JPH0792656A - 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法 - Google Patents
半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法Info
- Publication number
- JPH0792656A JPH0792656A JP23380193A JP23380193A JPH0792656A JP H0792656 A JPH0792656 A JP H0792656A JP 23380193 A JP23380193 A JP 23380193A JP 23380193 A JP23380193 A JP 23380193A JP H0792656 A JPH0792656 A JP H0792656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reticle
- transmitting
- exposure
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置製造用の露光用レチクルに関し、遮
光部に対応する領域での光強度を抑えること。 【構成】レチクルにおいて隣合う透光部の一方と他方か
ら出る光をそれぞれ異なる偏光方向に偏光させることを
含み構成する。
光部に対応する領域での光強度を抑えること。 【構成】レチクルにおいて隣合う透光部の一方と他方か
ら出る光をそれぞれ異なる偏光方向に偏光させることを
含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造用の露
光用レチクル、露光装置及び露光方法に関する。
光用レチクル、露光装置及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＬＳＩ）における各種
の素子や配線等が微細化されるにつれて、パターン形成
の際により高解像度の露光が必要とされる。露光は、レ
チクルと称する原板上のパターンを光学系を介してフォ
トレジストに縮小投影し、そのフォトレジストに潜像を
形成するものである。
の素子や配線等が微細化されるにつれて、パターン形成
の際により高解像度の露光が必要とされる。露光は、レ
チクルと称する原板上のパターンを光学系を介してフォ
トレジストに縮小投影し、そのフォトレジストに潜像を
形成するものである。
【０００３】その露光の際には、図６(a) に例示するよ
うなレチクル１が使用され、このレチクル１は、ガラス
基板２上に形成された遮光膜２ａをパターニングして透
光部３と遮光部４とを交互に形成した構造となってい
る。このレチクル１を用いて微細パターンを形成使用と
すると、透光部３を通った光が回折によって図６(b) に
示すように裾広がりの光強度分布となる。その透光部３
と遮光部４のパターン幅が狭い場合には、光強度分布の
裾野の部分が遮光部４の裏で重なり合って光強度が図６
(c) のように大きくなり、この部分が解像されなくな
る。
うなレチクル１が使用され、このレチクル１は、ガラス
基板２上に形成された遮光膜２ａをパターニングして透
光部３と遮光部４とを交互に形成した構造となってい
る。このレチクル１を用いて微細パターンを形成使用と
すると、透光部３を通った光が回折によって図６(b) に
示すように裾広がりの光強度分布となる。その透光部３
と遮光部４のパターン幅が狭い場合には、光強度分布の
裾野の部分が遮光部４の裏で重なり合って光強度が図６
(c) のように大きくなり、この部分が解像されなくな
る。
【０００４】このような問題を解決するため、位相シフ
トレチクルが提案されている。この位相シフトレチクル
には各種の手法があるが、その中でもレチクルの作製が
容易なものとして図７(a) に示すようなエッジ強調型位
相シフトレチクル５がある。そのレチクルは、図７(a)
に例示するように、遮光部３の周縁部に位相をπだけシ
フトさせるシフター層６が形成され、そのシフター層６
を透過した光と遮光部３を透過する光の強度分布はそれ
ぞれ図７(b) にようになる。そして、位相シフト後の光
強度分布を示すと図７(c) のようになり、透光部３の裾
野の光強度は低減されている。
トレチクルが提案されている。この位相シフトレチクル
には各種の手法があるが、その中でもレチクルの作製が
容易なものとして図７(a) に示すようなエッジ強調型位
相シフトレチクル５がある。そのレチクルは、図７(a)
に例示するように、遮光部３の周縁部に位相をπだけシ
フトさせるシフター層６が形成され、そのシフター層６
を透過した光と遮光部３を透過する光の強度分布はそれ
ぞれ図７(b) にようになる。そして、位相シフト後の光
強度分布を示すと図７(c) のようになり、透光部３の裾
野の光強度は低減されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッジ強調型
