が十分ではない場合は、期待さ
れる解像特性の向上が十分には実現できないこともあり
うるという欠点がある。
【０００９】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、上記の開口部フィルタを用いる必要
がなく、コントラスト及び解像性が十分な投影露光方法
およびそれに用いるマスクを提供することにある。
あり、その目的は、上記の開口部フィルタを用いる必要
がなく、コントラスト及び解像性が十分な投影露光方法
およびそれに用いるマスクを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、マスクの構成を変えることにより、回折
光の０次成分を相対的に１／２となるようにし、１次回
折光とのバランスを、開口部フィルタを用いることなく
達成し、さらに高コントラストと高解像性とを投影レン
ズ系を変更することなく、両立させるようにしたことを
最も主要な特徴とする。
めに本発明は、マスクの構成を変えることにより、回折
光の０次成分を相対的に１／２となるようにし、１次回
折光とのバランスを、開口部フィルタを用いることなく
達成し、さらに高コントラストと高解像性とを投影レン
ズ系を変更することなく、両立させるようにしたことを
最も主要な特徴とする。
【００１１】ここで、回折光の各次数の光強度はマスク
パタンをフーリエ展開したときの各成分の大きさに比例
することに着目し、マスクの遮光部を視点を変えて積極
的に利用するようにしたものである。すなわち、従来で
は光を通さない遮光部を半透明にし、その透過率を調整
すると同時に、マスクの透明部との位相差が１８０°と
なるようにすることにより、負の強度（振幅強度）とし
て利用して、０次成分（直流成分）の値を調整するよに
している。
パタンをフーリエ展開したときの各成分の大きさに比例
することに着目し、マスクの遮光部を視点を変えて積極
的に利用するようにしたものである。すなわち、従来で
は光を通さない遮光部を半透明にし、その透過率を調整
すると同時に、マスクの透明部との位相差が１８０°と
なるようにすることにより、負の強度（振幅強度）とし
て利用して、０次成分（直流成分）の値を調整するよに
している。
【００１２】
【作用】このように本発明によると、マスクの遮光部を
半透明にし、その透過率をパタン幅などの性状によって
設定するとともに、半透明遮光部とマスク透明部を通る
光に１８０°の位相差をもたせることにより、開口部フ
ィルタを用いることなく、コントラスト，解像性を向上
させることができる。
半透明にし、その透過率をパタン幅などの性状によって
設定するとともに、半透明遮光部とマスク透明部を通る
光に１８０°の位相差をもたせることにより、開口部フ
ィルタを用いることなく、コントラスト，解像性を向上
させることができる。
【００１３】
【実施例】本発明の投影露光方法に用いられるマスクの
構造と作用を図１に示す。ここで、図１(a)において１
は透明性のマスク基板、２はこのマスク基板１の一方の
面に所定パタンを有して形成された半透明の遮光部を構
成するマスク材、３はマスクの透明部であり、これらに
よりマスク４を構成している。マスク材２としては、用
いる光の波長λでの屈折率ｎに対して（ｎ−１）ｄ＝λ
／２で決まる厚さｄを用い、それと同時に、その時の透
過率がｔとなるような材料を選べば、マスクの透明部３
の光と位相差π（１８０°）で振幅比ｔとすることがで
き、振幅の符号と値を調整することができる。他の方法
としては、マスク材として２層構造を用いて、透過率と
位相差を独立にそれぞれの層で制御してもよい。また、
位相差はマスク透明部（厚さなど）で制御し、透過率の
みをマスク材で調整してもよい。
構造と作用を図１に示す。ここで、図１(a)において１
は透明性のマスク基板、２はこのマスク基板１の一方の
面に所定パタンを有して形成された半透明の遮光部を構
成するマスク材、３はマスクの透明部であり、これらに
よりマスク４を構成している。マスク材２としては、用
いる光の波長λでの屈折率ｎに対して（ｎ−１）ｄ＝λ
／２で決まる厚さｄを用い、それと同時に、その時の透
過率がｔとなるような材料を選べば、マスクの透明部３
の光と位相差π（１８０°）で振幅比ｔとすることがで
き、振幅の符号と値を調整することができる。他の方法
としては、マスク材として２層構造を用いて、透過率と
位相差を独立にそれぞれの層で制御してもよい。また、
位相差はマスク透明部（厚さなど）で制御し、透過率の
みをマスク材で調整してもよい。
【００１４】図１(a)ではマスク４の遮光部と透明部の
