KR102307499B1 - 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 - Google Patents

위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비정질실리콘층을 효과적으로 결정질실리콘층으로 결정화하는데 사용될 수 있는 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 위하여, 베이스기판과, 일 방향을 따라 상호 이격된 복수개의 투과부들이 형성되도록 상기 베이스기판 상에 형성된 차단층과, 상기 일 방향에 있어서 상기 복수개의 투과부들을 교번하여 채우는 위상변이부들을 구비하는 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 제공한다.

Description

위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법{Phase shift mask and method for manufacturing display apparatus using the same}
본 발명의 실시예들은 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 비정질실리콘층을 효과적으로 결정질실리콘층으로 결정화하는데 사용될 수 있는 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치 등은 각 화소의 발광여부나 발광정도를 박막트랜지스터를 이용해 제어한다. 그러한 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트전극 및 소스/드레인전극 등을 포함하는데, 반도체층으로는 비정질실리콘층을 결정화한 결정질실리콘층이 주로 사용된다.
이와 같은 박막트랜지스터를 구비하는 박막트랜지스터 기판이나 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조공정을 설명하면, 기판에 비정질실리콘층을 형성하고 이를 결정질실리콘층으로 결정화하는 과정을 거쳐, 박막트랜지스터 기판이나 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제조하였다.
디스플레이 장치를 제조함에 있어서 기판 상의 다양한 위치에서 비정질실리콘층을 결정질실리콘층으로 결정화해야 하는바, 이를 위해 비정질실리콘층에 레이저빔을 조사하게 된다. 그러나 종래의 제조과정 중 비정질실리콘층을 결정질실리콘층으로 결정화함에 있어서, 충분한 강도의 레이저빔을 조사하는 것이 어렵고, 또한 레이저빔을 조사하여 비정질실리콘층을 결정화하는데 장시간이 소요된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 비정질실리콘층을 효과적으로 결정질실리콘층으로 결정화하는데 사용될 수 있는 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 베이스기판과, 일 방향을 따라 상호 이격된 복수개의 투과부들이 형성되도록 상기 베이스기판 상에 형성된 차단층과, 상기 일 방향에 있어서 상기 복수개의 투과부들을 교번하여 채우는 위상변이부들을 구비하는 위상변이 마스크가 제공된다.
상기 복수개의 투과부들 각각은 상기 일 방향과 교차하는 타 방향으로 연장될 수 있다.
상기 차단층은 상기 베이스기판의 가장자리를 덮을 수 있다.
상기 위상변이부들은 위상차 반전특성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상기 차단층은, 상기 복수개의 투과부들과, 상기 복수개의 투과부들이 일측에 위치하도록 상기 복수개의 투과부들에 연결된 추가투과부가 형성되도록, 상기 베이스기판 상에 형성될 수 있다.
이때, 상기 추가투과부를 채우는 추가위상변이부를 더 구비할 수 있다. 나아가, 상기 위상변이부들은 위상차 반전특성을 갖는 물질을 포함하고, 상기 추가위상변이부는 투과광의 파장을 λ라 할시 λ/4만큼 시프트시키는 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계와, 비정질실리콘층에 상기와 같은 위상변이 마스크들 중 적어도 어느 하나를 통과한 레이저빔을 조사하여 결정질실리콘층으로 변환시키는 단계와, 디스플레이소자를 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 비정질실리콘층을 효과적으로 결정질실리콘층으로 결정화하는데 사용될 수 있는 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상변이 마스크를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 비교예에 따른 결정화 마스크에서의 위치에 따른 레이저빔 강도를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 4는 도 1의 위상변이 마스크에서의 위치에 따른 레이저빔 강도를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 위상변이 마스크를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 위상변이 마스크를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 위상변이 마스크를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)는 베이스기판(110), 차단층(120) 및 위상변이부(140)들을 갖는다.
베이스기판(110)은 위상변이 마스크(100)의 전체적인 외형을 이루는 것으로, 투광성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 베이스기판(110)은 글라스재나, 폴리이미드 등과 같은 투광성 플라스틱재로 형성될 수 있다.
차단층(120)은 베이스기판(110) 상에 형성되는데, 일 방향(+x 방향)을 따라 상호 이격된 복수개의 투과부들(131, 132)이 형성되도록 한다. 이러한 차단층(120)은 상부에서 (-z 방향으로) 조사되는 레이저빔이 복수개의 투과부들(131, 132)을 통해서는 하방으로 진행되도록 하되, 복수개의 투과부들(131, 132) 이외의 부분에 입사할 경우에는 하방으로 진행되지 못하도록 할 수 있다. 이러한 차단층(120)은 레이저빔을 흡수하거나 반사하는 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 크롬과 같은 물질을 포함할 수 있다. 이 차단층(120)에 의해 형성되는 복수개의 투과부들(131, 132)은 도 1에 도시된 것과 같이 일 방향(+x 방향)과 교차하는 타 방향(+y 방향)으로 연장된 형상을 가질 수 있다.
위상변이부(140)들은 일 방향(+x 방향)에 있어서 복수개의 투과부들(131, 132)을 교번하여 채우도록 배치된다. 도 1 및 도 2에서는 복수개의 투과부(131)들이 아닌 복수개의 투과부(132)들만 위상변이부(140)가 채우는 것으로 도시하고 있다. 이러한 위상변이부(140)는 통과하는 레이저빔의 위상을 변화시킬 수 있는데, 구체적으로 위상변이부(140)는 위상차 반전특성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 그러한 위상차 반전특성을 갖는 물질로는, 예컨대 몰리실리사이드(MoSix)를 사용할 수 있다. 여기서 위상차 반전특성을 갖는다 함은, 통과하는 레이저빔의 파장을 λ라 할 시, 통과하는 레이저빔의 위상을 예컨대 λ/2만큼 지연시키는 것일 수 있다. 이에 따라 위상변이부(140)를 통과한 레이저빔과 통과하지 않은 레이저빔은 그 위상이 서로 반대가 되도록 할 수 있다.
도 3은 비교예에 따른 결정화 마스크에서의 위치에 따른 레이저빔 강도를 개략적으로 도시하는 그래프이다. 비교예에 따른 결정화 마스크의 경우, 도 1과 도 2에 도시된 것과 같은 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)에서 위상변이부(140)를 제거한 구성을 가질 수 있다. 도 3의 상부에서 차단층에 의해 레이저빔이 통과하지 못하는 부분은 흑색으로, 복수개의 투과부들을 통해 레이저빔이 통과되는 부분은 백색으로 표시했다. 도 3에서, 가로축은 위치로서 예컨대 도 1 및 도 2에서 x축 방향으로의 위치를 나타내며, 세로축은 결정화 마스크를 통과한 레이저빔의 강도로서 정규화된(normalized) 레이저빔 강도인 상대강도를 나타낸다.
도 3에 도시된 것과 같이, 비교예에 따른 결정화 마스크의 경우, 차단층에 의해 레이저빔이 통과하지 못하는 부분에서는 복수개의 투과부들을 통해 레이저빔이 통과하는 부분에 비해 레이저빔의 강도가 낮은 것으로 나타난다. 그러나 복수개의 투과부들을 통과한 레이저빔 중 일부는 여러 광학적 현상으로 인해 차단층 하부로 향하게 되기에, 도 3에 도시된 것과 같이 차단층에 의해 레이저빔이 통과하지 못하는 부분에서도 레이저빔의 강도가 0으로 나타나지는 않게 된다. 이에 따라 비정질실리콘층을 결정화하기 위해 조사하는 레이저빔의 강도를 충분히 높일 수 없게 된다.
도 4는 도 1의 위상변이 마스크(100)에서의 위치에 따른 레이저빔 강도를 개략적으로 도시하는 그래프이다. 도 4의 상부에서 차단층(120)에 의해 레이저빔이 통과하지 못하는 부분은 흑색으로, 복수개의 투과부들(131, 132) 중 위상변화 없이 레이저빔이 통과하는 투과부(131)들은 백색으로, 위상변이부(140)들로 채워져 위상이 변하며 레이저빔이 통과하는 투과부(132)들은 해칭으로 표시했다. 도 4에서, 가로축은 위치로서 예컨대 도 1 및 도 2에서 x축 방향으로의 위치를 나타내며, 세로축은 결정화 마스크를 통과한 레이저빔의 강도로서 정규화된(normalized) 레이저빔 강도인 상대강도를 나타낸다.
도 3과 도 4를 비교하면, 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)의 경우 차단층(120)에 대응하는 부분에서의 레이저빔의 강도가 거의 0에 가깝게 되며, 투과부들(131, 132)에서의 레이저빔의 상대적인 강도가 훨씬 더 세졌음을 확인할 수 있다. 이는 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 이용하여 비정질실리콘층을 순차측면고상법(SLS법; sequential lateral solidification)으로 결정화함에 있어서 비정질실리콘층에 충분한 강도의 레이저빔을 조사할 수 있으며, 이에 따라 레이저빔을 조사하여 비정질실리콘층을 결정화하는데 소요되는 시간을 획기적으로 줄일 수 있음을 의미한다.
본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)의 경우, 복수개의 투과부들(131, 132)을 통과한 레이저빔 중 일부는 여러 광학적 현상으로 인해 차단층(120) 하부로 향하게 된다. 이때 투과부(131)들을 통과한 레이저빔과 투과부(132)들을 통과한 레이저빔은 위상변이부(140)에 의해 그 위상이 반대가 되기에 상쇄간섭을 일으키게 되고, 이에 따라 차단층(120) 하부에서의 레이저빔의 강도가 급격히 줄어들게 된다. 그 결과 도 4에 도시된 것과 같은 상대강도 결과를 가져올 수 있으며, 이에 따라 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 이용하여 SLS법으로 비정질실리콘층을 결정화할 시 고품질의 결정질실리콘층을 단시간에 획득할 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 것과 같이 위상변이 마스크(100)의 차단층(120)은 베이스기판(110)의 가장자리를 덮을 수 있으나, 이와 달리 도 5에 도시된 것과 같이 복수개의 투과부들(131, 132)이 타 방향(+y 방향)으로 베이스기판(110)의 끝까지 연장되도록 할 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100) 역시 베이스기판(110) 및 이 베이스기판(110) 상에 위치한 차단층(120)을 구비한다. 이 차단층(120)은 전술한 것과 마찬가지로 일 방향(+x 방향)을 따라 상호 이격된 복수개의 투과부들(131, 132)이 형성되도록 한다. 그리고 위상변이부(140)들은 복수개의 투과부들(131, 132)을 교번하여 채워, 결과적으로 투과부(131)들은 채우지 않고 투과부(132)들만을 채운다. 이때, 차단층(120)은 나아가 복수개의 투과부들(131, 132) 외에 복수개의 투과부들(131, 132)이 일측(+y 방향측)에 위치하도록 이 복수개의 투과부들(131, 132)에 연결된 추가투과부(133)가 형성되도록 한다.
이와 같은 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)의 경우, 도 6의 II-II선을 따라 취한 단면이 도 2와 동일/유사한 것으로 이해될 수 있다. 복수개의 투과부들(131, 132)을 통과한 레이저빔 중 일부는 여러 광학적 현상으로 인해 차단층(120) 하부로 향하게 된다. 이때 투과부(131)들을 통과한 레이저빔과 투과부(132)들을 통과한 레이저빔은 위상변이부(140)에 의해 그 위상이 반대가 되기에 상쇄간섭을 일으키게 되고, 이에 따라 차단층(120) 하부에서의 레이저빔의 강도가 급격히 줄어들게 된다. 그 결과 도 4에 도시된 것과 동일/유사한 상대강도 결과를 가져올 수 있다. 그 결과 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 이용하여 SLS법으로 비정질실리콘층을 결정화할 시, 복수개의 투과부들(131, 132)이나 차단층(120)에 대응하는 비정질실리콘층의 부분에서 씨드가 빠르게 생성됨에 따라 해당 씨드로부터 추가투과부(133)에 대응하는 비정질실리콘층으로의 결정화가 신속히 진행되도록 함으로써, 고품질의 결정질실리콘층을 단시간에 획득할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)가 도 6을 참조하여 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)와 상이한 점은, 추가투과부(133)를 채우는 추가위상변이부(150)를 더 구비한다는 점이다. 이 추가위상변이부(150)는 통과하는 레이저빔의 파장을 λ라 할시 레이저빔의 위상을 λ/4만큼 시프트시키는 물질을 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 것과 같은 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)의 경우, 투과부(132)들을 통과하는 레이저빔의 일부가 다양한 광학적 현상으로 인해 비정질실리콘층의 추가투과부(133)에 대응하는 영역으로 진행될 수 있다. 또는 반대로 추가투과부(133)를 통과하는 레이저빔의 일부가 다양한 광학적 현상으로 인해 비정질실리콘층의 투과부(132)에 대응하는 영역으로 진행될 수 있다. 이러한 경우 비정질실리콘층의 추가투과부(133)에 대응하는 영역이나 투과부(132)에 대응하는 영역에서 레이저빔의 상쇄간섭이 발생할 수 있으며, 이는 비정질실리콘층의 추가투과부(133)나 투과부(132)에 대응하는 영역에 조사되는 레이저빔의 강도 저하를 야기할 수 있다.
그러나 도 7에 도시된 것과 같은 본 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)는 추가투과부(133)를 추가위상변이부(150)가 채우고 있는바, 이에 따라 투과부(132)를 통과한 레이저빔의 위상과 추가투과부(133)를 통과한 레이저빔의 위상이 서로 반대가 되지 않도록 할 수 있다. 예컨대 투과부(132)를 통과한 레이저빔의 위상이 λ/2만큼 지연된 상태가 되도록 하고 추가투과부(133)를 통과한 레이저빔의 위상이 λ/4만큼 지연된 상태가 되도록 하면, 투과부(132)를 통과한 레이저빔의 위상과 추가투과부(133)를 통과한 레이저빔의 위상이 서로 반대가 되지 않기에, 비정질실리콘층의 투과부(132)에 대응하는 영역 및/또는 추가투과부(133)에 대응하는 영역에서 레이저빔의 상쇄간섭이 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 물론 투과부(131)를 통과한 레이저빔의 위상과 추가투과부(133)를 통과한 레이저빔의 위상 역시 서로 반대가 되지 않기에, 비정질실리콘층의 투과부(131)에 대응하는 영역 및/또는 추가투과부(133)에 대응하는 영역에서 레이저빔의 상쇄간섭이 발생하는 것도 방지하거나 최소화할 수 있다.
