JPH07281416A - 露光マスク - Google Patents
露光マスクInfo
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- JPH07281416A JPH07281416A JP7458594A JP7458594A JPH07281416A JP H07281416 A JPH07281416 A JP H07281416A JP 7458594 A JP7458594 A JP 7458594A JP 7458594 A JP7458594 A JP 7458594A JP H07281416 A JPH07281416 A JP H07281416A
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- mask
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクやハーフトーンマスクを用
いて微細パターンを露光する際、必要なパターン周辺に
不必要な光のサブピークを生じ難くして、必要な部分の
レジストが感光されないようにすることができ、現像処
理した時にレジストの膜減りを生じ難くすることがで
き、レジストマスクとしての機能を損なわないようにす
ることができる。 【構成】 露光光を透過する透明基板１１上に、露光光
を透過する開口部１を有する露光光を所定量透過する半
透明部２が形成された露光マスクにおいて、該開口部１
内に露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３が
形成され、かつ該スリット部３の並び方向が最近接する
該開口部１同志で互いに直交若しくは略直交してなる。
いて微細パターンを露光する際、必要なパターン周辺に
不必要な光のサブピークを生じ難くして、必要な部分の
レジストが感光されないようにすることができ、現像処
理した時にレジストの膜減りを生じ難くすることがで
き、レジストマスクとしての機能を損なわないようにす
ることができる。 【構成】 露光光を透過する透明基板１１上に、露光光
を透過する開口部１を有する露光光を所定量透過する半
透明部２が形成された露光マスクにおいて、該開口部１
内に露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３が
形成され、かつ該スリット部３の並び方向が最近接する
該開口部１同志で互いに直交若しくは略直交してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
製造のウェハプロセスにおける露光工程に係わる光投影
露光装置で用いる微細パターン形成用の露光マスクに係
り、詳しくは、半導体素子を作るためのパターンが描か
れたマスクを用いて、このマスク全体に光を照射し、そ
のマスクパターンをウェハ上に転写してレジストを感光
させる半導体装置の製造技術に適用することができ、特
に、位相シフトマスクやハーフトーンマスクを用いて微
細パターンを露光する際、必要なパターン周辺に不必要
な光のサブピークを生じ難くして、必要な部分のレジス
トが感光されないようにすることができる露光マスクに
関する。
製造のウェハプロセスにおける露光工程に係わる光投影
露光装置で用いる微細パターン形成用の露光マスクに係
り、詳しくは、半導体素子を作るためのパターンが描か
れたマスクを用いて、このマスク全体に光を照射し、そ
のマスクパターンをウェハ上に転写してレジストを感光
させる半導体装置の製造技術に適用することができ、特
に、位相シフトマスクやハーフトーンマスクを用いて微
細パターンを露光する際、必要なパターン周辺に不必要
な光のサブピークを生じ難くして、必要な部分のレジス
トが感光されないようにすることができる露光マスクに
関する。
【０００２】近年、電子デバイスを量産するための露光
装置として光投影露光装置が広く用いられている。年々
高まる解像度の向上のために変形照明による露光法や位
相シフトマスクを用いた露光法、ハーフトーンマスクを
用いた露光法等様々な方法が開発されている。位相シフ
トマスクやハーフトーンマスクは、単純な遮光部と透過
部とから構成される従来のマスクに比べて高い解像度を
実現できることが知られている。これらは、しかしなが
ら、孤立パターンでは全く問題がないが、複数のパター
ンが近い位置に配置されている場合に、各々のパターン
からの透過光強度のサブピークが重なり合い、パターン
間の不必要な場所にレジストを感光させてしまうという
問題が生じる。
装置として光投影露光装置が広く用いられている。年々
高まる解像度の向上のために変形照明による露光法や位
相シフトマスクを用いた露光法、ハーフトーンマスクを
