JP3751772B2 - 半導体薄膜製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体材料の結晶化工程に利用される半導体薄膜製造装置に関するものであり、特に液晶ディスプレイや密着型イメージセンサ等の製造工程で用いられるレーザアニール装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板部を低温に保持した状態でアモルファスシリコン膜を結晶化する方法としてエキシマレーザを用いたレーザアニール法が広く用いられている。エキシマレーザはエネルギーが高く、アモルファスシリコンを溶融・再結晶化させることができ、且つ、レーザ光のパルス幅は数十nsと非常に短く、結晶化も百ns程度の時間で終結するので、ガラス基板にまで熱が伝搬せず、基板を高温に曝すことなく結晶化プロセスを行うことができるためである。
【0003】
従来のレーザアニール法では図9に示す形状をしたレーザ光11が用いられる。レーザ光11は長尺ビームやラインビームなどと呼ばれるものである。しかし、前述した長尺ビームを用いた結晶化法により形成された多結晶シリコン膜103は多結晶シリコン膜103を構成する結晶粒のサイズが最大でも数百nmと非常に小さく、数多くの粒界と呼ばれる結晶粒の境界が存在する膜となる。粒界はキャリアの伝導を妨げる働きをするため、粒界が多く存在するとTFTの移動度が下がり、高速に応答できるAMLCDを作製することができない。
【0004】
そこで、結晶粒が大きく粒界の少ない多結晶シリコン膜を作製する手段として投影マスクを用いた結晶化法をJames S. Imらが提案している(Appl. Phys. Lett. 69 (19), 4 Nov. 1996 p.2864)。
【0005】
図10を用いて上記結晶化法を説明する。
【0006】
図10はImらが提案しているレーザアニール法を実現するための装置を表した図である。発振器10から発せられたレーザ光11は減衰器110、全反射ミラー12、視野レンズ111を通り、投影マスク20に作製されたパターンに従い5μm程度の細線ビーム19に成形され、結像レンズ112を通り基板17に照射される。以後このような投影マスク20を透過した線幅の細いビーム19を細線ビームと呼ぶ。照射が終わると、基板ステージ18により基板17を走査して再度照射する。以上を繰り返すことにより結晶成長を行うものである。なお、このときの基板走査距離は0.75μm程度となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
Imらの提案する上述の方法では、一度のレーザ照射で結晶粒が成長する距離が短いため上記のような狭ピッチで基板走査を行わなければならない。基板の走査を行う度にアモルファスシリコンを溶融するほどの高いエネルギーをもつレーザ光が照射されるため投影マスクにかかる負担は非常に大きい。このようなレーザ照射を行うと投影マスクにはエネルギーが吸収され非常に高温となるため、マスクパターンの歪みや膜のアブレーションなどが起こり、投影マスクとしては使用できないものとなってしまう。従って、以上の問題を回避するためにはマスク材料に反射率が高くエネルギーを吸収しない物質が必要となる。
【0008】
現在LSI作製のリソグラフィー工程で使用されているKrF、ArF等のエキシマレーザを光源とするステッパで用いられているレチクルのマスク材料は主にCrである。Crの紫外光に対する反射率は60%程度と低いため使用されるレーザのパルスあたりのエネルギーが低いステッパでは問題なく使用されているものの、高エネルギーレーザを用いる上記結晶化法ではエネルギー吸収による発熱が激しく適用できない。
【0009】
本発明の目的は、マスクに形成した開口パターンに応じたレーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、交換回数の少なくて済むマスクを有する生産性の高い半導体薄膜製造装置を提供することにある。
【0010】
本発明は、多数回の高エネルギーエキシマレーザ照射による半導体薄膜の改質工程において交換回数の少ないマスクを実現するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様によれば、マスクに形成した開口パターンに応じたレーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であることを特徴とする半導体薄膜製造装置が得られる。
【0012】
これより高エネルギーエキシマレーザに耐久性の高いマスクを実現することができる。
【0013】
上記第1の態様による半導体薄膜製造装置において、上記マスクは上記レーザ光を透過する基板材料と上記レーザ光に対する反射率が70%以上であるマスク材料とからなることを特徴とする。
【0014】
上記レーザ光を透過する基板材料に上記マスク材料を薄膜として成膜することで、マスク上に形成するパターンを微細にすることができる。
【0019】
上記第1の態様による半導体薄膜製造装置において、上記マスクに上記レーザ光が照射される前に上記レーザ光を吸収する基板を有することを特徴とする。
【0020】
上記レーザ光を吸収する基板を置くことで上記マスクの反射光が例えばホモジナイザからなる光学系に与えるダメージを抑制することができる。
【0021】
本発明の第2の態様によれば、上記第1の態様による半導体薄膜製造装置において、レーザ光を吸収する基板は複数枚であることを特徴とする半導体薄膜製造装置が得られる。
【0022】
