JP5593182B2 - 逐次的横方向結晶化方法 - Google Patents
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- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title claims description 39
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 claims description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明は、レーザマスクに関し、より詳しくは、非晶質シリコンを結晶化するレーザマスク及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法に関する。
表示装置は、画像を表示する装置であって、最近、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
有機発光表示装置は、自発光特性を有し、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ ｄｅｖｉｃｅ）とは異なって別途の光源を要しないので、厚みと重量とを減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品位特性を表す。
有機発光表示装置は、複数の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を含み、薄膜トランジスタを構成する構成要素のうち、アクティブ層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）は、ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）で構成される。
一般に、ポリシリコンは、非晶質シリコンから結晶化された複数のシリコン結晶粒で構成され、隣接するシリコン結晶粒間の界面が電流の流れの障害要素として作用する。特に、ポリシリコンを構成する複数のシリコン結晶粒のそれぞれの大きさが小さい場合、電流の流れの障害要素として作用する隣接するシリコン結晶粒間の界面がより多くなるという問題点があった。
最近、このような問題点を改善するために、ポリシリコンを構成するシリコン結晶粒が液状シリコンと固相シリコンの境界面で垂直方向に成長するという事実を利用して、シリコン結晶粒の大きさを大きくすることができる逐次的横方向結晶化（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ ｌａｔｅｒａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ、ＳＬＳ）技術が開発された。
このような、逐次的横方向結晶化技術は、レーザマスクを通じて非晶質シリコンに照射されるレーザビームのエネルギーの大きさ、照射範囲、及び移動距離を適切に調節して、シリコン結晶粒を所定の長さ程度に側面成長させることにより、非晶質シリコンを単結晶シリコンに近いように結晶化させることができる。
つまり、逐次的横方向結晶化技術は、レーザマスクを通じて非晶質シリコンにレーザビームを照射して非晶質シリコンを結晶化させる技術である。このとき、使用されるレーザマスクは、レーザビームが透過する光透過部、及びレーザビームが遮断される光遮断部を含む。
しかし、レーザ装置から発振されてレーザマスクを通じて非晶質シリコンに照射されたレーザビームが非晶質シリコンから反射され、この反射されたレーザビームが再びレーザマスクから再反射されて、非晶質シリコン上の所望しない位置に連続的に再照射されることにより、非晶質シリコン上の所望しない位置に不良性結晶化が生じるという問題点があった。つまり、レーザマスクを通ったレーザビームが、レーザマスク及び非晶質シリコンの反射によって相殺、干渉、及び補償されて、非晶質シリコンに結晶化差が発生する問題点があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、非晶質シリコンに結晶化差が発生することが抑制されるレーザマスク、及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法を提供することにある。
本発明の第１側面は、光透過部、及び光透過部を介在して相互離隔する光遮断部を含むマスク基板と、光遮断部に対応してマスク基板に位置し、凹凸形状を有する凹凸部とを含むレーザマスクを提供する。
マスク基板は、第１面、及び第１面と対向する第２面を含むベース基板をさらに含み、光遮断部は、ベース基板の第１面及び第２面のいずれか一つ以上の上に位置することができる。
光遮断部は、ベース基板の第１面上に位置する第１サブ遮断部、及び第２面上に位置する第２サブ遮断部を含み、凹凸部は、第１サブ遮断部に対応する第１サブ凹凸部、及び第２サブ遮断部に対応する第２サブ凹凸部を含むことができる。
光遮断部はクロム（Ｃｒ）を含むことができる。
凹凸部はクロムを含むことができる。
凹凸部は光遮断部と一体に形成することができる。
光遮断部は耐熱樹脂を含むことができる。
第１サブ凹凸部及び第２サブ凹凸部のいずれか一つは均一な凹凸形状を有し、他の一つは不均一な凹凸形状を有することができる。
第１サブ凹凸部及び第２サブ凹凸部は均一な凹凸形状を有することができる。
第１サブ凹凸部及び第２サブ凹凸部は不均一な凹凸形状を有することができる。
ベース基板は石英（ｑｕａｒｔｚ）を含むことができる。
レーザマスクは逐次的横方向結晶化方法に用いられることができる。
