JP4607669B2 - レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4607669B2 JP4607669B2 JP2005165476A JP2005165476A JP4607669B2 JP 4607669 B2 JP4607669 B2 JP 4607669B2 JP 2005165476 A JP2005165476 A JP 2005165476A JP 2005165476 A JP2005165476 A JP 2005165476A JP 4607669 B2 JP4607669 B2 JP 4607669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projector
- laser
- phase shifter
- light
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
Description
松村,表面科学 Vol.21, No.5, pp.278-287, 2000
レーザアニールの際に、被処理面上に規則的な強度分布を有する光束を照射するためのレーザアニール用位相シフタであって、
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に設けられた配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、
第二の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第三の投光体と、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面及び第二の投光体と第三の投光体の間の界面の少なくも一方に、形成された微細な段差部と、
前記第一の投光体および前記第三の投光体の側部であって第一の投光体および前記第三の投光体間にパーティクルが入らないように設けられたスペーサと、
を具備してなることを特徴とする。
d≧λ2/Δλ
但し、λは前記レーザ光の波長、Δλは発振スペクトル幅である。
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面に微細な段差部により二次元のパターンが形成され、それにより、段差部内を通過したレーザ光と段差部外を通過したレーザ光との間に位相差が生ずるように構成されていることを特徴とする。
レーザ光源と、
レーザ光源から発射されたレーザ光を焦点に収束させる照明光学系と、
照明光学系の焦点に配置された位相シフタと、
位相シフタと半導体薄膜の間に配置された結像光学系と、を備える。
d≧λ2/Δλ
但し、λはレーザ光の波長、Δλはレーザ光の発振スペクトル幅である。なお、このようなレーザ光の干渉の問題に関しては、後に詳しく説明する。
Claims (14)
- レーザアニールの際に、被処理面上に規則的な強度分布を有する光束を照射するためのレーザアニール用位相シフタであって、
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に設けられた配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、
第二の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第三の投光体と、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面及び第二の投光体と第三の投光体の間の界面の少なくも一方に、形成された微細な段差部と、
前記第一の投光体および前記第三の投光体の側部であって第一の投光体および前記第三の投光体間にパーティクルが入らないように設けられたスペーサと、
を具備してなることを特徴とするレーザアニール用位相シフタ。 - 前記第一の投光体及び前記第三の投光体は石英ガラスで構成され、前記第二の投光体は不活性ガスで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザアニール用位相シフタ。
- 前記第一の投光体及び前記第三の投光体は石英ガラスで構成され、前記第二の投光体は多孔質シリカで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザアニール用位相シフタ。
- 使用されるレーザ光の波長において、80%以上の透過率を持つことを特徴とする請求項3に記載のレーザアニール用位相シフタ。
- 第一の投光体と第三の投光体の間の間隔dは、前記レーザ光の波長をλ、発振スペクトル幅をΔλとするとき
d≧λ2/Δλ
の条件を満足するように設定されることを特徴とする請求項1に記載のレーザアニール用位相シフタ。 - レーザアニールの際、被処理面上に所定の強度分布を有する光束を照射するためのレーザアニール用位相シフタであって、
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面に、微細な段差部により二次元のパターンが形成され、それにより、段差部内を通過したレーザ光と段差部外を通過したレーザ光との間に位相差が生ずるように構成されていることを特徴とするレーザアニール用位相シフタ。 - 使用されるレーザ光の波長において、80%以上の透過率を持つことを特徴とする請求項6に記載のレーザアニール用位相シフタ。
- 規則的な光強度分布を有する光束を半導体薄膜に照射して、その半導体薄膜を結晶化するレーザアニール装置であって、
レーザ光源と、
レーザ光源から発射されたレーザ光を焦点に収束させる照明光学系と、
照明光学系の焦点に配置された位相シフタと、
位相シフタと半導体薄膜の間に配置された結像光学系と、を備え、
前記位相シフタは、
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、
第二の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第三の投光体と、
前記第一の投光体および前記第三の投光体の側部であって第一の投光体および前記第三の投光体間にパーティクルが入らないように設けられたスペーサと、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面及び第二の投光体と第三の投光体の間の界面の少なくも一方に、微細な段差部により二次元のパターンが形成され、それによって、段差部内を通過したレーザ光と段差部外を通過したレーザ光との間に位相差が生ずるように構成されていることを特徴とするレーザアニール装置。 - 前記位相シフタの前記第一の投光体及び前記第三の投光体は石英ガラスで構成され、前記第二の投光体は不活性ガスで構成されていることを特徴とする請求項8に記載のレーザアニール装置。
- 前記位相シフタの前記第一の投光体及び前記第三の投光体は石英ガラスで構成され、前記第二の投光体は多孔質シリカで構成されていることを特徴とする請求項8に記載のレーザアニール装置。
- 前記位相シフタは、使用されるレーザ光の波長において、80%以上の透過率を持つことを特徴とする請求項10に記載のレーザアニール装置。
- 第一の投光体と第三の投光体の間の間隔dは、前記レーザ光の波長をλ、発振スペクトル幅をΔλとするとき、
d≧λ2/Δλ
の条件を満足するように設定されることを特徴とする請求項8に記載のレーザアニール装置。
- 規則的な光強度分布を有する光束を半導体薄膜に照射して、その半導体薄膜を結晶化するレーザアニール装置であって、
レーザ光源と、
レーザ光源から発射されたレーザ光を焦点に収束させる照明光学系と、
照明光学系の焦点に配置された位相シフタと、
位相シフタと半導体薄膜の間に配置された結像光学系と、を備え、
前記位相シフタは、
使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率を有する第一の投光体と、
第一の投光体の上に配置され、使用されるレーザ光の波長において、第一の屈折率とは異なる第二の屈折率を有する第二の投光体と、を備え、
第一の投光体と第二の投光体の間の界面に微細な段差部により二次元のパターンが形成され、それにより、段差部内を通過したレーザ光と段差部外を通過したレーザ光との間に位相差が生ずるように構成されていることを特徴とするレーザアニール装置。 - 前記位相シフタは、使用されるレーザ光の波長において、80%以上の透過率を持つことを特徴とする請求項13に記載のレーザアニール装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005165476A JP4607669B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 |
US11/276,992 US7575834B2 (en) | 2005-06-06 | 2006-03-20 | Phase shifter for laser annealing |
TW095114595A TW200644093A (en) | 2005-06-06 | 2006-04-24 | Phase shifter for laser annealing |
CNA2006100918127A CN1877433A (zh) | 2005-06-06 | 2006-05-29 | 用于激光退火的移相器 |
KR1020060049790A KR20060127757A (ko) | 2005-06-06 | 2006-06-02 | 레이저 어닐링용 위상시프터 |
US12/469,345 US7833349B2 (en) | 2005-06-06 | 2009-05-20 | Phase shifter for laser annealing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005165476A JP4607669B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339582A JP2006339582A (ja) | 2006-12-14 |
JP4607669B2 true JP4607669B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=37494506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005165476A Expired - Fee Related JP4607669B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7575834B2 (ja) |
JP (1) | JP4607669B2 (ja) |
KR (1) | KR20060127757A (ja) |
CN (1) | CN1877433A (ja) |
TW (1) | TW200644093A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4956987B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2012-06-20 | 株式会社島津製作所 | レーザー結晶化装置及び結晶化方法 |
CN104775161B (zh) * | 2015-03-04 | 2017-10-13 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 激光晶化光路系统、低温多晶硅薄膜及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144594A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Canon Inc | X線マスク構造体、及び該x線マスク構造体を用いたx線露光装置と該x線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス |
JP2003068621A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン転写用マスク、パターン転写用マスクの製造方法、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004031840A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP2004031841A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP2005129915A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置、結晶化方法、デバイス、および位相変調素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000228354A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Nikon Corp | 転写露光装置 |
JP2004259756A (ja) | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ガス置換装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2005012991A (ja) | 2003-05-26 | 2005-01-13 | Fuji Electric Hi-Tech Corp | Acアダプタ |
JP2004363241A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化半導体層の形成方法及び形成装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2005086092A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 露光マスク収容器 |
-
2005
- 2005-06-06 JP JP2005165476A patent/JP4607669B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-20 US US11/276,992 patent/US7575834B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-24 TW TW095114595A patent/TW200644093A/zh unknown
- 2006-05-29 CN CNA2006100918127A patent/CN1877433A/zh active Pending
- 2006-06-02 KR KR1020060049790A patent/KR20060127757A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-05-20 US US12/469,345 patent/US7833349B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144594A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Canon Inc | X線マスク構造体、及び該x線マスク構造体を用いたx線露光装置と該x線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス |
JP2003068621A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン転写用マスク、パターン転写用マスクの製造方法、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004031840A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP2004031841A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP2005129915A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化装置、結晶化方法、デバイス、および位相変調素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060275673A1 (en) | 2006-12-07 |
CN1877433A (zh) | 2006-12-13 |
US7575834B2 (en) | 2009-08-18 |
US7833349B2 (en) | 2010-11-16 |
JP2006339582A (ja) | 2006-12-14 |
US20090223941A1 (en) | 2009-09-10 |
KR20060127757A (ko) | 2006-12-13 |
TW200644093A (en) | 2006-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6959029B2 (en) | Apparatus for performing anastomosis | |
KR100738295B1 (ko) | 박막 처리 방법 및 박막 처리 장치 | |
US7033434B2 (en) | Mask for crystallizing, method of crystallizing amorphous silicon and method of manufacturing array substrate using the same | |
JP2008294186A (ja) | 結晶化装置および結晶化方法 | |
JP5593182B2 (ja) | 逐次的横方向結晶化方法 | |
KR100913618B1 (ko) | 결정화 장치 및 결정화 방법 | |
KR20050094762A (ko) | 다결정 반도체막 제조 방법과 그 장치 및 화상 표시 패널 | |
JP4607669B2 (ja) | レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 | |
JP6483271B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP7154592B2 (ja) | レーザアニール方法およびレーザアニール装置 | |
KR20080078290A (ko) | 폴리 실리콘 결정화용 마스크 및 이를 이용한 폴리 실리콘기판 제조 방법 | |
JP2007043127A (ja) | 逐次的横方向結晶化用のマスク及びその製造方法 | |
WO2004066372A1 (ja) | 結晶化半導体素子およびその製造方法ならびに結晶化装置 | |
JP2008227445A (ja) | 薄膜トランジスタ及び表示装置 | |
JP4652707B2 (ja) | 結晶化装置、結晶化方法、位相変調素子、およびデバイス | |
JP4763983B2 (ja) | 光変調素子、結晶化装置、結晶化方法、薄膜半導体基板の製造装置、薄膜半導体基板の製造方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法、表示装置及び位相シフタ | |
JP7161758B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2006165176A (ja) | 光強度分布の測定方法、測定装置、光強度分布の可視化方法、光強度分布の可視化装置、結晶化装置および結晶化方法 | |
KR20100074193A (ko) | 박막 트랜지스터에서 사용되는 측면 결정화된 반도체 섬의 집합 | |
JP2003257861A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP3186114B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
JP3534069B2 (ja) | 半導体薄膜、その製造方法ならびに半導体薄膜の製造装置 | |
JP2011139082A (ja) | 光変調素子、結晶化装置、結晶化方法、薄膜半導体基板の製造装置、薄膜半導体基板の製造方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法および表示装置 | |
JP2008124335A (ja) | 結晶化装置 | |
JP2005228808A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100921 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |