JPH10326008A - 位相反転マスク及びその製造方法 - Google Patents
位相反転マスク及びその製造方法Info
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- JPH10326008A JPH10326008A JP29080997A JP29080997A JPH10326008A JP H10326008 A JPH10326008 A JP H10326008A JP 29080997 A JP29080997 A JP 29080997A JP 29080997 A JP29080997 A JP 29080997A JP H10326008 A JPH10326008 A JP H10326008A
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- Japan
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- light
- layer
- phase inversion
- mask
- shielding layer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相反転層の厚さの変化をなくし、それによ
って位相の部分的な変化をなくした位相反転マスク及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の位相反転マスクは、遮光層の表
面と基板の表面とを同一となるようにしたことを特徴と
するものである。すなわち、本発明は遮光層を透光性基
板内に形成する。
って位相の部分的な変化をなくした位相反転マスク及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の位相反転マスクは、遮光層の表
面と基板の表面とを同一となるようにしたことを特徴と
するものである。すなわち、本発明は遮光層を透光性基
板内に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を製造
する際に使用する位相反転マスクに係り、特に位相反転
層の厚さを一定にして、部分的な位相変化を最小化する
ことができる位相反転マスク及びその製造方法に関す
る。
する際に使用する位相反転マスクに係り、特に位相反転
層の厚さを一定にして、部分的な位相変化を最小化する
ことができる位相反転マスク及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造工程で多く使
われるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子を作ろう
とする形状に光を透過させる部分と光を遮断させる部分
とに分けられたフォトマスクを多く使用する。即ち、一
般的なフォトマスクは、遮光パターンと透光パターンと
で構成され、選択的な露光ができるようになっている。
しかし、パターンの密度の増加に従って光の回折現象に
よって解像度の向上に制限があった。従って、位相反転
マスクを用いて解像度を増加させる工程が多方面に研究
されている。位相反転マスクを用いる技術は、光をその
ままに透過させる透光領域と、光を１８０゜反転させて
透過させる反転透光領域とを組み合わせて使用する技術
であり、遮光パターンと透光領域との間で解像度が減少
するのを防止するものである。そして、このようなマス
クは、マスク製造技術の発達により光の位相差を応用し
た変形マスクが登場して、より光学解像度を向上させる
ことができるようになった。位相反転マスクは、レベン
ソンの位相反転マスクを始めとして、ニタヤマなどがコ
ンタクトホールの解像限界を向上させるために提案した
リム型位相反転マスクなどが出現した。
われるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子を作ろう
とする形状に光を透過させる部分と光を遮断させる部分
とに分けられたフォトマスクを多く使用する。即ち、一
般的なフォトマスクは、遮光パターンと透光パターンと
で構成され、選択的な露光ができるようになっている。
しかし、パターンの密度の増加に従って光の回折現象に
よって解像度の向上に制限があった。従って、位相反転
マスクを用いて解像度を増加させる工程が多方面に研究