上記レーザ光を吸収する基板を複数枚用意することで、1枚あたりに吸収されるレーザ光、1枚あたりの発熱量が分割され、上記レーザ光を吸収する基板の耐久性をあげることができる。
【0023】
本発明の第3の態様によれば、上記第1の態様による半導体薄膜製造装置において、レーザ光を吸収する基板に代えて、上記マスクに上記レーザ光が照射される前に、上記マスクとは平行とならないように置かれた、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である基板を有することを特徴とする半導体薄膜製造装置が得られる。
【0024】
以上のようにすることで上記レーザ光を吸収する基板を置くことで上記マスクの反射光が例えばホモジナイザからなる光学系に与えるダメージを抑制することができる。
【0025】
上記第3の態様による半導体薄膜製造装置において、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である基板から発生する反射光を再度光路に戻す機構を備えることを特徴とする。
【0026】
以上のようにすることで、複数のレーザ発振器を用いることなく、時間を置いた連続照射を行うことができる。
【0027】
本発明の第4の態様によれば、上記第3の態様による半導体薄膜製造装置において、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である基板から発生する反射光を再度光路に戻す経路の途中に置かれた光学系を有することを特徴とする半導体薄膜製造装置が得られる。
【0028】
以上のようにすることで、反射光のプロファイルを整えることができる。
【0029】
本発明の第5の態様によれば、上記第3の態様による半導体薄膜製造装置において、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である基板から発生する反射光が光路に戻る経路の距離を自由に変えることのできる機構を備えることを特徴とする半導体薄膜製造装置が得られる。
【0030】
以上のようにすることで、反射光が基板に照射されるまでの距離を自由に変えることができ、基板に照射されるまでの時間を自由に設定することができる。
【0031】
下記の表1にAl膜とCr膜の紫外線に対する反射率(%)を示す。
【0032】
【表1】
Al は、80%以上の反射率をもつが、Crは70%未満の反射率しかもたないことがわかった。高反射率は吸収が少ない即ち温度上昇が低いことにつながるためCrよりAlの方が耐久性があると考えられる。なお、各金属膜はスパッタにより200nm成膜したものである。
【0033】
次に、Al膜、Cr膜についてXeClエキシマレーザ(波長308nm)連続照射(照射耐久実験)を行った結果を下記の表2に示す。
【0034】
【表2】
上記の表2の(a)および(b)には、照射回数100回の照射耐久実験の結果および照射回数60万回の照射耐久実験の結果を示す。
【0035】
以上の結果から、Al膜はCr膜に比べて変色や膜剥がれ等が起こりにくく100mJ/cm2のエネルギーでは60万回の照射まで耐えられることが分かった。また、縮小投影レンズを用いレーザ光を集約することにより、上記の表2に示すレーザ光の強度においても十分に半導体薄膜を改質することができる。
【0036】
【発明の実施の形態】
次に図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0037】
[第1の参考の形態]
まず、図1〜図3を用いて本発明の第1の参考の形態を説明する。
【0038】
図1は装置の構成図である。図1に示すようにエキシマレーザ発振器10から発せられたレーザ光11は全反射ミラー12や光学系13を通り、投影マスク20に形成されたパターンに従って細線ビーム19に成形された後、レンズ14により縮小投影されプロセスチャンバ16内の基板17に照射される。基板17は位置制御が可能である基板ステージ18上に置かれ、レーザ照射を行う領域を自由に決めることができる。
【0039】
図2は投影マスク20の断面図を表したものである。投影マスク20は使用するレーザ光に対する表面における反射率が70%以上である例えば金属膜31と石英基板30からなり、金属膜31にはパターンが形成される。また、金属基板にパターニングしたものであっても良い。なお、金属膜に形成するパターンは直線には限らず、また大きさ、形状は同一でなくてもよい。
【0040】
また、図3に示すように投影マスク20には1層または2層以上の膜32を堆積させてもよく、投影マスク20には水や液体窒素などで温度上昇を抑える機構を備えるものであってもよい。
【0041】
[第1の実施の形態]
次に、図4および図5を用いて本発明の第1の実施の形態を説明する。
【0042】
図4は本発明で用いる装置の構成図である。第1の参考の形態と同様に、エキシマレーザ発振器10から発せられたレーザ光11は全反射ミラー12や光学系13を通り、投影マスク20のパターンに従って成形され、レンズ14により縮小投影されプロセスチャンバ16内の基板17に照射される。但し、投影マスク20から光学系13へ戻る反射光を抑えるための吸収マスク21を図に示す位置に挿入している。例えば、吸収マスク21は、レーザ光を吸収する物質からなる基板、またはレーザ光を吸収する物質を石英ガラスなど使用するレーザ光を透過する基板に堆積させたものに対し、パターニングを施したものである。
【0043】
図5に投影マスク20と吸収マスク21の断面図および位置関係を表した図を示す。吸収マスクに施すパターンの大きさ35は吸収膜34の端部による散乱や反射といった影響が投影マスク20を透過するレーザ光41に現れない大きさであり、かつ投影マスク20から光学系へ戻る反射光43を極力抑える大きさをもつものである。
【0044】
その他の光42は吸収膜34により吸収される。また、吸収マスクは1枚でも2枚以上であってもよく、吸収マスクには水や液体窒素などで吸収マスクの温度上昇を抑える機構を備えるものであってもよい。
【0045】
[第2の参考の形態]
次に、図6および図7を用いて本発明の第2の参考の形態を説明する。
【0046】
図6は装置の構成図である。第1の参考の形態と同様にエキシマレーザ発振器10から発せられたレーザ光11は全反射ミラー12や光学系13を通り、投影マスク20のパターンに従って成形されレンズ14により縮小投影されプロセスチャンバ16内の基板17に照射される。但し、投影マスク20から光学系13へ戻る反射光を抑えるための反射マスク22を図に示す位置に挿入している。例えば、反射マスク22は使用するレーザ光に対する反射率が70%以上である物質からなる基板またはそのような物質を使用するレーザ光が透過する基板に堆積させたものにパターンを施したものであり、図7にも示すように、投影マスク20にレーザ光が照射される前に投影マスク20に対して反射マスクからの反射光が光学系に戻らないように平行にはならないように並べて置く。
【0047】
図7において、反射マスク22に施すパターンの大きさ38は反射部37の端部による散乱や反射といった影響が投影マスク20を透過するレーザ光41に現れない大きさであり、投影マスク20からの反射光43を抑え、反射光が光学系に与えるダメージをできるだけ抑えるようにするものである。また、反射マスク22には水や液体窒素などで反射マスクの温度上昇を抑える機構を備えるものであってもよい。
【0048】
[第2の実施の形態]
次に、図8を用いて本発明の第2の実施の形態を説明する。
【0049】
図8は本発明で用いる装置の構成図である。第2の参考の形態と同様に反射マスクを備えた装置において、図8に示すように、反射マスク22による反射光44を再度基板へ照射させる。ハーフトーンミラー51、全反射ミラー12を用いることにより反射マスク22からの反射光44を再び光路に戻し、再度基板17へのレーザ照射に利用することができる。また、可動装置52を用いて全反射ミラー12の位置を図に示す方向53に移動させることによって反射光44の再び基板へ照射されるまでの距離を自由に変えることができる。また、反射光44が光路に戻る前に光学系13を挿入し、ビームプロファイルを整えてもよい。
【0050】
次に本発明の実施例について説明する。
【0051】
[第1の実施例]
まず、第1の実施例を説明する。装置の概略図は図4と同様である。用いたレーザ光は波長308nmのXeClレーザである。全反射ミラー12により反射したレーザ光11はホモジナイザからなる光学系13により50x50mm2の大きさのレーザ光に成形され、吸収マスク21を通過した後に投影マスク20に照射される。投影マスク20上には線幅5μm、線長50mmのスリットが1mm間隔で50本並ぶパターンを作製した。投影マスク20で上記のようなパターンに成形された細線ビーム19は縮小投影レンズ14で1/2に縮小投影され、基板17へと照射される。結果として線幅2.5μm、線長25mmのレーザ光が500μm間隔をおいて50本照射される。なお、レーザ照射は基板上で400mJ/cm2のエネルギーにて行った。即ち、マスク上では100mJ/cm2となる。用いた基板17は300x350mm2のガラス基板上に酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜を堆積したものである。一度に照射できる領域は基板17上では50x50mm2の1/4である25x25mm2である(この25x25mm2の領域をブロックと呼ぶことにする)ので基板17全面にレーザ光を照射するために168回のブロックの変更を行った。また、結晶シリコンを基板上のスリット間隔である500μmの長さだけ横方向に成長させるために基板ステージ18を1μmステップで走査し、500回の移動を行った。その結果、1枚の基板全面にレーザ光を照射するには168x500=84000回のレーザ照射を行った。このようなレーザ照射においても投影マスク20に異常は見られなかった。
【0052】
また、吸収マスク21には線幅100μmのパターンを投影マスクのパターンと重なるように1mm間隔で作製してある。吸収マスク21が無い場合では投影マスク20を透過するレーザ光以外の99.5%のレーザ光が反射光としてホモジナイザからなる光学系13に戻る。しかし、上記のように吸収マスク21を挿入することで光学系13に戻るレーザ光を9.5%にまで抑えることができる。その結果、投影マスク20を透過する光の解像度を落とさずに光学系13を守ることができた。
【0053】
[参考例]
次に、参考例を説明する。装置の概略図は図6と同様である。第1の実施例に示す内容において吸収マスク21の代わりに反射マスク22を投影マスク20に対して3度の角度をつけて置いた。その結果、反射光を光学系13とは異なる方向へ返すことができ、光学系13の受けるダメージをなくすことができた。なお、反射光は吸収体に吸収させた。
【0054】
[第2の実施例]
次に、第2の実施例を説明する。装置の概略図は図8と同様である。反射マスク22を投影マスク20に対して45度傾けておき、反射マスクから全反射ミラー12までの距離を3mとする。また、全反射ミラー12間の距離を1.5mとる。これにより、反射マスク22から反射したレーザ光44が再び反射マスクに帰ってくるまでに光が通る距離は9mとなる。光の速さが3x108m/sであるので所要時間は30nsとなる。よって、第1のレーザ光が基板17に照射されてから30ns後に第2のレーザ光が基板17に照射される。この結果、レーザ発振器のパルス周波数以下でレーザ照射を行うことができ、かつエネルギーを効率よく使うことができた。
【0055】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、マスクに形成した開口パターンに応じたレーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である材料を上記マスクのマスク材料として用いることで上記マスクのレーザに対する耐久性を向上し、多数回のレーザ光照射を行うことができる。また、高反射率材料をマスク材料として用いているために生じる反射光を吸収マスク、反射マスクを併用することで光学系へ与える損傷を抑えることができる。また、反射マスクからの反射光を利用することで時間差をおいた連続照射を行うことができ結晶化に有効である。また、結果としてレーザエネルギーの利用効率も高まる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による第1の参考の形態において用いる半導体薄膜製造装置の概略図である。
【図2】 本発明による第1の参考の形態において用いる投影マスクの断面図である。
【図3】 本発明による第1の参考の形態において用いる保護膜をつけた投影マスクの断面図である。
【図4】 本発明による第1の実施の形態において用いる半導体薄膜製造装置の概略図である。
【図5】 本発明による第1の実施の形態において用いる投影マスクと吸収マスクの断面図である。
【図6】 本発明による第2の参考の形態において用いる半導体薄膜製造装置の概略図である。
【図7】 本発明による第2の参考の形態において用いる投影マスクと反射マスクの断面図である。
【図8】 本発明による第2の実施の形態において用いる半導体薄膜製造装置の概略図である。
【図9】 従来例において用いる長尺ビームの概略図である。
【図10】 James S. Imらの提案する半導体薄膜製造装置の概略図である。
【符号の説明】
10 レーザ発振器
11 レーザ光
12 全反射ミラー
13 光学系
14 レンズ
15 ウィンドウ
16 プロセスチャンバ
17 基板
18 基板ステージ
19 細線ビーム
20 投影マスク
21 吸収マスク
22 反射マスク
30 石英基板
31 金属膜
32 保護膜
33 投影マスクに形成するパターン幅
34 吸収膜
35 吸収マスクに形成するパターン幅
41 投影マスクを透過するレーザ光
42 吸収マスクに吸収されるレーザ光
43 投影マスクから反射するレーザ光
44 反射マスクから反射するレーザ光
51 ハーフトーンミラー
52 ミラー可動装置
53 ミラー可動方向
101 アモルファスシリコン膜
102 絶縁性基板
103 多結晶シリコン膜
104 基板走査方向
110 減衰器
111 視野レンズ
112 結像レンズ
Claims (5)
- 光学系を通ったレーザ光をマスクに照射し、該マスクに形成した開口パターンに応じた上記レーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、
上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であり、
上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の光路中に置かれた、上記レーザ光を吸収する吸収基板を有し、
上記マスクは、上記レーザ光を透過する透過基板と該透過基板上に形成され上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属膜とからなり該金属膜に前記開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属基板からなり該金属基板に開口パターンが形成されたものであり、
上記吸収基板は、上記レーザ光を吸収する物質からなる基板に開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光を吸収する物質を上記レーザ光を透過する基板に堆積させたものに対し開口パターンが形成されたものであり、
上記吸収基板の開口パターンは、上記マスクの開口パターンよりも大きいことを特徴とする半導体薄膜製造装置。 - 請求項1に記載の半導体薄膜製造装置において、上記吸収基板は複数枚であることを特徴とする半導体薄膜製造装置。
- 光学系を通ったレーザ光をマスクに照射し、該マスクに形成した開口パターンに応じた上記レーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、
上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であり、
上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の光路中に、上記マスクとは平行とならないように置かれた、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である反射基板を有し、
上記マスクは、上記レーザ光を透過する透過基板と該透過基板上に形成され上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属膜とからなり該金属膜に前記開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属基板からなり該金属基板に開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板は、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である物質からなる基板に開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である物質を上記レーザ光を透過する基板に堆積させたものに開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板の開口パターンは、上記マスクの開口パターンよりも大きいものであり、
上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である上記反射基板から発生する反射光を再度、上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の上記光路に戻す経路を構成する機構を備えることを特徴とする半導体薄膜製造装置。 - 光学系を通ったレーザ光をマスクに照射し、該マスクに形成した開口パターンに応じた上記レーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、
上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であり、
上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の光路中に、上記マスクとは平行とならないように置かれた、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である反射基板を有し、
上記マスクは、上記レーザ光を透過する透過基板と該透過基板上に形成され上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属膜とからなり該金属膜に前記開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属基板からなり該金属基板に開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板は、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である物質からなる基板に開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上であ る物質を上記レーザ光を透過する基板に堆積させたものに開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板の開口パターンは、上記マスクの開口パターンよりも大きいものであり、
上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である上記反射基板から発生する反射光を再度、上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の上記光路に戻す経路を構成する機構と、該経路の途中に置かれた光学系とを有することを特徴とする半導体薄膜製造装置。 - 光学系を通ったレーザ光をマスクに照射し、該マスクに形成した開口パターンに応じた上記レーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、
上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であり、
上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の光路中に、上記マスクとは平行とならないように置かれた、上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である反射基板を有し、
上記マスクは、上記レーザ光を透過する透過基板と該透過基板上に形成され上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属膜とからなり該金属膜に前記開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属基板からなり該金属基板に開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板は、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である物質からなる基板に開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である物質を上記レーザ光を透過する基板に堆積させたものに開口パターンが形成されたものであり、
上記反射基板の開口パターンは、上記マスクの開口パターンよりも大きいものであり、
上記レーザ光に対する反射率が表面において70%以上である上記反射基板から発生する反射光を再度、上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の上記光路に戻す経路を構成する機構を有し、該機構は、前記経路の距離を自由に変えることのできる機構を備えることを特徴とする半導体薄膜製造装置。
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