用いた露光法等様々な方法が開発されている。位相シフ
トマスクやハーフトーンマスクは、単純な遮光部と透過
部とから構成される従来のマスクに比べて高い解像度を
実現できることが知られている。これらは、しかしなが
ら、孤立パターンでは全く問題がないが、複数のパター
ンが近い位置に配置されている場合に、各々のパターン
からの透過光強度のサブピークが重なり合い、パターン
間の不必要な場所にレジストを感光させてしまうという
問題が生じる。
【０００３】このため、複数のパターンが配置されてい
る場合にもパターン間の不必要な場所にレジストを感光
させてしまうことのない露光マスクが要求されている。
る場合にもパターン間の不必要な場所にレジストを感光
させてしまうことのない露光マスクが要求されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のガラス基板にＣｒパターンが形成
された透過型マスクでは、特に照射する光の波長近傍に
なってくると、コントラストが悪くなり、解像性が悪く
なるという問題がある。さて、近年、半導体装置の高集
積化及び微細化に伴い、露光波長と同等なスケールのパ
ターンを解像するための手法である所謂超解像の手法が
種々検討されている。なかでも、位相シフトマスクやハ
ーフトーンマスクを用いた露光法は、マスクから透過す
る光波の位相を一部反転することができるため、位相シ
フトを有さない透過型マスクよりも解像度及び焦点深度
を向上することができる点で注目されている。
された透過型マスクでは、特に照射する光の波長近傍に
なってくると、コントラストが悪くなり、解像性が悪く
なるという問題がある。さて、近年、半導体装置の高集
積化及び微細化に伴い、露光波長と同等なスケールのパ
ターンを解像するための手法である所謂超解像の手法が
種々検討されている。なかでも、位相シフトマスクやハ
ーフトーンマスクを用いた露光法は、マスクから透過す
る光波の位相を一部反転することができるため、位相シ
フトを有さない透過型マスクよりも解像度及び焦点深度
を向上することができる点で注目されている。
【０００５】このマスクのうち、特にハーフトーンマス
クは、位相シフトマスクのような特殊な位相シフターの
シフターパターンの必要がなく、半透明で光の位相を反
転させる作用を有する膜を形成することを除けば、通常
の透過型マスクと同等の方法で形成することができるこ
と等から、実用化が期待されている。
クは、位相シフトマスクのような特殊な位相シフターの
シフターパターンの必要がなく、半透明で光の位相を反
転させる作用を有する膜を形成することを除けば、通常
の透過型マスクと同等の方法で形成することができるこ
と等から、実用化が期待されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の位相シフトマスクやハーフトーンマスクでは、マスク
から透過する光波の位相を一部反転することによって、
位相シフトを有さない透過型マスクよりも解像度及び焦
点深度を向上できるという利点を有する。しかしなが
ら、例えば図６（ａ）、（ｂ）に示す透明基板１０１上
に開口部１０２を有する遮光部や半透明部１０３を形成
した位相シフトマスクやハーフトーンマスクでは、図６
（ｃ）〜（ｅ）に示す如く、各々の開口部１０２パター
ンからの透過光強度のサブピークが重なり合って大きく
なってしまう。ここで、図６（ｃ）のＡ１は、ａ部の開
口部１０２近傍に現れる光強度のサブピークであり、図
６（ｄ）のＡ２は、ｂ部の開口部１０２近傍に現れる光
強度のサブピークであり、図６（ｅ）のＡ３は、サブピ
ークＡ１とサブピークＡ２が重なって合成されたサブピ
ークである。
の位相シフトマスクやハーフトーンマスクでは、マスク
から透過する光波の位相を一部反転することによって、
位相シフトを有さない透過型マスクよりも解像度及び焦
点深度を向上できるという利点を有する。しかしなが
ら、例えば図６（ａ）、（ｂ）に示す透明基板１０１上
に開口部１０２を有する遮光部や半透明部１０３を形成
した位相シフトマスクやハーフトーンマスクでは、図６
（ｃ）〜（ｅ）に示す如く、各々の開口部１０２パター
ンからの透過光強度のサブピークが重なり合って大きく
なってしまう。ここで、図６（ｃ）のＡ１は、ａ部の開
口部１０２近傍に現れる光強度のサブピークであり、図
６（ｄ）のＡ２は、ｂ部の開口部１０２近傍に現れる光
強度のサブピークであり、図６（ｅ）のＡ３は、サブピ
ークＡ１とサブピークＡ２が重なって合成されたサブピ
ークである。
【０００７】このように、不必要なサブピークが大きく
なった状態で例えばポジ型のレジストを現像処理する
と、サブピークが生じた部分のレジスト部分も現像処理
されてレジストが膜減りしてしまい、エッチングした時
に膜減りした部分のレジスト部分が消失してしまうこと
がある等、レジストマスクとしての機能が損なわれてし
まうという問題があった。これは、特に段差基板を用い
た時顕著になる傾向があった。なお、パターンピッチ、
パターンの大きさ、露光光強度等様々な条件でサブピー
クの現れかたは異なるが、特に、複数の開口部１０２パ
ターンを近い位置に配置したり、形成される開口部分の
光強度を強くしたりして解像度を向上させようとする
と、不必要なサブピークは顕著に大きくなってしまう。
なった状態で例えばポジ型のレジストを現像処理する
と、サブピークが生じた部分のレジスト部分も現像処理
されてレジストが膜減りしてしまい、エッチングした時
に膜減りした部分のレジスト部分が消失してしまうこと
がある等、レジストマスクとしての機能が損なわれてし
まうという問題があった。これは、特に段差基板を用い
た時顕著になる傾向があった。なお、パターンピッチ、
パターンの大きさ、露光光強度等様々な条件でサブピー
クの現れかたは異なるが、特に、複数の開口部１０２パ
ターンを近い位置に配置したり、形成される開口部分の
光強度を強くしたりして解像度を向上させようとする
と、不必要なサブピークは顕著に大きくなってしまう。
【０００８】そこで、本発明は、位相シフトマスクやハ
ーフトーンマスクを用いて微細パターンを露光する際、
必要なパターン周辺に不必要な光のサブピークを生じ難
くして、必要な部分のレジストが感光されないようにす
ることができ、現像処理した時にレジストの膜減りを生
じ難くすることができ、レジストマスクとしての機能を
損なわないようにすることができる露光マスクを提供す
ることを目的とする。
ーフトーンマスクを用いて微細パターンを露光する際、
必要なパターン周辺に不必要な光のサブピークを生じ難
くして、必要な部分のレジストが感光されないようにす
ることができ、現像処理した時にレジストの膜減りを生
じ難くすることができ、レジストマスクとしての機能を
損なわないようにすることができる露光マスクを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
露光光を透過する透明基板上に、露光光を透過する開口
部を有する露光光を所定量透過する半透明部が形成され
た露光マスクにおいて、該開口部内に露光光の波長以下
の開口幅を有するスリット部が形成され、かつ該スリッ
ト部の並び方向が最近接する該開口部同志で互いに直交
若しくは略直交してなることを特徴とするものである。
露光光を透過する透明基板上に、露光光を透過する開口
部を有する露光光を所定量透過する半透明部が形成され
た露光マスクにおいて、該開口部内に露光光の波長以下
の開口幅を有するスリット部が形成され、かつ該スリッ
ト部の並び方向が最近接する該開口部同志で互いに直交
若しくは略直交してなることを特徴とするものである。
【００１０】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、前記スリット部は、前記半透明部を構
成する構成材料からなることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、露光光を透過する透明基板上に
露光光を透過する開口部を有する露光光を遮光する遮光
部が形成され、かつ該開口部を透過する透過光の位相が
０の領域とπの領域とからなる露光マスクにおいて、該
開口部内に露光光の波長以下の開口幅を有するスリット
部が形成され、かつ該スリット部の並び方向が最近接す
る該開口部同志で互いに直交若しくは略直交してなるこ
とを特徴とするものである。
の発明において、前記スリット部は、前記半透明部を構
成する構成材料からなることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、露光光を透過する透明基板上に
露光光を透過する開口部を有する露光光を遮光する遮光
部が形成され、かつ該開口部を透過する透過光の位相が
０の領域とπの領域とからなる露光マスクにおいて、該
開口部内に露光光の波長以下の開口幅を有するスリット
部が形成され、かつ該スリット部の並び方向が最近接す
る該開口部同志で互いに直交若しくは略直交してなるこ
とを特徴とするものである。
【００１１】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の発明において、前記スリット部は、前記遮光部を構成
する構成材料からなることを特徴とするものである。
の発明において、前記スリット部は、前記遮光部を構成
する構成材料からなることを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明者等は、鋭意検討した結果、光学的に互