位相シフトレチクル５によれば、図７(c) に示すよう
に、本来十分が光強度が欲しい領域の外側にサブピーク
と称する小さな光強度を持つ部分が表れ、遮光部４の幅
が狭くなる場合にはその部分でサブピークが重なり合っ
て光強度が大きくなり、遮光部４に対応する部分が解像
し易くなってしまうという問題がある。
位相シフトレチクル５によれば、図７(c) に示すよう
に、本来十分が光強度が欲しい領域の外側にサブピーク
と称する小さな光強度を持つ部分が表れ、遮光部４の幅
が狭くなる場合にはその部分でサブピークが重なり合っ
て光強度が大きくなり、遮光部４に対応する部分が解像
し易くなってしまうという問題がある。
【０００６】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、遮光部に対応する領域での光強度を抑え
ることができる露光用レチクル、露光装置及び露光方法
を提供することを目的とする。
ものであって、遮光部に対応する領域での光強度を抑え
ることができる露光用レチクル、露光装置及び露光方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１、
図３、図４に例示するように、領域或いはパターンによ
って透過光の偏光方向が異なる透光部14、15と、前記透
光部14、15を囲む遮光部13とを有することを特徴とする
半導体装置製造用の露光用レチクルによって達成する。
図３、図４に例示するように、領域或いはパターンによ
って透過光の偏光方向が異なる透光部14、15と、前記透
光部14、15を囲む遮光部13とを有することを特徴とする
半導体装置製造用の露光用レチクルによって達成する。
【０００８】または、図１に例示するように、第一の直
線偏光方向に光を透過させる第一の透光部14と、前記第
一の透光部14に隣合う領域に形成され、前記第一の直線
偏光方向と直交する第二の直線偏向方向の光を透過させ
る第二の透光部15とを有することを特徴とする半導体装
置製造用の露光用レチクルによって達成する。または、
図１に例示するように、ランダム偏光、無偏光のいずれ
かを前記２項目の露光用レチクルに透過させ、透過した
光をレジストに照射することを特徴とする半導体装置製
造用の露光方法によって達成する。
線偏光方向に光を透過させる第一の透光部14と、前記第
一の透光部14に隣合う領域に形成され、前記第一の直線
偏光方向と直交する第二の直線偏向方向の光を透過させ
る第二の透光部15とを有することを特徴とする半導体装
置製造用の露光用レチクルによって達成する。または、
図１に例示するように、ランダム偏光、無偏光のいずれ
かを前記２項目の露光用レチクルに透過させ、透過した
光をレジストに照射することを特徴とする半導体装置製
造用の露光方法によって達成する。
【０００９】または、図３(a) に例示するように、前記
第一の直線偏光方向と前記第二の直線偏光方向の間の角
度の直線偏光方向の光を前記２項目の露光用レチクルに
透過させ、透過した光をレジストに照射することを特徴
とする半導体装置製造用の露光方法によって達成する。
または、図３(b) に例示するように、直線偏光方向の入
射光を偏光することなくそのまま通過させる第一の透光
部18と、前記直線偏光方向の入射光を９０度回転させて
通過させる第二の透光部19とを有することを特徴とする
半導体装置製造用の露光用レチクルによって達成する。
第一の直線偏光方向と前記第二の直線偏光方向の間の角
度の直線偏光方向の光を前記２項目の露光用レチクルに
透過させ、透過した光をレジストに照射することを特徴
とする半導体装置製造用の露光方法によって達成する。
または、図３(b) に例示するように、直線偏光方向の入
射光を偏光することなくそのまま通過させる第一の透光
部18と、前記直線偏光方向の入射光を９０度回転させて
通過させる第二の透光部19とを有することを特徴とする
半導体装置製造用の露光用レチクルによって達成する。
【００１０】または、図４(a) に例示するように、直線
偏光方向の入射光を偏光することなくそのまま通過させ
る第一の透光部37と、前記直線偏光方向の入射光を９０
度回転させて通過させる１／２波長膜を有する第二の透
光部36とを有することを特徴とする半導体装置製造用の
露光用レチクルによって達成する。または、図２に例示
するように前記露光用レチクルを有する半導体装置製造
用の露光装置によって達成する。
偏光方向の入射光を偏光することなくそのまま通過させ
る第一の透光部37と、前記直線偏光方向の入射光を９０
度回転させて通過させる１／２波長膜を有する第二の透
光部36とを有することを特徴とする半導体装置製造用の
露光用レチクルによって達成する。または、図２に例示
するように前記露光用レチクルを有する半導体装置製造
用の露光装置によって達成する。
【００１１】
【作 用】本発明によれば、レチクルにおいて隣合う透
光部の一方と他方から出る光をそれぞれ異なる偏光方向
