JP2002011589A - レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 - Google Patents
レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置Info
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- JP2002011589A JP2002011589A JP2000200092A JP2000200092A JP2002011589A JP 2002011589 A JP2002011589 A JP 2002011589A JP 2000200092 A JP2000200092 A JP 2000200092A JP 2000200092 A JP2000200092 A JP 2000200092A JP 2002011589 A JP2002011589 A JP 2002011589A
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- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高耐久性のレーザアブレーション用マスクを低
コストで提供する。 【解決手段】透光性基板２に、入射レーザ光を透過させ
るための第１の領域と、不均一な凹凸状に粗化され該凹
凸状部でのレーザ光の散乱によりレーザ光の透過量が減
るようにした第２の領域３と、を備えた。
コストで提供する。 【解決手段】透光性基板２に、入射レーザ光を透過させ
るための第１の領域と、不均一な凹凸状に粗化され該凹
凸状部でのレーザ光の散乱によりレーザ光の透過量が減
るようにした第２の領域３と、を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクプロジェクシ
ョンによる材料表面加工用の光学マスクに係り、特にレ
ーザアブレーション加工用の高耐久性のマスク技術に関
する。
ョンによる材料表面加工用の光学マスクに係り、特にレ
ーザアブレーション加工用の高耐久性のマスク技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】レーザアブレーションにより材料の表面
を部分的に除去する方法は電子部品材料の加工にしばし
ば用いられる。この方法には、ビーム断面を所定の形状
寸法に成形したレーザ光で試料表面を直接描画する方
法、試料表面に密接して設けた高レーザ耐久性の保護層
の一部に開口を形成し、そこにレーザを照射して開口部
越しに試料表面を加工した後、保護膜を除去する方法、
いわゆるコンフォーマルマスク法、高いレーザ光を部分
的に不透過とするためのパターンを有する光学マスクを
準備し、その像をレンズを用いて試料表面に光学的に投
影することで、試料表面をマスクパターンに倣った形状
に加工する方法、いわゆるマスクプロジェクション法な
どがある。通常、半導体や電子部品の加工には紫外レー
ザを用いたマスクプロジェクション法がしばしば用いら
れる。
を部分的に除去する方法は電子部品材料の加工にしばし
ば用いられる。この方法には、ビーム断面を所定の形状
寸法に成形したレーザ光で試料表面を直接描画する方
法、試料表面に密接して設けた高レーザ耐久性の保護層
の一部に開口を形成し、そこにレーザを照射して開口部
越しに試料表面を加工した後、保護膜を除去する方法、
いわゆるコンフォーマルマスク法、高いレーザ光を部分
的に不透過とするためのパターンを有する光学マスクを
準備し、その像をレンズを用いて試料表面に光学的に投
影することで、試料表面をマスクパターンに倣った形状
に加工する方法、いわゆるマスクプロジェクション法な
どがある。通常、半導体や電子部品の加工には紫外レー
ザを用いたマスクプロジェクション法がしばしば用いら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】紫外レーザによるマス
クプロジェクション加工法は試料面に微細なパターンを
能率良くパターニングするのに適した方法であり、紫外
線露光のように照射光のエネルギー密度が低い場合はマ
スクも繰り返し使用できるため経済性も比較的優れてい
る。しかしながら、例えばレーザアブレーションのよう
にエネルギー密度の高いレーザ光を用いて試料表面を除
去加工する場合には、縮小投影方式の場合でもマスク面
に比較的エネルギー密度の高いレーザ光が照射されるた
め、マスクの寿命が短いという問題がある。このため長
寿命マスクの開発はレーザアブレーションにおける重要
な課題である。一般的には透光性基板の表面に、例えば
クロムやアルミニウムなどの金属薄膜層を鏡面状態で形
成し、これをパターニングする、いわゆる金属反射マス
クが主流である。しかしながら、金属の場合、表面が鏡