いに直交する２つの直線偏光は干渉しないようにするこ
とができることに着目し、図１に示す如く、露光光（無
偏光な入射光）を透過する透明基板上に露光光を透過す
る開口部１を有する露光光を所定量透過する半透明部２
が形成された露光マスクにおいて、開口部１内に、開口
部１内を透過する透過光を直線偏光にするために、露光
光の波長以下の開口幅ｄを有するスリット部３を形成
し、最近接する開口部１同志を透過する各直線偏光を直
交させるために、そのスリット部３の並び方向を最近接
する開口部１同志で互いに直交してなるように構成した
ところ、最近接する開口部１同志の透過光を互いに直交
する直線偏光にすることができるため、最近接する開口
部１同志の透過光を干渉させ難くすることができ、透過
光のメインピーク同志の干渉によるコントラストの低下
やサブピーク同志の干渉によって、必要なパターン間の
不必要な場所でレジストを感光させ難くすることができ
た。このため、現像処理した時に、レジストの膜減りを
生じ難くすることができる等、レジストマスクとしての
機能を損なわないようにすることができた。
いに直交する２つの直線偏光は干渉しないようにするこ
とができることに着目し、図１に示す如く、露光光（無
偏光な入射光）を透過する透明基板上に露光光を透過す
る開口部１を有する露光光を所定量透過する半透明部２
が形成された露光マスクにおいて、開口部１内に、開口
部１内を透過する透過光を直線偏光にするために、露光
光の波長以下の開口幅ｄを有するスリット部３を形成
し、最近接する開口部１同志を透過する各直線偏光を直
交させるために、そのスリット部３の並び方向を最近接
する開口部１同志で互いに直交してなるように構成した
ところ、最近接する開口部１同志の透過光を互いに直交
する直線偏光にすることができるため、最近接する開口
部１同志の透過光を干渉させ難くすることができ、透過
光のメインピーク同志の干渉によるコントラストの低下
やサブピーク同志の干渉によって、必要なパターン間の
不必要な場所でレジストを感光させ難くすることができ
た。このため、現像処理した時に、レジストの膜減りを
生じ難くすることができる等、レジストマスクとしての
機能を損なわないようにすることができた。
【００１３】なお、スリット部３は、半透明部２を構成
する構成材料で構成してもよいし、半透明部２とは異な
る構成材料で構成してもよい。前者の場合は、スリット
部３と半透明部２を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。次に、本発明者等は、鋭意検討した結果、光学的に
互いに直交する２つの直線偏光は干渉しないようにする
ことができることに着目し、露光光（無偏光な入射光）
を透過する透明基板上に露光光を透過する開口部を有す
る露光光を遮光する遮光部を形成し、かつ開口部を透過
する透過光の位相が０の領域とπの領域とからなる露光
マスクにおいて、開口部内に開口部内を透過する透過光
を直線偏光にするために、露光光の波長以下の開口幅を
有するスリット部を形成し、最近接する開口部同志を透
過する各直線偏光を直交させるために、そのスリット部
の並び方向を最近接する開口部同志で互いに直交してな
るように構成したところ、最近接する開口部同志の透過
光を互いに直交する直線偏光にすることができるため、
最近接する開口部同志の透過光を干渉させ難くすること
ができ、透過光のメインピーク同志の干渉によるコント
ラストの低下やサブピーク同志の干渉によって必要なパ
ターン間の不必要な場所でレジストを感光させ難くする
ことができた。このため、現像処理した時に、レジスト
の膜減りを生じ難くすることができる等、レジストマス
クとしての機能を損なわないようにすることができた。
する構成材料で構成してもよいし、半透明部２とは異な
る構成材料で構成してもよい。前者の場合は、スリット
部３と半透明部２を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。次に、本発明者等は、鋭意検討した結果、光学的に
互いに直交する２つの直線偏光は干渉しないようにする
ことができることに着目し、露光光（無偏光な入射光）
を透過する透明基板上に露光光を透過する開口部を有す
る露光光を遮光する遮光部を形成し、かつ開口部を透過
する透過光の位相が０の領域とπの領域とからなる露光
マスクにおいて、開口部内に開口部内を透過する透過光
を直線偏光にするために、露光光の波長以下の開口幅を
有するスリット部を形成し、最近接する開口部同志を透
過する各直線偏光を直交させるために、そのスリット部
の並び方向を最近接する開口部同志で互いに直交してな
るように構成したところ、最近接する開口部同志の透過
光を互いに直交する直線偏光にすることができるため、
