KR970016775A - 정렬오차 측정용 패턴이 구비된 위상반전 마스크 - Google Patents

정렬오차 측정용 패턴이 구비된 위상반전 마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정 중 리소그르피(lthography) 공정에 관한 것으로, 위상반전 마스크 제작시 크롬과 위상반전막 사이의 정렬 오차를 측정하기 위해 정렬 오차 측정용 패턴을 구비하는 것이다.
즉, 위상반전 마스크 제작시 발생하는 크롬 패턴과 위상반전막 패턴 사이의 정렬 오차를 측정하기 위하여 얼터네이팅(althernating) 타입 위상반전 마스크의 밀집 패턴의 공간에 위상 반전막 패턴을 넣어 두 패턴 사이의 정렬 오차를 웨이퍼에서 측정할 수 있도록 하는 정렬 오차 측정용 패턴을 구비하는 것이다.

Description

정렬오차 측정용 패턴이 구비된 위상반전 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 의해 위상반전 마스크 제작시 발생하는 크롬 패턴과 위상반전막 패턴 사이의 정렬 오차를 측정하기 위하여 정렬 오차 측정용 패턴을 구비한 것을 도시한 평면도,
제 2도의 (a)는 제 1도의 Ⅰ-Ⅰ를 따라 절단하여 도시한 단면도,
제 2도의 (b)는 제 1도에 도시된 위상반전 마스크를 사용하여 기판상에 감광막 패턴을 형성한 단면도.

Claims (5)

  1. 위상반전 마스크에 있어서, 투명기판 상부에 크롬 패턴과 위상반전막 패턴이 구비될 때 상기 크롬 패턴과 위상반전막 패턴 간의 정렬 오차를 측정 장비 없이 현미경으로 확인할 수 있도록 위상반전 마스크의 일정 부분에 크롬 패턴이 일정 간격 이격되어 형성되고, 위상반전막 패턴이 상기 크롬 패턴 사이의 공간에 번갈아가면서 배열되되 중앙부의 위상반전막 패턴의 양측에는 크롬 패턴들의 간격만큼 공간부가 구비되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 제 1항에 있어서, 상기의 상기 크롬 패턴의 선폭과 크폼 패턴들 사이의 공간 간격과 중앙부(A)에서 상기 위상반전막 패턴과 이웃하는 크롬 패턴과의 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 크롬 패턴의 선폭과 간격이 약 0.35㎛인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 위상 반전막은 SOG, PMMA 또는 산화막인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 중앙부에 위치하는 위상반전막 패턴의 선폭은 크롬 패턴의 선폭과 동일한 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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