比が１：１の１次元格子パタンの例が示されており、そ
のときの振幅分布が図１(b)に示されている。Ａ0は直流
成分（０次成分）、Ａ1はパタン形状の振幅を表してい
る。透過率ｔ＝０は従来の通常マスクの場合に対応し、
Ａ0＝１／２、Ａ1＝１／２であり、Ａ0／Ａ1＝１となっ
ている。Ａ1は正と負の１次以上の回折光強度に対応す
る。そこで、Ａ0／Ａ1を従来値の１／２に設定すれば、
投影レンズ開口絞りに用いるフィルタと同等の結像特性
（コントラスト）が得られるようになる。
比が１：１の１次元格子パタンの例が示されており、そ
のときの振幅分布が図１(b)に示されている。Ａ0は直流
成分（０次成分）、Ａ1はパタン形状の振幅を表してい
る。透過率ｔ＝０は従来の通常マスクの場合に対応し、
Ａ0＝１／２、Ａ1＝１／２であり、Ａ0／Ａ1＝１となっ
ている。Ａ1は正と負の１次以上の回折光強度に対応す
る。そこで、Ａ0／Ａ1を従来値の１／２に設定すれば、
投影レンズ開口絞りに用いるフィルタと同等の結像特性
（コントラスト）が得られるようになる。
【００１５】図１(b)からわかるように、振幅透過率を
ｔとすると、Ａ0＝（１−ｔ）／２，Ａ1＝（１＋ｔ）／
２であるので、Ａ0／Ａ1＝１／２の関係によりｔ＝１／
３が得られる。回折光の０次，±１次への配分の変化の
様子（２次以上は省略）を図１(c)に示す。ｔ＝１／３
で、１：１：１が実現される。なお、図１(c)中Ｉは照
射光、Ｉ0は０次の回折光、Ｉ+1は＋１次の回折光、Ｉ
-1は−１次の回折光をそれぞれ示している。
ｔとすると、Ａ0＝（１−ｔ）／２，Ａ1＝（１＋ｔ）／
２であるので、Ａ0／Ａ1＝１／２の関係によりｔ＝１／
３が得られる。回折光の０次，±１次への配分の変化の
様子（２次以上は省略）を図１(c)に示す。ｔ＝１／３
で、１：１：１が実現される。なお、図１(c)中Ｉは照
射光、Ｉ0は０次の回折光、Ｉ+1は＋１次の回折光、Ｉ
-1は−１次の回折光をそれぞれ示している。
【００１６】図２は、振幅透過率ｔの値を変化させたと
きの結像のコントラストの変化に関しての計算機シミュ
レーション結果を示す。ただし、このコントラストは最
大エネルギー強度をＩmax、最小エネルギー強度をＩmin
としたとき、（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）で表
される。この時のマスク照明系は軸対称の斜め照射（Ｎ
Ａ′＝０．４５〜０．５）の条件であり、投影レンズ系
の開口数ＮＡ＝０．５、光源はｉ線（λ＝３６５ｎｍ）
としている。
きの結像のコントラストの変化に関しての計算機シミュ
レーション結果を示す。ただし、このコントラストは最
大エネルギー強度をＩmax、最小エネルギー強度をＩmin
としたとき、（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）で表
される。この時のマスク照明系は軸対称の斜め照射（Ｎ
Ａ′＝０．４５〜０．５）の条件であり、投影レンズ系
の開口数ＮＡ＝０．５、光源はｉ線（λ＝３６５ｎｍ）
としている。
【００１７】これまでの説明に対応して、解像限界に近
い０．２５μｍ以上のラインアンドスペース（パタン
幅）では、ｔ＝１／３で最大コントラストが得られてい
る。また、ｔ＝１／３のときのコントラストの各値は、
通常マスクでの開口部フィルタ（周辺円環部の透過率５
０％）と軸対称斜入射照明系との組合わせのシミュレー
ション結果に極めて良く一致しており、本発明における
考え方の正しさを裏付けている。
い０．２５μｍ以上のラインアンドスペース（パタン
幅）では、ｔ＝１／３で最大コントラストが得られてい
る。また、ｔ＝１／３のときのコントラストの各値は、
通常マスクでの開口部フィルタ（周辺円環部の透過率５
０％）と軸対称斜入射照明系との組合わせのシミュレー
ション結果に極めて良く一致しており、本発明における
考え方の正しさを裏付けている。
【００１８】以上では本発明によるマスクの遮光部（半
透明）と透明部の面積比が１：１の場合を説明したが、
その比が変化した場合は、それに応じて透過率ｔを調整
すればよい。しかし、図２に示すように、透過率ｔの値
にはゆるやかな依存性を示すので、例えばｔ＝０．２〜
０．６の範囲で大雑把にｔの値を選んだとしてもかなり
大きな効果が得られる。このため、パタン性状に応じて
大まかなｔの値を設定すれば、十分な効果が得られると
考えられる。
透明）と透明部の面積比が１：１の場合を説明したが、
その比が変化した場合は、それに応じて透過率ｔを調整
すればよい。しかし、図２に示すように、透過率ｔの値
にはゆるやかな依存性を示すので、例えばｔ＝０．２〜
０．６の範囲で大雑把にｔの値を選んだとしてもかなり
大きな効果が得られる。このため、パタン性状に応じて
大まかなｔの値を設定すれば、十分な効果が得られると
考えられる。
【００１９】以上の実施例では本発明によるマスクを斜
入射照明系との組合わせについて作用，効果を説明した
が、通常の照明系と組合わせた場合は、位相シフト法と
類似のパタン境界部をシャープにする効果があり、特に
ｔ＝０．２以下の領域では通常照明系での特性改善効果
が得られる。
入射照明系との組合わせについて作用，効果を説明した
が、通常の照明系と組合わせた場合は、位相シフト法と
類似のパタン境界部をシャープにする効果があり、特に
ｔ＝０．２以下の領域では通常照明系での特性改善効果
が得られる。
【００２０】なお、今後、光リソグラフィーで使われそ
うな代表的な光源（ｉ線やｇ線，あるいはＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆエキシマー等）に対して用いるときは、各光に対し、
(i)マスクの遮光部が半透明で、その透過率がパタン幅
などの性状によって設定され、かつ(ii)半透明遮光部と
透明部を通った光が１８０°の位相差をもつ、２つの要
件を満たすようにマスクを構成することもできる。
うな代表的な光源（ｉ線やｇ線，あるいはＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆエキシマー等）に対して用いるときは、各光に対し、
(i)マスクの遮光部が半透明で、その透過率がパタン幅
などの性状によって設定され、かつ(ii)半透明遮光部と
透明部を通った光が１８０°の位相差をもつ、２つの要
件を満たすようにマスクを構成することもできる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクの遮光部を半透明にし、その透過率を調整するとと
もに、マスクの透過部との位相差が１８０°となるよう
にすることにより、投影レンズ系の変更なしに、斜入射
照明系の特長を十分に発揮できるような投影露光方法お
よびマスクを提供できる。このため、微細，高精度なパ
タンを確実に形成することができる。また、マスク製作
に際し、従来のマスク材（クロム薄膜など）のかわりに
本発明の要件を満たすマスク材を用いるだけの変更で、
従来のマスクパタン製造工程とほぼ同様のため、信頼性
や歩留りも十分に確保でき、また、ほとんど任意のパタ
ンに対して有効であるという利点がある。
スクの遮光部を半透明にし、その透過率を調整するとと
もに、マスクの透過部との位相差が１８０°となるよう
にすることにより、投影レンズ系の変更なしに、斜入射
照明系の特長を十分に発揮できるような投影露光方法お
よびマスクを提供できる。このため、微細，高精度なパ
タンを確実に形成することができる。また、マスク製作
に際し、従来のマスク材（クロム薄膜など）のかわりに
本発明の要件を満たすマスク材を用いるだけの変更で、
従来のマスクパタン製造工程とほぼ同様のため、信頼性
や歩留りも十分に確保でき、また、ほとんど任意のパタ
ンに対して有効であるという利点がある。
【図１】(a)は本発明の投影露光方法に用いるマスクの
概略図、(b)はそのマスクの振幅分布を示す図、(c)は同
じくそのマスクの回折光の０次，±１次への配分の変化
の様子を従来例と対比して示す説明図である。
概略図、(b)はそのマスクの振幅分布を示す図、(c)は同
じくそのマスクの回折光の０次，±１次への配分の変化
の様子を従来例と対比して示す説明図である。
【図２】本実施例のマスクの振幅透過率に対する結像の
コントラストの変化に関する計算機シミュレーション結
果を示す図である。
コントラストの変化に関する計算機シミュレーション結
果を示す図である。
【図３】(a)は従来の照射法の説明図、(b)は同一出願人
にて提案しているマスクを斜め方向から照射する斜め入
射法の説明図である。
にて提案しているマスクを斜め方向から照射する斜め入
射法の説明図である。
１ マスク基板
２ マスク材（半透明遮光部）
３ マスクの透明部
４ マスク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 為近 恵美
東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 原田 勝征
東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 三村 義昭
東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日
本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 マスク基板と、該マスク基板の一方の面
に所定パタンを有して形成された遮光部を構成するマス
ク材からなり、前記マスクの遮光部は半透明であって、
その透過率がパタン性状に基いて設定され、かつその遮
光部分の通過光がマスクの透明部の通過光と半波長の位
相差をもつようにしたことを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 パタンの描かれたマスクを照射して、投
影光学系によりその像を形成してパタン形成を行う微細
パタン投影露光方法において、前記マスクの遮光部が半
透明であって、その遮光部の透過率がパタン性状に基い
て設定され、かつ該遮光部分の通過光がマスクの透明部
の通過光と半波長の位相差をもたせてなり、このマスク
を用いてパタン形成を行うことを特徴とする投影露光方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載のマスクを用い、該マスク
を照明する光線に対して、投影光学系の開口数に対応し
た角度の傾きを光軸に対し与えることにより、その斜め
方向から前記マスクを照射することを特徴とする投影露
光方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17781691A JP2694707B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| DE69215942T DE69215942T2 (de) | 1991-04-05 | 1992-03-24 | Verfahren und System zur optischen Projetkionsbelichtung |
| EP92302512A EP0507487B1 (en) | 1991-04-05 | 1992-03-24 | Optical projection exposure method and system using the same |
| US07/863,454 US5208629A (en) | 1991-04-05 | 1992-04-03 | Optical projection exposure method and system using the same |
| KR1019920005715A KR970004682B1 (ko) | 1991-04-05 | 1992-04-06 | 투영노광방법 및 그 사용시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17781691A JP2694707B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052261A true JPH052261A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2694707B2 JP2694707B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=16037600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17781691A Expired - Lifetime JP2694707B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-06-24 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694707B2 (ja) |
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| US7681173B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-03-16 | Elpida Memory, Inc. | Mask data generation method and mask |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2694707B2 (ja) | 1997-12-24 |
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