JP2001085296A - レジストパターン形成方法 - Google Patents

レジストパターン形成方法

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JP2001085296A
JP2001085296A JP25620599A JP25620599A JP2001085296A JP 2001085296 A JP2001085296 A JP 2001085296A JP 25620599 A JP25620599 A JP 25620599A JP 25620599 A JP25620599 A JP 25620599A JP 2001085296 A JP2001085296 A JP 2001085296A
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Shoji Sanhongi
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Toshiba Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲートパターンに対して十分なプロセス裕度
を持ち微細なスペース等に対して十分な解像性を持つ。 【解決手段】 投影露光装置を用いてウェハ上に形成さ
れたレジスト膜にパターンを形成する方法において、ア
クティブエリアのリサイズパターン２０１とその反転パ
ターン２０２を生成し、さらに露光すべきゲートパター
ン１０１とパターン２０１との論理積パターン２０３を
生成し、次いでパターン２０２とパターン２０３との論
理和パターン２０４を遮光膜として有する第１のマスク
を形成し、さらにパターン２０１とパターン１０１との
論理和パターン２０５を遮光膜として有する第２のマス
クを形成し、しかるのちウェハ上のレジスト膜に対し第
１のマスクを用いて低い開口数の条件で露光を行い、続
いて第２のマスクを用いて高い開口数の条件で露光を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体のリソグラ
フィ技術に係わり、特にウェハ上のレジスト膜にゲート
パターン等を形成するためのレジストパターン形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの集積度は年々指数関数的に増大
の一途を辿っており、ＬＳＩの内部での配線等のデザイ
ンルールは益々小さいものとなってきている。このデザ
インルールの縮小に伴って、光リソグラフィ技術も進歩
してきている。例えば、露光波長をＫｒＦエキシマレー
ザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長
１９３ｎｍ）へと短波長化し、露光装置の射出レンズも
大口径化（高開口数化）し、解像度の向上をはかってい
る。
【０００３】レイリー（Rayleigh）の式によれば、露光
波長をλ、開口数をＮＡとすると、解像度Ｒは、 Ｒ＝ｋ1（λ／ＮＡ） … (1) となることが知られている。ここで、ｋ1 はレジスト等
のプロセスによって決まる定数である。(1) 式から分か
るように、解像寸法を小さくするためにはλを小さくす
るか、又はＮＡを大きくすることが必要である。
【０００４】一方、現実の量産工程ではある一定以上の
プロセス裕度を確保しなければ歩留まりが低下する。プ
ロセス裕度の重要な指標として、焦点深度がある。焦点
深度をＤＯＦとすると、 ＤＯＦ＝ｋ2（λ／ＮＡ2 ） … (2) となる。ここで、ｋ2 は定数である。(2) 式から分かる
ように、ＤＯＦを大きくするにはλを大きくするか、又
はＮＡを小さくすることが必要である。
【０００５】式(1)(2)の結果から、解像度を向上させる
とＤＯＦは減少する。特に、ＤＯＦにおいてＮＡは２乗
で利くので、ＮＡを上げるとＤＯＦは急激に減少するこ
とが分かる。従って、解像度及びプロセス裕度の両方を
ある程度満足させるには、ＮＡ及びλ共に小さい方が望
ましい。
【０００６】トランジスタのゲートパターンに関して
は、トランジスタの動作性能の均一化が要求されるため
にゲート線幅は非常に厳しく制御されなければならない
ので、ゲートパターンを形成するためのリソグラフィと
しては十分なプロセス裕度を持たせる必要がある。従っ
て、微細なゲートパターンを形成する場合には、露光波
長λは短くしても、ＮＡは大きくすることができない。
【０００７】トランジスタゲートの形成では、ゲート部
とそれ以外のコンタクトパッド及び微細なスペース部を
同一マスクを用いて１回露光でレジストにパターンを形
成する。この場合に問題となるのは、ゲート層にはゲー
トパターンの他にコンタクトパターンやその他のパター
ンが存在し、その中でも微細なスペースが存在する場合
には、ＮＡが小さいと微細スペースを解像できなくなる
ことである。このため、低ＮＡ化にも限界があった。
【０００８】また、ダイナミックＲＡＭなどでは、セル
の密集した繰り返しパターン部では、高い解像度が要求
されるのでＮＡは大きい方が良く、セルの周辺部ではパ
ターンサイズも大きく密集パターンが少ないため、解像
度よりも焦点深度が必要となり、ＮＡは小さい方がよ
い。従って、セル部と周辺部を同一マスクで露光する場
合には、最適ＮＡが存在しない場合があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、微細
なパターンのうち寸法精度が必要とされるトランジスタ
ゲートの形成においては、線幅制御が必要なゲート部分
は孤立線が多く存在するので露光装置の開口数ＮＡは小
さい方がプロセス裕度が取れるが、小さいＮＡでの露光
ではゲート部以外の線幅制御の必要としないパターンで
は解像さえしないパターンがあった。この問題は、露光
装置の条件を変えても改善することはできなかった。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、ゲートパターンに対し
て十分なプロセス裕度を持ち、且つ微細なスペース等に
対しても十分な解像性を持つレジストパターン形成方法
を提供することにある。
【００１１】また本発明は、ダイナミックラムなどでの
セルの密集した繰り返しパターン部での解像度を保ちな
がら、周辺のパターンサイズが大きく、孤立したパター
ンでのプロセスマージンを与えるレジストパターン形成
方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１３】即ち本発明は、投影露光装置を用いてウェ
ハ上に形成されたレジスト膜にパターンを形成するパタ
ーン形成方法において、前記ウェハ上のアクティブエリ
ア内のゲートパターンを低い開口数ＮＡの条件で露光
し、それ以外を高い開口数ＮＡの条件で露光することを
特徴とする。
【００１４】また本発明は、投影露光装置を用いてウェ
ハ上に形成されたレジスト膜にパターンを形成するパタ
ーン形成方法において、前記ウェハ上のアクティブエリ
アのパターンをリサイズする第１の工程と、前記リサイ
ズされたアクティブエリアパターンを反転させる第２の
工程と、前記リサイズされたアクティブエリアパターン
と露光すべきゲートパターンとの論理積を取る第３の工
程と、第２の工程で形成された反転パターンと第３の工
程で形成されたパターンとの論理和に相当するパターン
を有する第１のマスクを形成する第４の工程と、前記リ
サイズされたアクティブエリアパターンと露光すべきゲ
ートパターンとの論理和に相当する第２のマスクを形成
する第５の工程と、第４の工程で形成された第１のマス
クを用いて前記ウェハ上のレジスト膜に低い開口数ＮＡ
の条件で露光を行う第６の工程と、第５の工程で形成さ
れた第２のマスクを用いて前記ウェハ上のレジスト膜に
高い開口数ＮＡの条件で露光を行う第７の工程とを含む
ことを特徴とする。
【００１５】また本発明は、投影露光装置を用いてウェ
ハ上に形成されたレジスト膜にパターンを形成するパタ
ーン形成方法において、前記ウェハ上のアクティブエリ
アのパターンをリサイズする工程と、前記リサイズされ
たアクティブエリアパターンを反転させる工程と、前記
リサイズされたアクティブエリアパターンと露光すべき
ゲートパターンとの論理積を取る工程と、前記反転され
たアクティブエリアパターンを遮光膜とし前記論理積に
より得られたパターンをハーフトーン位相シフタとして
第１のマスクを形成する工程と、前記リサイズされたア
クティブエリアパターンを遮光膜とし露光すべきゲート
パターンをハーフトーン位相シフタとして第２のマスク
を形成する工程と、第１のマスクを用いて低い開口数Ｎ
Ａの条件で前記ウエハ上のレジスト膜に露光を行う工程
と、第２のマスクを用いて高い開口数ＮＡの条件で前記
ウェハ上のレジスト膜に露光を行う工程とを含むことを
特徴とする。
【００１６】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 同じアクティブエリアに複数本のゲートパターンが
存在している場合、隣接パターンに対する近接効果補正
を行うこと。 (2) アクティブエリアパターンのリサイズ量を、第１の
マスクでの露光と第２のマスクでの露光との合わせずれ
分と、近接効果の及ぶ距離との和に設定したこと。 (3) 投影露光装置における照明のコヒーレンスファクタ
は大きく、また輪帯などの変形照明を用いること。
【００１７】(4) 開口数ＮＡを切り替えて露光を行うた
めに、第１のマスクを用いる場合と第２のマスクを用い
る場合で露光装置におけるレンズ絞りを変えること。即
ち、ＮＡを切り替えて２回の露光（第１のマスクを用い
る露光と第２のマスクを用いる露光）を行うために、レ
ンズのＮＡを可変できる同一の投影露光装置を用いてＮ
Ａを切り替えること。 (5) 開口数ＮＡを切り替えて２回の露光（第１のマスク
を用いる露光と第２のマスクを用いる露光）を行うため
に、ＮＡの異なる投影露光装置を用いること。
【００１８】また本発明は、投影露光装置を用いて、ウ
ェハ上に形成されたレジスト膜にパターンを形成する工
程であって、前記ウェハ上のメモリセル部を高い開口数
の条件で露光し、それ以外を低い開口数の条件で露光す
ることを特徴とする。
【００１９】また本発明は、投影露光装置を用いて、ウ
ェハ上に形成されたレジスト膜にパターンを形成する方
法において、前記ウェハ上のメモリセル部を高い開口数
の条件で露光し、それ以外を低い開口数の条件で露光
し、周辺とセル部の境界部分を太くすることを特徴とす
る。
【００２０】（作用）本発明によれば、アクティブエリ
ア上のゲートパターンを低い開口数ＮＡで露光すること
により、ゲートパターンに対し十分なプロセス裕度を持
ってパターン形成することが可能となる。また、アクテ
ィブエリア内のゲートパターン以外のパターンを高い開
口数ＮＡで露光することにより、微細なスペース等に対
しも十分な解像性を持ってパターン形成することが可能
となる。つまり、ゲートパターンに対して十分なプロセ
ス裕度を持ち、微細なスペース等に対して十分な解像性
を持つパターン露光が可能となる。
【００２１】また、本発明によれば、密集した繰り返し
パターン部を高いＮＡで露光することによって、密集し
た繰り返しパターンに対し十分な解像度を持ってパター
ンを形成することが可能となる。また、パターンサイズ
が大きく、孤立したパターン部を低いＮＡで露光するこ
とによって、パターンサイズが大きく、孤立したパター
ンに対し十分なプロセスマージンを持つ露光が可能とな
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
【００２３】（第１の実施形態）図１は、本実施形態に
より形成すべきパターンの例を示す図である。この図に
は、ゲート部及びコンタクトパッド部を含むゲートパタ
ーン１０１と共に、寸法制御に係わるアクティブエリア
のパターン１０２も重ねて示してある。トランジスタの
特性を決めているのは、アクティブエリア上でのゲート
線幅である。従って、アクティブエリア上でのゲート線
幅さえ制御されていればよい。
【００２４】図１のようなパターンデータからゲート部
とそれ以外のパターンにマスクを分割する方法を説明す
る。レジストはポジ型レジストを想定する。
【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、図１のア
クティブエリアパターン１０２をリサイズして大きく
し、リサイズパターン２０１を形成する。アクティブエ
リアパターン１０２をリサイズするのは、後述する第１
及び第２のマスクにおける合わせずれを考慮するためで
ある。次いで、図２（ｂ）に示すように、リサイズパタ
ーン２０１を反転させて反転パターン２０２を得る。次
いで、図２（ｃ）に示すように、ゲートパターン１０１
とリサイズパターン２０１との論理積を取り、論理積パ
ターン２０３を得る。
【００２６】次いで、図２（ｄ）に示すように、論理積
パターン２０３と反転パターン２０２との論理和を取
り、論理和パターン２０４を得る。そして、この論理和
パターン２０４に基づいて、図３（ａ）に示すような第
１のフォトマスクを作成する。なお、論理和パターン２
０４は、必ずしも論理積パターン２０３と反転パターン
２０２との論理和に限るものではなく、反転パターン２
０２とゲートパターン１０１の論理和であってもよい。
【００２７】次いで、図２（ｅ）に示すように、ゲート
パターン１０１とリサイズパターン２０１との論理和を
取り、論理和パターン２０５を得る。そして、この論理
和パターン２０５に基づいて、図３（ｂ）に示すような
第２のフォトマスクを作成する。
【００２８】第１及び第２のフォトマスクは、石英等の
透明基板上に遮光膜としてのＣｒパターンが形成された
ものである。このＣｒパターンを形成するには、光露光
装置よりも解像度の高い電子ビーム描画装置等を用いれ
ばよい。図３中の３０１は論理積パターン２０３に対応
する遮光部、３０２はアクティブエリア１０２に相当す
る領域、３０３は反転パターン２０２に対応する遮光
部、３０４はゲートパターン１０１に対応する遮光部、
３０５はリサイズパターン２０１に対応する遮光部を示
している。
【００２９】次に、投影露光装置内にレジストが塗布さ
れたウェハを設置し、第１のマスクを用いて低ＮＡでの
露光を行い、続いて第２のマスクを用いて高ＮＡでの露
光を行った。これにより、大きなプロセス裕度を持つゲ
ート部と、高解像度を持つゲート部以外のパターン形成
を行うことができた。大きくリサリイズされたアクティ
ブエリアを用いているので、アクティブエリアの端上で
のゲート部の寸法制御性も良好であった。
【００３０】ここで、ＮＡを切り替えて２回の露光を行
うためには、第１のマスクを用いる場合と第２のマスク
を用いる場合で投影露光装置におけるＮＡ絞りを変える
ようにしても良いし、ＮＡの異なる２種の投影露光装置
を用いてもよい。
【００３１】同一の投影露光装置を用いてＮＡを切り替
えた２回の露光を行う例について説明する。図４はこの
方法に用いる投影露光装置を示しており、４０１は縮小
投影レンズ、４０２はコンデンサレンズ、４０３はレチ
クルブラインド、４０４はスリット開口絞り、４０５は
シャッタ、４０６はフライアレイレンズ、４０７はビー
ム整形光学系、４０８はアクチュエータ、４０９はσ絞
り、４１１は振動ミラー４１２，４１３はミラー、４１
５はエキシマレーザ光源、４２０はＮＡ絞り、４３１は
レチクル（マスク）、４３２はウェハを示している。
【００３２】ＮＡ絞り４２０は可変となっており、等価
的に示すと図５（ａ）に示すようにＮＡが大きな状態
と、図５（ｂ）に示すようにＮＡが小さい状態を取り得
るものである。また、マスク４３１は装置内で複数種の
ものと交換可能となっている。
【００３３】上記の装置を用い、マスク４３１として前
記図３（ａ）（ｂ）に示す２つのマスクを用意し、まず
第１のマスクを所定位置にセットした状態で、図５
（ｂ）に示す低ＮＡでウェハに１回目の露光を行う。次
いで、第１のマスクを所定位置から取り外し第２のマス
クを所定位置にセットした状態で、ＮＡ絞り４２０を調
整し、図５（ａ）に示す高ＮＡでウェハに２回目の露光
を行う。
【００３４】この方法では、２回の露光を行うにも拘わ
らず、ウェハを装置の外に出さないので、ウェハ上のレ
ジストが大気の影響を受けることがない。２回目の露光
を行う際に、露光装置の照明形状も同時に切り替えるこ
とも可能である。
【００３５】また、ＮＡの異なる２種の投影露光装置を
用いる場合、第１のマスクを用いて１回目の露光を行っ
た後、ウェハを別の露光装置に移し替えて２回目の露光
を行う。この場合、ウェハを一旦装置の外に出している
ので、２回目の露光を行うまでに、レジストが大気の影
響を受ける場合がある。このために、１回目の露光が終
了した後に、熱処理を行ってからウェハを移し替えるよ
うにしてもよい。
【００３６】なお本実施形態は、遮光部をＣｒで形成し
たマスクでも、遮光部をハーフトーン位相シフトマスク
で形成したマスクでも効果がある。また、ゲート部は孤
立線が多く存在するために照明のコヒーレンスファクタ
は大きく、また輪帯などの変形照明を用いるとより効果
的であった。
【００３７】さらに、ゲート部は完全な孤立線ではなく
低ＮＡ露光を行っているために、光近接効果が必要な場
合がある。そのために、１次元の光近接効果補正技術と
の併用が望ましい。特に、同じアクティブエリアに複数
本のゲートパターンが存在している場合、隣接ゲートパ
ターンに対する近接効果の影響が生じるので、これを補
正するのが望ましい。
【００３８】アクティブエリアのリサイズ量は、第１の
マスクでの露光と第２のマスクでの露光での合わせずれ
分（通常は５０ｎｍ程度）が必要であるが、光近接効果
の影響を考えると、上記合わせずれ分と光近接効果の及
ぶ距離との和程度であることが望ましい。
【００３９】（第２の実施形態）第１の実施形態での第
１のマスク及び第２のマスクは遮光部をＣｒのみ、また
はハーフトーン位相シフタのみで形成していた。遮光部
にハーフトーン位相シフタを用いた場合には、透過率に
よっては３０３の遮光部を透過した僅かな光が３０４の
遮光部に重畳するために解像度も劣化する。また、３０
５の遮光部を透過した僅かな光が３０１の遮光部に重畳
するために３０１のゲート部に相当するプロセス裕度が
劣化する。
【００４０】この重畳を避けるために、本実施形態では
図６（ａ）（ｂ）に示すように、第１のマスクにおける
６０１と第２のマスクにおける６０４はハーフトーン位
相シフタで形成し、第１のマスクにおける６０３と第２
のマスクにおける６０５はＣｒで形成する。ここで、図
６中の６０１〜６０５は、図３中の３０１〜３０５に対
応している。このように構成することによって、上記の
解像度の劣化を抑制することができ、高いプロセス裕度
を持つゲート部を露光形成することが可能となる。
【００４１】また、第１の実施形態と同様に、輪帯など
の変形照明を用いたり、光近接効果補正技術との併用を
行うのが望ましい。さらに、アクティブエリアのリサイ
ズ量も第１の実施形態と同様に、第１のマスクでの露光
と第２のマスクでの露光での合わせずれ分（通常は５０
ｎｍ程度）と光近接効果の及ぶ距離との和程度であるこ
とが望ましい。
【００４２】（第３の実施形態）図７を用いて第３の実
施形態を説明する。図７にダイナミックＲＡＭなどのセ
ル部と周辺回路部との境界付近のパターンを示す。図中
のＡＢはセル部と周辺部との境界を表している。７０１
はセル部、７０３は周辺部、７０２はセル部と周辺部と
の繋ぎ部である。
【００４３】本実施形態では、セル部と周辺部との境界
ＡＢでパターンを２つに分割する。分割されたパターン
をそれぞれ別のマスクにパターンを形成する。７０１の
パターンを含むマスクを第１のマスク、７０２及び７０
３を含むマスクを第２のマスクとする。第１のマスクを
用いて、高いＮＡで露光を行った後、第２のマスクを用
いて、低いＮＡで露光を行う。これにより、密集した繰
り返しパターンに対し十分な解像度を持って形成でき、
且つパターンサイズが大きく、孤立した周辺部に対し十
分なプロセスマージンを持つパターンが形成できた。
【００４４】（第４の実施形態）図８を用いて第４の実
施形態を説明する。図８にダイナミックＲＡＭなどのセ
ル部と周辺回路部との境界付近のパターンを示す。図中
のＡＢはセル部と周辺部との境界を表している。８０１
はセル部、８０３は周辺部、８０２はセル部と周辺部と
の繋ぎ部である。
【００４５】本実施形態では、セル部と周辺部との境界
ＡＢでパターンを２つに分割する。分割されたパターン
をそれぞれ別のマスクにパターンを形成する。セル部と
周辺部との繋ぎ部８０２をセル部のパターンサイズより
もリサイズして太らせる。８０１のパターンを含むマス
クを第１のマスク、８０２及び８０３を含むマスクを第
２のマスクとする。第１のマスクを用いて、高いＮＡで
露光を行った後、第２のマスクを用いて、低いＮＡで露
光を行う。これにより、密集した繰り返しパターンに対
し十分な解像度を持って形成でき、且つパターンサイズ
が大きく、孤立した周辺部に対し十分なプロセスマージ
ンを持つパターンが形成できた。
【００４６】予めセル部と周辺部との繋ぎ部を太くして
おいたので、第１のマスクでの露光と第２のマスクでの
露光との合わせずれが顕著な場合にも、セル部と周辺部
との繋ぎ部に断線が生じることはなかった。
【００４７】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態では、ポジ型レジストを
用いることを想定して第１及び第２のマスクを形成した
が、ネガ型マスクを用いることを想定してこれらのマス
クを形成することも可能である。また、第１及び第２の
マスクのパターンを形成するための装置は電子ビーム描
画装置に限るものではなく、十分な解像度でパターンを
描画できるものであればよい。さらに、第１及び第２の
マスクを用いてウェハ上にパターンを露光するための露
光装置の構成は、図４に何ら限定されるものではなく、
仕様に応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ア
クティブエリア内のゲートパターンを低い開口数の条件
で露光し、それ以外を高い開口数の条件で露光すること
によって、ゲートパターンに対して十分なプロセス裕度
を持ち微細なスペース等に対して十分な解像性を持つこ
とができる。
【００４９】また本発明によれば、密集した繰り返しパ
ターン部を高いＮＡで露光することによって、密集した
繰り返しパターンに対し十分な解像度を持ってパターン
を形成することができ、パターンサイズが大きく、孤立
したパターン部を低いＮＡで露光することによって、パ
ターンサイズが大きく、孤立したパターンに対し十分な
プロセスマージンを持つ露光ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】形成すべきゲートパターンとアクティブエリア
を示す図。
【図２】第１の実施形態によるレジストパターン形成プ
ロセスを示す図。
【図３】第１の実施形態において作成したマスクを示す
図。
【図４】ＮＡ可変の露光装置の一例を示す図。
【図５】ＮＡの大きい状態と小さい状態を模式的に示す
図。
【図６】第２の実施形態において作成したマスクを示す
図。
【図７】第３の実施形態におけるパターンを示す図。
【図８】第４の実施形態におけるパターンを示す図。
【符号の説明】
１０１…ゲートパターン １０２…アクティブエリアパターン ２０１…リサイズパターン ２０２…反転パターン ２０３…論理積パターン ２０４…論理和パターン（第１のマスク） ２０５…論理和パターン（第２のマスク） ３０１…２０３に対応する遮光部 ３０２，６０２…１０２に相当する領域 ３０３，６０３…２０２に対応する遮光部 ３０４…１０１に対応する遮光部 ３０５，６０５…２０１に対応する遮光部 ６０１…２０３に対応するハーフトーン位相シフタ ６０４…１０１に対応するハーフトーン位相シフタ ７０１，８０１…セルパターン ７０２，８０２…繋ぎパターン ７０３，８０３…周辺パターン

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】投影露光装置を用いて、ウェハ上に形成さ
    れたレジスト膜にパターンを形成する方法において、 前記ウェハ上のアクティブエリア内のゲートパターンを
    低い開口数の条件で露光し、それ以外を高い開口数の条
    件で露光することを特徴とするレジストパターン形成方
    法。
  2. 【請求項２】投影露光装置を用いて、ウェハ上に形成さ
    れたレジスト膜にパターンを形成する方法において、 前記ウェハ上のアクティブエリアのパターンをリサイズ
    する第１の工程と、前記リサイズされたアクティブエリ
    アパターンを反転させる第２の工程と、前記リサイズさ
    れたアクティブエリアパターンと露光すべきゲートパタ
    ーンとの論理積を取る第３の工程と、第２の工程で形成
    された反転パターンと第３の工程で形成されたパターン
    との論理和に相当するパターンを有する第１のマスクを
    形成する第４の工程と、前記リサイズされたアクティブ
    エリアパターンと露光すべきゲートパターンとの論理和
    に相当する第２のマスクを形成する第５の工程と、第４
    の工程で形成された第１のマスクを用いて前記ウェハ上
    のレジスト膜に低い開口数の条件で露光を行う第６の工
    程と、第５の工程で形成された第２のマスクを用いて前
    記ウェハ上のレジスト膜に高い開口数の条件で露光を行
    う第７の工程とを含むことを特徴とするレジストパター
    ン形成方法。
  3. 【請求項３】投影露光装置を用いて、ウェハ上に形成さ
    れたレジスト膜にパターンを形成する方法において、 前記ウェハ上のアクティブエリアのパターンをリサイズ
    する工程と、前記リサイズされたアクティブエリアパタ
    ーンを反転させる工程と、前記リサイズされたアクティ
    ブエリアパターンと露光すべきゲートパターンとの論理
    積を取る工程と、前記反転されたアクティブエリアパタ
    ーンを遮光膜とし前記論理積により得られたパターンを
    ハーフトーン位相シフタとして第１のマスクを形成する
    工程と、前記リサイズされたアクティブエリアパターン
    を遮光膜とし露光すべきゲートパターンをハーフトーン
    位相シフタとして第２のマスクを形成する工程と、第１
    のマスクを用いて低い開口数の条件で前記ウエハ上のレ
    ジスト膜に露光を行う工程と、第２のマスクを用いて高
    い開口数の条件で前記ウェハ上のレジスト膜に露光を行
    う工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成
    方法。
  4. 【請求項４】同じアクティブエリアに複数本のゲートパ
    ターンが存在している場合、隣接パターンに対する近接
    効果補正を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか
    に記載のレジストパターン形成方法。
  5. 【請求項５】前記アクティブエリアパターンのリサイズ
    量を、第１のマスクでの露光と第２のマスクでの露光と
    の合わせずれ分と、近接効果の及ぶ距離との和に設定し
    たことを特徴とする請求項２又は３記載のレジストパタ
    ーン形成方法。
  6. 【請求項６】投影露光装置を用いて、ウェハ上に形成さ
    れたレジスト膜にパターンを形成する方法において、 前記ウェハ上のメモリセル部を高い開口率の条件で露光
    し、それ以外を低い開口率の条件で露光することを特徴
    とするレジストパターン形成方法。
  7. 【請求項７】セル部とそれ以外の部分との境界部分のパ
    ターンを太くすることを特徴とする請求項６記載のレジ
    ストパターン形成方法。
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