面状態であってもレーザ光、特に紫外レーザ光を吸収す
る性質があるため、金属薄膜層が損傷を受けたり、剥離
したりし易く、寿命が短い。従って、アブレーションの
ように高エネルギー密度を扱う場合には適していない。
この高エネルギー密度に対応する技術として、透光性基
板の表面に誘電体多層膜を形成し、これをパターニング
する、いわゆる誘電体マスクも提案されている。このマ
スクはレーザ耐久性に極めて優れているが、パターニン
グに特殊技術が必要とされる上に、無欠陥化も難しくか
つ製造コストも高いという欠点がある。
クプロジェクション加工法は試料面に微細なパターンを
能率良くパターニングするのに適した方法であり、紫外
線露光のように照射光のエネルギー密度が低い場合はマ
スクも繰り返し使用できるため経済性も比較的優れてい
る。しかしながら、例えばレーザアブレーションのよう
にエネルギー密度の高いレーザ光を用いて試料表面を除
去加工する場合には、縮小投影方式の場合でもマスク面
に比較的エネルギー密度の高いレーザ光が照射されるた
め、マスクの寿命が短いという問題がある。このため長
寿命マスクの開発はレーザアブレーションにおける重要
な課題である。一般的には透光性基板の表面に、例えば
クロムやアルミニウムなどの金属薄膜層を鏡面状態で形
成し、これをパターニングする、いわゆる金属反射マス
クが主流である。しかしながら、金属の場合、表面が鏡
面状態であってもレーザ光、特に紫外レーザ光を吸収す
る性質があるため、金属薄膜層が損傷を受けたり、剥離
したりし易く、寿命が短い。従って、アブレーションの
ように高エネルギー密度を扱う場合には適していない。
この高エネルギー密度に対応する技術として、透光性基
板の表面に誘電体多層膜を形成し、これをパターニング
する、いわゆる誘電体マスクも提案されている。このマ
スクはレーザ耐久性に極めて優れているが、パターニン
グに特殊技術が必要とされる上に、無欠陥化も難しくか
つ製造コストも高いという欠点がある。
【０００４】一方、耐久性があって、しかも比較的簡単
に製作できるレーザアブレーション加工用マスクとして
は、例えば特開平７−２８１４１５号公報に記載されて
いるものがある。これは透光性基板の表面を化学エッチ
ングにより局部的に粗化し、この粗化部で入射レーザ光
を散乱させるものである。しかし、散乱したレーザ光は
コヒーレンシーが悪く、試料面に到達しても結像しない
ためエネルギー密度が小さく、加工に寄与しない。ま
た、化学エッチングの場合は、粗化部がほぼ一様にエッ
チングされるため、強いレーザ光を十分散乱させるよう
に粗化の程度を制御するのが困難である。本発明が解決
しようとする課題点は、高エネルギー密度のレーザ光に
対しても耐久性のあるマスクの実現にある。本発明の目
的は、上記課題点を解決し、従来技術をさらに改善した
レーザアブレーション加工用マスク技術を提供すること
である。
に製作できるレーザアブレーション加工用マスクとして
は、例えば特開平７−２８１４１５号公報に記載されて
いるものがある。これは透光性基板の表面を化学エッチ
ングにより局部的に粗化し、この粗化部で入射レーザ光
を散乱させるものである。しかし、散乱したレーザ光は
コヒーレンシーが悪く、試料面に到達しても結像しない
ためエネルギー密度が小さく、加工に寄与しない。ま
た、化学エッチングの場合は、粗化部がほぼ一様にエッ
チングされるため、強いレーザ光を十分散乱させるよう
に粗化の程度を制御するのが困難である。本発明が解決
しようとする課題点は、高エネルギー密度のレーザ光に
対しても耐久性のあるマスクの実現にある。本発明の目
的は、上記課題点を解決し、従来技術をさらに改善した
レーザアブレーション加工用マスク技術を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題点を解決するた
めに、本発明では、 １）透光性基板に、入射レーザ光を透過させるための第
１の領域と、不均一な凹凸状に粗化され該凹凸状部での
レーザ光の散乱によりレーザ光の透過量が減るようにし
た第２の領域と、を備えた構成とする。 ２）上記１）において、上記第２の領域を、サンドブラ
スト法で粗化面が形成され該粗化面の表面粗さが十点平
均粗さで略０．５〜７μｍＲｚの範囲にある構成とす
る。 ３）上記１）において、少なくとも上記第１の領域に反
射防止膜を有する構成とする。 ４）上記１）において、上記第２の領域を、レーザ光の
直接透過率が略６７％、または、間接透過率が略２％以
下である構成とする。 ５）透光性基板に保護層を設ける工程と、該保護層に所
定のパターンで開口を設ける工程と、該保護層をマスク
とし該開口を通してサンドブラスト法により該透光性基
板の一部の表面を粗化する工程と、上記保護層を該透光
性基板から除去する工程と、を経てレーザ加工用マスク
を製作する。 ６）レーザ加工用マスクの製造装置を、透光性基板に保
護層を設ける手段と、該保護層に所定のパターンで開口
を設ける手段と、該保護層をマスクとし該開口を通して
サンドブラスト法により該透光性基板の一部の表面を粗
化する手段と、上記保護層を該透光性基板から除去する
手段と、を備えた構成とする。 ７）レーザアブレーション加工装置を、上記１）から
４）のいずれかに記載のレーザ加工用マスクを用いて構
成する。 ８）画像表示装置を、上記１）から４）のいずれかに記
載のレーザ加工用マスクを用いたレーザアブレーション
加工により製作した表示部を備える構成とする。
めに、本発明では、 １）透光性基板に、入射レーザ光を透過させるための第
１の領域と、不均一な凹凸状に粗化され該凹凸状部での
レーザ光の散乱によりレーザ光の透過量が減るようにし
た第２の領域と、を備えた構成とする。 ２）上記１）において、上記第２の領域を、サンドブラ
スト法で粗化面が形成され該粗化面の表面粗さが十点平
均粗さで略０．５〜７μｍＲｚの範囲にある構成とす
る。 ３）上記１）において、少なくとも上記第１の領域に反
射防止膜を有する構成とする。 ４）上記１）において、上記第２の領域を、レーザ光の
直接透過率が略６７％、または、間接透過率が略２％以
下である構成とする。 ５）透光性基板に保護層を設ける工程と、該保護層に所
定のパターンで開口を設ける工程と、該保護層をマスク
とし該開口を通してサンドブラスト法により該透光性基
板の一部の表面を粗化する工程と、上記保護層を該透光
性基板から除去する工程と、を経てレーザ加工用マスク
を製作する。 ６）レーザ加工用マスクの製造装置を、透光性基板に保
護層を設ける手段と、該保護層に所定のパターンで開口
を設ける手段と、該保護層をマスクとし該開口を通して
サンドブラスト法により該透光性基板の一部の表面を粗
化する手段と、上記保護層を該透光性基板から除去する
手段と、を備えた構成とする。 ７）レーザアブレーション加工装置を、上記１）から
４）のいずれかに記載のレーザ加工用マスクを用いて構
成する。 ８）画像表示装置を、上記１）から４）のいずれかに記
載のレーザ加工用マスクを用いたレーザアブレーション
加工により製作した表示部を備える構成とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例につき図面
を用いて説明する。図１は、本発明によるマスクの断面
を模式的に示したものである。図１において、１はマス
ク本体、２はガラス基板、３は基板表面に形成された粗
化部、４は該粗化部３と該ガラス基板２の表面との段差
△ｈを示す。図２は図１のマスクにレーザ光が入射した
ときの状態を示したものである。図２において、５はレ
ーザ光を示す。基板面に入射したレーザ光５は、この粗
化部３において、一部は反射し、一部は透過しかつ散乱
して方向を変える。なお、図２はマスク面である粗化面
を基板のレーザ光出射側に設けた例であるが、粗化面は
基板のレーザ光入射側に設けてもよい。該粗化面をレー
ザ光出射側に設ける構成では基板の板厚分の光学的補正
を不要にできる。図３は、図１に示す本発明のマスクを
製造する製造工程の例を示したものである。透光性基板
の表面に、機械的衝撃に強くかつ感光性を有する樹脂に
よる保護層を形成し（図３（ｂ））、露光・現像により
この保護層に所定のパターンを形成する（図３
（ｃ））。次に、サンドブラスト法によりこの基板表面
に微細な研磨砥粒を吹き付け、保護層で覆われていない
透光性基板の表面を研磨砥粒の運動量により微視的に破
壊する（図３（ｄ））。これによって、表面にある程度
の大きさを持ったファセットを一様に形成する。その
後、保護層を剥離する（図３（ｅ））。以上により、局
部的に不透過部を有する光学マスクが得られる。ファセ
ットの大きさは吹き付ける研磨砥粒のサイズと吹き付け
時間及び圧力により制御できる。図３において、６は保
護レジスト膜、７は露光・現像によって保護レジスト膜
６に形成された開口部、８は研磨砥粒ジェットである。
保護レジスト膜６としては例えば厚さ２５μｍ程度のア
クリル系ドライフィルムレジストを、また、透光性基板
には合成石英ガラスを用いる。保護レジスト膜６をガラ
ス基板２の表面にラミネータ（図示せず）により貼り付
け、次いで露光・現像により開口７を所望のパターンで
形成する。次に、研磨砥粒を保護レジスト膜の開口部越
しに吹き付ける（研磨砥粒ジェット８）方法、いわゆる
サンドブラスト法によって、ガラス表面を、微小単位で
破壊し粗化する。該粗化の程度は吹き付ける研磨砥粒の
サイズと吹き付け時間及び圧力により制御できる。その
後、保護レジスト膜６を剥離してマスク１が完成され
る。
を用いて説明する。図１は、本発明によるマスクの断面
を模式的に示したものである。図１において、１はマス
ク本体、２はガラス基板、３は基板表面に形成された粗
化部、４は該粗化部３と該ガラス基板２の表面との段差
△ｈを示す。図２は図１のマスクにレーザ光が入射した