また、本発明の第２の側面は、絶縁基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、光透過部、及び光透過部を介在して相互離隔する光遮断部を含むマスク基板と、光遮断部に対応してマスク基板に位置し、凹凸形状を有する凹凸部とを含むレーザマスクを非晶質シリコン層上に配置する段階と、レーザ装置から発振されたレーザビームをレーザマスクを通じて非晶質シリコン層に照射する段階と、レーザビームの重畳を利用して非晶質シリコン層を結晶化する段階とを含む逐次的横方向結晶化方法を提供する。
レーザマスクのマスク基板は、第１面、及び第１面と対向する第２面を含むベース基板をさらに含み、光遮断部はベース基板の第１面及び第２面のいずれか一つ以上の上に位置し、レーザビームをレーザマスクを通じて非晶質シリコン層に照射する段階は、凹凸部に照射されるレーザビームが凹凸部によって散乱して行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、非晶質シリコンに結晶化差の発生が抑制されたレーザマスク、及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法が提供される。
以下、添付した図面を参照して、本発明の種々の実施形態について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の相異な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
本発明を明確に説明するために、説明上不必要な部分は省略し、明細書の全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては同一の参照符号を付ける。
また、種々の実施形態において、同一の構成を有する構成要素に対しては同一の符号を付けて代表的に第１実施形態で説明し、その他の実施形態では第１実施形態とは異なる構成についてのみ説明する。
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したので、本発明が必ずしも図示したものに限られることではない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して表した。また、図面において、説明の便宜上、一部層及び領域の厚さを誇張して表した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「直ぐ上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
また、以下で非晶質シリコンの結晶化方法として、逐次的横方向結晶化方法を代表的に説明するが、これに限定されず、本発明によるレーザマスクはレーザビームを結晶化手段として使用する全ての結晶化方法に用いることができる。
以下、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態によるレーザマスクを示す平面図である。
図１に示したように、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１は、レーザ装置のレーザマスクとして用いられ、特に、逐次的横方向結晶化（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ ｌａｔｅｒａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ、ＳＬＳ）方法に利用される。レーザマスク１０１は、光透過部ＬＴ及び光遮断部ＬＩを含む。
光透過部ＬＴは一方向に延長されており、レーザマスク１０１がレーザ装置のレーザマスクとして用いられる場合、レーザビームが透過する部分である。
光遮断部ＬＩは、光透過部ＬＴを介在して位置し、レーザマスク１０１がレーザ装置のレーザマスクとして用いられる場合、レーザビームが遮断される部分である。光遮断部ＬＩは、レーザビームの一部を遮断して、光透過部ＬＴの幅ほどレーザビームの幅を設定する役割を果たす。
図２は、図１のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１は、ベース基板１００、及び凹凸部２００をさらに含む。
ベース基板１００は、第１面１１０、及び第１面１１０と対向する第２面１２０を含む。ベース基板１００の第１面１１０及び第２面１２０は板面形状であり、第１面１１０の上には第１サブ遮断部ＬＩ１が位置し、第２面１２０の上には第２サブ遮断部ＬＩ２が位置する。第１サブ遮断部ＬＩ１及び第２サブ遮断部ＬＩ２は、上述した光遮断部ＬＩを構成する。
ベース基板１００は、透明な石英（ｑｕａｒｔｚ）からなり、隣接する光遮断部ＬＩの間に位置する部分は、光透過部ＬＴとして機能する。
凹凸部２００は、光遮断部ＬＩに対応してベース基板１００の上に位置し、凹凸形状を有している。凹凸部２００は、光遮断部ＬＩと一体に形成され、クロム（Ｃｒ）からなる。つまり、光遮断部ＬＩもクロムからなる。
凹凸部２００は、第１サブ凹凸部２１０及び第２サブ凹凸部２２０を含む。第１サブ凹凸部２１０は第１サブ遮断部ＬＩ１に対応し、第２サブ凹凸部２２０は第２サブ遮断部ＬＩ２に対応する。第１サブ凹凸部２１０及び第２サブ凹凸部２２０は不均一な凹凸形状を有し、凹凸形状によって第１サブ凹凸部２１０または第２サブ凹凸部２２０に照射されるレーザビームを散乱させる役割を果たす。このような凹凸部２００の散乱機能については後述する。凹凸部２００は、半透過マスクまたはスリットマスク（ｓｌｉｔ ｍａｓｋ）などのハーフトーンマスク（ｈａｌｆｔｏｎｅ ｍａｓｋ）を用いたフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術を利用してベース基板１００の上に形成することができる。
このように、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１は、逐次的横方向結晶化方法に利用されるレーザマスクであり、凹凸部２００の散乱機能を利用してレーザビームの被照射体である非晶質シリコンの結晶化の不良を抑制する機能を有することをまず明らかにする。
以下、図３乃至図７を参照して、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１を利用した逐次的横方向結晶化方法について説明する。本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１を利用した逐次的横方向結晶化方法において、レーザビームＬＢとして、エネルギー密度がガウシアンプロファイル（Ｇａｕｓｓｉａｎ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有するエキシマ（ｅｘｉｍｅｒ）レーザビームが利用される。
図３は、本発明の第１実施形態によるレーザマスクを利用した逐次的横方向結晶化方法を示すフローチャートである。図４乃至図７は、本発明の第１実施形態によるレーザマスクを利用した逐次的横方向結晶化方法を説明するための図面である。
最初に、図３及び図４に示したように、絶縁基板１０の上に非晶質シリコン層２０を形成する（Ｓ１１０）。
具体的に、絶縁基板１０の上に非晶質シリコン層２０を蒸着する。このとき、絶縁基板１０と非晶質シリコン層２０との間にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）を形成することができ、バッファ層としてシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などを形成することができる。
次に、レーザマスク１０１を非晶質シリコン層２０の上に配置する（Ｓ１２０）。
具体的に、非晶質シリコン層２０の上にレーザマスク１０１を配置した後、非晶質シリコン層２０の全体領域で結晶化しようとする領域にレーザマスク１０１の光透過部ＬＴが対応するように、非晶質シリコン層２０の上にレーザマスク１０１を整列する。
次に、図５に示したように、レーザビームＬＢをレーザマスク１０１を通じて非晶質シリコン層２０に照射する（Ｓ１３０）。
具体的に、レーザ装置ＬＡから発振されたレーザビームＬＢを、レンズ（ｌｅｎｓ）などの光学系ＯＰ及びレーザマスク１０１を通じて非晶質シリコン層２０に照射する。このとき、レーザ装置ＬＡから最初発振されたレーザビームＬＢの第１幅Ｗ１は、レーザマスク１０１の光遮断部ＬＩによって一部が遮断されると同時に、光透過部ＬＴを経て第２幅Ｗ２に変化して、非晶質シリコン層２０に照射される。非晶質シリコン層２０でレーザビームＬＢが照射される部分は、結晶化しようとする第１領域Ａ１であり、隣接する第１領域Ａ１の間に位置する第２領域Ａ２は、後に結晶化するか、または結晶化しない部分である。
ここで、レーザビームＬＢは、レーザマスク１０１を通るとき、レーザビームＬＢの一部がレーザマスク１０１に反射されて再び光学系ＯＰに向かうようになる。また、レーザビームＬＢは、非晶質シリコン層２０に照射されるとき、レーザビームＬＢの一部が非晶質シリコン層２０に反射されてレーザマスク１０１に向かうようになり、再びレーザマスク１０１によって再反射されて非晶質シリコン層２０に再照射される。このように、レーザマスク１０１及び非晶質シリコン層２０によって反射されるレーザビームＬＢは、レーザマスク１０１の凹凸部２００によって散乱し、これについては以下で詳細に説明する。
図６は、本発明の第１実施形態によるレーザマスクを通じたレーザビームの経路を説明するための図面である。
図６に示したように、最初にレーザ装置ＬＡから発振された第１ビームＢ１（実線）は、光学系ＯＰ及びレーザマスク１０１を通じて非晶質シリコン層２０に照射される。このとき、レーザマスク１０１の第１面１１０の上に位置する第１サブ遮断部ＬＩ１に対応する第１サブ凹凸部２１０によって反射される第１ビームＢ１（実線）は、第１サブ凹凸部２１０によって散乱することにより、第２散乱ビームＢ２（点線）に変換されて光学系ＯＰの方向に照射される。この後、第２散乱ビームＢ２（点線）は光学系ＯＰによって反射されることにより、第３散乱ビームＢ３（二点鎖線）に変換され、レーザマスク１０１の光透過部ＬＴを通じて非晶質シリコン層２０の第１領域Ａ１に照射される。
このような第３散乱ビームＢ３（二点鎖線）は、所望しないレーザビームＬＢであるが、第１サブ凹凸部２１０によって散乱することにより、非晶質シリコン層２０の第１領域Ａ１の全体にわたって均一に照射されるので、非晶質シリコン層２０の第１領域Ａ１の所望しない部分に結晶化不良が発生しない。
また、最初にレーザ装置ＬＡから発振されてレーザマスク１０１の光透過部ＬＴを通じて非晶質シリコン層２０に照射された第１ビームＢ１（実線）は、非晶質シリコン層２０によって反射されることにより、第４反射ビームＢ４（点線）に変換されてレーザマスク１０１の第２面１２０の上に位置する第２サブ遮断部ＬＩ２に対応する第２サブ凹凸部２２０の方向に照射される。この後、第４反射ビームＢ４（点線）は、第２サブ凹凸部２２０によって反射されると同時に散乱することにより、第５散乱ビームＢ５（二点鎖線）に変換されて非晶質シリコン層２０の第２領域Ａ２に照射される。
このような、第５散乱ビームＢ５（二点鎖線）は、所望しないレーザビームＬＢであると同時に、所望しない位置の非晶質シリコン層２０の第２領域Ａ２に照射されるが、第２サブ凹凸部２２０によって散乱することにより、非晶質シリコン層２０第２領域Ａ２の全体にわたって均一に照射されるので、非晶質シリコン層２０の第２領域Ａ２に結晶化不良が発生しない。特に、非晶質シリコン層２０の第２領域Ａ２が、後に結晶化させる部分である場合、第５散乱ビームＢ５（二点鎖線）によって非晶質シリコン層２０を構成する分子が予め浮く（ｅｘｃｉｔｅ）状態で維持されるため、後に第２領域Ａ２を結晶化させるとき、より短時間に第２領域Ａ２を結晶化させることができる。