に偏光させるようにしている。このため異なる偏光方向
の光が重なる部分では、同じ偏光方向の光が重なる部分
よりも光強度が小さくなるので、遮光部での光強度を低
減し、これにより、レチクルによる露光のパターン精度
が向上する。
光部の一方と他方から出る光をそれぞれ異なる偏光方向
に偏光させるようにしている。このため異なる偏光方向
の光が重なる部分では、同じ偏光方向の光が重なる部分
よりも光強度が小さくなるので、遮光部での光強度を低
減し、これにより、レチクルによる露光のパターン精度
が向上する。
【００１２】例えば、従来の方法では、図６に例示する
ように、隣合うパターンを透過した光には、同じ方向の
光が含まれているために、その光強度は振幅の合計を二
乗したものになる。即ち、レチクル上の隣合う２つのパ
ターンの光分布の重なる部分の振幅がともにｃである場
合には、その部分の光強度は４ｃ2 となる。これに対し
て、本発明では、２つのパターンを透過する構成する光
は、互いに偏光方向が直交するようにしているので、干
渉を起こさない。従って、その強度は各々の振幅ｃを二
乗したものの合計である２ｃ2 となり、従来のレチクル
の半分の光強度になる。
ように、隣合うパターンを透過した光には、同じ方向の
光が含まれているために、その光強度は振幅の合計を二
乗したものになる。即ち、レチクル上の隣合う２つのパ
ターンの光分布の重なる部分の振幅がともにｃである場
合には、その部分の光強度は４ｃ2 となる。これに対し
て、本発明では、２つのパターンを透過する構成する光
は、互いに偏光方向が直交するようにしているので、干
渉を起こさない。従って、その強度は各々の振幅ｃを二
乗したものの合計である２ｃ2 となり、従来のレチクル
の半分の光強度になる。
【００１３】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１(a) は、本発明の第１実施例を示す断面図、図１
(b) は、直交する光のベクトルを示す図である。
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１(a) は、本発明の第１実施例を示す断面図、図１
(b) は、直交する光のベクトルを示す図である。
【００１４】図１に示す露光用のレチクル１１は、石英
等のガラス基板１２上に形成された厚さ数百Åのクロム
膜からなる遮光部１３と、そのクロム膜を開口した領域
にある透光部１４、１５とがそれぞれ交互に配置されて
構成されている。また、遮光膜１３を介して隣合う透光
部１４、１５には、互いに直交する直線偏光成分のみを
透過するさせる膜により構成されている。その第一の透
光部１４は、第一の偏光成分ｙのみを透過する第一の偏
光膜によって構成され、また、第二の透過部１５は第一
の偏光成分ｙと直交する第二の偏光成分ｘのみを透過す
る第二の偏光膜によって構成されている。
等のガラス基板１２上に形成された厚さ数百Åのクロム
膜からなる遮光部１３と、そのクロム膜を開口した領域
にある透光部１４、１５とがそれぞれ交互に配置されて
構成されている。また、遮光膜１３を介して隣合う透光
部１４、１５には、互いに直交する直線偏光成分のみを
透過するさせる膜により構成されている。その第一の透
光部１４は、第一の偏光成分ｙのみを透過する第一の偏
光膜によって構成され、また、第二の透過部１５は第一
の偏光成分ｙと直交する第二の偏光成分ｘのみを透過す
る第二の偏光膜によって構成されている。
【００１５】このレチクル１を使用してレジストを露光
する場合には、図２に示すような露光装置２０を使用す
る。この露光装置２０は、光進行方向に向かって、反射
鏡２１、光源２２、レンズ２３、特定波長の光のみを透
過するフィルター２４、光の強度分布を一様にするため
のフライアイレンズ２５、コンデンサレンズ２６、投影
光学系２７及びウェハ支持部２８などを有し、コンデン
サレンズ２６と投影光学系２７の間には例えば上記した
レチクル１１を介在させるように構成されている。
する場合には、図２に示すような露光装置２０を使用す
る。この露光装置２０は、光進行方向に向かって、反射
鏡２１、光源２２、レンズ２３、特定波長の光のみを透
過するフィルター２４、光の強度分布を一様にするため
のフライアイレンズ２５、コンデンサレンズ２６、投影
光学系２７及びウェハ支持部２８などを有し、コンデン
サレンズ２６と投影光学系２７の間には例えば上記した
レチクル１１を介在させるように構成されている。
【００１６】また、コンデンサレンズ２６とレチクル１
１の間には、偏光器が取付けられるような構造となって
いる。なお、光源２２として、例えば水銀ランプを使用
する。投影光学系２７は、レチクル１１を透過した光の
像をウェハ支持部２８上のウェハ２９に縮小して投影す
るものであり、多くは１／５に縮小される。次に、図２
に示すレチクル１１を用いて露光する方法について説明
する。
１の間には、偏光器が取付けられるような構造となって
いる。なお、光源２２として、例えば水銀ランプを使用
する。投影光学系２７は、レチクル１１を透過した光の
像をウェハ支持部２８上のウェハ２９に縮小して投影す
るものであり、多くは１／５に縮小される。次に、図２
に示すレチクル１１を用いて露光する方法について説明
する。
【００１７】露光装置２０に、図１に示すレチクル１１
を取付け、レジスト（感光性樹脂）３０が塗布されたウ
ェハ２９をウェハ支持部２８に装着する。次に、光源２
２から放射された光を、レンズ２３、フィルター２４、
フライアイレンズ２５及びコンデンサレンズ２６を通し
て露光用レチクル１１に照射し、ここを透過した光を投
影光学系２７を通してレジスト３０に縮小投影する。
を取付け、レジスト（感光性樹脂）３０が塗布されたウ
ェハ２９をウェハ支持部２８に装着する。次に、光源２
２から放射された光を、レンズ２３、フィルター２４、
フライアイレンズ２５及びコンデンサレンズ２６を通し
て露光用レチクル１１に照射し、ここを透過した光を投
影光学系２７を通してレジスト３０に縮小投影する。
【００１８】この場合の光源２２から照射される光は、
無偏光又はランダム偏光である。無偏光は、直線偏光、
円偏光、楕円偏光の各光状態を透過確率で含む光であ
り、ランダム偏光は、互いに直交する二つの直線偏光成
分からなり、そのパワーが互いに時間的に変化する光で
ある。したがって、図２に示したレチクル１１の隣り合
う透光部１４、１５を透過した光は、偏光方向が互いに
直交した直線偏光ｘ，ｙとなる。このため、隣合う透光
部１４，１５を透過した光は、互いに偏光方向が直交す
るために干渉を起こさず、その強度は各々の振幅を二乗
したものの合計となる。
無偏光又はランダム偏光である。無偏光は、直線偏光、
円偏光、楕円偏光の各光状態を透過確率で含む光であ
り、ランダム偏光は、互いに直交する二つの直線偏光成
分からなり、そのパワーが互いに時間的に変化する光で
ある。したがって、図２に示したレチクル１１の隣り合
う透光部１４、１５を透過した光は、偏光方向が互いに
直交した直線偏光ｘ，ｙとなる。このため、隣合う透光
部１４，１５を透過した光は、互いに偏光方向が直交す
るために干渉を起こさず、その強度は各々の振幅を二乗
したものの合計となる。
【００１９】例えば、図１(b) に示すように、一方の透
光部１４から出た直線偏光ｙの強度をベクトルａ、他方
の透光部１５による直線偏光ｘの強度をベクトルｂと
し、これらが直交する場合には、隣接する透光部１４、
１５に挟まれた遮光部１３の中間点におけるトータルの
振幅は、（ａ2 ＋ｂ2 ）となり、ａ＝ｂ＝ｃの時には、
（ａ2 ＋ｂ2 ）＝２ｃ2 となる。
光部１４から出た直線偏光ｙの強度をベクトルａ、他方
の透光部１５による直線偏光ｘの強度をベクトルｂと
し、これらが直交する場合には、隣接する透光部１４、
１５に挟まれた遮光部１３の中間点におけるトータルの
振幅は、（ａ2 ＋ｂ2 ）となり、ａ＝ｂ＝ｃの時には、
（ａ2 ＋ｂ2 ）＝２ｃ2 となる。
【００２０】これに対して、図６(a) に示すような従来
のレチクルを使用すると、隣接する２つの透光部３を透
過した光は、ベクトルａ，ｂの方向が同じで、それらの
遮光部４における振幅をａ，ｂ＝ｃとすれば、同点のト
ータルの光強度は４ｃ2 となる。したがって、本実施例
のようなレチクルを使用すれば、遮光膜１３における光
強度は従来に比べて半分になり、各透光部を透過した光
強度分布の重なる部分が抑えられていることがわかる。
のレチクルを使用すると、隣接する２つの透光部３を透
過した光は、ベクトルａ，ｂの方向が同じで、それらの
遮光部４における振幅をａ，ｂ＝ｃとすれば、同点のト
ータルの光強度は４ｃ2 となる。したがって、本実施例
のようなレチクルを使用すれば、遮光膜１３における光
強度は従来に比べて半分になり、各透光部を透過した光
強度分布の重なる部分が抑えられていることがわかる。
【００２１】これにより隣合う透光部から透過した光の
偏光方向を直交させると、それらの光が重なる領域で
は、光強度が低減することがわかる。なお、図７に示す
ようなレチクルを使用する場合にも、隣合う透光部での
偏光方向を直交させるようにすればよい。このような露
光によりレジスト３０に形成された潜像は、現像により
顕像化する。
偏光方向を直交させると、それらの光が重なる領域で
は、光強度が低減することがわかる。なお、図７に示す
ようなレチクルを使用する場合にも、隣合う透光部での
偏光方向を直交させるようにすればよい。このような露
光によりレジスト３０に形成された潜像は、現像により
顕像化する。
【００２２】なお、透光部や遮光部は、半導体装置形成
用のパターンの部分であり、パターンによって偏光方向
を変えたり、パターンの領域によって偏光方向を変える
よううにする。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 前記した実施例では、コンデンサレンズ２６を透過した
光を直にレチクル１１に照射したが、その間に図３(a)
に示すような偏光器３１を挿入してもよい。
用のパターンの部分であり、パターンによって偏光方向
を変えたり、パターンの領域によって偏光方向を変える
よううにする。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 前記した実施例では、コンデンサレンズ２６を透過した
光を直にレチクル１１に照射したが、その間に図３(a)
に示すような偏光器３１を挿入してもよい。
【００２３】その偏光器３１は、２つの透光部１４，１
５から出る光の直交する偏光成分から４５°（４５度）
傾いた方向の偏光成分のみを透過させるものである。こ
れにより、各透光部１４，１５から出る光は第１実施例
と同じ方向の直線偏光成分となり、第１実施例と同じく
遮光部１３での光強度が抑制される。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 第２実施例で説明した偏光器３１は、隣合う透光部１
３，１４の互いに直交する直線偏光成分に対して４５°
傾いた方向の偏光成分のみを透過させるようにしたが、
それ以外の偏光成分であってもよい。
５から出る光の直交する偏光成分から４５°（４５度）
傾いた方向の偏光成分のみを透過させるものである。こ
れにより、各透光部１４，１５から出る光は第１実施例
と同じ方向の直線偏光成分となり、第１実施例と同じく
遮光部１３での光強度が抑制される。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 第２実施例で説明した偏光器３１は、隣合う透光部１
３，１４の互いに直交する直線偏光成分に対して４５°
傾いた方向の偏光成分のみを透過させるようにしたが、
それ以外の偏光成分であってもよい。
【００２４】例えば、図３(b) に示すように、互いに直
交する直線偏光成分ｘ，ｙのいずれかの方向の偏光成分
のみを透過させる偏光器３１を用いてもよく、この場合
のレチクル１７の構造は次のようにする。そのレチクル
１７の遮光部１３を介して隣接する透光部１８，１９の
うちの一方は、その偏光器１３と同じ方向の直線偏光成
分ｙのみを通過させる層から構成され、他方は、その直
線偏光成分を９０°回転させる偏光膜から構成される。
交する直線偏光成分ｘ，ｙのいずれかの方向の偏光成分
のみを透過させる偏光器３１を用いてもよく、この場合
のレチクル１７の構造は次のようにする。そのレチクル
１７の遮光部１３を介して隣接する透光部１８，１９の
うちの一方は、その偏光器１３と同じ方向の直線偏光成
分ｙのみを通過させる層から構成され、他方は、その直
線偏光成分を９０°回転させる偏光膜から構成される。
【００２５】これにより、第１実施例と同様な作用が得
られ、遮光部１２における光強度が従来よりも低減され
る。 （ｄ）本発明の第４実施例の説明 図４(a) は、本発明の第４実施例を示すレチクルを示
し、このレチクルは、図２に示す露光装置２０に装着さ
れる。
られ、遮光部１２における光強度が従来よりも低減され
る。 （ｄ）本発明の第４実施例の説明 図４(a) は、本発明の第４実施例を示すレチクルを示
し、このレチクルは、図２に示す露光装置２０に装着さ
れる。
【００２６】このレチクル３３は、石英等のガラス基板
３４の上に、数百Åの厚さのクロム膜からなる遮光部３
５と、クロム膜を開口して形成された複数の透光部３
６、３７から構成され、それらの透光部３６、３７は、
遮光部３５を挟んで隣接し合っている。一方の透光部２
６には、直線偏光成分ｙのみを通す偏光器３８を透過し
た光の半波長分の位相差を、Ｘ，Ｙ方向の間に与える１
／２波長膜３９が形成され、その軸方向は、光源２２側
の偏光器３８で取り出された直線偏光方向ｙと４５°の
角度となるように配置されている。その１／２波長膜３
９として、例えば厚さ１０μｍ程度の結晶石英の薄板を
使用する。
３４の上に、数百Åの厚さのクロム膜からなる遮光部３
５と、クロム膜を開口して形成された複数の透光部３
６、３７から構成され、それらの透光部３６、３７は、
遮光部３５を挟んで隣接し合っている。一方の透光部２
６には、直線偏光成分ｙのみを通す偏光器３８を透過し
た光の半波長分の位相差を、Ｘ，Ｙ方向の間に与える１
／２波長膜３９が形成され、その軸方向は、光源２２側
の偏光器３８で取り出された直線偏光方向ｙと４５°の
角度となるように配置されている。その１／２波長膜３
９として、例えば厚さ１０μｍ程度の結晶石英の薄板を
使用する。
【００２７】また、他方の透光部３７は、レチクル３３
の光源２２側の偏光膜３８により取り出された直線偏光
成分ｙをそのまま通過させるもので、偏光膜は何ら形成
されていない。これにより、隣合う透光部３６，３７を
透過した光は、互いに直交する直線偏光成分となり、第
１実施例と同様に、遮光部３５での光強度は小さくな
る。 （ｅ）本発明の第５実施例 上記した実施例では、偏光器３１、３２、３８とレチク
ル１１、１７、３３を別々に用意して、図２に示す露光
装置２０に取付けるようにしたが、図４(b) に例示する
ように、偏光器３１、３２、３８となる偏光板を、レチ
クル１１、１７、３３の光源２２側の面に一体化させて
もよい。 （ｆ）本発明のその他の実施例の説明 上記したレチクル１１、１７、３３に適用する偏光膜の
材料としては、沃化物の微小針状結晶をアセチルセルロ
ーズの酢酸アミル中に分散させて板状に延ばしたもの、
或いは、沃素の微結晶をセルローズ等の鎖状分子の膜に
吸着させたものがある。
の光源２２側の偏光膜３８により取り出された直線偏光
成分ｙをそのまま通過させるもので、偏光膜は何ら形成
されていない。これにより、隣合う透光部３６，３７を
透過した光は、互いに直交する直線偏光成分となり、第
１実施例と同様に、遮光部３５での光強度は小さくな
る。 （ｅ）本発明の第５実施例 上記した実施例では、偏光器３１、３２、３８とレチク
ル１１、１７、３３を別々に用意して、図２に示す露光
装置２０に取付けるようにしたが、図４(b) に例示する
ように、偏光器３１、３２、３８となる偏光板を、レチ
クル１１、１７、３３の光源２２側の面に一体化させて
もよい。 （ｆ）本発明のその他の実施例の説明 上記したレチクル１１、１７、３３に適用する偏光膜の
材料としては、沃化物の微小針状結晶をアセチルセルロ
ーズの酢酸アミル中に分散させて板状に延ばしたもの、
或いは、沃素の微結晶をセルローズ等の鎖状分子の膜に
吸着させたものがある。
【００２８】前者の偏光膜を基板表面に形成したものと
して、商品名polaroidがあり、また、後者の偏光膜を基
板表面に形成したものとして商品名dichrom があり、こ
れらは偏光器として使用できる。次に、偏光膜を使用し
てレチクルを形成する方法を簡単に説明する。まず、図
５(a) に示すように、石英ガラス基板５１の両面に第一
及び第二の偏光膜５２、５３を形成する。それらの偏光
膜５２、５３の偏光方向は、互いに直交する方向ｘ、ｙ
に配置する。
して、商品名polaroidがあり、また、後者の偏光膜を基
板表面に形成したものとして商品名dichrom があり、こ
れらは偏光器として使用できる。次に、偏光膜を使用し
てレチクルを形成する方法を簡単に説明する。まず、図
５(a) に示すように、石英ガラス基板５１の両面に第一
及び第二の偏光膜５２、５３を形成する。それらの偏光
膜５２、５３の偏光方向は、互いに直交する方向ｘ、ｙ
に配置する。
【００２９】次に、第一の偏光膜５２の上にクロム膜を
数百Å形成してこれをパターニングして遮光部５４と第
一及び第二の透光部５５、５６を形成する。この後に、
第一の透光部５５と遮光部５４とをレジストマスク５７
で覆い、第二の透光部５６だけを露出する。そして、図
５(b) に示すように、露出した透光部５６にある第一の
偏光膜５２をエッチングにより除去する。
数百Å形成してこれをパターニングして遮光部５４と第
一及び第二の透光部５５、５６を形成する。この後に、
第一の透光部５５と遮光部５４とをレジストマスク５７
で覆い、第二の透光部５６だけを露出する。そして、図
５(b) に示すように、露出した透光部５６にある第一の
偏光膜５２をエッチングにより除去する。
【００３０】次に、図５(c) に示すようにレジストマス
ク５７を除去した後に、図５(d) に示すように、第二の
偏光膜５３の上にネガ型レジスト５８を塗布する。つい
で、ランダム偏光を第一の偏光膜５２側から照射する
と、第一の偏光膜５２が除去された透光部５６を通った
光がネガ型レジスト３８を感光する一方、その他の領域
では遮光部５４と第一の偏光膜５２により遮光されて未
感光状態となる。
ク５７を除去した後に、図５(d) に示すように、第二の
偏光膜５３の上にネガ型レジスト５８を塗布する。つい
で、ランダム偏光を第一の偏光膜５２側から照射する
と、第一の偏光膜５２が除去された透光部５６を通った
光がネガ型レジスト３８を感光する一方、その他の領域
では遮光部５４と第一の偏光膜５２により遮光されて未
感光状態となる。
【００３１】この後に、ネガ型レジスト３８を現像する
と、図５(e) に示すように、第一の偏光膜５２が除去さ
れた透光部５６だけにネガ型レジスト５８が残るので、
これをマスクにして第二の偏光膜５３をエッチング除去
する。そしてネガ型レジスト３８を除去すれば、図５
(f) に示すような第１実施例と同じ機能のレチクルが完
成する。
と、図５(e) に示すように、第一の偏光膜５２が除去さ
れた透光部５６だけにネガ型レジスト５８が残るので、
これをマスクにして第二の偏光膜５３をエッチング除去
する。そしてネガ型レジスト３８を除去すれば、図５
(f) に示すような第１実施例と同じ機能のレチクルが完
成する。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、レチ
クルにおいて隣合う透光部の一方と他方から出る光をそ
れぞれ異なる偏光方向に偏光させるようにしているの
で、異なる偏光方向の光が重なる部分では干渉を起こさ
ず、同じ偏光方向の光が重なる部分に比べて光強度が小
さくなり、レチクルによる露光のパターン精度を向上す
ることができる。
クルにおいて隣合う透光部の一方と他方から出る光をそ
れぞれ異なる偏光方向に偏光させるようにしているの
で、異なる偏光方向の光が重なる部分では干渉を起こさ
ず、同じ偏光方向の光が重なる部分に比べて光強度が小
さくなり、レチクルによる露光のパターン精度を向上す
ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面と直線偏光のベ
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
【図２】本発明の実施例に用いる露光装置の構成図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２、第３実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第４、第５実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明のその他の実施例を示す断面図である。
【図６】第１の従来装置の断面と、光強度分布を示す図
である。
である。
【図７】第２の従来装置の断面と、光強度分布を示す図
である。
である。
１１、１７、３３ レチクル １２、３４ ガラス基板 １３、３５ 遮光部 １４、１５、１８、１９、３６、３７ 透光部 ２０ 露光装置 ３９ １／２波長膜 ３１、３２、３８ 偏光器
Claims (7)
- 【請求項１】領域或いはパターンによって透過光の偏光
方向が異なる透光部（14、15）と、 前記透光部（14、15）を囲む遮光部（13）とを有するこ
とを特徴とする半導体装置製造用の露光用レチクル。 - 【請求項２】第一の直線偏光方向に光を透過させる第一
の透光部（14）と、 前記第一の透光部（14）に隣合う領域に形成され、前記
第一の直線偏光方向と直交する第二の直線偏向方向の光
を透過させる第二の透光部（15）とを有することを特徴
とする半導体装置製造用の露光用レチクル。 - 【請求項３】ランダム偏光、無偏光のいずれかを請求項
２記載の露光用レチクルに透過させ、透過した光をレジ
ストに照射することを特徴とする半導体装置製造用の露
光方法。 - 【請求項４】前記第一の直線偏光方向と前記第二の直線
偏光方向の間の角度の直線偏光方向の光を請求項２記載
の露光用レチクルに透過させ、透過した光をレジストに
照射することを特徴とする半導体装置製造用の露光方
法。 - 【請求項５】直線偏光方向の入射光を偏光することなく
そのまま通過させる第一の透光部（18）と、 前記直線偏光方向の入射光を９０度回転させて通過させ
る第二の透光部（19）とを有することを特徴とする半導
体装置製造用の露光用レチクル。 - 【請求項６】直線偏光方向の入射光を偏光することなく
そのまま通過させる第一の透光部（37）と、 前記直線偏光方向の入射光を９０度回転させて通過させ
る１／２波長膜を有する第二の透光部（36）とを有する
ことを特徴とする半導体装置製造用の露光用レチクル。 - 【請求項７】請求項１、２、５又は６記載の露光用レチ
クルを有する半導体装置製造用の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23380193A JPH0792656A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23380193A JPH0792656A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792656A true JPH0792656A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16960800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23380193A Withdrawn JPH0792656A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009011088A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Kabushiki Kaisha Topcon | 角膜観察装置 |
| WO2009019847A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Kabushiki Kaisha Topcon | 光画像計測装置 |
| US8970848B2 (en) | 2009-06-03 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Topcon | Optical image measurement apparatus |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23380193A patent/JPH0792656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009011088A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Kabushiki Kaisha Topcon | 角膜観察装置 |
| WO2009019847A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Kabushiki Kaisha Topcon | 光画像計測装置 |
| US8970848B2 (en) | 2009-06-03 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Topcon | Optical image measurement apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2986087B2 (ja) | 位相シフト・リソグラフィ・マスクおよびその製造方法 | |
| US6134008A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| US5677755A (en) | Method and apparatus for pattern exposure, mask used therefor, and semiconductor integrated circuit produced by using them | |
| JP3099933B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH08211590A (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 | |
| JPH07183201A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH07307268A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPH06118623A (ja) | レチクル及びこれを用いた半導体露光装置 | |
| JP2768657B2 (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
| US5888677A (en) | Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| US5985491A (en) | Reflectors for photolithographic projection and related systems and methods | |
| US5914204A (en) | Phase shifting mask and a manufacturing method therefor | |
| JP2000021722A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3148818B2 (ja) | 投影型露光装置 | |
| JPH09120154A (ja) | 偏光マスク及びその製作方法及びそれを用いたパターン露光方法及びそれを用いたパターン投影露光装置 | |
| JPH0792656A (ja) | 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法 | |
| JP2870390B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3189009B2 (ja) | 露光装置及び方法、並びに半導体素子の製造方法 | |
| JPH0470656A (ja) | フォトマスク | |
| JP3268692B2 (ja) | 半導体集積回路パターンの形成方法およびそれに用いるマスクの製造方法 | |
| JP3214033B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH0736174A (ja) | 光学マスク | |
| JP2004348050A (ja) | フォトマスク、検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH06118624A (ja) | ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 | |
| JP2919023B2 (ja) | レジストパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |