JPH0876357A - レーザ転写加工用マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パターン形成された誘電体マスク内に白点欠
陥が存在している場合でも、その白点欠陥を容易に補正
し、白点欠陥に起因する加工欠陥を防止して正確なパタ
ーン転写加工を行うことができるレーザ転写加工用マス
クの提供。 【構成】 レーザ光の透過する部分のパターンを被加工
物に転写させるレーザ転写加工用マスクにおいて、前記
レーザ光を透過させる透光性の基板と、前記レーザ光を
反射する機能を有するとともに前記基板面に部分的に前
記レーザ光を透過させる開口パターンを設けた誘電体多
層膜とからなる誘電体マスクを２枚形成し、該２枚の誘
電体マスクを誘電体多層膜を内側にして相対させ、該相
対した誘電体多層膜の開口パターンを位置決め後、両誘
電体マスク間を固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザ転写加工用のマス
クに係り、特に、パターン形成された誘電体マスク内に
白点欠陥が存在している場合でも、その白点欠陥を容易
に補正して正確なパターン転写加工を行うのに好適なレ
ーザ転写加工用マスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】エキシマレーザのような高い光子エネル
ギを有するレーザ光を使って、ガラス、金属、有機物等
を除去加工する方法がある。これには、（１）マスク像
を被加工物面に投影して加工するマスク転写法、（２）
開口パターンを設けた金属箔などを被加工物面上に置
き、その上をレーザ走査して加工するコンタクトマスク
法、（３）集光したレーザ光で被加工物面を直接加工す
る方法などがあり、このうち、プロセスが短く、高能率
微細加工が可能なマスク転写法が今後有望とされてい
る。上記マスク転写法は、レーザ光を透過する部分と遮
断する部分とがパターン形成されたマスクを、投影レン
ズを介して被加工物と対向させて設置し、前記パターン
中、レーザ光が透過する部分のパターンを被加工物に転
写して被加工物面を加工する方法である。

【０００３】上記マスク転写法に用いるマスクとして
は、ガラス基板表面に誘電体膜を積層してパターン形成
した誘電体マスクがある（例えば、特開平２−２５２８
９号公報）。これは、高屈折率誘電体膜と低屈折率誘電
体膜を光学的膜厚がレーザ光波長の１／４になる厚さで
交互に積層した構成の干渉フィルタで、レーザ光を反射
させることが基本原理であることからレーザ耐性が高
く、このためレーザ転写加工用マスクとして好適であ
る。

【０００４】誘電体マスクに使用される誘電体材料とし
ては、一般にエキシマレーザの波長域で透過性の性質を
持つものに限られ、弗化物（ＬｉＦ，ＮａＦ，ＭｇＦ₂
他）や、酸化物（ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＨｆＯ₂他）が用
いられている。

【０００５】このような誘電体マスクのパターン形成プ
ロセスの比較例を図６に示す。プロセスとしては、図６
（ａ）に示すように、誘電体多層膜の表面に所望のパタ
ーンのレジストをフォトリソグラフィ法により形成し、
加速したイオンをシャワー状に照射してレジストの開口
部を介して誘電体多層膜を除去し所望のパターンを得る
イオンミリング法や、図６（ｂ）に示すように、基板表
面に所望のパターンとは反転したパターンを持つリフト
オフ層を形成した後、その上に誘電体多層膜を形成し、
該形成した誘電体多層膜の不要部分をリフトオフ層とと
もにウエットエッチングで除去することにより所望のパ
ターンを得る、いわゆるリフトオフ法により行われるこ
とが多い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記誘電体マスクのパ
ターン形成法においては、感光性有機材料の塗布、露
光、現像工程や、ウェットエッチング工程等を必要とす
るため、パターン形成工程中、基板面やレジスト内等の
各部に異物が混入または付着し、所望のパターン以外の
部位に透光性の開口部が形成されるいわゆる白点欠陥が
発生する。このような白点欠陥を持つ誘電体マスクを実
際のレーザ転写加工に使用すると、全ての被加工物面に
白点欠陥が転写されるという重大な問題が生じる。

【０００７】前記白点欠陥の修正方法としては、光学マ
スクに関するものとして、ガラス基板上にＣｒ等の金属
膜パターンを形成した後、そのパターン上に該パターン
よりパターン幅寸法が僅かに（１μｍ程度）小さい別の
金属膜パターンを形成する構成のものがある（例えば、
特開平５−５３２９６号公報）。これは、２種類の金属
膜中のピンホール欠陥が丁度重なる確率がほとんどゼロ
となるため、パターンの大部分でピンホール欠陥を無く
し、製造の歩留まりを向上させることができるとするも
のである。

【０００８】しかし、上記光学マスク用の方法をレーザ
転写加工用マスクの白点欠陥修正に適用すると、次のよ
うな問題が発生する。すなわち、前記光学マスクでは、
一般に反射率の制御等のため、パターン部分が金属膜等
の１層ないし３層で構成されているが、各金属膜の膜厚
が多少変化しても光が透過する事は無いので、上記の修
正方法によりピンホール部で多少膜厚が変化しても効果
上全く問題が生じない。これに対し誘電体マスクは、膜
厚が数十ｎｍの高屈折率誘電体膜および低屈折率誘電体
膜の２種類の膜を交互に数十層積層したものであり、そ
の多層膜の干渉によりレーザ光を反射するマスク構成で
あるため、各層の膜厚が２ｎｍ程度変化しても干渉の効
果が無くなり、誘電体マスクとして使用出来なくなると
いう特性を有している。

【０００９】図５を参照して前記光学マスクの白点欠陥
修正方法を誘電体マスクに適用した例を具体的に説明す
る。図５は誘電体多層膜内の白点欠陥を模式的に示した
断面図である。図５において、２、２′、２″は誘電体
多層膜、３は透光性基板、５は白点欠陥、１２は成膜物
質である。図５（ａ）に示すように、誘電体多層膜２内
に白点欠陥５が存在した場合、上記修正方法におけるよ
うに白点欠陥５の上から更に図５（ｂ）に示す誘電体多
層膜２′を成膜しても、白点欠陥５の周囲は誘電体多層
膜２が壁となって成膜物質１２が遮蔽され、白点欠陥５
の内部に精度良い膜厚で誘電体多層膜２″を成膜するこ
とが出来ない。従って、白点欠陥５を誘電体多層膜２″
で埋めたにもかかわらずレーザ光を完全に反射すること
が出来ず、依然として白点欠陥５が残存した場合と同様
の弊害が残ることになる。このように誘電体マスクは多
層膜構造であるため白点欠陥５の修正が非常に難しいと
いう問題点を有していた。

【００１０】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
パターン形成された誘電体マスク内に白点欠陥が存在し
ている場合でも、その白点欠陥を容易に補正し、白点欠
陥に起因する加工欠陥を防止して正確なパターン転写加
工を行うことができるレーザ転写加工用マスクを提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、レーザ光の透過する部分のパターンを被
加工物に転写させるレーザ転写加工用マスクにおいて、
前記レーザ光を透過させる透光性の基板と、前記レーザ
光を反射する機能を有するとともに前記基板面に部分的
に前記レーザ光を透過させる開口パターンを設けた誘電
体多層膜とからなる誘電体マスクを２枚形成し、該２枚
の誘電体マスクを誘電体多層膜を内側にして相対させ、
該相対した誘電体多層膜の開口パターンを位置決め後、
両誘電体マスク間を固定する構成にしたものである。

【００１２】そして、前記２枚の誘電体マスクを、誘電
体多層膜面を互いに密着させて位置決め固定する構成に
するか、誘電体多層膜面間に形成した一定の隙間を介し
て近接させて位置決め固定する構成にするとよい。

【００１３】また、前記２枚の誘電体マスクを、互いに
鏡像の位置関係の開口パターンを有する誘電体多層膜に
て構成することが望ましい。

【００１４】さらに、前記２枚の誘電体マスクを、互い
に鏡像の位置関係を有し、かつ同一形状で異なる大きさ
の開口部からなる開口パターンを有する誘電体多層膜に
て構成するか、多数の縦長長方形の開口部からなる開口
パターンを有する誘電体マスクと、該誘電体マスクの各
開口部と十字状にクロスする多数の横長長方形の開口部
からなる開口パターンを有する誘電体マスクとからなる
構成にすることが好ましい。

【００１５】そして、前記２枚の誘電体マスクを、該２
枚の誘電体マスクの誘電体多層膜面間に形成した隙間
に、不活性ガスを流通させて使用される構成にすること
が望ましい。

【００１６】

【作用】上記構成としたことにより、相対する２枚の誘
電体マスクの完全に同一位置に発生した白点欠陥を除
き、各誘電体マスクに存在する白点欠陥を互いに補正し
合うことが可能になり、また、２枚の誘電体マスクの互
いに鏡像の位置関係の開口パターン面を相対させて近接
設置することにより、誘電体マスクの開口パターンを光
学的に正確かつ容易に被加工物面に投影することが可能
になる。このため、誘電体マスクの白点欠陥に起因する
加工欠陥を確実に防止し、正確なパターン転写加工を行
うことが可能になる。

【００１７】また、２枚の誘電体マスクを誘電体多層膜
を内側にして相対させた構成にすることにより、レーザ
転写加工時に発生する塵埃の付着からマスクパターン面
が保護されて誘電体多層膜面に塵埃の付着することが無
くなり、塵埃除去のための洗浄が不要になる。さらに、
レーザ転写加工用マスクの２枚の誘電体マスク間に形成
された隙間に、窒素ガスやヘリウムガス等の不活性ガス
を流通させて使用することにより、空気中で使用する場
合に比較して温度環境が改善される。この塵埃除去のた
めの洗浄不要化と、不活性ガスの流通使用化により、レ
ーザ転写加工用マスクの寿命を従来に比べて延ばすこと
が可能になる。

【００１８】さらに、相対する２枚の誘電体マスクの開
口パターンの開口部を、寸法差を設ける構成や、縦長と
横長の長方形の各開口部を十字状にクロスする構成にす
ることにより、両誘電体マスクのアライメントを容易に
し、正確に位置決め固定することが可能になる。

【００１９】

【実施例】本発明の実施例中、第１の実施例を図１を用
いて説明する。図１は、パターン欠陥（白点欠陥）を有
する２枚の誘電体マスクを、隙間を設けて相対させて固
定したレーザ加工用マスクの断面図である。

【００２０】図１において、１はレーザ光、２、２′は
誘電体多層膜、３、３′は使用レーザ光（本実施例では
エキシマレーザ）を透過する透光性基板である。透光性
基板３はその片面に形成された誘電体多層膜２とともに
一方の誘電体マスクを構成し、また、透光性基板３′は
その片面に形成された誘電体多層膜２′とともに他方の
誘電体マスクを構成する。これら２枚の誘電体マスク
は、誘電体多層膜２、２′を内側にして相対させられて
いる。４は透光性基板３、３′を誘電体多層膜２、２′
間に数μｍ程度の一定の隙間を設けて貼り合わせ固定す
る両面接着シートである。５、５′は誘電体多層膜２、
２′に発生している白点欠陥、１４、１４′は誘電体多
層膜２、２′にパターン形成された多数の開口部であ
る。開口部１４、１４′は円形、スリット状など各種形
状にパターン形成され、開口部１４と開口部１４′とを
相対させて適宜組み合わせることにより所望の開口パタ
ーンを形成することができる。

【００２１】上記実施例における２枚の誘電体マスク
は、いずれも前記図６（ｂ）に示すリフトオフ法により
形成された。以下、前記図６（ｂ）を参照して工程順に
説明する。透光性基板３には光学研磨した石英ガラスを
用い、その表面にリフトオフ材料としてＡｌを蒸着法に
より２．５μｍ厚さで成膜する。次に、成膜したリフト
オフ材料上にフォトレジスト（例えば、ノボラック樹脂
ナフトキノン系ポジ型レジスト）を回転塗布法により１
μｍ厚さで塗布し、９０℃で３０分加熱乾燥後、露光、
現像し、所望のパターンを形成する。次に、リフトオフ
材料Ａｌのエッチング液に透光性基板３を浸漬してフォ
トレジストの開口部のＡｌ膜をエッチングした後、フォ
トレジストを剥離する。このフォトレジストを剥離した
面に蒸着法により誘電体であるＳｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃を交
互に５５層成膜し、全膜厚２．２μｍの誘電体多層膜を
形成する。最後に、透光性基板３ごとＡｌエッチング液
に浸漬し、リフトオフ層であるＡｌとともにリフトオフ
層上の誘電体多層膜を除去して所望の開口パターンを有
する誘電体多層膜２を形成し、一方の誘電体マスクを構
成する。

【００２２】つぎに、光学研磨した石英ガラスからなる
透光性基板３′に対して、上記で使用したパターンと鏡
像の位置関係の開口パターンを持つフォトマスクを用い
て、上記と同じ工程により、鏡像パターンを有する誘電
体多層膜２′を形成した他方の誘電体マスクを形成す
る。ここで、誘電体多層膜２′における開口パターン
は、必ずしも全部が鏡像パターンでなくてもよく、被加
工範囲が一部に限定されているような場合はその一部の
みを鏡像パターンにしてもよい。

【００２３】次に、前記作製した２枚の誘電体マスクの
うち、いずれか片方に両面接着シート４を貼り付け、誘
電体多層膜２、２′間に数μｍ程度の一定の隙間を設け
た状態でアライメント装置により２枚の誘電体マスクの
開口パターンが一致するようにアライメントを行う。そ
して、前記両面接着シート４により両者を貼り合わせ固
定することによりレーザ転写加工用マスクが形成され
る。ここで、上記誘電体多層膜２、２′間の隙間は、レ
ーザ転写加工装置のマスク投影光学系の焦点深度の範囲
内に設定される。

【００２４】前記レーザ転写加工用マスクに透光性基板
３側よりレーザ光１を照射すると、レーザ光１はまず誘
電体多層膜２の開口部１４及び白点欠陥５を通過する。
白点欠陥５を通過したレーザ光１は該白点欠陥５に相対
する位置にある誘電体多層膜２′により反射されるた
め、レーザ転写加工用マスクを通過することはない。ま
た、白点欠陥５′においては、レーザ光１は該白点欠陥
５′に到着する前に誘電体多層膜２により遮られるた
め、白点欠陥５′にレーザ光１が入射することはなく、
従ってレーザ転写加工用マスクを通過することはない。
他方、２枚の誘電体マスクの開口部１４、１４′におい
ては、レーザ光１は遮られることがないためそのまま被
加工物に入射する。このため、たとえ白点欠陥５、５′
が発生している場合でも、レーザ光１は該白点欠陥５、
５′の影響を受けることなく開口パターン通り被加工物
に入射される。ここで、誘電体マスクに発生する白点欠
陥５、５′は、前記したようにその大半が製造工程中の
異物に起因するものであるため、２枚の誘電体マスクの
同一箇所に欠陥が生じる確率は極めて小さく、したがっ
て、上記の如く誘電体マスクを２枚重ねて用いることに
より各誘電体マスクに存在する白点欠陥５、５′を互い
に補正し合う作用を行わせることが可能になる。

【００２５】また、互いに鏡像の位置関係の開口パター
ンを有する２枚の誘電体マスクを、その開口パターン面
を相対させて近接設置することにより、誘電体マスクの
開口パターンを光学的に正確に被加工物面に投影する作
用を生じさせることが可能になる。

【００２６】このように本実施例においては、相対する
２枚の誘電体マスクの完全に同一位置に発生した白点欠
陥を除き、図１に示すようなマスクの白点欠陥５、５′
に起因する加工欠陥を確実に防止し、正確なパターン転
写加工を行うことが可能になる。

【００２７】また、図１に示すレーザ転写加工用マスク
では誘電体多層膜２、２′の面が透光性基板３、３′の
内側に保護されているため、レーザ転写加工時に発生す
る塵埃が誘電体多層膜２、２′面に付着することが無く
なり、従って、塵埃除去のための洗浄も不要となる。こ
のため、従来に比べてレーザ転写加工用マスクの寿命を
延ばすことが出来る。

【００２８】さらに、図１に示すレーザ転写加工用マス
クの２枚の誘電体マスク間に形成された隙間に、不活性
ガスとして例えば窒素ガスを流通させて使用したとこ
ろ、空気中で使用する場合に比較して温度環境が改善さ
れ、レーザ転写加工用マスクの寿命を大幅に延長できる
ことが確認された。

【００２９】次に、図２を参照して前記図１に示すレー
ザ転写加工用マスクを用いて多層回路基板を作製する工
程を説明する。図２はその工程を示す図である。図２に
おいて、７は基板、８は金属膜パターン、９はポリイミ
ドフィルム、１０はバイアホール、１１は金属スタッド
である。

【００３０】まず、基板７の表面に金属膜を成膜した
後、図２（ａ）に示すようにフォトリソグラフィ法によ
り金属膜パターン８を形成する。そして、図２（ｂ）に
示すように金属膜パターン８上にポリイミドフィルム９
を接着する。次に、図２（ｃ）に示すように前記図１に
示すレーザ転写加工用マスクを用いて、例えば、波長が
２４８ｎｍのエキシマレーザ加工によりバイアホール１
０を形成する。次に、図２（ｄ）に示すようにバイアホ
ール１０内にめっきにより金属スタッド１１を形成し、
その上に図２（ａ）と同様の方法により図２（ｅ）に示
す金属膜パターン８を形成する。そして、前記図２
（ｂ）〜図２（ｅ）の工程を繰り返すことにより、図２
（ｆ）に示すような多層回路基板が作製される。このよ
うにして作製した多層回路基板のレーザ被加工部である
バイアホール１０を各層について検査したところ、各層
とも欠陥のないことが確認された。

【００３１】つぎに、本発明の第２の実施例を、図３を
用いて説明する。図３は、白点欠陥５、５′を有する２
枚の相対する誘電体マスクを貼り合わせたレーザ転写加
工用マスクの断面図である。図中、図１と同符号のもの
は同じものまたは同機能のものを示す。図３において、
６は２枚の誘電体マスク間を固定する固定治具である。

【００３２】上記第２の実施例における２枚の誘電体マ
スクは、いずれも前記図６（ａ）に示すイオンミリング
法により形成された。以下、前記図６（ａ）を参照して
工程順に説明する。透光性基板３には光学研磨した石英
ガラスを使用し、その表面に誘電体であるＳｉＯ₂とＡ
ｌ₂Ｏ₃とを蒸着法により交互に５５層成膜し、全膜厚
２．２μｍの誘電体多層膜を形成する。つぎに、形成し
た誘電体多層膜の面にフォトレジスト（例えば、ノボラ
ック樹脂ナフトキノン系ポジ型レジスト）を回転塗布法
により３μｍ厚さで塗布し、９０℃で３０分加熱乾燥
後、露光、現像し、丸穴形状の多数の開口部からなる開
口パターンを形成する。次に、前記フォトレジストの開
口パターンを介して誘電体多層膜をイオンミリング法に
よりエッチングし、最後に前記フォトレジストを剥離し
て多数の丸穴の開口部１４からなる所望の開口パターン
を有する誘電体多層膜２を形成し、一方の誘電体マスク
を形成する。

【００３３】つぎに、光学研磨した石英ガラスからなる
透光性基板３′に対して、上記と同一材料、同一工程に
て上記で使用したパターンと鏡像の位置関係を有し、か
つ前記開口部１４より僅かに小さい径の多数の開口部１
４′からなるパターンを有する誘電体多層膜２′を形成
し、他方の誘電体マスクを形成する。この場合、開口部
１４と１４′間の径の差は、普通数μｍ程度である。

【００３４】前記作製された２枚の誘電体マスクは、ア
ライメント装置によって、穴径の小さい誘電体多層膜
２′の開口部１４′が、穴径の大きい誘電体多層膜２の
開口部１４内に位置するようにアライメントされた後、
誘電体多層膜２と誘電体多層膜２′とが重ね合わされ、
該重ね合わされた両者が密着するように固定治具６によ
り固定されてレーザ転写加工用マスクが形成される。こ
こで、上記開口部１４と１４′との径の差は、僅かでは
あってもアライメントを容易に行う効果がある。

【００３５】上記レーザ転写加工用マスクを使って実際
にエポキシ樹脂を被加工物としてレーザ転写加工を行っ
たところ、エポキシ樹脂に対して穴径の小さな誘電体多
層膜２′のパターンが精度良く転写され、また、前記図
１に示す例と同様に、加工欠陥の発生が確実に防止され
ることが確認された。

【００３６】また、本実施例は誘電体多層膜２、２′間
を密着させたことにより、レーザ転写加工時の焦点深度
が浅い場合に有効であるが、前記図１に示す第１の実施
例と同様に数μｍ程度の僅かな一定の隙間を設ける構成
にしてもよい。

【００３７】次に、本発明の第３の実施例を図４を用い
て説明する。図４は、２枚の誘電体マスクの開口パター
ンを重ね合わせた模式図である。図中、図１または図３
と同符号のものは同じものまたは同機能のものを示す。
図４において、１３はレーザ光通過部で、レーザ光が通
過する領域を示す。

【００３８】本実施例は、前記図３に示す実施例２と同
様に、透光性基板３として光学研磨した石英ガラスを用
い、その表面に蒸着法により誘電体であるＳｉＯ₂とＨ
ｆＯ₂とを交互に２５層成膜し、全膜厚１．０μｍの誘
電体多層膜を形成する。次に、形成した誘電体多層膜の
面にフォトレジスト（例えば、ノボラック樹脂ナフトキ
ノン系ポジ型レジスト）を回転塗布法により３μｍ厚さ
で塗布し、９０℃で３０分加熱乾燥後、露光、現像し、
多数の縦長長方形の開口部からなる開口パターンを形成
する。次に、前記フォトレジストの開口パターンを介し
て誘電体多層膜をイオンミリング法によりエッチング
し、最後に前記フォトレジストを剥離して多数の縦長長
方形の開口部１４からなる所望の開口パターンを有する
誘電体多層膜２を形成し、一方の誘電体マスクを形成す
る。

【００３９】つぎに、前記図３に示す実施例２と同様
に、光学研磨した石英ガラスからなる透光性基板３′に
対して、上記と同一材料、同一工程にて上記で使用した
パターンと鏡像の位置関係を有し、かつ前記縦長長方形
の各開口部１４と十字状にクロスする多数の横長長方形
の開口部１４′からなるパターンを有する誘電体多層膜
２′を形成し、他方の誘電体マスクを形成する。

【００４０】前記作製された２枚の誘電体マスクは、ア
ライメントに先立ち、誘電体多層膜２、２′の各開口パ
ターンを相対させてアライメント装置に取付けられ、取
り付けられた２枚の誘電体マスクの透光性基板３、３′
間の周辺部に直径数μｍ、例えば、３μｍのガラスファ
イバを介在させ、さらに該ガラスファイバの外側の透光
性基板３、３′間に紫外線硬化樹脂が塗布される。この
場合、前記ガラスファイバは、２枚の誘電体マスクが重
ね合わされたときに、塗布された紫外線硬化樹脂が、開
口パターン部の方へ流れ込むのを阻止する壁の機能を果
たす。

【００４１】前記構成の２枚の誘電体マスクは、アライ
メント装置によって、縦長長方形の開口部１４と横長長
方形の開口部１４′とが図４に示す如く十字状にクロス
するようにアライメントされ、該アライメントにより位
置決めされた後、誘電体多層膜２と誘電体多層膜２′と
が重ね合わされて紫外線が照射される。該紫外線照射に
より前記紫外線硬化樹脂が硬化して両誘電体マスクを固
定し、レーザ転写加工用マスクが形成される。

【００４２】本実施例によれば、２枚の誘電体マスク間
を前記ガラスファイバを介して正確かつ容易に３μｍの
一定の隙間に保つことが可能であることから、レーザ転
写加工装置のマスク投影光学系の焦点深度の範囲内に２
枚の誘電体マスクの開口パターンを確実に保持すること
ができる。このため、パターン精度の良いレーザ転写加
工を行うことが可能になる。さらに、本実施例の２枚の
誘電体マスクの開口パターンは、各開口部１４と１４′
の位置が、ＸまたはＹ方向に多少ずれてもレーザ光通過
部１３の領域および形状がそのまま保持されるため、ア
ライメントを容易に行うことができるだけでなく、常に
パターン精度の良いレーザ転写加工を行うことが可能で
ある。