以上のように、レーザ装置ＬＡから発振されたレーザビームＬＢは、レーザマスク１０１を通って光学系ＯＰにより反射されて非晶質シリコン層２０の第１領域Ａ１に照射されるか、または非晶質シリコン層２０により反射され、レーザマスク１０１により再反射されて非晶質シリコン層２０の第２領域Ａ２に照射されても、レーザマスク１０１の第１サブ凹凸部２１０及び第２サブ凹凸部２２０によって散乱して反射されることにより、非晶質シリコン層２０に対する所望しない結晶化不良が抑制される。
次に、図７に示したように、レーザビームＬＢの重畳を利用して非晶質シリコン層２０を結晶化する（Ｓ１４０）。
図７は、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１を利用した逐次的横方向結晶化方法でレーザビームの重畳程度を示した図面である。
図７において、曲線はレーザビームのエネルギー密度に関するプロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を示し、説明の便宜上、非晶質シリコン層２０のうちのレーザビームが重畳する第１領域Ａ１を中心に表した。
具体的に、非晶質シリコン層２０、レーザビームＬＢ、及びレーザマスク１０１が相対移動して、非晶質シリコン層２０が形成された絶縁基板１０の上に互いに一定の間隔離隔するように第１レーザビームＬＢ１が照射され、隣接する第１レーザビームＬＢ１間の領域には互いに一定の間隔重畳するように第２レーザビームＬＢ２、第３レーザビームＬＢ３、及び第４レーザビームが照射される。このとき、互いに隣接するレーザビームＬＢは、非晶質シリコン層２０を溶融させるエネルギー密度開始地点より高いエネルギー密度領域で重畳する。このように、第１レーザビームＬＢ１を基準に互いに一定の間隔重畳するようにレーザビームＬＢを重畳することは、図面上の第１方向に絶縁基板１０を移動させることにより、レーザマスク１０１の光透過部ＬＴに対応する絶縁基板１０の位置移動に応じたことであり、このような逐次的横方向結晶化方法によって非晶質シリコン層２０を構成する非晶質シリコンが、第２方向に単結晶シリコンと近いように結晶化される。
以上のような工程により、非晶質シリコン層２０の非晶質シリコンが単結晶シリコンと近いように結晶化されると同時に、所望しない位置に発生する結晶化不良が抑制される。
このように、本発明の第１実施形態によるレーザマスク１０１、及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法は、レーザ装置ＬＡから発振されたレーザビームＬＢが光学系ＯＰまたはレーザマスク１０１により反射されて、所望しない位置の非晶質シリコン層２０に照射されても、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０１によって反射されるレーザビームＬＢが、レーザマスク１０１の凹凸部２００により散乱されて均一に非晶質シリコン層２０に照射されることにより、非晶質シリコン層２０に対する所望しない結晶化不良が抑制される。
以下、図８を参照して、本発明の第２実施形態によるレーザマスク１０２について説明する。
図８は、本発明の第２実施形態によるレーザマスクを示す断面図である。
図８に示したように、本発明の第２実施形態によるレーザマスク１０２の光遮断部ＬＩは、クロムからなる第１サブ遮断部ＬＩ１及び第２サブ遮断部ＬＩ２を含む。第１サブ遮断部ＬＩ１及び第２サブ遮断部ＬＩ２は、レーザ装置ＬＡから発振されてレーザマスク１０２を通るレーザビームＬＢの幅を設定する役割を果たす。
凹凸部２０２は耐熱樹脂を含み、第１サブ遮断部ＬＩ１の上に位置する第１サブ凹凸部２１２、及び第２サブ遮断部ＬＩ２の上に位置する第２サブ凹凸部２２２を含む。
第１サブ凹凸部２１２及び第２サブ凹凸部２２２は均一な凹凸形状を有し、凹凸形状により第１サブ凹凸部２１２または第２サブ凹凸部２２２に照射されるレーザビームＬＢを散乱させる役割を果たす。第１サブ凹凸部２１２及び第２サブ凹凸部２２２は、設定された凹凸形状を有することにより、第１サブ凹凸部２１２または第２サブ凹凸部２２２によって散乱して反射されるレーザビームＬＢの方向を設定することができる。より詳しくは、第１サブ凹凸部２１２及び第２サブ凹凸部２２２は、第１サブ凹凸部２１２及び第２サブ凹凸部２２２によって反射されて非晶質シリコン層２０に照射されるレーザビームＬＢの照射位置を設定することにより、非晶質シリコン層２０の全体にわたって均一にレーザビームＬＢが照射される。
本発明の第２実施形態によるレーザマスク１０２の凹凸部２０２は、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）などからなるスタンプを用いた印刷技術を利用して、ベース基板１００の上に形成することができる。
このように、本発明の第２実施形態によるレーザマスク１０２は、レーザ装置ＬＡから発振されてレーザビームＬＢが光学系ＯＰまたはレーザマスク１０２により反射されて所望しない位置の非晶質シリコン層２０に照射されても、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０２によって反射されるレーザビームＬＢが、レーザマスク１０２の凹凸部２０２により散乱して均一に非晶質シリコン層２０に照射されることにより、非晶質シリコン層２０に対する所望しない結晶化不良が抑制される。
以下、図９を参照して、本発明の第３実施形態によるレーザマスク１０３について説明する。
図９は、本発明の第３実施形態によるレーザマスクを示す断面図である。
図９に示したように、本発明の第３実施形態によるレーザマスク１０３の光遮断部ＬＩは、凹凸部２０３と一体に形成される。光遮断部ＬＩの第１サブ遮断部ＬＩ１と対応する第１サブ凹凸部２１３は均一な凹凸形状を有し、光遮断部ＬＩの第２サブ遮断部ＬＩ２と対応する第２サブ凹凸部２２３は不均一な凹凸形状を有する。