最近接する開口部同志の透過光を干渉させ難くすること
ができ、透過光のメインピーク同志の干渉によるコント
ラストの低下やサブピーク同志の干渉によって必要なパ
ターン間の不必要な場所でレジストを感光させ難くする
ことができた。このため、現像処理した時に、レジスト
の膜減りを生じ難くすることができる等、レジストマス
クとしての機能を損なわないようにすることができた。
【００１４】なお、スリット部は、遮光部を構成する構
成材料で構成してもよいし、遮光部とは異なる構成材料
で構成してもよい。前者の場合は、スリット部と遮光部
を同じフォトリソグラフィー工程とエッチング工程等に
より同時に容易に形成することができる。
成材料で構成してもよいし、遮光部とは異なる構成材料
で構成してもよい。前者の場合は、スリット部と遮光部
を同じフォトリソグラフィー工程とエッチング工程等に
より同時に容易に形成することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図２（ａ）、（ｂ）は本発明に係る実施例
１の露光マスクの構造を示す平面及び断面図であり、図
２（ａ）はその露光マスクの開口部が形成された側の平
面構造図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ２方向の
断面構造図である。図示例は、ハーフトーン構造の露光
マスクに適用する場合である。本実施例では、露光光を
透過する石英ガラス等の透明基板１１上に露光光（無偏
光な入射光）を透過する開口部１を有する露光光をある
割合だけ透過させる酸化クロム等の半透明（ハーフトー
ン）部２を形成し、この開口部１内に、半透明部２と同
じ構成材料で露光光の波長以下の開口幅を有するスリッ
ト部３の並びを形成し、そのスリット部３の並び方向を
最近接する開口部１同志で互いに直交してなるように構
成する。この時、スリット部３の開口幅は例えば０．１
５μｍで、ピッチは例えば０．３０μｍとする。そし
て、露光は、ｉ線を用い、開口部１内にスリット部３が
あるのを見込んで露光時間を適宜長めにし、その他の露
光条件は通常の条件で行う。
する。 （実施例１）図２（ａ）、（ｂ）は本発明に係る実施例
１の露光マスクの構造を示す平面及び断面図であり、図
２（ａ）はその露光マスクの開口部が形成された側の平
面構造図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ２方向の
断面構造図である。図示例は、ハーフトーン構造の露光
マスクに適用する場合である。本実施例では、露光光を
透過する石英ガラス等の透明基板１１上に露光光（無偏
光な入射光）を透過する開口部１を有する露光光をある
割合だけ透過させる酸化クロム等の半透明（ハーフトー
ン）部２を形成し、この開口部１内に、半透明部２と同
じ構成材料で露光光の波長以下の開口幅を有するスリッ
ト部３の並びを形成し、そのスリット部３の並び方向を
最近接する開口部１同志で互いに直交してなるように構
成する。この時、スリット部３の開口幅は例えば０．１
５μｍで、ピッチは例えば０．３０μｍとする。そし
て、露光は、ｉ線を用い、開口部１内にスリット部３が
あるのを見込んで露光時間を適宜長めにし、その他の露
光条件は通常の条件で行う。
【００１６】このように、本実施例では、開口部１内に
開口部１内を透過する透過光を直線偏光にするために、
露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３を形成
し、最近接する開口部１同志を透過する各直線偏光を直
交させるために、そのスリット部３の並び方向を最近接
する開口部１同志で互いに直交してなるように構成し
て、ｉ線を用いてレジストを露光したため、最近接する
開口部１同志の透過光を互いに直交する直線偏光にする
ことができる。このため、最近接する開口部１同志の透
過光を干渉させ難くすることができるので、透過光のメ
インピーク同志の干渉によるコントラストの低下やサブ
ピーク同志の干渉によって必要なパターン間の不必要な
場所でレジストを感光させ難くすることができる。従っ
て、現像処理した時に、レジストの膜減りを生じ難くす
ることができる等、レジストマスクとしての機能を損な
わないようにすることができる。
開口部１内を透過する透過光を直線偏光にするために、
露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３を形成
し、最近接する開口部１同志を透過する各直線偏光を直
交させるために、そのスリット部３の並び方向を最近接
する開口部１同志で互いに直交してなるように構成し
て、ｉ線を用いてレジストを露光したため、最近接する
開口部１同志の透過光を互いに直交する直線偏光にする
