JP7161758B2 - レーザアニール装置 - Google Patents

レーザアニール装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7161758B2
JP7161758B2 JP2018244802A JP2018244802A JP7161758B2 JP 7161758 B2 JP7161758 B2 JP 7161758B2 JP 2018244802 A JP2018244802 A JP 2018244802A JP 2018244802 A JP2018244802 A JP 2018244802A JP 7161758 B2 JP7161758 B2 JP 7161758B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
laser
continuous wave
beam spot
transmittance region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018244802A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020107717A (ja
Inventor
映保 楊
順 後藤
通伸 水村
香織 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2018244802A priority Critical patent/JP7161758B2/ja
Priority to PCT/JP2019/047445 priority patent/WO2020137400A1/ja
Priority to TW108145249A priority patent/TW202032628A/zh
Publication of JP2020107717A publication Critical patent/JP2020107717A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7161758B2 publication Critical patent/JP7161758B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

本発明は、レーザアニール装置に関する。
薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)は、薄型ディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)をアクティブ駆動するためのスイッチング素子として用いられている。薄膜トランジスタ(以下、TFTという)の半導体層の材料としては、非晶質シリコン(a-Si:amorphous Silicon)や、多結晶シリコン(p-Si:polycrystalline Silicon)などが用いられている。
非晶質シリコンは、電子の動き易さの指標である移動度(μ)が低い。このため、非晶質シリコンでは、さらに高密度・高精細化が進むFPDで要求される高移動度には対応しきれない。そこで、FPDにおけるスイッチング素子としては、非晶質シリコンよりも移動度が大幅に高い多結晶シリコンでチャネル半導体層を形成することが好ましい。多結晶シリコン膜を形成する方法としては、エキシマレーザを使ったエキシマレーザアニール(ELA:Excimer Laser Annealing)装置で、非晶質シリコン膜にレーザ光を照射し、非晶質シリコンを再結晶化させて多結晶シリコンを形成する方法がある。
従来のレーザアニール方法としては、被照射領域において、エキシマレーザアニール(以下、ELAという)装置により発生させたエキシマレーザ光のパルスレーザビームを用いた技術が知られている(特許文献1参照)。
このレーザアニール方法では、被処理領域を、パルスレーザビームを発生させる高エネルギー部により照射し、この高エネルギー部が通過した後、逐次的に、それよりも小さなエネルギーのレーザビームでなる低エネルギー部の照射を行う。このレーザアニール方法では、低エネルギー部の照射によって高エネルギー部によって生じた残存結晶化不良領域の結晶化を図っている。
この他のレーザアニール方法としては、ELA装置によるパルスレーザ光のレーザビームに対して、走査方向に沿ってエネルギー分布を持たせたものなどが提案されている。
特開2002-313724号公報
しかしながら、ELA装置は特殊なガスを使ったガスレーザであり、設備コストならびに維持コストが高いという問題がある。また、ELA装置は、発生出力が強く、レーザ光の位相のそろい具合(コヒーレンス)や出力を一定の状態に保つことが難しいという問題がある。
上記の特許文献1に開示されたレーザアニール方法では、多くの数の光源ならびにそれらに付随する複雑な光学系を要するため、さらにコスト高となるという問題がある。また、エキシマレーザのパルス光照射によって形成される多結晶シリコンは、結晶粒径が数10~350nm程度である。この程度の結晶粒径では、さらに高い移動度を満足することができない。現在でも、FPDにおける画素トランジスタをオン・オフするドライバ回路のTFTはチャネル半導体層領域に高い移動度が要求されている。さらに、FPDにおいては、その大型化、高解像度化、動画特性の高速化に伴って、画素のスイッチング素子としてのTFTにおいても高移動度化が要望される。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、移動度の高い多結晶シリコン膜や疑似単結晶シリコン膜などを必要な領域に安定して形成でき、被処理基板へのレーザ照射条件の制御性がよく、大幅な低コスト化を達成できるレーザアニール装置を提供することを目的とする。
上記上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、前記低透過率領域は、複数の切り欠き部が形成され、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が小さく設定され、前記低透過率領域内の前記切り欠き部は、前記遮光膜に対して、前記高透過率領域と反対の方向へ向けて順次幅が狭くなることを特徴とする。
本発明の他の態様としては、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、前記低透過率領域は、前記高透過率領域の前記切り欠き部に向けて、前記遮光膜の膜厚が漸次薄くなるグラデーション部であることを特徴とする。
上記態様としては、前記マスクは、透明基板の表面に前記遮光膜が形成され、前記高透過率領域は、前記透明基板の表面に形成された前記遮光膜に開口率の高い切り欠き部が形成され、前記低透過率領域は、前記透明基板の表面に遮光膜でなる複数のドット部が分散して配置されていることが好ましい。また、上記態様としては、前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されていることが好ましい。
上記態様としては、前記連続発振レーザは、半導体レーザであることが好ましい。また、前記連続発振レーザは、レーザのパルス幅が溶融シリコンの冷却時間より長い疑似連続発振レーザを用いることが好ましい。
上記態様としては、前記ビームスポットの下流側部分におけるエネルギー強度は、前記非晶質シリコン膜を溶融させる閾値より高く設定され、前記ビームスポットの上流側部分におけるエネルギー強度は、前記移動方向の上流側に向けて前記閾値を通過して漸次低下するように設定されていることが好ましい。
上記態様としては、前記ビームスポットが、細長い矩形状に形成され、前記ビームスポットの短軸方向が、前記移動方向と同じであることが好ましい。また、前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能であることが好ましい。
本発明の他の態様としては、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の一方側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の他方側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、前記低透過率領域は、複数の切り欠き部が形成され、前記遮光膜に形成された前記切り欠き部の面積が小さく設定され、前記低透過率領域内の切り欠き部は、前記遮光膜に対して、前記高透過率領域と反対の方向へ向けて順次幅が狭くなることを特徴とする。
本発明の他の態様としては、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の一方側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の他方側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、前記低透過率領域は、前記高透過率領域の前記切り欠き部に向けて、前記遮光膜の膜厚が漸次薄くなるグラデーション部であることを特徴とする。
上記態様としては、前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記高透過率領域は、前記透明基板の表面に形成された前記遮光膜に開口率の高い切り欠き部が形成され、前記低透過率領域は、前記透明基板の表面に前記遮光膜でなる複数のドット部が分散して配置されていることが好ましい。また、上記態様としては、前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されていることが好ましい。
上記態様としては、前記連続発振レーザは、半導体レーザであることが好ましい。また、前記連続発振レーザは、レーザのパルス幅が溶融シリコンの冷却時間より長い疑似連続発振レーザを用いることが好ましい。上記態様としては、前記ビームスポットの下流側部分におけるエネルギー強度は、前記非晶質シリコン膜を溶融させる閾値より高く設定され、前記ビームスポットの上流側部分におけるエネルギー強度は、前記移動方向の上流側に向けて前記閾値を通過して漸次低下するように設定されていることが好ましい。上記態様としては、前記ビームスポットが、細長い矩形状に形成され、前記ビームスポットの短軸方向が、前記移動方向と同じであることが好ましい。また、前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能であることが好ましい。
本発明の他の態様としては、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されていることを特徴とする。
本発明の他の態様としては、被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、を備え、前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能であることを特徴とする。
本発明によれば、移動度の高い多結晶シリコン膜や疑似単結晶シリコン膜などを必要な領域に安定して形成でき、被処理基板へのレーザ照射条件の制御性がよく、大幅な低コスト化を達成できるレーザアニール装置を実現できる。
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置の概略構成図である。 図2は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置に用いるマスクを示す平面図である。 図3は、図2のIII-III断面図である。 図4は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置におけるビームスポットの短軸方向のエネルギー強度分布を示す説明図である。 図5は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置を用いて、被処理基板を移動させてレーザアニールを開始する状態を示す平面説明図である。 図6-1は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置により非晶質シリコン膜(改質予定領域)の一方の端縁にビームスポットを投影した状態を示す平面説明図である。 図6-2は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置により非晶質シリコン膜(改質予定領域)の中間部までビームスポットを移動させた状態を示す平面説明図である。 図6-3は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置により非晶質シリコン膜(改質予定領域)の他方の端縁までビームスポットを移動させた状態を示す平面説明図である。 図7は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置における基板への照射エネルギーの変化を示す図であり、レーザエネルギーのオン・オフのタイミングと、マスクの変位タイミングと、非晶質シリコン膜に照射されるエネルギー強度と時間との関係と、を示す説明図である。 図8は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置を用いたレーザアニール方法の他の実施例における基板内、長さ方向各場合に照射されるエネルギーの分布を示す図であり、非晶質シリコン膜に照射されるエネルギー強度と時間との関係を示す説明図である。 図9は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置に用いるマスクの変形例1を示す平面図である。 図10は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置に用いるマスクの変形例2を示す平面図である。 図11は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置に用いるマスクの変形例3を示す平面図である。 図12は、図11のXII-XII断面図である。
以下に、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の数、各部材の寸法、寸法の比率、形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
[実施の形態]
(レーザアニール装置の概略構成)
以下、図1から図5を用いて、本実施の形態に係るレーザアニール装置10の概略構成を説明する。図1に示すように、レーザアニール装置10は、基台11と、連続発振レーザ光(CWレーザ光)を発振する連続発振レーザとしての半導体レーザ2と、反射鏡3と、マスク4と、を備える。なお、実際には、マスク4は細長い矩形状であるが、説明の便宜から、図2に示すように長手方向の寸法に対して短軸方向Xの寸法を比較的長く示している。
基台11は、図示しない基板搬送手段を備えている。このレーザアニール装置10においては、被処理基板1を基台11の上に配置した状態で、図示しない基板搬送手段によって、基板移動方向Tに向けて移動させる。なお、図5に示すように、ビームスポットLBSの相対的な移動方向Trは、被処理基板1の基板移動方向Tと逆向きである。
図1に示すように、本実施の形態で用いる被処理基板1は、ガラス基板などの表面に全面に堆積された非晶質シリコン膜5を備えて構成されている。被処理基板1は、最終的に薄膜トランジスタ(TFT)などが作り込まれたTFT基板となる。なお、本実施の形態では、図5に示すように、被処理基板1の全面(非晶質シリコン膜5の全面)を改質予定領域6とするが、これに限定されるものではなく、改質予定領域6の大きさや形状は適宜変更可能である。以下、本実施の形態では、改質予定領域6を非晶質シリコン膜5の全表面として説明する。
図1に示すように、半導体レーザ2から出射された連続発振レーザ光は、反射鏡3で反射され、マスク4を通って非晶質シリコン膜5に照射される。本実施の形態では、マスク4を通過したレーザビームLBのビームスポットLBSが、図5に示すような細長い矩形状に成形されるように設定されている。
図2に示すように、マスク4は、長方形の透明基板41の表面に遮光膜42が形成されている。マスク4には、それぞれ長手方向に延びる、高透過率領域Aと、低透過率領域Bと、を備える。高透過率領域Aは、マスク4の短軸方向Xの一方側に配置されている。低透過率領域Bは、マスク4の短軸方向Xの他方側に配置されている。すなわち、マスク4の領域内において、マスク4の短軸方向Xに沿って、高透過率領域Aと低透過率領域Bとが隣接して区画されている。
なお、図1に示すように、マスク4は、短軸方向Xに沿って往復移動可能に設けられている。すなわち、連続発振レーザ光を高透過率領域Aおよび低透過率領域Bで透過させる位置と、連続発振レーザ光を高透過率領域Aのみで透過させる位置と、に変位可能である
図2に示すように、高透過率領域Aには、遮光膜42に、高透過率領域Aの全領域を略開口させる大きな長方形の切り欠き部(開口部)42Aが形成されている。このため、高透過率領域Aにおける光透過率は高く設定されている。低透過率領域Bには、遮光膜42に複数の小さな長方形の切り欠き部42Bが分散して配置されている。このため、低透過率領域Bにおける光透過率は低く設定されている。
本実施の形態では、反射鏡3からの連続発振レーザ光のレーザビームLBは、図示しない光学系でマスク4の輪郭と同程度またはそれ以上の大きさに成形されるようになっている。図1に示すように、マスク4にレーザビームLBが照射されると,切り欠き部42A,42Bを透過したレーザビームLBのビームスポットLBSが非晶質シリコン膜5に投影される。
図4は、マスク4を通過したレーザビームLBのビームスポットLBSにおけるエネルギー強度分布を示す説明図である。図4に示すように、高透過率領域Aを通過して非晶質シリコン膜5を照射する領域のビームスポットLBSのエネルギー強度は高くなる。一方、低透過率領域Bを通過して非晶質シリコン膜5を照射する領域のビームスポットLBSのエネルギー強度の分布では、マスク4の短軸方向Xの外側へ向けて漸次低くなる傾斜部Sを有している。
本実施の形態では、マスク4における高透過率領域Aを通過したレーザビームLBが非晶質シリコン膜5に投影された場合、この高いエネルギー強度によって非晶質シリコン膜5を瞬時に溶融させる閾値温度よりも高くなるように設定されている。
また、マスク4における低透過率領域Bを通過したレーザビームLBが非晶質シリコン膜5に投影された場合、マスク4の短軸方向Xの外側へ向けて、非晶質シリコン膜5を溶融させる温度を通過して温度が漸次低下する温度勾配が形成されるように設定されている。なお、ビームスポットLBSにおけるこの温度勾配が発生する領域は、図4に示すエネルギー強度の分布における傾斜部Sの部分に対応する。この傾斜部Sの傾斜度合いは、実験値に基づいて設定されている。
本実施の形態では、図5に示すように基台11の上に複数の被処理基板1を配置した例を用いて説明するが、このような処理形態に限定されるものではない。以下、図4から図7を用いてレーザアニール装置の動作および作用について説明する。なお、図6-1から図6-3においては、1枚の被処理基板1の表面の非晶質シリコン膜5の全面に対してレーザアニール処理を行う場合について説明する。また、図6-1から図6-3においては、ビームスポットLBSが被処理基板1に対して基板移動方向Tの逆の方向へ向けて移動するように描いているが、実際には、ビームスポットLBSは位置固定され、被処理基板1が基板移動方向Tに向けて移動する。
まず、マスク4で成形するビームスポットLBSの投影位置に対して(図5参照)、被処理基板1を待機位置に配置させておく。なお、この時点では、半導体レーザ2はオフの状態にしておく。
次に、ビームスポットLBSの位置を固定した状態で、被処理基板1を基板移動方向Tへ所定の速度で搬送する。そして、図6-1に示すように、改質予定領域としての非晶質シリコン膜5の端縁部が、ビームスポットLBSが投影される位置に到達したときに、半導体レーザ2を所定短時間オンにした後、オフに切り換える(図7におけるレーザオンオフのタイミング参照)。このとき、図7に示すように、マスク4の位置は、レーザビームLBが高透過率領域Aを通過できる位置に設定されている。
本実施の形態では、この短時間のレーザビームLBの照射により、非晶質シリコン膜5の端縁部には、種結晶領域5Aが形成される(図6-2参照)。なお、種結晶領域5Aの短軸方向Xの幅寸法W(図6-3参照)は、ビームスポットLBSの短軸方向Xの幅寸法と略同じであり、ビームスポットLBSの短軸方向(基板長さ方向)のエネルギー強度分布における幅寸法とも略同じである。
なお、図6-1の状態における、所定短時間のビームスポットLBSによるアニールに際しては、図4に示す高透過率領域Aに対応する領域の非晶質シリコン膜5が瞬時に溶融する。このとき、図4に示す高透過率領域Aに対応する領域では、微結晶シリコンでなる種結晶領域5Aが形成されていく。なお、このような種結晶領域5Aの形成は、被処理基板1がビームスポットLBSに対して静止した状態で行ってもよい。また、この種結晶領域5Aの形成に用いるレーザはパルスレーザであってもよい。
次に、上記のように種結晶領域5Aを形成した直後に、図7のレーザオンオフのタイミングに示すように、半導体レーザ2を再度、オン状態にしてレーザビームLBの照射を再開する。このとき、マスク4は、短軸方向Xに移動されてレーザビームLBが高透過率領域Aおよび低透過率領域Bを通過するような位置に変位する。このとき、被処理基板1は、一定の速度で、基板移動方向Tに沿って移動させる。そして、被処理基板1の非晶質シリコン膜5の他方の端縁部にビームスポットLBSが投影される位置に達したときに(図6-3参照)、半導体レーザ2をオフにする(図7のレーザオンオフのタイミング参照)。
このようなレーザアニール処理を行うことにより、図6-3に示すように、非晶質シリコン膜5の一方の端縁部から他方の端縁部までの略全面を結晶化シリコンとしての疑似単結晶シリコン膜5Bに改質することができる。疑似単結晶シリコン膜5Bの成長に際して、種結晶領域5Aが起点となり、良質な疑似単結晶シリコン膜5Bの結晶成長を促す作用を有する。
なお、上記実施の形態では、図6-1に示すように、改質予定領域としての非晶質シリコン膜5の端縁部が、ビームスポットLBSが投影される位置に到達したときに、マスク4の位置が、レーザビームLBが高透過率領域Aおよび低透過率領域Bを通過できる位置に設定されていてもよい。この場合、図4に示す低透過率領域Bに対応する領域では、非晶質シリコン膜5が溶融する閾値より高い温度になる領域と低い温度になる領域とが存在する。このため、溶融した非晶質シリコン膜5(溶融したシリコン)が徐々に基板移動方向T(図4中左方向)に向けて下がる温度勾配(エネルギー強度の勾配)によって、基板移動方向Tに向けて微結晶シリコンでなる種結晶領域5Aが形成されていく。本実施の形態では、ビームスポットLBSにおける低透過率領域B(上流側部分)のエネルギー強度が移動方向(基板移動方向Tと反対の方向)Trの上流側へ向けて漸次減少するように設定している。これにより、ビームスポットLBSを非晶質シリコン膜5へ投影させるだけで、種結晶領域5Aを形成できる。このため、この種結晶領域5Aを起点として、良質な疑似単結晶シリコン膜5Bの成長に繋げることができる。
上記実施の形態のように、本実施の形態に係るレーザアニール装置10では、レーザ光として、連続発振レーザから出射されるCWレーザ光を用いる。また、このレーザアニール装置10では、ビームスポットLBSにおける、相対的に移動させる移動方向Tr(図5参照)の下流側部分(高透過率領域A)のエネルギー強度を、上流側部分(低透過率領域B)のエネルギー強度よりも高く設定している。
そして、本実施の形態では、図7のレーザエネルギーのオン・オフのタイミングに示すように、種結晶領域5Aを形成した後、半導体レーザ2をオフにして連続発振レーザ光の出射を一旦停止させている。その後、所定短時間内に連続発振レーザ光の出射を開始させて、ビームスポットLBSを被処理基板1に対して相対的に移動させている。
本実施の形態に係るレーザアニール装置10は、連続発振レーザとして半導体レーザを用いているため、装置の小型化を実現できる。また、このレーザアニール装置10では、図2に示すようなマスク4を備えることにより、図4に示すようなエネルギー強度分布のビームスポットLBSを持つレーザビームLBを作成できる。
上記のレーザアニール装置10では、ビームスポットLBSを、細長い矩形状に形成し、ビームスポットLBSの長手方向が、移動方向Trに直交する方向となるように設定したことにより、幅の広い改質予定領域6に対しても対応することができる。
(レーザアニール装置の効果)
本実施の形態に係るレーザアニール装置10によれば、移動度の高い多結晶シリコン膜や疑似単結晶シリコン膜などの結晶化シリコンを、必要な領域に安定して形成できる。
また、本実施の形態に係るレーザアニール装置10によれば、連続発振レーザ光を用い、特に半導体レーザ2を用いることができるため、被処理基板1へのレーザ照射条件の制御性がよく、しかも大幅な低コスト化を達成できる。
本実施の形態に係るレーザアニール装置10では、単一の光源を用いて、種結晶領域5Aの作製および疑似単結晶シリコン膜5Bの作製を行えるため、レーザアニール工程数を大幅に低減させる効果がある。このため、TFTの製造において、このレーザアニール装置10を適用することにより、TFTの製造工程を簡略化することが可能となる。
(マスクの変形例1)
本実施の形態に係るレーザアニール装置10では、図9に示すようなマスク43を用いることができる。なお、マスク43は、実際には細長い矩形状のものであるが、説明の便宜から、図9に示すように長手方向の寸法に対して短軸方向Xの寸法を比較的長く示している。
図9に示すように、マスク43は、遮光膜42に大きな矩形状の切り欠き部42Aを形成し、この切り欠き部42Aにおいて、低透過率領域Bとすべき領域に遮光膜42でなる小さな矩形状のドット部42Cが分散した状態で残るように切り欠き部42Bを形成している。切り欠き部42Aにおけるドット部42Cを形成しない領域は、高透過率領域Aとなる。低透過率領域Bに配置するドット部42Cの大きさ、数、形状、密度などを制御することにより、実際のレーザアニール処理条件を最適化できる。なお、このようなマスク43は、ウェットエッチングや印刷法などを用いて作製できる。
(マスクの変形例2)
本実施の形態に係るレーザアニール装置10では、図10に示すようなマスク44を用いることができる。このマスク44においても、実際には細長い矩形状のものであるが、説明の便宜から、図10に示すように長手方向の寸法に対して短軸方向Xの寸法を比較的長く示している。
図10に示すように、マスク44は、遮光膜42に対して、短軸方向Xに幅の長い矩形状の切り欠き部42Aと、順次幅が狭くなる複数の切り欠き42Bを備える。切り欠き部42Aは、高透過率領域Aを構成する。複数の切り欠き部42Bが形成された領域は、低透過率領域Bを構成する。なお、切り欠き部42Aおよび複数の切り欠き部42B同士の境界は遮光膜42でなるライン部42Dで区画されている。この変形例では、低透過率領域Bに配置する複数の切り欠き部42Bの間隔、幅、数などを制御することにより、実際のレーザアニール処理条件を最適化できる。このようなマスク44も、ウェットエッチングや印刷法などを用いて作製できる。
(マスクの変形例3)
本実施の形態に係るレーザアニール装置10では、図11および図12に示すようなマスク45を用いることができる。このマスク45においても、実際には細長い矩形状のものであるが、説明の便宜から、図11に示すように長手方向の寸法に対して短軸方向Xの寸法を比較的長く示している。
図11に示すように、マスク45は、遮光膜42に対して、短軸方向Xに幅の長い矩形状の切り欠き部42Aと、切り欠き部42Aに向けて漸次膜厚が薄くなるように遮光膜42で形成されたグラデーション部42Eと、を備える。切り欠き部42Aは、高透過率領域Aを構成する。グラデーション部42Eは、低透過率領域Bを構成する。グラデーション部42Eにおいては、薄い膜の方から厚い膜の方へ向けて光の透過率が漸次低下するように設定されている。この変形例では、低透過率領域Bのグラデーション部42E膜厚の分布を制御することにより、実際のレーザアニール処理条件を最適化できる。このようなマスク45は、印刷法などで作製できる。
[その他の実施の形態]
以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
例えば、上記の実施の形態に係るレーザアニール装置10では、連続発振レーザ光(CWレーザ光)を発振する連続発振レーザとして半導体レーザ2を適用したが、これに限定されるものではなく、固体レーザ、気体レーザ、金属レーザなど連続発振レーザ光を発振する各種のレーザを用いることも可能である。また、連続発振レーザとしては、パルス幅が溶融シリコンの冷却時間よりも長い、例えば、数百ns~1ms程度以上のパルス幅を有するレーザを含む、疑似連続発振レーザを用いることも本発明の適用範囲である。
上記の実施の形態に係るレーザアニール装置10では、被処理基板1を基板移動方向Tへ移動させる構成としたが、被処理基板1を位置固定してビームスポットLBSを移動方向Trへ移動させる構成としてもよい。本実施の形態では、半導体レーザ2、光学系、マスク4なども軽量であるため、ビームスポットLBS側を移動させることも容易であり、レーザアニール装置10のフットプリントの大型化を抑制することができる。
上記の実施の形態に係るレーザアニール装置10では、ビームスポットLBSを細長い矩形状に形成して、幅の広い改質予定領域6に対しても対応できるように設定したが、被処理基板1におけるTFTのチャネル層領域のみを局所的に改質処理する場合にも勿論適用できる。
上記の実施の形態に係るレーザアニール装置10では、図7に示すように、種結晶領域5Aを形成した後、半導体レーザ2をオフにして連続発振レーザ光の出射を停止させているが、図8に示すように、高透過率領域Aおよび低透過率領域Bを透過するビームスポットLBSを用いて種結晶領域5Aを形成した後も半導体レーザ2をオンにしたまま、エネルギー強度を保った状態でビームスポットLBSを被処理基板1に対して相対的に移動させるようにしてもよい。
上記の実施の形態では、マスク4,43,44,45は、ビームスポットLBSを相対的に移動させる移動方向Trの下流側部分がエネルギー強度の高い高透過率領域Aであり、移動方向Trの上流側部分がエネルギー強度の低い低透過率領域Bとしたが、逆の配置としてもよい。
すなわち、マスク4,43,44,45は、ビームスポットLBSを相対的に移動させる移動方向Trの上流側部分がエネルギー強度の高い高透過率領域であり、移動方向Trの下流側部分がエネルギー強度の低い低透過率領域を設ける構成としてもよい。このような構成としても、図7に示すような駆動制御を行うことにより、少なくとも種結晶領域5Aを確実に形成することが可能となる。
上記の実施の形態に係るレーザアニール装置10では、結晶化シリコン膜として、疑似単結晶シリコン膜5Bを形成したが、種結晶領域から多結晶シリコン膜を成長させる構成としても勿論よい。この場合も、種結晶領域5Aを起点として、良質な多結晶シリコン膜を形成することが可能となる。
LB レーザビーム
LBS ビームスポット
S 傾斜部(エネルギー強度分布における傾斜部)
T 基板移動方向
Tr 相対的な移動方向(基板移動方向Tと反対の方向)
X 短軸方向
W 幅寸法
1 被処理基板
2 半導体レーザ
4,43.44,45 マスク
5 非晶質シリコン膜
5A 種結晶領域
5B 疑似単結晶シリコン(結晶化シリコン)膜
6 改質予定領域
10 レーザアニール装置
11 基台
41 透明基板
42 遮光膜
42A,42B 切り欠き部
42C ドット部
42D ライン部
42E グラデーション部

Claims (20)

  1. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ
    前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、
    前記低透過率領域は、複数の切り欠き部が形成され、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が小さく設定され、
    前記低透過率領域内の前記切り欠き部は、前記遮光膜に対して、前記高透過率領域と反対の方向へ向けて順次幅が狭くなる
    レーザアニール装置。
  2. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、
    前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、
    前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、
    前記低透過率領域は、前記高透過率領域の前記切り欠き部に向けて、前記遮光膜の膜厚が漸次薄くなるグラデーション部である
    レーザアニール装置。
  3. 前記マスクは、透明基板の表面に前記遮光膜が形成され、
    前記高透過率領域は、前記透明基板の表面に形成された遮光膜に開口率の高い切り欠き部が形成され、
    前記低透過率領域は、前記透明基板の表面に前記遮光膜でなる複数のドット部が分散して配置されている
    請求項1に記載のレーザアニール装置。
  4. 前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されている
    請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  5. 前記連続発振レーザは、半導体レーザである
    請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  6. 前記連続発振レーザは、レーザのパルス幅が溶融シリコンの冷却時間より長い疑似連続発振レーザを用いる
    請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  7. 前記ビームスポットの下流側部分におけるエネルギー強度は、前記非晶質シリコン膜を溶融させる閾値より高く設定され、
    前記ビームスポットの上流側部分におけるエネルギー強度は、前記移動方向の上流側に向けて前記閾値を通過して漸次低下するように設定されている
    請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  8. 前記ビームスポットが、細長い矩形状に形成され、
    前記ビームスポットの短軸方向が、前記移動方向と同じである
    請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  9. 前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能である
    請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  10. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の一方側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の他方側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、
    前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、
    前記低透過率領域は、複数の切り欠き部が形成され、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が小さく設定され、
    前記低透過率領域内の前記切り欠き部は、前記遮光膜に対して、前記高透過率領域と反
    対の方向へ向けて順次幅が狭くなる
    レーザアニール装置。
  11. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の一方側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の他方側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、
    前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、
    前記高透過率領域は、前記遮光膜に形成された切り欠き部の面積が大きく設定され、
    前記低透過率領域は、前記高透過率領域の前記切り欠き部に向けて、前記遮光膜の膜厚が漸次薄くなるグラデーション部である
    レーザアニール装置。
  12. 前記マスクは、透明基板の表面に遮光膜が形成され、
    前記高透過率領域は、前記透明基板の表面に形成された前記遮光膜に開口率の高い切り欠き部が形成され、
    前記低透過率領域は、前記透明基板の表面に前記遮光膜でなる複数のドット部が分散して配置されている
    請求項10に記載のレーザアニール装置。
  13. 前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されている
    請求項10から請求項12のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  14. 前記連続発振レーザは、半導体レーザである
    請求項10から請求項13のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  15. 前記連続発振レーザは、レーザのパルス幅が溶融シリコンの冷却時間より長い疑似連続発振レーザを用いる
    請求項10から請求項14のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  16. 前記ビームスポットの下流側部分におけるエネルギー強度は、前記非晶質シリコン膜を溶融させる閾値より高く設定され、
    前記ビームスポットの上流側部分におけるエネルギー強度は、前記移動方向の上流側に向けて前記閾値を通過して漸次低下するように設定されている
    請求項10から請求項15のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  17. 前記ビームスポットが、細長い矩形状に形成され、
    前記ビームスポットの短軸方向が、前記移動方向と同じである
    請求項10から請求項16のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  18. 前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能である
    請求項10から請求項17のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
  19. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、
    前記低透過率領域における光透過率が前記移動方向の上流側へ向けて漸次減少するように設定されている
    レーザアニール装置。
  20. 被処理基板の上に形成された非晶質シリコン膜に対して、ビームスポットを相対的に移動させ、前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコンへ改質させるレーザアニール装置であって、
    連続発振レーザ光を出射する連続発振レーザと、
    前記連続発振レーザから出射されたレーザ光が入射されて、前記非晶質シリコン膜に投影する前記ビームスポットを形成するマスクと、
    を備え、
    前記マスクは、前記ビームスポットを相対的に移動させる移動方向の下流側の領域にエネルギー強度の高い高透過率領域が設けられ、前記移動方向の上流側の領域にエネルギー強度の低い低透過率領域が設けられ、
    前記マスクは、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域および前記低透過率領域で透過させる位置と、前記連続発振レーザ光を前記高透過率領域のみで透過させる位置と、に変位可能である
    レーザアニール装置。
JP2018244802A 2018-12-27 2018-12-27 レーザアニール装置 Active JP7161758B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018244802A JP7161758B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 レーザアニール装置
PCT/JP2019/047445 WO2020137400A1 (ja) 2018-12-27 2019-12-04 レーザアニール装置
TW108145249A TW202032628A (zh) 2018-12-27 2019-12-11 雷射退火裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018244802A JP7161758B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 レーザアニール装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020107717A JP2020107717A (ja) 2020-07-09
JP7161758B2 true JP7161758B2 (ja) 2022-10-27

Family

ID=71129045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018244802A Active JP7161758B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 レーザアニール装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7161758B2 (ja)
TW (1) TW202032628A (ja)
WO (1) WO2020137400A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309080A (ja) 2002-04-17 2003-10-31 Sharp Corp アニール処理された基板表面を平滑化する方法及びレーザーアニール処理用マスク
JP2004087961A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 Sony Corp 非晶質シリコンの結晶化方法
JP2005026285A (ja) 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp 熱処理方法及び熱処理装置
JP2005347380A (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Sharp Corp 半導体薄膜の製造方法および製造装置
JP2007287866A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Sharp Corp 半導体結晶薄膜の製造方法およびそれに用いられる製造装置、フォトマスク、ならびに半導体素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309080A (ja) 2002-04-17 2003-10-31 Sharp Corp アニール処理された基板表面を平滑化する方法及びレーザーアニール処理用マスク
JP2004087961A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 Sony Corp 非晶質シリコンの結晶化方法
JP2005026285A (ja) 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp 熱処理方法及び熱処理装置
JP2005347380A (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Sharp Corp 半導体薄膜の製造方法および製造装置
JP2007287866A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Sharp Corp 半導体結晶薄膜の製造方法およびそれに用いられる製造装置、フォトマスク、ならびに半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020107717A (ja) 2020-07-09
WO2020137400A1 (ja) 2020-07-02
TW202032628A (zh) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3751772B2 (ja) 半導体薄膜製造装置
KR101073551B1 (ko) 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면 고상 결정화 방법
WO2020137399A1 (ja) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
KR100478623B1 (ko) 반도체 박막의 형성방법 및 반도체 박막의 형성장치
US20080290300A1 (en) Crystallization apparatus and crystallization method
WO2020158464A1 (ja) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP7161758B2 (ja) レーザアニール装置
JP2007273833A (ja) 半導体膜の結晶化装置および結晶化方法
JP2006013050A (ja) レーザビーム投影マスク及びそれを用いたレーザ加工方法、レーザ加工装置
WO2020184153A1 (ja) レーザアニール装置
JP5030130B2 (ja) 薄膜材料の結晶化装置
CN113169050A (zh) 激光退火方法及薄膜晶体管的制造方法
JP7203417B2 (ja) レーザアニール方法、レーザアニール装置、およびtft基板
WO2021039365A1 (ja) レーザアニール装置および結晶化膜の形成方法
JP2007287866A (ja) 半導体結晶薄膜の製造方法およびそれに用いられる製造装置、フォトマスク、ならびに半導体素子
WO2020129562A1 (ja) レーザアニール装置
JP4944705B2 (ja) 半導体装置の作製方法及び配線の作製方法
JP5179028B2 (ja) 表示装置の製造方法およびその製造装置
JP2007207896A (ja) レーザビーム投影マスクおよびそれを用いたレーザ加工方法、レーザ加工装置
JP4377442B2 (ja) 半導体薄膜の形成方法、半導体薄膜の形成装置、結晶化方法および結晶化装置
JP2006165176A (ja) 光強度分布の測定方法、測定装置、光強度分布の可視化方法、光強度分布の可視化装置、結晶化装置および結晶化方法
JP2001223167A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JP2008130691A (ja) 結晶化装置及び結晶化方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220804

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221007

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7161758

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150