このように、本発明の第３実施形態によるレーザマスク１０３は、レーザ装置ＬＡから発振されたレーザビームＬＢが、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０３により反射されて所望しない位置の非晶質シリコン層２０に照射されても、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０３によって反射されるレーザビームＬＢが、レーザマスク１０３の凹凸部２０３により散乱して均一に非晶質シリコン層２０に照射されることにより、非晶質シリコン層２０に対する所望しない結晶化不良が抑制される。
以下、図１０を参照して、本発明の第４実施形態によるレーザマスク１０４について説明する。図１０は、本発明の第４実施形態によるレーザマスクを示す断面図である。
図１０に示したように、本発明の第４実施形態によるレーザマスク１０４の光遮断部ＬＩは、凹凸部２０４と一体に形成される。光遮断部ＬＩの第１サブ遮断部ＬＩ１と対応する第１サブ凹凸部２１４は不均一な凹凸形状を有し、光遮断部ＬＩの第２サブ遮断部ＬＩ２と対応する第２サブ凹凸部２２４は均一な凹凸形状を有する。
第２サブ凹凸部２２４は、平坦な（ｆｌａｔ）板面に溝Ｇを有して形成される。第２サブ凹凸部２２４は、平坦な板面を有する低反射層（ａｎｔｉ ｒｅｆｌｅｃｔ ｌａｙｅｒ）に溝Ｇをパターニングして形成することができる。
このように、本発明の第４実施形態によるレーザマスク１０４は、レーザ装置ＬＡから発振されたレーザビームＬＢが、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０４により反射されて、所望しない位置の非晶質シリコン層２０に照射されても、光学系ＯＰまたはレーザマスク１０４によって反射されるレーザビームＬＢが、レーザマスク１０４の凹凸部２０４によって散乱して均一に非晶質シリコン層２０に照射されることにより、非晶質シリコン層２０に対する所望しない結晶化不良が抑制される。
以上、本発明について好ましい実施形態を通じて説明したが、本発明はこれらに限定されず、次に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野における者であれば簡単に理解できる。
１０ 絶縁基板
２０ 非晶質シリコン層
１００ ベース基板
１０１、１０２、１０３、１０４ レーザマスク
２００、２０２、２０３、２０４ 凹凸部
２１０、２１２ 第１サブ凹凸部
２２０、２２２ 第２サブ凹凸部
ＯＰ 光学系
ＬＢ レーザビーム
ＬＴ 光透過部
ＬＩ 光遮断部
ＬＩ１ 第１サブ遮断部
ＬＩ２ 第２サブ遮断部
２０ 非晶質シリコン層
１００ ベース基板
１０１、１０２、１０３、１０４ レーザマスク
２００、２０２、２０３、２０４ 凹凸部
２１０、２１２ 第１サブ凹凸部
２２０、２２２ 第２サブ凹凸部
ＯＰ 光学系
ＬＢ レーザビーム
ＬＴ 光透過部
ＬＩ 光遮断部
ＬＩ１ 第１サブ遮断部
ＬＩ２ 第２サブ遮断部
Claims (2)
- 絶縁基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
光遮断部、前記光遮断部を介在して相互離隔する少なくとも２の光透過部を含むマスク基板と、前記光遮断部に対応して前記マスク基板に位置し、凹凸形状を有する凹凸部とを含むレーザマスクを前記非晶質シリコン層上に配置する段階と、
レーザ装置から発振されたレーザビームを、前記レーザマスクの、前記２の光透過部の間に介在する光遮断部の少なくとも一部を除いた領域に照射し、前記２の光透過部を透過したレーザビームが前記非晶質シリコン層に照射される段階と、
前記レーザビームの重畳を利用して前記非晶質シリコン層を結晶化する段階と、
を含む、逐次的横方向結晶化方法。 - 前記レーザマスクの前記マスク基板は、第１面、及び前記第１面と対向する第２面を含むベース基板をさらに含み、前記光遮断部は、前記ベース基板の前記第１面及び前記第２面のいずれか一つ以上の上に位置し、
前記レーザビームを前記レーザマスクを通じて前記非晶質シリコン層に照射する段階は、前記凹凸部に照射される前記レーザビームが前記凹凸部によって散乱して行われる、請求項１に記載の逐次的横方向結晶化方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090110481A KR101073551B1 (ko) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면 고상 결정화 방법 |
| KR10-2009-0110481 | 2009-11-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011109073A JP2011109073A (ja) | 2011-06-02 |
| JP5593182B2 true JP5593182B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=43998343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010214219A Expired - Fee Related JP5593182B2 (ja) | 2009-11-16 | 2010-09-24 | 逐次的横方向結晶化方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8507156B2 (ja) |
| JP (1) | JP5593182B2 (ja) |
| KR (1) | KR101073551B1 (ja) |
| CN (1) | CN102063011B (ja) |
| TW (1) | TWI472868B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5534402B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2014-07-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 低温ポリシリコン膜の形成装置及び方法 |
| KR102307499B1 (ko) | 2014-10-06 | 2021-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 위상변이 마스크 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
| CN107251254B (zh) | 2015-02-17 | 2020-01-21 | 株式会社理光 | 晶体图案形成方法、压电膜制造方法、压电元件制造方法及液体排放头制造方法 |
| CN104846331B (zh) * | 2015-05-28 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种应用于激光照射的掩膜板及激光封装方法 |
| CN105870265A (zh) | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管基板及其制备方法、显示装置 |
| WO2018092218A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ照射装置、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2018107403A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ照射装置、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
| CN108987612A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制造方法，柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58133A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Toshiba Corp | レ−ザアニ−リング用マスク |
| JPS62248590A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Toshiba Corp | マスクおよびこのマスクを用いたレ−ザマ−キング装置 |
| US5234780A (en) * | 1989-02-13 | 1993-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same |
| JPH05210233A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Nippon Seiko Kk | フォトマスク |
| JPH05261571A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
| JPH06347998A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Toppan Printing Co Ltd | レーザー焼き付け方法およびそれに用いるマスクホルダ |
| JPH07299576A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光加工装置 |
| JPH07323387A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | レーザマーキング用マスク及びレーザマーキング用マスクの製造方法 |
| JP2921507B2 (ja) | 1996-09-24 | 1999-07-19 | 日本電気株式会社 | 電子線露光用マスクおよびその製造方法 |
| JPH10233545A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Komatsu Ltd | レーザ透過用液晶マスク及び同マスクを適用したレーザ加工方法 |
| JPH11212021A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Toshiba Corp | レーザ光照射装置 |
| JP2000066373A (ja) | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Nec Corp | 露光マスク |
| JP3912949B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2002011589A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Hitachi Ltd | レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 |
| JP2002289508A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線露光用転写マスク及びその製造方法並びに電子線露光方法及び電子線露光装置 |
| KR100405080B1 (ko) * | 2001-05-11 | 2003-11-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화방법. |
