KR970002457A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 예정된 라인/스페이스를 갖는 다수개의 렬을 이루는 제1위상반전막 패턴들을 형성하고, 그 렬과는 직교하는 방향으로 연장되어 있으며, 그 폭이 막대 형상의 제1위상반전막 패턴들의 길이보다 작은 광차단막 패턴을 형성하며, 상기 제1위상반전막 패턴들 사이의 스페이스인 투명기판상에 제2위상반전막 패턴을 형성하되 상기 제1위상반전막 패턴들과는 양측이 어느정도 중첩되도록 제2위상반전막 패턴을 형성하여 상기 제2위상반전막 패턴막과 제1위상반전막 패턴들중 어느 하나만을 통과한 광과 두개의 위상반전막 패턴을 함께 통관하거나 투명기판만을 통과한 광의 사이에 180°의 위상차가 나는 위상반전 마스크를 형성하였으므로, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴을 통과한 광과 그 사이의 중첩되는 부분을 통과한 광간의 간섭에 의해 광세기 그래프의 에지 부분의 기궁기가 증가되어 광 콘트라스트가 형상되므로 상기의 위상반전 마스크를 사용한 감광막패턴의 프로파일이 향상되어 미세 패턴 형성이 용이하고, 공정여유도가 증가되어 소자동작의 신뢰성 및 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 단면도, 제5도는 제4도에 도시되어 있는 위상반전 마스크의 위치에 따른 전장의 세기를 도시한 그래프, 제6도는 제4도에 도시되어 있는 위상반전 마스크의 위치에 따른 광세기를 도시한 그래프.

Claims (7)

1. 투명기판상에 다수개의 막대형상이 길이방향이 마주 보도록 렬을 지어 형성되어 있고, 각 렬들의 사이에 일정 스페이스를 갖는 제1위상반전막 패턴들과, 상기 제1위상반전막 패턴들의 렬과는 직교되는 방향으로 형성되고, 제1위상반전막 패턴의 길이보다는 작은 폭을 갖도록 형성되어 있는 광차단막 패턴들과, 상기 제1위상반전막 패턴들의 렬 사이의 스페이스에 형성되어 있고, 양측이 제1위상반전막 패턴들과 중첩되어 있는 제2위상반전막 패턴을 구비하는 위상반전 마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 유리 또는 석영으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들이 SOG, 산화막, 질화막 및 경화된 감광막으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들이 각각 입사광의 위상을 90° 또는 180°변화시키는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
5. 제1항에 있어서, 상기 광차단막 패턴을 크롬으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에지강조형 위상반전 마스크.
6. 투명기판상에 다수개의 막대형상의 제1위상반전막 패턴들을 형성하는 공정과, 상기 막대 형상의 제1위상반전막 패턴들 사이에 스페이스를 갖도록 패터닝하여 다수개의 렬들로 분리하는 공정과, 상기 렬을 이룬 막대형상의 제1위상반전막 패턴들과는 직교되는 방향으로 형성되고, 제1위상반전막 패턴의 길이보다는 작은 폭을 갖도록 광차단막 패턴들을 형성하는 공정과, 상기 제1위상반전막 패턴들의 렬 사이의 스페이스에 형성하되, 양측이 상기 제1위상반전막 패턴들과 중첩되도록 제2위상반전막 패턴들을 형성하는 공정을 구비하는 위상반전 마스크의 제조방법.
7. 제6항에 잇어서, 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴의 중첩되는 부분이 0.1~0.5㎛의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.