ときの状態を示したものである。図２において、５はレ
ーザ光を示す。基板面に入射したレーザ光５は、この粗
化部３において、一部は反射し、一部は透過しかつ散乱
して方向を変える。なお、図２はマスク面である粗化面
を基板のレーザ光出射側に設けた例であるが、粗化面は
基板のレーザ光入射側に設けてもよい。該粗化面をレー
ザ光出射側に設ける構成では基板の板厚分の光学的補正
を不要にできる。図３は、図１に示す本発明のマスクを
製造する製造工程の例を示したものである。透光性基板
の表面に、機械的衝撃に強くかつ感光性を有する樹脂に
よる保護層を形成し（図３（ｂ））、露光・現像により
この保護層に所定のパターンを形成する（図３
（ｃ））。次に、サンドブラスト法によりこの基板表面
に微細な研磨砥粒を吹き付け、保護層で覆われていない
透光性基板の表面を研磨砥粒の運動量により微視的に破
壊する（図３（ｄ））。これによって、表面にある程度
の大きさを持ったファセットを一様に形成する。その
後、保護層を剥離する（図３（ｅ））。以上により、局
部的に不透過部を有する光学マスクが得られる。ファセ
ットの大きさは吹き付ける研磨砥粒のサイズと吹き付け
時間及び圧力により制御できる。図３において、６は保
護レジスト膜、７は露光・現像によって保護レジスト膜
６に形成された開口部、８は研磨砥粒ジェットである。
保護レジスト膜６としては例えば厚さ２５μｍ程度のア
クリル系ドライフィルムレジストを、また、透光性基板
には合成石英ガラスを用いる。保護レジスト膜６をガラ
ス基板２の表面にラミネータ（図示せず）により貼り付
け、次いで露光・現像により開口７を所望のパターンで
形成する。次に、研磨砥粒を保護レジスト膜の開口部越
しに吹き付ける（研磨砥粒ジェット８）方法、いわゆる
サンドブラスト法によって、ガラス表面を、微小単位で
破壊し粗化する。該粗化の程度は吹き付ける研磨砥粒の
サイズと吹き付け時間及び圧力により制御できる。その
後、保護レジスト膜６を剥離してマスク１が完成され
る。
【０００７】次に、本発明のマスクにおける粗化の程度
とレーザ透過率の関係について説明する。図４は直接透
過率を測定する場合の構成例を示す図である。図４にお
いて、１０は本発明のマスクであってサンドブラスト法
により面を粗化した合成石英基板、１１はレーザ光を測
定するためのパワーメータ、１２はアパーチャ、１３は
レーザ光で波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、１
４はリレーレンズ、１５はミラー、１６は対物レンズで
ある。該リレーレンズ１４、該ミラー１５、及び該対物
レンズ１６で１／５縮小の投影光学系を形成する。この
測定系の構成では、マスクの粗化面で散乱しながら該マ
スクを通過したレーザ光のエネルギーも測定する。これ
を仮に直接透過率と呼ぶ。一方、図５は間接透過率を測
定する場合の構成例を示したものである。この構成で
は、投影光学系越しに透過率を測定することになり、マ
スク面で散乱しフィールドレンズに入射しないレーザ光
は測定されない。仮にこれを間接透過率と呼ぶ。
とレーザ透過率の関係について説明する。図４は直接透
過率を測定する場合の構成例を示す図である。図４にお
いて、１０は本発明のマスクであってサンドブラスト法
により面を粗化した合成石英基板、１１はレーザ光を測
定するためのパワーメータ、１２はアパーチャ、１３は
レーザ光で波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、１
４はリレーレンズ、１５はミラー、１６は対物レンズで
ある。該リレーレンズ１４、該ミラー１５、及び該対物
レンズ１６で１／５縮小の投影光学系を形成する。この
測定系の構成では、マスクの粗化面で散乱しながら該マ
スクを通過したレーザ光のエネルギーも測定する。これ
を仮に直接透過率と呼ぶ。一方、図５は間接透過率を測
定する場合の構成例を示したものである。この構成で
は、投影光学系越しに透過率を測定することになり、マ
スク面で散乱しフィールドレンズに入射しないレーザ光
は測定されない。仮にこれを間接透過率と呼ぶ。
【０００８】図６は、上記方法で実測した直接透過率、
間接透過率と、粗化面の表面粗さＲｚとの関係を示す図
である。なお、該表面粗さＲｚは、ＪＩＳにおいて定義
されている十点平均粗さを示す。図６からも明らかなよ
うに、直接透過率は、表面粗さＲｚが略０．７〜７．５
μｍの範囲ではほぼ一定の略６７％である。そして、Ｒ
ｚが略７．５μｍより大きくなるにつれ該直接透過率は
次第に低下し、Ｒｚが略１３．３μｍのときには略５８
％まで落ちる。また、Ｒｚが略０．５μｍよりも小さく
なるにつれ該透過率は増える傾向にある。一方、間接透
過率は、表面粗さＲｚが略６．５μｍ以上の範囲では０
％、該表面粗さＲｚが略０．７〜３μｍの範囲では１％
程度、該表面粗さＲｚが略０．５μｍでは２％程度とな
る。ここで、例えば有機物におけるエキシマレーザアブ
レーションでは、エネルギー密度として、１〜２Ｊ／ｃ
ｍ2程度の範囲とされる場合が多い。この場合には、仮
に間接透過率を１％とすると、透過するレーザ光のエネ
ルギー密度は０．０１〜０．０２Ｊ／ｃｍ2になり、ほ
とんどの有機物のしきい値を越えることはない。また、
仮に間接透過率を２％とした場合は、透過するレーザ光
のエネルギー密度は０．０２〜０．０４Ｊ／ｃｍ2程度
となり、材料によっては上限側で例えば波長２４８ｎｍ
のエキシマレーザにおけるしきい値を越える場合があ
る。しかし、このエネルギー密度ではアブレーションレ
ートが極めて小さいので、実用上は問題にならない。無
機物のようにしきい値がより高い材料に対しても同様で
ある。すなわち、表面粗さ０．５μｍＲｚ以上の粗化面
を形成しておけばアブレーション用マスクとして十分機
能する。
間接透過率と、粗化面の表面粗さＲｚとの関係を示す図
である。なお、該表面粗さＲｚは、ＪＩＳにおいて定義
されている十点平均粗さを示す。図６からも明らかなよ
うに、直接透過率は、表面粗さＲｚが略０．７〜７．５
μｍの範囲ではほぼ一定の略６７％である。そして、Ｒ
ｚが略７．５μｍより大きくなるにつれ該直接透過率は
次第に低下し、Ｒｚが略１３．３μｍのときには略５８
％まで落ちる。また、Ｒｚが略０．５μｍよりも小さく
なるにつれ該透過率は増える傾向にある。一方、間接透
過率は、表面粗さＲｚが略６．５μｍ以上の範囲では０
％、該表面粗さＲｚが略０．７〜３μｍの範囲では１％
程度、該表面粗さＲｚが略０．５μｍでは２％程度とな
る。ここで、例えば有機物におけるエキシマレーザアブ
レーションでは、エネルギー密度として、１〜２Ｊ／ｃ
ｍ2程度の範囲とされる場合が多い。この場合には、仮
に間接透過率を１％とすると、透過するレーザ光のエネ
ルギー密度は０．０１〜０．０２Ｊ／ｃｍ2になり、ほ
とんどの有機物のしきい値を越えることはない。また、
仮に間接透過率を２％とした場合は、透過するレーザ光
のエネルギー密度は０．０２〜０．０４Ｊ／ｃｍ2程度
となり、材料によっては上限側で例えば波長２４８ｎｍ
のエキシマレーザにおけるしきい値を越える場合があ
る。しかし、このエネルギー密度ではアブレーションレ
ートが極めて小さいので、実用上は問題にならない。無
機物のようにしきい値がより高い材料に対しても同様で
ある。すなわち、表面粗さ０．５μｍＲｚ以上の粗化面
を形成しておけばアブレーション用マスクとして十分機
能する。
【０００９】透過率を低減化する点からは表面粗さ（粗
化面粗さ）が大きい方が望ましいが、サンドブラスト加
工時に、ドライフィルムパターンエッジに粗さと同程度
の凹凸が形成されるため、マスクのパターン幅が狭い場
合には該エッジの凹凸を無視できなくなることから、表
面粗さ（粗化面粗さ）を大きくする場合は注意が必要で
ある。また、表面粗さが大きいときは段差△ｈも大きく
なり、該段差の側面部から光が漏れ易い。漏れた光は投
影に悪影響を及ぼすことがある。この光の漏れも、厳密
には加工パターン精度によっても異なるが、表面粗さ
（粗化面粗さ）Ｒｚの上限値を７μｍ程度に抑えておけ
ば実用上問題にならない。さらに、本発明のマスクは、
ガラス基板等の透光性基板自体をマスクに使用するた
め、耐久性はガラス基板等の透光性基板と同等であり、
例えば合成石英ガラスなどの高品質ガラスを用いるよう
にすれば長寿命化できる。図７は本発明のマスクの他の
実施例を示し、図８はその製造工程を示す。図７及び図
８において、２１はマスク全体、２２は反射防止膜（通
称ＡＲコート）である。該反射防止膜２２は、ガラス表
面での反射によるエネルギー損失を低減するためのもの
で、予めガラス板２の表面に形成される（図８
（ａ））。該反射防止膜２２を予めガラス板の表面に形
成する以外は上記図３の場合と同じ工程（図８（ｂ）〜
（ｅ））によって，該マスク２１は製作される。図９
は、プラズマディスプレイ用パネルの前面板に形成され
る透明電極材料を、本発明によるマスクを用いてレーザ
アブレーション加工した場合の結果例である。ここで、
透明電極材料としては、厚さ０．１４μｍのインジウム
とスズの酸化物であり通称ＩＴＯと呼ばれるものを使っ
ている。図９において、２３はマスクを透過したレーザ
光によってＩＴＯがライン状に除去加工された部分であ
り、２４は、マスク表面が粗化されているためレーザ光
が透過しないため、ＩＴＯが加工されずに残った部分で
ある。
化面粗さ）が大きい方が望ましいが、サンドブラスト加
工時に、ドライフィルムパターンエッジに粗さと同程度
の凹凸が形成されるため、マスクのパターン幅が狭い場
合には該エッジの凹凸を無視できなくなることから、表
面粗さ（粗化面粗さ）を大きくする場合は注意が必要で
ある。また、表面粗さが大きいときは段差△ｈも大きく
なり、該段差の側面部から光が漏れ易い。漏れた光は投
影に悪影響を及ぼすことがある。この光の漏れも、厳密
には加工パターン精度によっても異なるが、表面粗さ
（粗化面粗さ）Ｒｚの上限値を７μｍ程度に抑えておけ
ば実用上問題にならない。さらに、本発明のマスクは、
ガラス基板等の透光性基板自体をマスクに使用するた
め、耐久性はガラス基板等の透光性基板と同等であり、
例えば合成石英ガラスなどの高品質ガラスを用いるよう
にすれば長寿命化できる。図７は本発明のマスクの他の
実施例を示し、図８はその製造工程を示す。図７及び図
８において、２１はマスク全体、２２は反射防止膜（通
称ＡＲコート）である。該反射防止膜２２は、ガラス表
面での反射によるエネルギー損失を低減するためのもの
で、予めガラス板２の表面に形成される（図８
（ａ））。該反射防止膜２２を予めガラス板の表面に形
成する以外は上記図３の場合と同じ工程（図８（ｂ）〜
（ｅ））によって，該マスク２１は製作される。図９
は、プラズマディスプレイ用パネルの前面板に形成され
る透明電極材料を、本発明によるマスクを用いてレーザ
アブレーション加工した場合の結果例である。ここで、
透明電極材料としては、厚さ０．１４μｍのインジウム
とスズの酸化物であり通称ＩＴＯと呼ばれるものを使っ
ている。図９において、２３はマスクを透過したレーザ
光によってＩＴＯがライン状に除去加工された部分であ
り、２４は、マスク表面が粗化されているためレーザ光
が透過しないため、ＩＴＯが加工されずに残った部分で
ある。
【００１０】また、図１０は本発明のマスクを用いてレ
ーザアブレーション加工する加工装置の構成例（実施
例）である。図１０において、２５は本発明によるマス
ク、２６はマスク移動用ステージ、２７は１／２縮小投
影光学系、２８は表面にＩＴＯが成膜された透光性の試
料基板（透明電極材料）、２９は試料移動用ステージで
ある。本構成例では、例えば、レーザ光としては波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、マスク２５と
しては、厚さ４ｍｍの合成石英ガラスを粉体粒度表示＃
１０００のアルミナ粒子によるサンドブラストにより粗
化部の表面粗さ（粗化面粗さ）略２．３μｍＲｚ、段差
△ｈ（図１）略２μｍとしたものを用いる。図１０の構
成において、レーザ光を照射しながら、試料移動用ステ
ージ２９を、マスクに形成されたラインパターンと平行
に直線移動させると、マスクに形成されたライン幅の１
／２のライン幅でＩＴＯ膜２４が加工される。ここで、
当該マスクに形成されたラインパターンにはある程度の
長さを持たせてあり、加工中にマスクそのものもライン
パターンと平行に往復動させることで、マスク上の１箇
所へのレーザ光の集中照射が避けられ、該マスクの長寿
命化が可能となる。また、レーザ光のエネルギー密度
は、例えば、該マスクのマスク面で略０．５Ｊ／ｃ
ｍ2、ＩＴＯ膜２４の表面で略２Ｊ／ｃｍ2とする。本マ
スクの場合、粗化面粗さの値から見て直接透過率は略６
７％である（図６）が、マスクの粗化面に対応する材料
上のラインパターン以外の部分にはレーザ光は透過しな
い。このため、パターンエッジも高精度に加工でき、例
えば、目標とするライン幅Ｓ＝１００μｍに対して、図
９のパターンエッジの凹凸△Ｓを略１．５μｍ以下にで
きて、ライン幅精度も実用上問題ないようにできる。ま
た、ポリイミド材料をレーザアブレーション加工する場
合において、例えば、上記と同じマスクを用い、試料面
のエネルギー密度略１Ｊ／ｃｍ2とした場合も、上記合
成石英ガラスの場合と同様に問題なく加工可能である。
実験的にも、本発明によるマスクはレーザ加工用マスク
として十分機能することを確認した。ガラス基板等の透
光性基板において、入射レーザ光を透過させるための第
１の領域の表面位置と、サンドブラスト法等によって粗
化面が形成される第２の領域の該粗化面の平均粗さ線位
置との段差を、略０．３〜１０μｍとした場合も、該粗
化面での散乱によりレーザ光の透過量を減らすことがで
き、問題なくレーザアブレーション加工できる。
ーザアブレーション加工する加工装置の構成例（実施
例）である。図１０において、２５は本発明によるマス
ク、２６はマスク移動用ステージ、２７は１／２縮小投
影光学系、２８は表面にＩＴＯが成膜された透光性の試
料基板（透明電極材料）、２９は試料移動用ステージで
ある。本構成例では、例えば、レーザ光としては波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、マスク２５と
しては、厚さ４ｍｍの合成石英ガラスを粉体粒度表示＃
１０００のアルミナ粒子によるサンドブラストにより粗
化部の表面粗さ（粗化面粗さ）略２．３μｍＲｚ、段差
△ｈ（図１）略２μｍとしたものを用いる。図１０の構
成において、レーザ光を照射しながら、試料移動用ステ
ージ２９を、マスクに形成されたラインパターンと平行
に直線移動させると、マスクに形成されたライン幅の１
／２のライン幅でＩＴＯ膜２４が加工される。ここで、
当該マスクに形成されたラインパターンにはある程度の
長さを持たせてあり、加工中にマスクそのものもライン
パターンと平行に往復動させることで、マスク上の１箇
所へのレーザ光の集中照射が避けられ、該マスクの長寿
命化が可能となる。また、レーザ光のエネルギー密度
は、例えば、該マスクのマスク面で略０．５Ｊ／ｃ
ｍ2、ＩＴＯ膜２４の表面で略２Ｊ／ｃｍ2とする。本マ
スクの場合、粗化面粗さの値から見て直接透過率は略６
７％である（図６）が、マスクの粗化面に対応する材料
上のラインパターン以外の部分にはレーザ光は透過しな
い。このため、パターンエッジも高精度に加工でき、例
えば、目標とするライン幅Ｓ＝１００μｍに対して、図
９のパターンエッジの凹凸△Ｓを略１．５μｍ以下にで
きて、ライン幅精度も実用上問題ないようにできる。ま
た、ポリイミド材料をレーザアブレーション加工する場
合において、例えば、上記と同じマスクを用い、試料面
のエネルギー密度略１Ｊ／ｃｍ2とした場合も、上記合
成石英ガラスの場合と同様に問題なく加工可能である。
実験的にも、本発明によるマスクはレーザ加工用マスク
として十分機能することを確認した。ガラス基板等の透
光性基板において、入射レーザ光を透過させるための第
１の領域の表面位置と、サンドブラスト法等によって粗
化面が形成される第２の領域の該粗化面の平均粗さ線位
置との段差を、略０．３〜１０μｍとした場合も、該粗
化面での散乱によりレーザ光の透過量を減らすことがで
き、問題なくレーザアブレーション加工できる。
【００１１】なお、特許請求の範囲に記載の発明に関連
した発明で、上記実施例に記載した発明としては、
（１）本発明のレーザ加工用マスクを用いてレーザアブ
レーション加工で製作される表示装置用パネルや、
（２）第１の領域の表面位置と、第２の領域の粗化面の
平均粗さ線位置との段差を略０．３〜１０μｍとした構
成のレーザ加工用マスク、等がある。また、上記実施例
では粗化面をサンドブラスト法で形成するとしたが、本
発明はこれには限定されず、散乱によりレーザ光の透過
量を減らせるものであればよい。
した発明で、上記実施例に記載した発明としては、
（１）本発明のレーザ加工用マスクを用いてレーザアブ
レーション加工で製作される表示装置用パネルや、
（２）第１の領域の表面位置と、第２の領域の粗化面の
平均粗さ線位置との段差を略０．３〜１０μｍとした構
成のレーザ加工用マスク、等がある。また、上記実施例
では粗化面をサンドブラスト法で形成するとしたが、本
発明はこれには限定されず、散乱によりレーザ光の透過
量を減らせるものであればよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、耐久性の良いレーザ加
工用マスクを簡単にかつ低コストに提供できる。
工用マスクを簡単にかつ低コストに提供できる。
【図１】本発明によるレーザ加工用マスクの実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明によるマスクのレーザ光遮蔽原理を示す
図である。
図である。
【図３】図１のマスクの製造工程を示す図である。
【図４】直接透過率の測定方法を示す図である。
【図５】間接透過率の測定方法を示す図である。
【図６】粗化面粗さと透過率の関係の実測結果例を示す
図である。
図である。
【図７】本発明によるレーザ用マスクの実施例を示す図
である。
である。
【図８】図７のマスクの製造工程を示す図である。
【図９】本発明のマスクを用いて加工したパネル用電極
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図１０】本発明のマスクを用いたレーザアブレーショ
ン加工装置の構成例を示す図である。
ン加工装置の構成例を示す図である。
１、２１、２５…マスク、 ２…ガラス基板、 ３
…粗化部、４…段差、 ５…レーザ光、 ６…保護
レジスト膜、 ７…開口部、８…研磨砥粒ジェット、
１０…全面粗化した合成石英基板、１１…パワーメ
ータ、 １２…アパーチャ、 １３…レーザ光、１
４…リレーレンズ、 １５…ミラー、 １６…対物
レンズ、２２…反射防止膜、 ２３…レーザ加工され
たラインパターン、２４…ＩＴＯ膜、 ２６…マスク
移動用ステージ、２７…１／２縮小投影光学系、 ２
８…試料基板、２９…試料移動用ステージ。
…粗化部、４…段差、 ５…レーザ光、 ６…保護
レジスト膜、 ７…開口部、８…研磨砥粒ジェット、
１０…全面粗化した合成石英基板、１１…パワーメ
ータ、 １２…アパーチャ、 １３…レーザ光、１
４…リレーレンズ、 １５…ミラー、 １６…対物
レンズ、２２…反射防止膜、 ２３…レーザ加工され
たラインパターン、２４…ＩＴＯ膜、 ２６…マスク
移動用ステージ、２７…１／２縮小投影光学系、 ２
８…試料基板、２９…試料移動用ステージ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊集院 正仁 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 富士通日立プラズマディスプレイ株式会 社内 Ｆターム(参考） 2H095 BB27 BB28 BB31 BC13 BC19 BC26 4E068 CF00 DA00
Claims (8)
- 【請求項１】透光性基板に、入射レーザ光を透過させる
ための第１の領域と、不均一な凹凸状に粗化され該凹凸
状部でのレーザ光の散乱によりレーザ光の透過量が減る
ようにした第２の領域と、を備えたことを特徴とするレ
ーザ加工用マスク。 - 【請求項２】上記第２の領域は、サンドブラスト法で粗
化面が形成され該粗化面の表面粗さが十点平均粗さで略
０．５〜７μｍＲｚの範囲にある請求項１に記載のレー
ザ加工用マスク。 - 【請求項３】少なくとも上記第１の領域に反射防止膜を
有する請求項１に記載のレーザ加工用マスク。 - 【請求項４】上記第２の領域は、レーザ光の直接透過率
が略６７％、または、間接透過率が略２％以下である請
求項１に記載のレーザ加工用マスク。 - 【請求項５】透光性基板に保護層を設ける工程と、 該保護層に所定のパターンで開口を設ける工程と、 該保護層をマスクとし該開口を通してサンドブラスト法
により該透光性基板の一部の表面を粗化する工程と、 上記保護層を該透光性基板から除去する工程と、 を経てレーザ加工用マスクを製作するようにしたことを
特徴とするレーザ加工用マスクの製造方法。 - 【請求項６】透光性基板に保護層を設ける手段と、 該保護層に所定のパターンで開口を設ける手段と、 該保護層をマスクとし該開口を通してサンドブラスト法
により該透光性基板の一部の表面を粗化する手段と、 上記保護層を該透光性基板から除去する手段と、 を備えたことを特徴とするレーザ加工用マスクの製造装
置。 - 【請求項７】請求項１から４のいずれかに記載のレーザ
加工用マスクを用いて構成したことを特徴とするレーザ
アブレーション加工装置。 - 【請求項８】請求項１から４のいずれかに記載のレーザ
加工用マスクを用いたレーザアブレーション加工により
製作した表示部を備えて成ることを特徴とする画像表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200092A JP2002011589A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200092A JP2002011589A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002011589A true JP2002011589A (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=18698009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000200092A Pending JP2002011589A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002011589A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2336823A1 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Boegli-Gravures S.A. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Masken für eine Laseranlage zur Erzeugung von Mikrostrukturen. |
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| KR101094305B1 (ko) | 2010-02-11 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 열전사용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
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| JP2019078951A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000200092A patent/JP2002011589A/ja active Pending
Cited By (23)
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