【００４３】また、上記相対する２枚の誘電体マスク間
に不活性ガスとしてヘリウムガスを流通させて使用した
ところ、前記図１に示す実施例１における窒素ガス使用
の場合と同様に、空気中で使用する場合に比較して温度
環境が改善され、レーザ転写加工用マスクの寿命を大幅
に延長できることが確認された。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ転
写加工用マスクのパターン形成された誘電体マスク内
に、たとえ白点欠陥が存在しているような場合でもその
白点欠陥を容易に補正し、白点欠陥に起因する加工欠陥
を防止して正確なパターン転写加工を行うことができる
効果を奏する。

【００４５】また、レーザ転写加工時に発生する塵埃
が、開口パターン面に付着することが無くなることから
塵埃除去のための洗浄が不要となり、従来に比べてレー
ザ転写加工用マスクの寿命を延ばすことが出来る効果も
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレーザ加工用マスクの第１の実施例を
示す断面図である。

【図２】図１に示すレーザ加工用マスクを用いた多層回
路基板の作製プロセスを示す図である。

【図３】本発明のレーザ加工用マスクの第２の実施例を
示す断面図である。

【図４】本発明のレーザ加工用マスクの第３の実施例の
説明図で、２枚の誘電体マスクの開口パターンを重ね合
わせた図である。

【図５】従来の誘電体マスクの白点欠陥に誘電体多層膜
を成膜した例を示す断面図である。

【図６】従来の誘電体マスクのパターン形成プロセスの
比較例を示す図である。

【符号の説明】

１…レーザ光、２、２′、２″…誘電体多層膜、３、
３′…透光性基板、４…両面接着シート、５、５′…白
点欠陥、６…固定治具、７…基板、８…金属膜パター
ン、９…ポリイミドフィルム、１０…バイアホール、１
１…金属スタッド、１２…成膜物質、１３…レーザ光通
過部、１４、１４′…開口部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志儀 英孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 今井 勉 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 鈴木 堅吉 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光の透過する部分のパターンを被
   加工物に転写させるレーザ転写加工用マスクにおいて、
   前記レーザ光を透過させる透光性の基板と、前記レーザ
   光を反射する機能を有するとともに前記基板面に部分的
   に前記レーザ光を透過させる開口パターンを設けた誘電
   体多層膜とからなる誘電体マスクを２枚形成し、該２枚
   の誘電体マスクを誘電体多層膜を内側にして相対させ、
   該相対した誘電体多層膜の開口パターンを位置決め後、
   両誘電体マスク間を固定したことを特徴とするレーザ転
   写加工用マスク。
2. 【請求項２】 前記２枚の誘電体マスクが、誘電体多層
   膜面を互いに密着させて位置決め固定されてなる請求項
   １記載のレーザ転写加工用マスク。
3. 【請求項３】 前記２枚の誘電体マスクが、誘電体多層
   膜面間に形成した一定の隙間を介して近接させて位置決
   め固定されてなる請求項１記載のレーザ転写加工用マス
   ク。
4. 【請求項４】 前記２枚の誘電体マスクが、互いに鏡像
   の位置関係の開口パターンを有する誘電体多層膜にて構
   成されてなる請求項１、２または３記載のレーザ転写加
   工用マスク。
5. 【請求項５】 前記２枚の誘電体マスクが、互いに鏡像
   の位置関係を有し、かつ同一形状で異なる大きさの開口
   部からなる開口パターンを有する誘電体多層膜にて構成
   されてなる請求項１、２または３記載のレーザ転写加工
   用マスク。
6. 【請求項６】 前記２枚の誘電体マスクが、多数の縦長
   長方形の開口部からなる開口パターンを有する誘電体マ
   スクと、該誘電体マスクの各開口部と十字状にクロスす
   る多数の横長長方形の開口部からなる開口パターンを有
   する誘電体マスクとからなる請求項１、２または３記載
   のレーザ転写加工用マスク。
7. 【請求項７】 前記２枚の誘電体マスクが、該２枚の誘
   電体マスクの誘電体多層膜面間に形成した隙間に、不活
   性ガスを流通させて使用される構成からなる請求項３記
   載のレーザ転写加工用マスク。