JP4763983B2 - 光変調素子、結晶化装置、結晶化方法、薄膜半導体基板の製造装置、薄膜半導体基板の製造方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法、表示装置及び位相シフタ - Google Patents
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を有し、前記基板上の前記非単結晶Si膜の前記アライメントマークが形成される位置に、前記アライメントマークが消失する強度よりも小さく前記非単結晶Si膜の結晶形態が変化するために必要な強度よりも大きい光強度分布のレーザー光を提供することを特徴とする位相シフタを提供するものである。
1 > γ > β
である。
γ > α > β ・・・(A)
を満足する必要がある。
α=0.2
と表すことができるので、このとき、「β」と「γ」との関係は、
γ > 0.2 > β
と与えられる。
U(x,y)=T(x,y)*ASF(x,y)・・・(B)
で表わされる。なお、式(B)において、T(x,y)は位相変調素子3の複素振幅透過率分布を、*はコンボリューション(たたみ込み積分)を、ASF(x,y)は結像光学系3の点像分布関数をそれぞれ示している。また、点像分布関数とは、結像光学系による点像の振幅分布と定義する。
T=T0eiφ(x,y)・・・(C)
で表わされる。
ASF(x, y) ∝ 2J1(2π/λ・NA・r)/(2π/λ・NA・r)・・・(D)
ただし、r=(x2+y2)1/2
に示す関係が成立する。
R/2=0.61λ/NA ・・・(E)
で表わされることが知られている。
Iを光強度
θを位相差
Dをデューティ比(位相値の異なる領域の面積比)
とするとき、以下に示す(F)式により
I=(2−2cosθ)D2−(2−2cosθ)D+1 ・・・(F)
により説明される。
Iを光強度
Dをデューティ比(遮光面積/透過(非遮光)面積)
とするとき、以下に示す(G)式により
I=(1−D)2=D2−2D+1 ・・・(G)
により説明される。
二種類以上の光強度分布を与えるための第1および第2の光強度分布領域のうちの第2の光強度分布領域は光強度の異なる2種類の領域から構成され、
第1の光強度分布領域の光強度の最大値をI1とし、
第2の光強度分布領域の光強度を、大きな方からI2およびI3とする際に、
I1 > I2 > I3
とすることを特徴とする結晶化方法である。
Ia > I2 > I3
である。
I2 > Ic > I3
である。
Claims (19)
- 基板と、
前記基板に設けられたレーザー光を変調して非単結晶Si膜を、結晶化するための光強度分布を形成する位相シフタからなる第1の光強度変調構造と、
前記第1の光強度変調構造が設けられた前記基板に選択的に設けられ、レーザー光を変調して結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成を行う光強度分布を形成する第2の光強度変調構造と、
を有し、
前記第2の光強度変調構造が基板上の前記非単結晶Si膜に形成されるアライメントマークが形成される位置に、前記アライメントマークが消失する強度よりも小さく、前記非単結晶Si膜の結晶形態が変化するために必要な強度よりも大きい光強度分布を形成するものであることを特徴とする光変調素子。 - 前記第2の光強度変調構造は、光強度を、結晶化のための光強度に比較して、アライメントマークを形成するための光強度を前記非単結晶Si膜の結晶化がp−Si領域あるいはc−Si領域になる強度で形成されたパターンを含むことを特徴とする請求項1記載の光変調素子。
- 前記第2の光強度変調構造は、結像されたときの光強度を変化させる構造であることを特徴とする請求項1記載の光変調素子。
- 前記結像されたときの光強度を変化させる構造は、位相の変化が少ないほど光強度は大きくなり、逆に位相の変化が大きいほど光強度は小さくなることを特徴とする請求項3記載の光変調素子。
- 前記結像されたときの光強度を変化させる構造は、レーザー光が透過可能な領域に、面積比で位相値を変化させることのできる領域を設けることを特徴とする請求項4記載の光変調素子。
- 前記第2の光強度変調構造は、位相変調素子基板上に予め形成した光透過性材料からなる膜をマークパターン形状にパターニングし、前記光透過性材料からなる膜の厚さもしくは専有面積を変更することにより所定の光強度分布を得ることを特徴とする請求項1記載の光変調素子。
- 前記第2の光強度変調構造において、単位面積あたりの光透過領域の面積または位相が異なる領域の面積は、メッシュ状またはドット状のパターンにより規定されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の光変調素子。
- 基板と、
前記基板に設けられたレーザー光を変調して非単結晶Si膜を結晶化するための光強度分布を形成する二種類以上の光強度変調領域を形成する位相シフタを有し、少なくとも一種類の光強度変調領域は二種類の基本パターンから構成され、前記基本パターンの第1の基本パターンは、遮光領域と透過領域の集合からなり、前記基本パターンの第2の基本パターンは、前記第1の基本パターンに比較して遮光領域の面積の比率の大きな遮光領域と透過領域の集合からなり、前記第2の基本パターンは、前記基板上の前記非単結晶Si膜に形成されるアライメントマークが形成される位置に、前記アライメントマークが消失する強度よりも小さく、前記非単結晶Si膜の結晶形態が変化するために必要な強度よりも大きい光強度分布を形成するものであることを特徴とする光変調素子。 - 基板と、
前記基板に設けられたレーザー光を変調して非単結晶Si膜を結晶化するための光強度分布を形成する二種類以上の光強度変調領域を形成する位相シフタを有し、少なくとも一種類の光強度変調領域は異なる位相変調値を有する遮光領域と透過領域の位相変調領域の集合からなる第1の基本パターンと、前記第1の基本パターンに比較して遮光領域の面積の比率の大きな遮光領域と透過領域の集合からなる第2の基本パターンとを具備し、
前記第2の基本パターンは、前記基板上の前記非単結晶Si膜に形成されるアライメントマークが形成される位置に、前記アライメントマークが消失する強度よりも小さく、前記非単結晶Si膜の結晶形態が変化するために必要な強度よりも大きい光強度分布を形成するものであることを特徴とする光変調素子。 - 所定波長のレーザー光を出射するレーザー光源と、
請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子と、
光照射対象を保持し、任意に移動可能な対象物保持機構と、
を有することを特徴とする結晶化装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の前記光変調素子にレーザー光を照射し、透過レーザー光を光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Si膜の結晶化のための光強度分布および結晶化領域の予め定められた位置を示すアライメントマークパターンを含む光強度分布を結像させる照射工程と、
前記光照射対象上に設けられた前記非単結晶Si膜において前記結晶化のための光強度分布が結像された領域は溶融し再び結晶化される際に単結晶化Si領域が形成され、
前記アライメントマークパターンを含む光強度分布が結像された領域にはアライメントマークが前記単結晶化Si領域に関連づけて前記非単結晶Si膜に一体的に形成されることを特徴とする結晶化方法。 - 所定の特性のレーザー光を出力するレーザー光源と、
請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子を用いて、前記レーザー光源からのレーザー光に光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Siの結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンを含む光強度分布を形成したレーザー光を光照射対象に照射する露光部と、
光照射対象を保持し、前記露光部による露光単位毎に光照射対象を移動する対象物保持機構と、
を有することを特徴とする薄膜半導体基板の製造装置。 - レーザー光源からの所定の特性のレーザー光を、一定面積毎に、請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子に照射して非単結晶Si膜を結晶化させるための光強度分布および結晶化領域の予め定められた位置を示すアライメントマークパターンを含む光強度分布を前記非単結晶Si膜に結像させ単結晶化Si領域およびアライメントマークを形成する薄膜半導体基板の製造方法であって、
前記結晶化させるための光強度分布およびアライメントマークパターンを含む光強度分布の前記非単結晶Si膜への結像は同一工程で実行させることを特徴とする薄膜半導体基板の製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子により光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Siの結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンを含む光強度分布が形成されたレーザー光が、一定面積毎に照射されて、非単結晶Si膜から結晶成長されたSi層を有することを特徴とする薄膜半導体装置。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子を用いて、光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Siの結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンを含む光強度分布を形成し、
この結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンとが形成されたレーザー光を一定面積毎に照射して、前記非単結晶Si膜から結晶成長されたSi層を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子により光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Siの結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンを含む光強度分布が形成されたレーザー光が、一定面積毎に照射されて、前記非単結晶Si膜から結晶成長された単結晶Si層を所定形状にパターニングして得られた領域を含むスイッチング素子と、
このスイッチング素子に接続された信号配線と、
前記スイッチング素子が形成された絶縁基板と所定間隔で対向された対向基板と、
前記信号配線に供給される信号に対応した前記スイッチング素子の動作に基づいて情報を表示可能な表示機構と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 所定の特性のレーザー光を出力するレーザー光源と、
請求項1〜9のいずれかに記載の光変調素子を用いて、前記レーザー光源からのレーザー光に光照射対象に設けられた非単結晶Si膜に、前記非単結晶Si膜の結晶化のための光強度分布と結晶化領域の予め定められた位置を示すパターンを含む光強度分布を形成したレーザー光を光照射対象に照射する露光部と、
光照射対象を露光単位毎に、所定量移動させる対象保持部と、
を有することを特徴とするレーザー光照射装置。 - 基板と、
前記基板に設けられたレーザー光を変調して所定の光強度分布を形成する二種類以上の光強度変調領域を形成するもので、レーザー光を変調して非単結晶Si膜を結晶化するための光強度分布を形成する第一の光強度変調構造と、第1の基本パターンに比較して遮光領域の面積の比率の大きな遮光領域と透過領域の集合からなりレーザー光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すアライメントマークを形成する第二の光強度変調構造と、
を有し、
前記基板上の前記非単結晶Si膜の前記アライメントマークが形成される位置に、前記アライメントマークが消失する強度よりも小さく前記非単結晶Si膜の結晶形態が変化するために必要な強度よりも大きい光強度分布のレーザー光を提供することを特徴とする位相シフタ。 - 前記アライメントマークの第1の位相値部と第2の位相値部を構成する単位範囲の大きさは、照明光学系を透過するレーザー光の波長をλ、前記照明光学系の開口数をNAとするとき、λ/NA以下の大きさであることを特徴とする請求項18記載の結晶化装置、結晶化方法、薄膜半導体基板の製造装置、薄膜半導体基板の製造方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法、表示装置に使われる位相シフタ。
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