지금까지 SLS법으로 비정질실리콘층을 결정화할 시 사용되는 위상변이 마스크(100)에 대해 설명하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 8에 도시된 것과 같이, 기판(200) 상에 비정질실리콘층(210)을 형성하고, 이후 전술한 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같은 위상변이 마스크(100)를 비정질실리콘층(210) 상부에 배치한 후 이 위상변이 마스크(100)를 통해 레이저빔을 비정질실리콘층(210)에 조사함으로써, 비정질실리콘층(210)을 결정질실리콘층으로 변환시킬 수 있다. 이후 이 결정질실리콘층을 이용해서 박막트랜지스터 등을 형성하고, 이 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되는 유기발광소자 등과 같은 디스플레이소자를 형성함으로써, 디스플레이 장치를 제조할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하여 전술한 위상변이 마스크(100)를 이용하게 되면, 도 4에 도시된 것과 같이 차단층(120)에 대응하는 부분에서의 레이저빔의 강도가 거의 0에 가깝게 되며, 투과부들(131, 132)에서의 레이저빔의 상대적인 강도가 훨씬 더 세 지도록 할 수 있다. 이에 따라 디스플레이 장치를 제조하는 과정에서 비정질실리콘층(210)을 SLS법으로 결정화함에 있어서 비정질실리콘층(210)에 충분한 강도의 레이저빔을 조사할 수 있으며, 이에 따라 레이저빔을 조사하여 비정질실리콘층(210)을 결정화하는데 소요되는 시간을 획기적으로 줄일 수 있다.
물론 본 실시예에 다른 디스플레이 장치 제조방법에 사용할 수 있는 위상변이 마스크(100)는 도 1 및 도 2를 참조하여 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)에 한정되지 않는다. 예컨대 도 5를 참조하여 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)와 같이 복수개의 투과부들(131, 132)이 타 방향(+y 방향)으로 베이스기판(110)의 끝까지 연장된 위상변이 마스크(100)를 이용할 수도 있고, 도 6을 참조하여 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)와 같이 차단층(120)이 복수개의 투과부들(131, 132) 외에 복수개의 투과부들(131, 132)이 일측(+y 방향측)에 위치하도록 이 복수개의 투과부들(131, 132)에 연결된 추가투과부(133)가 형성되도록 하는 위상변이 마스크(100)를 이용할 수도 있으며, 나아가 추가투과부(133)를 채우는 추가위상변이부(150)를 더 갖는 도 7을 참조하여 전술한 실시예에 따른 위상변이 마스크(100)를 이용할 수도 있다.
이와 같은 디스플레이 장치 제조방법은 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 이용하는 유기발광 디스플레이 장치 제조방법일 수도 있으며, 디스플레이 소자로서 액정소자를 이용하는 액정 디스플레이 장치 제조방법일 수도 있는 등, 결정질실리콘을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터를 갖는 디스플레이 장치라면 본 발명이 적용될 수 있는 범위에 속한다고 할 것이다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 위상변이 마스크 110: 베이스기판
120: 차단층 131, 132: 투과부
133: 추가투과부 140: 위상변이부
150: 추가위상변이부 200: 기판
210: 비정질실리콘층

Claims (8)

  1. 베이스기판;
    상기 베이스기판 상에 위치하며, 일 방향을 따라 상호 이격된 복수개의 투과부들과, 상기 복수개의 투과부들이 일측에 위치하도록 상기 복수개의 투과부들에 연결된 추가투과부를 갖는, 차단층; 및
    상기 일 방향에 있어서 상기 복수개의 투과부들을 교번하여 채우는, 위상변이부들;
    을 구비하는 위상변이 마스크.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 차단층은 상기 베이스기판의 가장자리를 덮는, 위상변이 마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 위상변이부들은 위상차 반전특성을 갖는 물질을 포함하는, 위상변이 마스크.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 추가투과부를 채우는 추가위상변이부를 더 구비하는, 위상변이 마스크.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 위상변이부들은 위상차 반전특성을 갖는 물질을 포함하고, 상기 추가위상변이부는 투과광의 파장을 λ라 할시 λ/4만큼 시프트시키는 물질을 포함하는, 위상변이 마스크.
  8. 기판 상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;
    비정질실리콘층에 제1항, 제3항, 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 위상변이 마스크를 통과한 레이저빔을 조사하여 결정질실리콘층으로 변환시키는 단계; 및
    디스플레이소자를 형성하는 단계;
    를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.
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