ことができる。このため、最近接する開口部１同志の透
過光を干渉させ難くすることができるので、透過光のメ
インピーク同志の干渉によるコントラストの低下やサブ
ピーク同志の干渉によって必要なパターン間の不必要な
場所でレジストを感光させ難くすることができる。従っ
て、現像処理した時に、レジストの膜減りを生じ難くす
ることができる等、レジストマスクとしての機能を損な
わないようにすることができる。
【００１７】また、本実施例では、スリット部３を、半
透明部２を構成する構成材料で構成したため、スリット
部３と半透明部２を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。なお、スリット部３は、半透明部２とは異なる構成
材料で構成してもよい。なお、上記実施例１では、スリ
ット部３の並び方向を最近接する開口部１同志で０度と
１８０度で互いに直交させて構成する場合について説明
したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、
例えば図３に示す如く、スリット部３の並び方向を最近
接する開口部１同志で４５度と−４５度で互いに直交さ
せて構成する場合であってもよい。
透明部２を構成する構成材料で構成したため、スリット
部３と半透明部２を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。なお、スリット部３は、半透明部２とは異なる構成
材料で構成してもよい。なお、上記実施例１では、スリ
ット部３の並び方向を最近接する開口部１同志で０度と
１８０度で互いに直交させて構成する場合について説明
したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、
例えば図３に示す如く、スリット部３の並び方向を最近
接する開口部１同志で４５度と−４５度で互いに直交さ
せて構成する場合であってもよい。
【００１８】（実施例２）図４（ａ）、（ｂ）は本発明
に係る実施例２の露光マスクの構造を示す平面及び断面
図であり、図４（ａ）はその露光マスクの開口部が形成
された側の平面構造図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ１
−Ａ２方向の断面構造図である。図示例は、リムシフト
型位相シフト構造の露光マスクに適用する場合である。
本実施例では、露光光を透過する石英ガラス等の透明基
板１１上に露光光（無偏光な入射光）を透過する開口部
１を有する露光光を遮光するクロム等の遮光部２１を形
成し、この開口部１内に、遮光部２１と同じ構成材料で
露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３の並び
を形成し、そのスリット部３の並び方向を最近接する開
口部１同志で互いに直交してなるように構成する。そし
て、更にスリット部３上に遮光部２１幅よりも小さい幅
のＳｉＯ2 等のシフター２２を形成して、開口部１を透
過する透過光の位相が０の領域（開口部１とシフター２
２間の領域）とπの領域（シフター２２領域）を形成す
るように構成する。この時、スリット部３の開口幅は例
えば０．１５μｍで、ピッチは例えば０．３０μｍとす
る。そして、露光は、ｉ線を用い、開口部１内にスリッ
ト部３があるのを見込んで露光時間を適宜長めにし、そ
の他の露光条件は通常の条件で行う。
に係る実施例２の露光マスクの構造を示す平面及び断面
図であり、図４（ａ）はその露光マスクの開口部が形成
された側の平面構造図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ１
−Ａ２方向の断面構造図である。図示例は、リムシフト
型位相シフト構造の露光マスクに適用する場合である。
本実施例では、露光光を透過する石英ガラス等の透明基
板１１上に露光光（無偏光な入射光）を透過する開口部
１を有する露光光を遮光するクロム等の遮光部２１を形
成し、この開口部１内に、遮光部２１と同じ構成材料で
露光光の波長以下の開口幅を有するスリット部３の並び
を形成し、そのスリット部３の並び方向を最近接する開
口部１同志で互いに直交してなるように構成する。そし
て、更にスリット部３上に遮光部２１幅よりも小さい幅
のＳｉＯ2 等のシフター２２を形成して、開口部１を透
過する透過光の位相が０の領域（開口部１とシフター２
２間の領域）とπの領域（シフター２２領域）を形成す
るように構成する。この時、スリット部３の開口幅は例
えば０．１５μｍで、ピッチは例えば０．３０μｍとす
る。そして、露光は、ｉ線を用い、開口部１内にスリッ
ト部３があるのを見込んで露光時間を適宜長めにし、そ
の他の露光条件は通常の条件で行う。
【００１９】このように、本実施例では、開口部１内を
透過する透過光を直線偏光にするために、露光光の波長
以下の開口幅を有するスリット部３を形成し、最近接す
る開口部１同志を透過する各直線偏光を直交させるため
に、そのスリット部３の並び方向を最近接する開口部１
同志で互いに直交してなるように構成して、ｉ線を用い
てレジストを露光したため、最近接する開口部１同志の
透過光を互いに直交する直線偏光にすることができる。
このため、最近接する開口部１同志の透過光を干渉させ
難くすることができるので、透過光のメインピーク同志
の干渉によるコントラストの低下やサブピーク同志の干
渉によって必要なパターン間の不必要な場所でレジスト
を感光させ難くすることができる。従って、現像処理し
た時に、レジストの膜減りを生じ難くすることができる
等、レジストマスクとしての機能を損なわないようにす
ることができる。
透過する透過光を直線偏光にするために、露光光の波長
以下の開口幅を有するスリット部３を形成し、最近接す
る開口部１同志を透過する各直線偏光を直交させるため
に、そのスリット部３の並び方向を最近接する開口部１
同志で互いに直交してなるように構成して、ｉ線を用い
てレジストを露光したため、最近接する開口部１同志の
透過光を互いに直交する直線偏光にすることができる。
このため、最近接する開口部１同志の透過光を干渉させ
難くすることができるので、透過光のメインピーク同志
の干渉によるコントラストの低下やサブピーク同志の干
渉によって必要なパターン間の不必要な場所でレジスト
を感光させ難くすることができる。従って、現像処理し
た時に、レジストの膜減りを生じ難くすることができる
等、レジストマスクとしての機能を損なわないようにす
ることができる。
【００２０】また、本実施例では、スリット部３を、遮
光部２１を構成する構成材料で構成したため、スリット
部３と遮光部２１を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。なお、スリット部３は、遮光部２１とは異なる構成
材料で構成してもよい。なお、上記実施例２では、スリ
ット部３の並び方向を最近接する開口部１同志で０度と
１８０度で互いに直交させて構成する場合について説明
したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、
例えば図５に示す如く、スリット部３の並び方向を最近
接する開口部１同志で４５度と−４５度で互いに直交さ
せて構成する場合であってもよい。なお、図５では、片
側開口部１部分のみを示している。図５で開口部１を透
過する透過光の位相が０の領域は、Ｃｒ等の遮光部２１
ａと遮光部２１間に形成したスリット部３の領域であ
り、透過光の位相がπの領域は、シフター２２直下で、
かつ遮光部２１ａ間に形成したスリット部３の領域であ
る。
光部２１を構成する構成材料で構成したため、スリット
部３と遮光部２１を同じフォトリソグラフィー工程とエ
ッチング工程等により同時に容易に形成することができ
る。なお、スリット部３は、遮光部２１とは異なる構成
材料で構成してもよい。なお、上記実施例２では、スリ
ット部３の並び方向を最近接する開口部１同志で０度と
１８０度で互いに直交させて構成する場合について説明
したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、
例えば図５に示す如く、スリット部３の並び方向を最近
接する開口部１同志で４５度と−４５度で互いに直交さ
せて構成する場合であってもよい。なお、図５では、片
側開口部１部分のみを示している。図５で開口部１を透
過する透過光の位相が０の領域は、Ｃｒ等の遮光部２１
ａと遮光部２１間に形成したスリット部３の領域であ
り、透過光の位相がπの領域は、シフター２２直下で、
かつ遮光部２１ａ間に形成したスリット部３の領域であ
る。
【００２１】なお、上記各実施例では、露光装置にｉ線
ステッパー（露光波長λ＝０．３６５μｍ）を用いて露
光する場合について説明したが、本発明はこれのみに限
定されるものでなく、例えば変形照明を用いた露光装置
や、ｉ線ばかりでなく今後主流になると思われるエキシ
マステッパー等を用いて露光する場合にも適用すること
ができる。
ステッパー（露光波長λ＝０．３６５μｍ）を用いて露
光する場合について説明したが、本発明はこれのみに限
定されるものでなく、例えば変形照明を用いた露光装置
や、ｉ線ばかりでなく今後主流になると思われるエキシ
マステッパー等を用いて露光する場合にも適用すること
ができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、位相シフトマスクやハ
ーフトーンマスクを用いて微細パターンを露光する際、
必要なパターン周辺に不必要なサブピークを生じ難くし
て、光の必要な部分のレジストが感光されないようにす
ることができ、現像処理した時にレジストの膜減りを生
じ難くすることができ、レジストマスクとしての機能を
損なわないようにすることができるという効果がある。
ーフトーンマスクを用いて微細パターンを露光する際、
必要なパターン周辺に不必要なサブピークを生じ難くし
て、光の必要な部分のレジストが感光されないようにす
ることができ、現像処理した時にレジストの膜減りを生
じ難くすることができ、レジストマスクとしての機能を
損なわないようにすることができるという効果がある。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明に係る実施例１の露光マスクの構造を示
す平面及び断面図である。
す平面及び断面図である。
【図３】本発明に適用できる露光マスクの構造を示す平
面図である。
面図である。
【図４】本発明に係る実施例２の露光マスクの構造を示
す平面及び断面図である。
す平面及び断面図である。
【図５】本発明に適用できる露光マスクの構造を示す平
面及び断面図である。
面及び断面図である。
【図６】従来例の課題を示す図である。
１ 開口部 ２ 半透明部 ３ スリット部 １１ 透明基板 ２１，２１ａ 遮光部 ２２ シフター
Claims (4)
- 【請求項１】露光光を透過する透明基板（１１）上に、
露光光を透過する開口部（１）を有する露光光を所定量
透過する半透明部（２）が形成された露光マスクにおい
て、該開口部（１）内に露光光の波長以下の開口幅を有
するスリット部（３）が形成され、かつ該スリット部
（３）の並び方向が最近接する該開口部（１）同志で互
いに直交若しくは略直交してなることを特徴とする露光
マスク。 - 【請求項２】前記スリット部（３）は、前記半透明部
（２）を構成する構成材料からなることを特徴とする請
求項１記載の露光マスク。 - 【請求項３】露光光を透過する透明基板（１１）上に露
光光を透過する開口部（１）を有する露光光を遮光する
遮光部（２１）が形成され、かつ該開口部（１）を透過
する透過光の位相が０の領域とπの領域とからなる露光
マスクにおいて、該開口部（１）内に露光光の波長以下
の開口幅を有するスリット部（３）が形成され、かつ該
スリット部（３）の並び方向が最近接する該開口部
（１）同志で互いに直交若しくは略直交してなることを
特徴とする露光マスク。 - 【請求項４】前記スリット部（３）は、前記遮光部（２
１）を構成する構成材料からなることを特徴とする請求
項１記載の露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7458594A JPH07281416A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7458594A JPH07281416A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07281416A true JPH07281416A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13551393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7458594A Pending JPH07281416A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07281416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006113583A (ja) * | 2004-10-11 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 回路パターンの露光のための装置及び方法、使用されるフォトマスク及びその設計方法、そして照明系及びその具現方法 |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP7458594A patent/JPH07281416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006113583A (ja) * | 2004-10-11 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 回路パターンの露光のための装置及び方法、使用されるフォトマスク及びその設計方法、そして照明系及びその具現方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030304 |