KR100266504B1 - 반사형마스크 및 그 수정방법 - Google Patents

반사형마스크 및 그 수정방법 Download PDF

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Abstract

반사형 마스크에 있어서, 고 반사율부와 중간부 및 고반사율부로 이루진 적층구조를 적어도 하나 형성한다. 최상층의 고반사율부에 결함이 있는 경우, 결합위치의 고반사율부 및 그 아래의 중간부를 제거한다. 이에 의하여, 하층의 고반사율뷰를 노출시켜 결함을 수정한다.

Description

반사형 마스크 및 그 수정방법.
본 발명은 반도체 집적회로의 리소그라피 공정에 사용되는 반사형 마스크에 관한 것으로, 특히 X선용의 반사형 마스크에 관한 것이다.
마스크상에 묘사된 회로패턴을 웨이퍼상에 전사하는 투영리소 그라피에서는, 높은 해상력(解像力)이 요구된다. 해상력을 향상시키기 위해서는, 투영광학계의 개구수(NA)를 크게 하거나, 혹은 노광파장을 짧게할 필요가 있다. 현재, NA가 0.5 정도의 젠즈와 파장248㎚의 자외선을 사용하여 0.3㎛ 정도의 해상력이 달성되고 있다. NA를 이것보다 크게하면, 투영 광학계의 촛점심도가 저하하기 때문에, 실용적이 아니다. 그래서, 자외선 대신에 X선을 사용하는 투영 리소 그래피가 유망시되고 있다. X선 영역에서는 물질의 굴절률이 1에 지극히 가까우므로, 반사형 광학계를 사용할 필요가 있다. 이 반사형 광학계는 높은 반사율을 얻기 위하여 다층막 반사경으로 구성된다.
X선 투영리소그라피에 사용되는 마스크에는, 투과형과 반사형이 있다.투과형 마스크는 X선을 투과하는 경원소물질의 막(membrane)상에,x선을 흡수하는 중원소 물질로 패턴을 형성한 것이다. x선의 흡수계수는 경원소 물질에 있어서도 극히 크기 때문에 막의 두께는 1㎛이하로 매우 얇게하지 않으면 안된다. 따라서, 투과형 마스큰는 응력에 의한 패턴 배열 정밀도의 저하나 취급이 불편하다는 등의 문제가 있다.
한편, 일본국 특허 공대 소64-4021호 공보에 기재된 바와 같이 다층막 평면경에 패턴을 형성한 반사형 마스크가 제안되고 있다. 제7도는 종래의 반사형 마스크의 구성을 나타낸다. 충분히 두꺼운 기판(1)상에, 굴절률이 다른 2개의 물질을 교대로 다수 적층한 다층막(2)을 형성한다. 이 다층막은 수직입사의 x선에 대해서도, 높은 반사율을 가진다. 다층막의 일부는 패턴에 따라 제거되어 있어 기판이 X선의 비반사부가 된다. 제 8도는 종래의 반사형 마스크의 다른 구성을 나타낸다. 기판(1)상에 다층막(2)을 형성하여 X선의 반사부로 한다. 다층막의 일부는 패턴에 따라 X선의 흡수부(8)로 씌워져 있기 비반사부가 형성되어 있다. 반사형 마스크는 기판이 두껍기 때문에,패턴의 왜곡이 발생하기 어렵고, 또 취급이 용이하다는 이점이 있다.
상기의 반사형 마스크를 구성하고 있는 다층막은 100mm 각(네모)정도의 면적에 걸쳐 두께 수㎚의 박막을 수십층 내지 수백층 적층한 것이다. 고반사율을 얻기 위해서는 , 층간의 계면이 평활해야할 것이 필요하다. 다층막 반사부의 일부라도 이 조건을 만족시킬 수 없는 경우, 소정의 반사율이 얻어지지 않기 때문에, 그 위치는 결함이 된다.또, 다층막 반사부의 내부 또는 표면에 이물이 존재하는 경우도, 그 위치는 결함이 된다. 이와 같은 반사형 마스크의 결함은, 리소그라피 코스트의 증가를 초래한다. 그러나, 종래의 반사형 마스크에서는 결함수정에 관하여 아무런 배려도 되어 있지 않았다.라피에서는, 높은 해상력(解像力)이 요구된다. 해상력을 향상시키기 위해서는, 투영광학계의 개구수(NA)를 크게 하거나, 혹은 노광파장을 짧게할 필요가 있다. 현재, NA가 0.5 정도의 렌즈와 파장 248㎚의 자외선을 사용하여 0.3㎛정도의 해상력이 달성되고 있다. NA를 이것보다 크게하면, 투영 광학계의 촛점심도가 저하하기 때문에, 실용적이 아니다. 그래서, 자외선 대신에 X선을 사용하는 투영 리소 그래피가 유망시되고 있다. X선 영역에서는 물질의 굴절류이 1에 지극히 가까우므로, 반사형 광학계를 사용할 필요가 있다. 이 반사형 광학계는 높은 반사율을 얻기 위하여 다층막 반사경으로 구성된다.
X선 투영리소그라피에 사용되는 마스크에는, 투과형과 반사형이 있다. 투과형 마스크는 X선을 투과하는 경원소물질의 막(membrane)상에,X선을 흡수하는 중원소 물질로 패턴을 형성한 것이다. X선의 흡수계수는 경원소 물질에 있어서도 극히 크기 때문에 막의 두께는 1㎛이하로 매우 얇게하지 않으면 안된다. 따라서, 투과형 마스크는 응력에 의한 패턴 배열 정밀도의 저하나 취급이 불편하다는 등의 문제가 있다.
한편, 일본국 특허 공개 소64-4021호 공보에 기재된 바와 같이 다층막 평면경에 패턴을 형성한 반사형 마스크가 제안되고 있다. 제7도는 종래의 반사형 마스크이 구성을 나타낸다. 충분히 두꺼운 기판(1)상에, 굴절률이 다른 2개의 물질을 교대로 다수 적층한 다층막(2)을 형성한다. 이 다층막은 수직입사의 X선에 대해서도, 높은 반사율을 가진다. 다층막의 일부는 패턴에 따라 제거되어 있어 기판이 X선의 비반사부가 된다. 제8도는 종래의 반사형 마스트의 다른 구성을 나타낸다. 기판(1)상에 다층막(2)을 형성하여 X선의 반사부로 한다. 다층막의 일부는 패턴에 따라 X선의 흡수부(8)로 씌워져 비반사부가 형성되어 있다. 반사형 마스크는 기판이 두껍기 때문에, 패턴의 왜곡이 발생하기 어렵고, 또 취급이 용이하다는 이점이 있다.
상기의 반사형 마스크를 구성하고 있는 다층막은 100㎜ 각(네모)정도의 면적에 걸쳐 두께 수 ㎚의 박막을 수십층 내지 수백층 적층한 것이다. 고반사율을 얻기 위해서는, 층간의 계면이 평활해야할 것이 필요하다. 다층막 반사부의 일부라도 이 조건을 만족시킬 수 없는 경우, 소정의 반사율이 얻어지지 않기 때문에, 그 위치는 결함이 된다. 또, 다층막 반사부의 내부 또는 표면에 이물이 존재하는 경우도, 그 위치는 결함이 된다. 이와 같은 반사형 마스크의 결합은, 리소그라피 코스트의 증가를 초래한다. 그러나, 종래의 반사형 마스크에서는 결함수정에 관하여 아무런 배려도 되어 있지 않았다.
본 발영의 목적은, 결함을 제거하여 수정을 용이하게 행할 수 있는 반사형 마스크를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 복수의 반사층을 기판상에 형성하여 결함을 가지는 반사층을 제거하고, 하층의 반사층을 사용할 수 있도록 하였다.
더욱 바람직하기는, 다층막 반사층과, 그 결함의 전파를 저지 하는 중간층 및 다층막 반사층으로 이루어진 적층구조를 형성하였다. 또, 본 발명에 있어서의 반사형 마스크의 수정방법은 상기 상층의 다층막 반사층의 결함부분을 제거하는 공정과, 그 결함부분을 아래의 상기 중간층을 제거하는 공정을 포함하도록 하였다.
중간층의 다층막을 구성하는 박막에 비해 충분이 두껍다. 따라서, 하층의 다층막 반사층의 계면 거칠기가 지나치게 큰 경우라도, 상층의 다층막 반사층의 계면을 평활하게 할 수 있다. 또, 하층의 다층막 반사층에 이물이 존재하더라도 상층의 다층막 반사층의 특성은 변화하지 않는다. 즉, 상층의 다층막 반사층의 결함위치와 하층의 다층막 반사층의 결함위치와는 상관이 없다. 이 경우, 상층의 다층막 반사층과 하층의 다층막 반사층이 반사면내의 동일 위치에서 결함을 발생할 확률은 극히 적다. 따라서, 상층의 다층막 반사층에 결함이 있을 경우, 하층의 다층막 반사층을 노출시킴으로서, 결함을 수정할 수가 있다. 또, 본 발명의 특징은, 다층막을 미리 두껍게 형성하고, 그 막 표면의 결함부분을 제거하여 새로운 다층막을 노출하여 사용하는 데에도 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 사용하여 설명한다. 제1도는 본 발명의 반사형 마스크의 제1의 실시예를 나타낸다. 기판(1)의 재료는 SiC이고, 두께는 5㎜로 충분히 두껍다. 다층막반사층(2)은 , 두께 2.5㎚의 Mo 박막과,두께 4.2㎚의 Si 박막을 교대로 각각 50층 적층한 것이다. 이 다층막 반사층은, 파장 14㎚,입사각 5°의 X선에 대하여 반사율 60％를 가진다. 중간부(3)는, 두께 28㎚의 Au이고, 상기 파장에 있어서의 투과율은 10％ 이다. 다층막 반사층(4)은, 깊이 방향에 있어서는 다층막 반사층(2)과 동일 구조이고, 그 일부는 흡수영역(A)으로서 패턴에 따라 제거되어 있다. 중간층(3)에 입사하여 하층의 다층막반사층(2)에서 반사되어 마스크의 밖으로 방사되는 X선은, 중간층을 왕복에 의하여 2회 통과한다. 따라서, 마스크의 콘트라스트는 충분히 크다. 중간층(이 경우는 흡수층으로서 작용한다)의 재료로서는, 다층막의 반사율을 저하시키지 않기 위하여 다층막 반사층과의 확산이 없을 것, 고 콘트라스트를 얻기 위하여 X선 흡수계수가 큰 것이 필요하고, Au 외에 W나 Ptw를 사용해도 좋다. 제9도에 나타낸 x선 투영 노광장치에 상기 마스크를 장착하여 전사 실험을 행하였다. 마스크(12)와 웨이퍼(19)는, 각각 마스크 스테이지(13)와 웨이퍼 스테이지(20)에 탑재되어 있다. 먼저 마스크와 웨이퍼와의 상대위치를 얼라인먼트(alignment)장치(21)를 사용하여 검출하여 제어장치(24)에 위하여 구동장치(22, 23)를 거쳐 위치 맞춤한다. 다음에 X선원(10)으로 부터 방사된 파장(14mm)의 Xtjs을 반사경(11)으로 집광하여 마스크를 입사각 5°로 조사한다.
마스크 패턴은 반사경(14, 15, 16 및 17)으로 이루어진 배율 1/5의 결상광학계(18)에 의하여 웨이퍼상에 결상된다. 이결과 웨이퍼상의 20nm각의 영역에서 0.1nm 패턴을 얻을 수가 있었다.
제2도는, 상기 제1의 반사형 마스크에 관하여 제조방법의 실시예를 나타낸다. 기판(1)상에, 마그네트론 스퍼터 장치를 사용시켜, Mo／Si 다층막 반사층(2), Au의 중간층(3) 및 Mo／Si 다층막 반사층(4)을 순차로 형성하였다. 그후, 레지스트막(5)을 도포하여 제2도(a)의 구조를 얻었다. 레지스트막은, 후기하는 공정에 있어서, 내 에칭성을 높이기 위하여 3층 레지스트가 가장 적합하다. 여기서는 두께 1.5㎛의 하드베이크한 포토레지스트, 두께 0.08㎛의 TiSi 및 두께 0.3㎛의 PMMA를 적층한 3층 레지스트막을 사용하였다. 다음에 전자 비임 묘화로 레지스트막에 패턴을 형성하여 제2도(b)의 구조를 얻었다. 웨이퍼 상의 회로패턴 칫수가 0.1㎛,X선 투영노광장치의 배율이 1／5인 경우, 마스크 패턴 칫수는 0.5㎛가 된다. 이 정도의 패턴은 용이하게 묘화할 수 있다. 또한, TiSi층은 CHF3에 의한 반응성이온 에칭으로, 포토레지스트층은 O2에 의한 반응성이온 에칭으로 각각 제거하였다. 다음에, 레지스트막(5)을 마스크로서 다층막 반사층(4)을 CF4-O2에 의한 플라즈마 에칭으로 제거하여 제2도(C)의 구조를 얻었다. 마지막으로, 레지스트막(5)을 O2플라즈마 애칭에 의하여 제거하여 제2도(d)에 나타낸 반사형 마스크를 얻었다.
제3도는, 상기 제1의 반사형 마스크에 관하여, 다층막 반사층의 결함 수정방법의 실시예를 나타낸다. 먼저, 마스크 표면에 레지스트막(5)을 도포하고, 상층의 다층막 반사층(4)의 결함부분(6)을 전자 비임으로 묘화하여 제3도(a)의 구조를 얻었다. 레지스트막과 에칭은 상기의 마스크 제조방법과 동일한 것을 사용하였다. 여기서, 잔존하고 있는 레지스트막은, 후술의 에칭공정에 있어서의 마스크가 된다. 다음에, 결함부분을 포함하는 다층막 반사층(4)을 CF4-O2에 의한 플라즈마 에칭으로 제거하여 제3도(b)의 구조를 얻었다. 그후, Au의 중간층(3)을 Ar에 의한 스퍼터에칭으로 제거하여 제3도(c)의 구조를 얻었다. 마지막으로 레지스트막(5)을 O2플라즈마 애칭에 의하여 제거하여 제3도(d)에 나타낸 바와 같이 결함을 수정한 반사형 마스크를 얻었다. 중간층의 스퍼터에칭은 저파워로 행하였기 때문에 하층의 다층막 반사층(2)의 노출부분(7)에 손상이 생기는 일없이 상층의 다층막 반사층(4)과 동일한 반사율이 얻어졌다. 중간층의 두께는 상기한 바와 같이 28㎚이고, 노광파장을 λ, 입사각을로 할때 λ／2×cos의 정수배가 되고 있다. 따라서, 상층의 다층막 반사응에서 반사된 X선과, 하층의 다층막 반사층에서 반사된 X선의 위상은 동일하여 투영상에 아무런 영향을 주지 않는다. 결함을 수정한 반사형 마스크를 사용하여 패턴을 전사한 바, 무결함의 반사형 마스크를 사용한 경우와 동일한 결과가 얻어졌다.
만일 제4도(a)에 나타낸 바와 같이 중간층에 결함이 있어 X선을 반사해 버리는 경수, 다음과 같이하여 결함을 수정한다. 먼저 마스크 표면에 레지스트막(5)을 도포하고, 중간층(3)의 결함부분(9)을 전자비임으로 묘화하여 제4도(b)의 구조를 얻었다. 다음에 결함부분 아래의 다층막 반사층(2)을 CF4-O2에 의한 플라즈마 에칭으로 제거하여 제4도(c)의 구조를 얻었다. 마지막으로, 레지스트막(5)을 O2플라즈마 애칭에 의하여 제거하여 제4도(d)의 구조를 얻었다. 이에 의하여 X선을 반사하지 않는 기판(1)이 노출되므로 중간층의 결함을 수정할 수 있었다.
다음에 본 발명의 제2의 실시예를 제5도를 사용하여 설명한다. 기판상(1)의 위에 Mo／Si 다층막 반사층(2), Au 중간층(3), Mo／Si 다층막 반사층(4)이 순차로 형성되어 있다. 다층막 반사층상에 흡수영역(A)인 흡수층(8)을 소정의 패턴에 따라 형성하고 있다. 이들 구성은, 상기한 제1의 실시예와 동일하다. 본 실시예에서는 상층의 다층막 반사층(4)은, 두께 100㎚의 Au 의 흡수영역(A)인 흡수층(8)에 의하여 패턴에 따라 씌워져 있다. 이 반사형 마스크는, 상기 제1의 반사형 마스크와 동일하게 제조할 수 있다. 또, 이 반사형 마스크에 있어서의 다층막 반사층(4)의 결함수정은, 상기의 제1의 반사형 마스크와 동일하게 행할수가 있다. 만일 흡수층에 결함이 있어 X선을 반사해 버리는 경우는, 결함위치의 흡수층과 그 아래의 상층의 다층막 반사층을 제거한다. 이에 의하여 X선을 반사하지 않는 중간층이 노출되므로 흡수부의 결함을 수정할 수 있다.
본 발명의 마스크 수정방법의 다른 실시예를 설명한다. 제6도 (a)는, 다층막 반사층의 표층에 결함이 있는 반사형 마스크를 나타낸다. 기판(1)상에 다층막 반사층(2)이 형성되어 있고, 다층막 반사층의 일부는 패턴에 따라 제거되어 비반사성의 기판이 노출되어 있다. 다층막 반사층(2)은 두께 2.5㎜의 Mo 박막과, 두께 4.2nm의 Si 박막을, 교대로 각 60층 적층한 것으로, 파장 14㎚, 입사각 5˚로 사용된다. 여기서, 다층막 반사층의 표층의 결함부분(6)을 다음과 같이 수정한다. 먼저, 마스크 표면에 레지스트막(5)을 도포하고, 결함부분을 전자비임으로 묘화하여 제6도(b)의 구조를 얻었다. 다음에 제6도(c)에 나타낸 바와 같이,CF4-O2에 의한 플라즈마 에칭으로 Mo 박막과 Si 박막을 각각 10층 제거하여, 결함이 없는 다층막 반사층을 노출시킨다. 이 다층막 반사층은, 각 50층의 Mo 박막과 Si 박막으로 이루어진다. 마지막으로 레지스트막(5)을 O2플라즈마 애칭에 의하여 제거하여 제6도(d)의 구조를 얻었다. 또한 제거된 다층막 반사층의 두께는 67㎚이고,노광파장을 λ, 입사각을 α로 할때 λ／2×cosα의 대략 정수배가 되고 있다. 따라서,무결함의 다층막 반사층에서 반사된 X선과, 결함 수정한 다층막 반사층에서 반사된 X선의 위상은 동일하여 투영상에 아무런 영향을 주지 않는다. 또한,Mo／Si 다층막의 반사율은, 층수와 함께 증가하나, 층수가 50 이상에서는 일정치 60％가 된다. 따라서, 무결함의 다층막 반사층의 반사율과, 결함 수정한 다층막 반사층의 반사율은 동일하다.결함을 수정한 반사형 마스크를 사용하여 패턴을 전사한 바, 무결함의 반사형 마스크를 사용한 경우와 동일한 결과가 얻어졌다.
또한, 마스크구조는 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 다층막 반사층과 중간층 및 다층막 반사층으로 이루어진 적층구조을 2개이상 반복함으로써, 결함수정의 성공율을 높일수가 있다. 또, 마스크 재료도 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 기판으로서는, Si, 융용석영등의 평활면이 얻어지기 쉬운 재료가 고려될수 있다. 또, 다층막의 구성재료로서는, Mo, Ru, Rh W, Re,Ni, Cr등의 중원소물질과 Be, B , C, Si등의 경원소 물질을 사용해도 좋다. 또, 다층막의 형성법으로서는, 이온비임스퍼터법, 천자비임증착법, CVD법 등을 사용해도 좋다. 또, 결함수정에 있어서의 패턴의 형성 방법으로서는, 전자비임 묘화외에 접속이온비임 묘화도 사용할 수 있다.
또, 본 발명은, 반도체 집적회로 제작용의 반사형 마스크외에, 반사면에 패턴을 형성한 다층막 광학 소자에도 적용할 수 있다. 이 다층막 광학 소자로서는 예를 들면 반사형 플레넬즌 플레이트가 있다.
본 발명에 의하면, 반사형 마스크의 결함수정을 용이하게 행할 수가 있어 석판인쇄를 위한 비용의 저감에 효과가 크다.
제 1도는 본 발명의 제1 실시예의 마스크의 구성을 설명하는 도,
제 2도는 본 발명의 제1 실시예의 마스크의 제조방법을 설명하는 도,
제 3도는 본 발명의 제1 실시예의 마스크에 있어서 반사부의 수정방법을 설명하는 도,
제 4도는 본 발며의 제1 실시예의 마스크에 있어서 중간부의 수정방법을 설명하는 도,
제 5도는 본 발명의 제2 실시예에서 마스크의 구성을 설명하는도,
제 6도는 본 발명의 마스크 수정방법을 설명하는 도,
제 7도는 종래의 마스크의 다른 구성을 설명하는 도,
제 8도는 종래의 마스크의 다른 구성을 설명하는 도,
제 9도는 X선 투영노광장치의 구성을 설명하는 도이다.
*도면의 주요한 부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 다층막
3 : 중간층 4 : 다층막
5 : 레지스트막 6 : 다층막의 결함부분
7 : 다층막의 노출부분 8 : 흡수층
9 : 중간층의 결함부분 10 : X선원
11 : 반사경 12 :마스크
13 : 마스크 스테이지 14,15,16,17 : 반사경
18 : 결상광학계 19 : 웨이퍼
20 : 웨이퍼 스테이지 21 : 얼라이먼트(alignment)
22,23 : 구동장치 24 : 제어장치
25 : 베이스 A : 흡수영역

Claims (26)

  1. 기판과; 조사된 빛을 반사하는 제1의 반사층과; 상기 제1의 반사층과 상기 제2의 반사층 사이에 있으며 상기 반사층들의 결함의 전파를 저지하는 중간층가; 상기 제1의 반사층에 형서오딘 소정 패턴의 광흡수 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 제2의 반사층에 형성된 상기 광흡수 영역은 상기 중간층을 노출시키는 여역인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광흡수 영역은 상기 제1의 반사층상에 형성된 광흡수층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 반사층의 각각은 굴절률이 다른 적어도 2종류의 물질로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중간층이 Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  6. 제 1항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제 2의 반사층 각각은 Mo, Ru, Rh W, Re,Ni, Cr 중에 선택된 하나의 중원소 물질과 Be, B, C, Si 중에 선택된 하나의 경원소 물질의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  7. 제2항에 있어서, 상기 중간층은 상기 반사층보다 반사율이 낮은 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  8. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1의 반사층은 굴절률이 다른 적어도 2종류의 물질의 박막을 교대로 적층한 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  10. 제 4항에 있어서,
    상기 중간층이 Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  11. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 반사층 각각은 Mo, Ru, Rh W, Re,Ni, Cr 중에 선택된 하나의 중원소 물질과 Be, B, C, Si 중에 선택된 하나의 경원소 물질의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1의 반사층은 몰리브덴 박막과 실리콘 박막을 교대로 적층한 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  13. 제4항에 있어서, 상기 기판이 SiC로 이루어진 것을 특지으로 하는 반사형 마스크.
  14. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 반사층 각가은 Mo, Ru, Rh W, Re,Ni, Cr 중에 선택된 하나의 중원소 물질과 Be, B, C, Si 중에 선택된 하나의 경원소 물질의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  15. 제 5항에 있어서,
    상기 제1의 반사층은 굴절율이 다른 적어도 2종류의 박막을 교대로 적층한 다층막인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  16. 제 5항에 있어서,
    상기 기판이 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  17. 기판상에 제2, 제1 순으로 반사층을 적층하고, 반사층에 설치된 소정 패턴의 흡수 영역을 가지는 반사형 마스크의 수정방법으로서, 제1의 반사층의 결함을 검출하는 공정과, 제1의 반사층 중 결함부분의 반사층을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    제1의 반사층의 결함부분(6)을 제거하는 공정으로서, 결함이 없는 제2의 반사층이 노출될때까지, 그 결함 부분 아래의 제1의 반사층(4)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1의 반사층 중 결함 부분의 반사층을 제거하는 공정으로서, 상기 제 1의 반사층(4)상에 레지스트막을 도포하는 공정과, 제1의 반사층의 결함부분(6)을 전자비임으로 묘화하는 공정과, 그 레지스트를 마스크로 하여, 중간층을 제거하는 공정과, 제1의 반사층(4)상의 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 중간층을 제거하는 공정으로서, Ar 스퍼터 에칭으로 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 중간층을 제거하는 공정으로서, Ar 스퍼터 에칭으로 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    제1의 반사층의 결함 부분을 제거하는 공정으로서, 플라즈마 에칭으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  23. 제19항 내지 제18항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 중간층 막두께는 노광파장을 노광파장을 λ라 하고, 조사하는 빛의 입사각을 α라 할때 λ／2×cos α의 대략 정수배가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    노광파장이 X선 영역 또는 진공 자외선 영역인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  25. 제 22 항에 있어서,
    마스크 표면을 레지스트로 도포하는 공정과, 결함 부분에 전자비임으로 묘화하는 공정과, 결함 다층막을 플라즈마 에칭으로 제거하는 공정과, 새로운 다층막을 노출시키는 공정과, 상기 레지스트르 플라즈마 에칭으로 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
  26. 제17항에 있어서,
    상기 제 2의 반사층과 제1의 반사층과의 사이에 중간층을 가지는 반사형 마스크의 수정방법으로서, 상기 중간층의 결함을 검출하는 공정과, 제1의 반사층상에 레지스트를 도포하는 공정과, 상기 중간층의 결함부분을 전자비임으로 묘화하는 공정과, 결함 부분 아래의 제2의 반사층을 제거하는 공정과, 결함 부분에 따라 기판을 노출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 수정방법.
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