| EP1329946A3 (en) | 2001-12-11 | 2005-04-06 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including a laser crystallization step |
| JP2004119971A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Sharp Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| KR100486676B1 (ko) | 2002-10-04 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 위상변이 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차측면고상결정화 방법 |
| JP2004172605A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置および結晶化方法 |
| KR20050033473A (ko) * | 2003-10-06 | 2005-04-12 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 패턴형성방법 |
| CN100485868C (zh) * | 2004-03-31 | 2009-05-06 | 日本电气株式会社 | 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管 |
| KR101316633B1 (ko) | 2004-07-28 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이의 제조방법과, 이를 이용한박막트랜지스터의 제조방법 |
| US8221544B2 (en) * | 2005-04-06 | 2012-07-17 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Line scan sequential lateral solidification of thin films |
| JP2007116136A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 位相変調素子、位相変調素子の製造方法、結晶化装置および結晶化方法 |
| JP2007273833A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sharp Corp | 半導体膜の結晶化装置および結晶化方法 |
| JP5141034B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2013-02-13 | 日産自動車株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| TWI374333B (en) * | 2007-11-30 | 2012-10-11 | Au Optronics Corp | A mask used in a sequential lateral solidification process and a solidification method using the mask |
-
2009
- 2009-11-16 KR KR1020090110481A patent/KR101073551B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-09-13 US US12/881,104 patent/US8507156B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-20 TW TW99131802A patent/TWI472868B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-09-24 JP JP2010214219A patent/JP5593182B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-11 CN CN201010506962.6A patent/CN102063011B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8507156B2 (en) | 2013-08-13 |
| CN102063011B (zh) | 2015-04-29 |
| CN102063011A (zh) | 2011-05-18 |
| US20110117731A1 (en) | 2011-05-19 |
| TWI472868B (zh) | 2015-02-11 |
| TW201129855A (en) | 2011-09-01 |
| KR20110053806A (ko) | 2011-05-24 |
| KR101073551B1 (ko) | 2011-10-17 |
| JP2011109073A (ja) | 2011-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120921 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130703 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140729 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |