JPH06118624A - ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 - Google Patents
ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法Info
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- JPH06118624A JPH06118624A JP26896992A JP26896992A JPH06118624A JP H06118624 A JPH06118624 A JP H06118624A JP 26896992 A JP26896992 A JP 26896992A JP 26896992 A JP26896992 A JP 26896992A JP H06118624 A JPH06118624 A JP H06118624A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な操作により短時間で微小パターンの投影
露光を行えるようにする。 【構成】レチクル２０は、横線パターンＵ１〜Ｕ３と縦
線パターンＶ１〜Ｖ３の部分を除いて、ガラス基板上に
遮光体１１が被着されている。横線パターンＵ１〜Ｕ３
は、縦線パターンＶ〜Ｖ３との交差部であるコンタクト
ホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、偏光面
がＹ方向のＹ偏光を通し、偏光面がＸ方向のＸ偏光を通
さないようになっている。これに対し縦線パターンＶ１
〜Ｖ３は、コンタクトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の
部分を除いて、Ｘ偏光を通しＹ偏光を通さないようにな
っている。光源とレチクル２０との間へ偏光板を配置し
て横線パターンＵ１〜Ｕ３を投影露光させ、次に、該偏
光板をその面内で９０゜回転させて縦線パターンＶ１〜
Ｖ３を投影露光させる。
露光を行えるようにする。 【構成】レチクル２０は、横線パターンＵ１〜Ｕ３と縦
線パターンＶ１〜Ｖ３の部分を除いて、ガラス基板上に
遮光体１１が被着されている。横線パターンＵ１〜Ｕ３
は、縦線パターンＶ〜Ｖ３との交差部であるコンタクト
ホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、偏光面
がＹ方向のＹ偏光を通し、偏光面がＸ方向のＸ偏光を通
さないようになっている。これに対し縦線パターンＶ１
〜Ｖ３は、コンタクトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の
部分を除いて、Ｘ偏光を通しＹ偏光を通さないようにな
っている。光源とレチクル２０との間へ偏光板を配置し
て横線パターンＵ１〜Ｕ３を投影露光させ、次に、該偏
光板をその面内で９０゜回転させて縦線パターンＶ１〜
Ｖ３を投影露光させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトマスク及びこれを
用いた半導体露光方法に関する。
用いた半導体露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハ３１上のホトレジストに
所望のパターンを投影露光するために、ホトマスクとし
て例えば図６に示すようなレチクル１０が用いられる。
このレチクル１０は、コンタクトホールパターンＨ１１
〜Ｈ３３の部分を除いて、ガラス基板上に遮光体１１、
例えばクロム膜が被着されている。コンタクトホールパ
ターンＨ１１〜Ｈ３３は、半導体基板上に形成される層
間接続用コンタクトホールに対応している。コンタクト
ホールパターンＨ１１〜Ｈ１３のサイズが小さくなる
と、これらを透過した光の回折効果により充分な解像度
の投影パターンが得られなくなる。
所望のパターンを投影露光するために、ホトマスクとし
て例えば図６に示すようなレチクル１０が用いられる。
このレチクル１０は、コンタクトホールパターンＨ１１
〜Ｈ３３の部分を除いて、ガラス基板上に遮光体１１、
例えばクロム膜が被着されている。コンタクトホールパ
ターンＨ１１〜Ｈ３３は、半導体基板上に形成される層
間接続用コンタクトホールに対応している。コンタクト
ホールパターンＨ１１〜Ｈ１３のサイズが小さくなる
と、これらを透過した光の回折効果により充分な解像度
の投影パターンが得られなくなる。
【０００３】そこで、図７に示すようなレチクル１０Ａ
及び１０Ｂを用いたクロス露光法が提案されている。レ
チクル１０Ａは、互いに平行な横線パターンＸ１、Ｘ２
及びＸ３の部分を除き、ガラス基板上に遮光体１２が被
着されている。一方、レチクル１０Ｂは、互いに平行な
縦線パターンＹ１、Ｙ２及びＹ３の部分を除き、ガラス
基板上に遮光体１３が被着されている。横線パターンＸ
１〜Ｘ３と縦線パターンＹ１〜Ｙ３とは互いに直角な方
向となっている。クロス露光法では、最初にレチクル１
０Ａを用いて横線パターンＸ１〜Ｘ３を投影露光した
後、レチクル１０Ａを１０Ｂと取り換えて、縦線パター
ンＹ１〜Ｙ３を投影露光する。露光時間は、横線パター
ンＸ１〜Ｘ３と縦線パターンＹ１〜Ｙ３の交差部のみが
現像に充分な時間となるようにする。このようにして、
解像度の良いコンタクトホールパターンを半導体ウエー
ハ上のホトレジストに転写することが可能となる。
及び１０Ｂを用いたクロス露光法が提案されている。レ
チクル１０Ａは、互いに平行な横線パターンＸ１、Ｘ２
及びＸ３の部分を除き、ガラス基板上に遮光体１２が被
着されている。一方、レチクル１０Ｂは、互いに平行な
縦線パターンＹ１、Ｙ２及びＹ３の部分を除き、ガラス
基板上に遮光体１３が被着されている。横線パターンＸ
１〜Ｘ３と縦線パターンＹ１〜Ｙ３とは互いに直角な方
向となっている。クロス露光法では、最初にレチクル１
０Ａを用いて横線パターンＸ１〜Ｘ３を投影露光した
後、レチクル１０Ａを１０Ｂと取り換えて、縦線パター
ンＹ１〜Ｙ３を投影露光する。露光時間は、横線パター
ンＸ１〜Ｘ３と縦線パターンＹ１〜Ｙ３の交差部のみが
現像に充分な時間となるようにする。このようにして、
解像度の良いコンタクトホールパターンを半導体ウエー
ハ上のホトレジストに転写することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、クロス露光法
は、１つのパターンを転写するのに２枚のレチクル１０
Ａ及び１０Ｂを用いるため、レチクル２０と半導体ウエ
ーハ３１との間の位置合わせを２回行わなければなら
ず、操作が煩雑であり、かつ、露光処理時間が長くな
る。
は、１つのパターンを転写するのに２枚のレチクル１０
Ａ及び１０Ｂを用いるため、レチクル２０と半導体ウエ
ーハ３１との間の位置合わせを２回行わなければなら
ず、操作が煩雑であり、かつ、露光処理時間が長くな
る。
【０００５】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、簡単な操作により短時間で微小パターンの投影露光
を行えるようにするホトマスク及びこれを用いた半導体
露光方法を提供することにある。
み、簡単な操作により短時間で微小パターンの投影露光
を行えるようにするホトマスク及びこれを用いた半導体
露光方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
るホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法を、実施
例図中の対応する構成要素の符号を引用して説明する。
るホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法を、実施
例図中の対応する構成要素の符号を引用して説明する。
【０００７】このホトマスクは半導体露光用であり、例
えば図１及び図３に示す如く、透明基板２１上にパター
ン部を除き遮光体２３が被着されて、互いに交差する第
１線形パターンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜Ｖ
３とが形成されている。ホトマスクは、第１線形パター
ンＵ１〜Ｕ３の、第２線形パターンＶ１〜Ｖ３との交差
部Ｈ１１〜Ｈ３３を除いた部分の透明基板２１上近傍に
形成され、第１偏光を透過させ第２偏光を透過させない
第１偏光選択手段２２Ｘと、第２線形パターンＶ１〜Ｖ
３の、交差部Ｈ１１〜Ｈ３３を除いた部分の透明基板２
１上近傍に形成され、該第２偏光を透過させ該第１偏光
を透過させない第２偏光選択手段２２Ｙと、を備えてい
る。
えば図１及び図３に示す如く、透明基板２１上にパター
ン部を除き遮光体２３が被着されて、互いに交差する第
１線形パターンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜Ｖ
３とが形成されている。ホトマスクは、第１線形パター
ンＵ１〜Ｕ３の、第２線形パターンＶ１〜Ｖ３との交差
部Ｈ１１〜Ｈ３３を除いた部分の透明基板２１上近傍に
形成され、第１偏光を透過させ第２偏光を透過させない
第１偏光選択手段２２Ｘと、第２線形パターンＶ１〜Ｖ
３の、交差部Ｈ１１〜Ｈ３３を除いた部分の透明基板２
１上近傍に形成され、該第２偏光を透過させ該第１偏光
を透過させない第２偏光選択手段２２Ｙと、を備えてい
る。
【０００８】本発明に係るホトマスクの第１態様では、
例えば図３に示す如く、第１偏光選択手段は、第１偏光
板２２Ｘからなり、第２偏光選択手段は、透過軸が第１
偏光板２２Ｘの透過軸と直角な第２偏光板２２Ｙからな
る。
例えば図３に示す如く、第１偏光選択手段は、第１偏光
板２２Ｘからなり、第２偏光選択手段は、透過軸が第１
偏光板２２Ｘの透過軸と直角な第２偏光板２２Ｙからな
る。
【０００９】この場合、ホトマスクの構成が簡単であ
る。
る。
【００１０】本発明に係るホトマスクの第２態様では、
例えば図４に示す如く、遮光体２３Ａは、第１偏光板２
２Ｘと第２偏光板２２Ｙとを互いに平行に配置したも
の、例えば重ね合わせたものである。
例えば図４に示す如く、遮光体２３Ａは、第１偏光板２
２Ｘと第２偏光板２２Ｙとを互いに平行に配置したも
の、例えば重ね合わせたものである。
【００１１】この場合、透明基板と偏光板のみでホトマ
スクを構成することができる。
スクを構成することができる。
【００１２】本発明に係るホトマスクの第３態様では、
例えば図５に示す如く、第１偏光選択手段は、１／２波
長板２５と偏光板２２Ｘとを互いに平行に配置したもの
であり、第２偏光選択手段は、１／４波長板２４と偏光
板２２Ｘとを互いに平行に配置したものである。
例えば図５に示す如く、第１偏光選択手段は、１／２波
長板２５と偏光板２２Ｘとを互いに平行に配置したもの
であり、第２偏光選択手段は、１／４波長板２４と偏光
板２２Ｘとを互いに平行に配置したものである。
【００１３】本発明に係る半導体露光方法では、例えば
図２（Ａ）及び図１に示す如く、露光装置の光源３３と
上記構成のホトマスク２０との間へ偏光板３４を配置し
て上記第１偏光をホトマスク２０に照射させることによ
り、第１線形パターンＵ１〜Ｕ３を、半導体基板３１上
に被着されたホトレジストに投影露光させ、次に、偏光
板３４をその面内で９０゜回転させて第２偏光をホトマ
スク２０に照射させることにより、第２線形パターンＶ
１〜Ｖ３をホトレジストに投影露光させ、第１線形パタ
ーンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜Ｖ３との交差
部Ｈ１１〜Ｈ３３のみが現像に充分な露光量となるよう
にする。
図２（Ａ）及び図１に示す如く、露光装置の光源３３と
上記構成のホトマスク２０との間へ偏光板３４を配置し
て上記第１偏光をホトマスク２０に照射させることによ
り、第１線形パターンＵ１〜Ｕ３を、半導体基板３１上
に被着されたホトレジストに投影露光させ、次に、偏光
板３４をその面内で９０゜回転させて第２偏光をホトマ
スク２０に照射させることにより、第２線形パターンＶ
１〜Ｖ３をホトレジストに投影露光させ、第１線形パタ
ーンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜Ｖ３との交差
部Ｈ１１〜Ｈ３３のみが現像に充分な露光量となるよう
にする。
【００１４】この構成の場合、最初の露光では、ホトマ
スク２０に入射した偏光は第１線パターンＵ１、Ｕ２及
びＵ３のみを透過し、次の露光では、ホトマスク２０に
入射した偏光は第２線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３のみ
を透過する。半導体ウエーハ３１に対するホトマスク２
０の位置合わせは１回のみ行えばよく、２回目の露光で
は単に偏光板３４を９０゜回転させればよいので、従来
よりも操作が簡単であり、かつ、露光処理時間がより短
時間となる。
スク２０に入射した偏光は第１線パターンＵ１、Ｕ２及
びＵ３のみを透過し、次の露光では、ホトマスク２０に
入射した偏光は第２線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３のみ
を透過する。半導体ウエーハ３１に対するホトマスク２
０の位置合わせは１回のみ行えばよく、２回目の露光で
は単に偏光板３４を９０゜回転させればよいので、従来
よりも操作が簡単であり、かつ、露光処理時間がより短
時間となる。
【００１５】本発明に係る他の半導体露光方法では、例
えば図２（Ａ）、（Ｂ）及び図１に示す如く、露光装置
の光源３３と上記構成のホトマスク２０との間へ偏光板
３４を配置して上記第１偏光をホトマスク２０に照射さ
せることにより、第１線形パターンＵ１〜Ｕ３を、半導
体基板３１上に被着されたホトレジストに投影露光さ
せ、次に、偏光板３４とホトレジスト２０との間へ偏光
板３４と平行に１／４波長板２４を配置して上記第２偏
光を該ホトマスクに照射させることにより、第２線形パ
ターンＶ１〜Ｖ３を半導体基板３１上に投影露光させ、
第１線形パターンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜
Ｖ３との交差部Ｈ１１〜Ｈ３３のみが現像に充分な露光
量となるようにする。
えば図２（Ａ）、（Ｂ）及び図１に示す如く、露光装置
の光源３３と上記構成のホトマスク２０との間へ偏光板
３４を配置して上記第１偏光をホトマスク２０に照射さ
せることにより、第１線形パターンＵ１〜Ｕ３を、半導
体基板３１上に被着されたホトレジストに投影露光さ
せ、次に、偏光板３４とホトレジスト２０との間へ偏光
板３４と平行に１／４波長板２４を配置して上記第２偏
光を該ホトマスクに照射させることにより、第２線形パ
ターンＶ１〜Ｖ３を半導体基板３１上に投影露光させ、
第１線形パターンＵ１〜Ｕ３と第２線形パターンＶ１〜
Ｖ３との交差部Ｈ１１〜Ｈ３３のみが現像に充分な露光
量となるようにする。
【００１６】この構成の場合、最初の露光では、ホトマ
スク２０に入射した偏光は第１線パターンＵ１、Ｕ２及
びＵ３のみを透過し、次の露光では、ホトマスク２０に
入射した円偏光は第２線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３の
みを透過する。半導体ウエーハ３１に対するホトマスク
２０の位置合わせは１回のみ行えばよく、２回目の露光
では単に偏光板３４とホトレジスト２０との間へ偏光板
３４と平行に１／４波長板２４を配置すればよいので、
従来よりも操作が簡単であり、かつ、露光処理時間がよ
り短時間となる。
スク２０に入射した偏光は第１線パターンＵ１、Ｕ２及
びＵ３のみを透過し、次の露光では、ホトマスク２０に
入射した円偏光は第２線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３の
みを透過する。半導体ウエーハ３１に対するホトマスク
２０の位置合わせは１回のみ行えばよく、２回目の露光
では単に偏光板３４とホトレジスト２０との間へ偏光板
３４と平行に１／４波長板２４を配置すればよいので、
従来よりも操作が簡単であり、かつ、露光処理時間がよ
り短時間となる。
【００１７】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１８】［第１実施例］図１は、レチクル２０の平
面図である。このレチクル２０は、互いに平行な横線パ
ターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の部分と、横線パターンＵ
１、Ｕ２及びＵ３と直交し互いに平行な縦線パターンＶ
１、Ｖ２及びＶ３の部分を除いて、ガラス基板上に遮光
体１１、例えばクロム膜が被着されている。ガラス基板
上にとは、ガラス基板上に直接又は他の膜を介してとい
う意味である。
面図である。このレチクル２０は、互いに平行な横線パ
ターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の部分と、横線パターンＵ
１、Ｕ２及びＵ３と直交し互いに平行な縦線パターンＶ
１、Ｖ２及びＶ３の部分を除いて、ガラス基板上に遮光
体１１、例えばクロム膜が被着されている。ガラス基板
上にとは、ガラス基板上に直接又は他の膜を介してとい
う意味である。
【００１９】横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３は、縦線
パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３との交差部であるコンタク
トホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、例え
ば偏光面が図示Ｙ方向のＹ偏光を通し、偏光面が図示Ｘ
方向のＸ偏光を通さないようになっている。これに対し
縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３は、コンタクトホール
パターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、例えばＸ偏光
を通しＹ偏光を通さないようになっている。
パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３との交差部であるコンタク
トホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、例え
ば偏光面が図示Ｙ方向のＹ偏光を通し、偏光面が図示Ｘ
方向のＸ偏光を通さないようになっている。これに対し
縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３は、コンタクトホール
パターンＨ１１〜Ｈ３３の部分を除いて、例えばＸ偏光
を通しＹ偏光を通さないようになっている。
【００２０】図３は、図１のレチクル２０のＡ−Ａ線断
面構成例をレチクル２０Ａとして示す。
面構成例をレチクル２０Ａとして示す。
【００２１】コンタクトホールパターンＨ１３は光透過
部であり、ガラス基板２１のみからなる。コンタクトホ
ールパターンＨ１３を除いた横線パターンＵ１の部分
は、透過軸が図示Ｙ方向の偏光板（膜）２２Ｙが、ガラ
ス基板２１上に被着されている。コンタクトホールパタ
ーンＨ１３を除いた縦線パターンＶ３の部分は、透過軸
が図示Ｘ方向の偏光板２２Ｘが、ガラス基板２１上に被
着されている。遮光体２３は、パターン部以外の偏光板
２２Ｘ上及び偏光板２２Ｙ上に被着されている。
部であり、ガラス基板２１のみからなる。コンタクトホ
ールパターンＨ１３を除いた横線パターンＵ１の部分
は、透過軸が図示Ｙ方向の偏光板（膜）２２Ｙが、ガラ
ス基板２１上に被着されている。コンタクトホールパタ
ーンＨ１３を除いた縦線パターンＶ３の部分は、透過軸
が図示Ｘ方向の偏光板２２Ｘが、ガラス基板２１上に被
着されている。遮光体２３は、パターン部以外の偏光板
２２Ｘ上及び偏光板２２Ｙ上に被着されている。
【００２２】レチクル２０は、図２（Ａ）に示す露光装
置内に配置される。レチクル２０上のパターンは、投影
レンズ３２により、半導体ウエーハ３１上に被着された
ホトレジスト上に投影される。レチクル２０の上方に
は、単色光源３３とコンデンサレンズ３５との間に、偏
光板３４が配置されている。
置内に配置される。レチクル２０上のパターンは、投影
レンズ３２により、半導体ウエーハ３１上に被着された
ホトレジスト上に投影される。レチクル２０の上方に
は、単色光源３３とコンデンサレンズ３５との間に、偏
光板３４が配置されている。
【００２３】最初、偏光板３４の透過軸をＹ方向にして
露光が行われる。これにより、レチクル２０に入射する
光はＹ偏光となり、横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の
みを透過し、図７（Ａ）のレチクル１０Ａを用いた場合
と同様になる。次に、偏光板３４をその面内で９０゜回
転させて露光を行う。これにより、レチクル２０に入射
する光はＸ偏光となり、縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ
３のみを透過し、図７に示すレチクル１０Ｂを用いた場
合と同様になる。露光時間は、このような２回の露光に
よりコンタクトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分の
み現像に充分な露光時間となるようにする。
露光が行われる。これにより、レチクル２０に入射する
光はＹ偏光となり、横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の
みを透過し、図７（Ａ）のレチクル１０Ａを用いた場合
と同様になる。次に、偏光板３４をその面内で９０゜回
転させて露光を行う。これにより、レチクル２０に入射
する光はＸ偏光となり、縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ
３のみを透過し、図７に示すレチクル１０Ｂを用いた場
合と同様になる。露光時間は、このような２回の露光に
よりコンタクトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分の
み現像に充分な露光時間となるようにする。
【００２４】この第１実施例では、半導体ウエーハ３１
に対するレチクル２０の位置合わせを１回のみ行えばよ
く、２回目の露光では単に偏光板３４を９０゜回転させ
ればよいので、従来よりも操作が簡単であり、かつ、露
光処理時間がより短時間となる。
に対するレチクル２０の位置合わせを１回のみ行えばよ
く、２回目の露光では単に偏光板３４を９０゜回転させ
ればよいので、従来よりも操作が簡単であり、かつ、露
光処理時間がより短時間となる。
【００２５】なお、遮光体２３を２１上に被着してマス
クブランクを作成し、次に縦線パターンＶ１、Ｖ２及び
Ｖ３及び横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の部分の遮光
体２３を剥離させ、次に上記偏光板を被着してもよい。
クブランクを作成し、次に縦線パターンＶ１、Ｖ２及び
Ｖ３及び横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３の部分の遮光
体２３を剥離させ、次に上記偏光板を被着してもよい。
【００２６】［第２実施例］図４は、図１のレチクル２
０のＡ−Ａ線断面構成例を、第２実施例のレチクル２０
Ｂとして示す。
０のＡ−Ａ線断面構成例を、第２実施例のレチクル２０
Ｂとして示す。
【００２７】このレチクル２０Ｂは、遮光体２３Ａを、
偏光板２２Ｘと偏光板２２Ｙとを重ね合わせた構成とし
ている。他の点は上記第１実施例と同一である。
偏光板２２Ｘと偏光板２２Ｙとを重ね合わせた構成とし
ている。他の点は上記第１実施例と同一である。
【００２８】この第２実施例は、レチクル２０Ｂの構成
が図３の場合よりも簡単である。
が図３の場合よりも簡単である。
【００２９】［第３実施例］図５は、図１のレチクル２
０のＡ−Ａ線断面構成例を、第３実施例のレチクル２０
Ｃとして示す。
０のＡ−Ａ線断面構成例を、第３実施例のレチクル２０
Ｃとして示す。
【００３０】このレチクル２０Ｃは、ガラス基板２１上
の一方の全面に偏光板２２Ｘが被着され、縦線パターン
Ｖ１〜Ｖ３との交差部以外の横線パターンＵ１〜Ｕ３の
部分の偏光板２２Ｘ上に１／２波長板２５が被着され、
この交差部以外の縦線パターンＶ１〜Ｖ３の部分の偏光
板２２Ｘ上に１／４波長板２４が被着されている。
の一方の全面に偏光板２２Ｘが被着され、縦線パターン
Ｖ１〜Ｖ３との交差部以外の横線パターンＵ１〜Ｕ３の
部分の偏光板２２Ｘ上に１／２波長板２５が被着され、
この交差部以外の縦線パターンＶ１〜Ｖ３の部分の偏光
板２２Ｘ上に１／４波長板２４が被着されている。
【００３１】横線パターンＵ１〜Ｕ３及び縦線パターン
Ｖ１〜Ｖ３以外の１／４波長板２４上及び１／２波長板
２５上には、遮光体２３が被着されている。
Ｖ１〜Ｖ３以外の１／４波長板２４上及び１／２波長板
２５上には、遮光体２３が被着されている。
【００３２】最初の露光では、図２（Ａ）に示すよう
に、単色光源３３とコンデンサレンズ３５との間に偏光
板３４を配置し、偏光板３４の透過軸をＹ方向にする。
これにより、レチクル２０に入射する光はＹ偏光とな
り、横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３のみを透過し、図
７（Ａ）のレチクル１０Ａを用いた場合と同様になる。
次の露光では、図２（Ｂ）に示すように、偏光板３４と
コンデンサレンズ３５との間に１／４波長板３６を配置
する。これにより、１／４波長板３６を透過した光は円
偏光となり、縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３のみを透
過し、図７に示すレチクル１０Ｂを用いた場合と同様に
なる。露光時間は、このような２回の露光によりコンタ
クトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分のみ現像に充
分な露光時間となるようにする。
に、単色光源３３とコンデンサレンズ３５との間に偏光
板３４を配置し、偏光板３４の透過軸をＹ方向にする。
これにより、レチクル２０に入射する光はＹ偏光とな
り、横線パターンＵ１、Ｕ２及びＵ３のみを透過し、図
７（Ａ）のレチクル１０Ａを用いた場合と同様になる。
次の露光では、図２（Ｂ）に示すように、偏光板３４と
コンデンサレンズ３５との間に１／４波長板３６を配置
する。これにより、１／４波長板３６を透過した光は円
偏光となり、縦線パターンＶ１、Ｖ２及びＶ３のみを透
過し、図７に示すレチクル１０Ｂを用いた場合と同様に
なる。露光時間は、このような２回の露光によりコンタ
クトホールパターンＨ１１〜Ｈ３３の部分のみ現像に充
分な露光時間となるようにする。
【００３３】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係るホトマ
スク及びこれを用いた半導体露光方法によれば、半導体
ウエーハに対するホトマスクの位置合わせを１回のみ行
えばよいので、従来よりも操作が簡単であり、かつ、露
光処理時間がより短時間となるという優れた効果を奏す
る。
スク及びこれを用いた半導体露光方法によれば、半導体
ウエーハに対するホトマスクの位置合わせを１回のみ行
えばよいので、従来よりも操作が簡単であり、かつ、露
光処理時間がより短時間となるという優れた効果を奏す
る。
【図１】本発明の実施例のレチクルの平面図である。
【図２】露光装置の概略構成図である。
【図３】本発明の第１実施例に係り、図１のレチクルの
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例に係り、図１のレチクルの
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
【図５】本発明の第３実施例に係り、図１のレチクルの
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
Ａ−Ａ線断面構成例を示す図である。
【図６】コンタクトホールパターンが形成されたレチク
ルの平面図である。
ルの平面図である。
【図７】従来のクロス露光法で用いられるレチクルの平
面図である。
面図である。
１０、１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０Ａ〜２０Ｃ レチク
ル １１、１２、１３、２３、２３Ａ 遮光体 ２１ ガラス基板 ２２Ｘ、２２Ｙ 偏光板 ２４、３６ １／４波長板 ２５ １／２波長板 ３１ 半導体ウエーハ ３２ 投影レンズ ３３ 単色光源 ３４ 偏光板
ル １１、１２、１３、２３、２３Ａ 遮光体 ２１ ガラス基板 ２２Ｘ、２２Ｙ 偏光板 ２４、３６ １／４波長板 ２５ １／２波長板 ３１ 半導体ウエーハ ３２ 投影レンズ ３３ 単色光源 ３４ 偏光板
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０２Ｂ 27/28 Ｚ 9120−2Ｋ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｌ
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板（２１）上にパターン部を除き
遮光体（２３）が被着されて、互いに交差する第１線形
パターン（Ｕ１〜Ｕ３）と第２線形パターン（Ｖ１〜Ｖ
３）とが形成された半導体露光用ホトマスクであって、 該第１線形パターンの、該第２線形パターンとの交差部
（Ｈ１１〜Ｈ３３）を除いた部分の該透明基板上近傍に
形成され、第１偏光を透過させ第２偏光を透過させない
第１偏光選択手段（２２Ｘ）と、 該第２線形パターンの、該交差部を除いた部分の該透明
基板上近傍に形成され、該第２偏光を透過させ該第１偏
光を透過させない第２偏光選択手段（２２Ｙ）と、 を有することを特徴とする半導体露光用ホトマスク。 - 【請求項２】 前記第１偏光選択手段は、第１偏光板
（２２Ｘ）からなり、 前記第２偏光選択手段は、透過軸が該第１偏光板の透過
軸と直角な第２偏光板（２２Ｙ）からなることを特徴と
する請求項１記載の半導体露光用ホトマスク。 - 【請求項３】 前記遮光体（２３Ａ）は、前記第１偏光
板（２２Ｘ）と前記第２偏光板（２２Ｙ）とを互いに平
行に配置したものであることを特徴とする請求項２記載
の半導体露光用ホトマスク。 - 【請求項４】 前記第１偏光選択手段は、１／２波長板
（２５）と偏光板（２２Ｘ）とを互いに平行に配置した
ものであり、 前記第２偏光選択手段（２２Ｙ）は、１／４波長板（２
４）と該偏光板とを互いに平行に配置したものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体露光用ホトマス
ク。 - 【請求項５】 露光装置の光源（３３）と請求項１乃至
３のいずれか１つに記載のホトマスク（２０）との間へ
偏光板（３４）を配置して前記第１偏光を該ホトマスク
に照射させることにより、前記第１線形パターン（Ｕ１
〜Ｕ３）を、半導体基板（３１）上に被着されたホトレ
ジストに投影露光させ、 次に、該偏光板をその面内で９０゜回転させて前記第２
偏光を該ホトマスクに照射させることにより、前記第２
線形パターン（Ｖ１〜Ｖ３）を該ホトレジストに投影露
光させ、 該第１線形パターンと該第２線形パターンと
の交差部（Ｈ１１〜Ｈ３３）のみが現像に充分な露光量
となるようにしたことを特徴とする半導体露光方法。 - 【請求項６】 露光装置の光源（３３）と請求項１乃至
３のいずれか１つに記載のホトマスク（２０）との間へ
偏光板（３４）を配置して前記第１偏光を該ホトマスク
に照射させることにより、前記第１線形パターン（Ｕ１
〜Ｕ３）を、半導体基板（３１）上に被着されたホトレ
ジストに投影露光させ、 次に、該偏光板と該ホトマスクとの間へ該偏光板と平行
に１／４波長板（２４）を配置して前記第２偏光を該ホ
トマスクに照射させることにより、前記第２線形パター
ン（Ｖ１〜Ｖ３）を該半導体基板上に投影露光させ、 該第１線形パターンと該第２線形パターンとの交差部
（Ｈ１１〜Ｈ３３）のみが現像に充分な露光量となるよ
うにしたことを特徴とする半導体露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26896992A JPH06118624A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26896992A JPH06118624A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118624A true JPH06118624A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17465826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26896992A Withdrawn JPH06118624A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06118624A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025764A (ko) * | 1998-12-30 | 2001-04-06 | 박종섭 | 광투과율 조정레티클 및 그를 이용한 감광물질 현상방법 |
| GB2361551A (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-24 | Nec Corp | Reticle |
| JP2011071280A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 |
| CN108388076A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其掩膜方法、制造方法、掩膜系统 |
| US11815348B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Kioxia Corporation | Template, workpiece, and alignment method |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP26896992A patent/JPH06118624A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025764A (ko) * | 1998-12-30 | 2001-04-06 | 박종섭 | 광투과율 조정레티클 및 그를 이용한 감광물질 현상방법 |
| GB2361551A (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-24 | Nec Corp | Reticle |
| GB2361551B (en) * | 2000-04-17 | 2002-06-26 | Nec Corp | Reticle |
| US6627357B2 (en) | 2000-04-17 | 2003-09-30 | Nec Electronics Corporation | Reticle |
| JP2011071280A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 |
| CN108388076A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其掩膜方法、制造方法、掩膜系统 |
| CN108388076B (zh) * | 2018-03-06 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其掩膜方法、制造方法、掩膜系统 |
| US11815348B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Kioxia Corporation | Template, workpiece, and alignment method |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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