されている。位相反転マスクを用いる技術は、光をその
ままに透過させる透光領域と、光を１８０゜反転させて
透過させる反転透光領域とを組み合わせて使用する技術
であり、遮光パターンと透光領域との間で解像度が減少
するのを防止するものである。そして、このようなマス
クは、マスク製造技術の発達により光の位相差を応用し
た変形マスクが登場して、より光学解像度を向上させる
ことができるようになった。位相反転マスクは、レベン
ソンの位相反転マスクを始めとして、ニタヤマなどがコ
ンタクトホールの解像限界を向上させるために提案した
リム型位相反転マスクなどが出現した。
【０００３】以下、添付した図面に基づき従来の位相反
転マスクの製造方法の一例を説明する。図１〜図３は、
従来の位相反転マスクの製造工程を示す断面図である。
まず、図１（ａ）に示すように、透光性基板１上に遮光
層２及び第１感光膜ＰＲ1 を順次に形成する。遮光層２
としてはＣｒ2Ｏ5を使用する。図１（ｂ）に示すよう
に、露光及び現像工程で遮光領域を定めるように一定間
隙に第１感光膜ＰＲ1 をパターニングする。
転マスクの製造方法の一例を説明する。図１〜図３は、
従来の位相反転マスクの製造工程を示す断面図である。
まず、図１（ａ）に示すように、透光性基板１上に遮光
層２及び第１感光膜ＰＲ1 を順次に形成する。遮光層２
としてはＣｒ2Ｏ5を使用する。図１（ｂ）に示すよう
に、露光及び現像工程で遮光領域を定めるように一定間
隙に第１感光膜ＰＲ1 をパターニングする。
【０００４】図１（ｃ）に示すように、第１感光膜ＰＲ
1 をマスクに用いたエッチング工程で遮光層２を選択的
に除去して遮光層パターン２ａを形成する。この遮光層
パターン２ａの両側に露出される透光性基板１は光を透
過させるオープン領域３である。図２（ｄ）に示すよう
に、遮光層パターン２ａ上に残した第１感光膜ＰＲ1 を
除去する。
1 をマスクに用いたエッチング工程で遮光層２を選択的
に除去して遮光層パターン２ａを形成する。この遮光層
パターン２ａの両側に露出される透光性基板１は光を透
過させるオープン領域３である。図２（ｄ）に示すよう
に、遮光層パターン２ａ上に残した第１感光膜ＰＲ1 を
除去する。
【０００５】図２（ｅ）に示すように、遮光層パターン
２ａを含んだオープン領域３の透光性基板１の全面にＳ
ＯＧ４と第２感光膜ＰＲ2 を順次に形成する。ＳＯＧ４
は位相反転層であり、基板をそのまま通る光に対して位
相が反転する厚さに形成する。このとき、第２感光膜Ｐ
Ｒ2 とＳＯＧ４は、オープン領域３と遮光層パターン２
ａとの段差のため、オープン領域３と遮光層パターン２
ａとの境界部分Ａで異なる厚さとなる。
２ａを含んだオープン領域３の透光性基板１の全面にＳ
ＯＧ４と第２感光膜ＰＲ2 を順次に形成する。ＳＯＧ４
は位相反転層であり、基板をそのまま通る光に対して位
相が反転する厚さに形成する。このとき、第２感光膜Ｐ
Ｒ2 とＳＯＧ４は、オープン領域３と遮光層パターン２
ａとの段差のため、オープン領域３と遮光層パターン２
ａとの境界部分Ａで異なる厚さとなる。
【０００６】図２（ｆ）に示すように、露光及び現像工
程で、遮光層パターン２ａの両側のオープン領域３中、
遮光層パターン２ａの一方の側のオープン領域３にのみ
残るように第２感光膜ＰＲ2 をパターニングする。この
一方のオープン領域３にのみ残した第２感光膜ＰＲ2 の
パターンは、遮光層パターン２ａの一方の側のオープン
領域３にのみＳＯＧ４を残すためのものである。すなわ
ち、この例はレベンソンタイプのものである。このよう
にＳＯＧ４は一つおきのオープン領域３にのみ形成され
ればよいため、第２感光膜ＰＲ2 は遮光層パターン２ａ
の上に一定の幅だけオーバーラップするように形成す
る。それにより、整列マージンを利用することができ
る。
程で、遮光層パターン２ａの両側のオープン領域３中、
遮光層パターン２ａの一方の側のオープン領域３にのみ
残るように第２感光膜ＰＲ2 をパターニングする。この
一方のオープン領域３にのみ残した第２感光膜ＰＲ2 の
パターンは、遮光層パターン２ａの一方の側のオープン
領域３にのみＳＯＧ４を残すためのものである。すなわ
ち、この例はレベンソンタイプのものである。このよう
にＳＯＧ４は一つおきのオープン領域３にのみ形成され
ればよいため、第２感光膜ＰＲ2 は遮光層パターン２ａ
の上に一定の幅だけオーバーラップするように形成す
る。それにより、整列マージンを利用することができ
る。
【０００７】図３（ｇ）に示すように、パターニングさ
れた第２感光膜ＰＲ2 をマスクに用いたエッチング工程
でＳＯＧ４を選択的に除去して一つおきのオープン領域
３にのみ残す。図３（ｈ）に示すように、第２感光膜Ｐ
Ｒ2 を除去して隣接する透光領域がそれぞれ反対の位相
の光を透過させる位相反転マスクを形成する。
れた第２感光膜ＰＲ2 をマスクに用いたエッチング工程
でＳＯＧ４を選択的に除去して一つおきのオープン領域
３にのみ残す。図３（ｈ）に示すように、第２感光膜Ｐ
Ｒ2 を除去して隣接する透光領域がそれぞれ反対の位相
の光を透過させる位相反転マスクを形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相反転マスク
においては、上述したように遮光層とオープン領域間の
段差のため、一つのオープン領域に形成させた位相反転
層の厚さが同一でない。そのため、結果的に位相反転層
を通過した光の位相反転の誤差が発生して、位相反転マ
スクを用いた正確なパターンの転写が難しくなる。すな
わち、信頼性のある位相反転マスクを提供できないとい
う問題点があった。本発明は、従来の位相反転マスクの
問題点を解決するために案出したもので、その目的は、
位相反転層の厚さの変化をなくし、それによって位相の
部分的な変化をなくした位相反転マスク及びその製造方
法を提供することである。透光性基板と同一な高さに形
成して、位相反転層の厚さの変化と位相変化を最小化す
るのに適したにある。
においては、上述したように遮光層とオープン領域間の
段差のため、一つのオープン領域に形成させた位相反転
層の厚さが同一でない。そのため、結果的に位相反転層
を通過した光の位相反転の誤差が発生して、位相反転マ
スクを用いた正確なパターンの転写が難しくなる。すな
わち、信頼性のある位相反転マスクを提供できないとい
う問題点があった。本発明は、従来の位相反転マスクの
問題点を解決するために案出したもので、その目的は、
位相反転層の厚さの変化をなくし、それによって位相の
部分的な変化をなくした位相反転マスク及びその製造方
法を提供することである。透光性基板と同一な高さに形
成して、位相反転層の厚さの変化と位相変化を最小化す
るのに適したにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の位相反転マスク
は、遮光層の表面と基板の表面とを同一となるようにし
たことを特徴とするものである。すなわち、本発明は遮
光層を透光性基板内に形成する。したがって、両端部が
遮光層にかかる位相反転層はオープン領域と遮光層とが
面一となるので一定の厚さとすることができる。本発明
の位相反転マスクの製造方法は、透光性基板に透光領域
と遮光領域とを定め、基板の遮光領域にトレンチを形成
し、そのトレンチ内に遮光層を形成し、透光性基板上の
各遮光層の間に位相反転層を形成することを特徴とす
る。レベンソンタイプの場合は遮光層を一定の間隔で多
数配置し、その一つおきの透光領域に位相反転層を一定
の厚さに形成する。
は、遮光層の表面と基板の表面とを同一となるようにし
たことを特徴とするものである。すなわち、本発明は遮
光層を透光性基板内に形成する。したがって、両端部が
遮光層にかかる位相反転層はオープン領域と遮光層とが
面一となるので一定の厚さとすることができる。本発明
の位相反転マスクの製造方法は、透光性基板に透光領域
と遮光領域とを定め、基板の遮光領域にトレンチを形成
し、そのトレンチ内に遮光層を形成し、透光性基板上の
各遮光層の間に位相反転層を形成することを特徴とす
る。レベンソンタイプの場合は遮光層を一定の間隔で多
数配置し、その一つおきの透光領域に位相反転層を一定
の厚さに形成する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施形態の位相反転
マスク及びその製造方法を添付した図面を参照して説明
する。図４は、本実施形態の位相反転マスクの構造断面
図である。この実施形態は、レベンソンタイプである
が、その他の形の位相反転層にそのまま使用できること
はいうまでもない。本発明の位相反転マスクは、図４に
示すように、遮光層１２を透光性基板１０に形成させた
トレンチ１１内に形成させている。その際、遮光層１２
の表面は透光性基板１０の表面と面一とする。そして、
透光性基板１０上の遮光層１２間に位相反転層１４を形
成させている。遮光層１２は一定の間隔で配置されてお
り、一つおきの透光領域１３に位相反転層１４が形成さ
れている。その位相反転層１４は両端部分が遮光層１２
にオーバラップされる。ここで、位相反転層１４の厚さ
をｄ、光源の波長をλ、透光性基板の屈折率をｎとした
とき、位相反転層１４の厚さｄはｄ＝λ／（２（ｎ−
１））の厚さに形成される。
マスク及びその製造方法を添付した図面を参照して説明
する。図４は、本実施形態の位相反転マスクの構造断面
図である。この実施形態は、レベンソンタイプである
が、その他の形の位相反転層にそのまま使用できること
はいうまでもない。本発明の位相反転マスクは、図４に
示すように、遮光層１２を透光性基板１０に形成させた
トレンチ１１内に形成させている。その際、遮光層１２
の表面は透光性基板１０の表面と面一とする。そして、
透光性基板１０上の遮光層１２間に位相反転層１４を形
成させている。遮光層１２は一定の間隔で配置されてお
り、一つおきの透光領域１３に位相反転層１４が形成さ
れている。その位相反転層１４は両端部分が遮光層１２
にオーバラップされる。ここで、位相反転層１４の厚さ
をｄ、光源の波長をλ、透光性基板の屈折率をｎとした
とき、位相反転層１４の厚さｄはｄ＝λ／（２（ｎ−
１））の厚さに形成される。
【００１１】図５〜図７は、本実施形態の位相反転マス
クの製造工程を示す断面図である。まず、図５（ａ）に
示すように、透光性基板１０上に第１感光膜ＰＲ10を形
成する。透光性基板１０としてはガラス又は石英のいず
れか１つで形成する。図５（ｂ）に示すように、露光及
び現像工程で遮光層形成領域の透光性基板１０が露出さ
れるように第１感光膜ＰＲ10を一定の間隙でパターニン
グする。
クの製造工程を示す断面図である。まず、図５（ａ）に
示すように、透光性基板１０上に第１感光膜ＰＲ10を形
成する。透光性基板１０としてはガラス又は石英のいず
れか１つで形成する。図５（ｂ）に示すように、露光及
び現像工程で遮光層形成領域の透光性基板１０が露出さ
れるように第１感光膜ＰＲ10を一定の間隙でパターニン
グする。
【００１２】図５（ｃ）に示すように、第１感光膜ＰＲ
10をマスクに用いたエッチング工程で透光性基板１０を
所定の深さに除去して複数個のトレンチ１１を形成す
る。このとき、ＣＨＦ3又はＣＦ4のようなエッチングガ
スを用いた異方性乾式エッチング法を使用する。図５
（ｄ）に示すように、複数個のトレンチ１１内と第１感
光膜ＰＲ10の上にクロム（Ｃｒ）などの遮光物質を使用
して遮光層１２を形成する。この際、物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）を使用して遮光層１２を形成すると、第１感光膜Ｐ
Ｒ10の上面とトレンチ１１内にのみ遮光層１２が形成さ
れ、第１感光膜ＰＲ10の側面には遮光層１２が形成され
ない。
10をマスクに用いたエッチング工程で透光性基板１０を
所定の深さに除去して複数個のトレンチ１１を形成す
る。このとき、ＣＨＦ3又はＣＦ4のようなエッチングガ
スを用いた異方性乾式エッチング法を使用する。図５
（ｄ）に示すように、複数個のトレンチ１１内と第１感
光膜ＰＲ10の上にクロム（Ｃｒ）などの遮光物質を使用
して遮光層１２を形成する。この際、物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）を使用して遮光層１２を形成すると、第１感光膜Ｐ
Ｒ10の上面とトレンチ１１内にのみ遮光層１２が形成さ
れ、第１感光膜ＰＲ10の側面には遮光層１２が形成され
ない。
【００１３】図６（ｅ）に示すように、第１感光膜ＰＲ
10を湿式ストリッピング（wet stripping）又は乾式ス
トリッピング（dry stripping）する。これにより、第
１感光膜ＰＲ10の上面に形成されていた遮光層１２がリ
フトオフ法で除去される。第１感光膜ＰＲ10が除去され
て露出した透光性基板１０は透光領域１３である。図６
（ｆ）に示すように、遮光層１２が透光性基板１０と同
一な高さになるまで平坦化工程を実施する。この平坦化
工程は研磨工程を使用する。
10を湿式ストリッピング（wet stripping）又は乾式ス
トリッピング（dry stripping）する。これにより、第
１感光膜ＰＲ10の上面に形成されていた遮光層１２がリ
フトオフ法で除去される。第１感光膜ＰＲ10が除去され
て露出した透光性基板１０は透光領域１３である。図６
（ｆ）に示すように、遮光層１２が透光性基板１０と同
一な高さになるまで平坦化工程を実施する。この平坦化
工程は研磨工程を使用する。
【００１４】図６（ｇ）に示すように、遮光層１２を形
成させた基板の全面に位相反転層１４及び第２感光膜Ｐ
Ｒ11を順次に形成する。この位相反転層１４は、透光性
物質で形成させ、その厚さはそこを通る光が直接透光性
基板を通る光に対して位相が反転する厚さｄとする。物
質としてはＳＯＧを使用する。位相反転層の厚さｄは、
下記の式１に基づいて形成される。 ｄ＝λ／（２（ｎ−１）） （１） 上記の数学式１において、λは光源の波長であり、ｎは
基板の屈折率である。
成させた基板の全面に位相反転層１４及び第２感光膜Ｐ
Ｒ11を順次に形成する。この位相反転層１４は、透光性
物質で形成させ、その厚さはそこを通る光が直接透光性
基板を通る光に対して位相が反転する厚さｄとする。物
質としてはＳＯＧを使用する。位相反転層の厚さｄは、
下記の式１に基づいて形成される。 ｄ＝λ／（２（ｎ−１）） （１） 上記の数学式１において、λは光源の波長であり、ｎは
基板の屈折率である。
【００１５】図７（ｈ）に示すように、露光及び現像工
程で一つおきの透光領域に残るように第２感光膜ＰＲ11
をパターニングする。この第２感光膜ＰＲ11パターンは
両側の遮光層１２の端部分にオーバーラップされるよう
に形成する。もちろん、レベンソンタイプ以外の場合は
その種類に応じた所定の位置に第２感光膜ＰＲ11を残
す。
程で一つおきの透光領域に残るように第２感光膜ＰＲ11
をパターニングする。この第２感光膜ＰＲ11パターンは
両側の遮光層１２の端部分にオーバーラップされるよう
に形成する。もちろん、レベンソンタイプ以外の場合は
その種類に応じた所定の位置に第２感光膜ＰＲ11を残
す。
【００１６】図７（ｉ）に示すように、第２感光膜ＰＲ
11をマスクに用いたエッチング工程で位相反転層１４を
選択的に除去して位相反転領域にのみ残す。即ち、位相
を反転させない透光領域１３と位相を反転させる位相反
転層１４とが代わる代わる形成された位相反転マスクを
形成する。最後に図７（ｊ）に示すように、第２感光膜
ＰＲ11を除去する。
11をマスクに用いたエッチング工程で位相反転層１４を
選択的に除去して位相反転領域にのみ残す。即ち、位相
を反転させない透光領域１３と位相を反転させる位相反
転層１４とが代わる代わる形成された位相反転マスクを
形成する。最後に図７（ｊ）に示すように、第２感光膜
ＰＲ11を除去する。
【００１７】
【発明の効果】本発明による位相反転マスクは、遮光層
表面を透光性基板表面と同一となるように形成させたの
で、位相反転層が均一な厚さに形成され、位相反転層を
通過した光の位相反転の誤差が殆ど発生しない。そのた
め、正確な転写が可能であって、信頼性のある位相反転
マスクを提供できるという効果がある。
表面を透光性基板表面と同一となるように形成させたの
で、位相反転層が均一な厚さに形成され、位相反転層を
通過した光の位相反転の誤差が殆ど発生しない。そのた
め、正確な転写が可能であって、信頼性のある位相反転
マスクを提供できるという効果がある。
【図１】 従来の位相反転マスクの製造工程を示す断面
図。
図。
【図２】 従来の位相反転マスクの製造工程を示す断面
図。
図。
【図３】 従来の位相反転マスクの製造工程を示す断面
図。
図。
【図４】 本発明実施形態の位相反転マスクの断面構造
図。
図。
【図５】 上記実施形態の位相反転マスクの製造工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】 上記実施形態の位相反転マスクの製造工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図７】 上記実施形態の位相反転マスクの製造工程を
示す断面図。
示す断面図。
１０ 透光性基板 １１ トレンチ １２ 遮光層 １４ 透光領域 １４ 位相反転層
Claims (3)
- 【請求項１】 透光性基板と、 前記透光性基板内に表面が基板の表面と面一となるよう
に形成された複数の遮光層と、 透光性基板上の各遮光層間に形成された複数の位相反転
層とからなることを特徴とする位相反転マスク。 - 【請求項２】 前記遮光層は、前記透光性基板にトレン
チを形成し、前記トレンチ内に遮光層が形成されること
を特徴とする請求項１に記載の位相反転マスク。 - 【請求項３】 透光性基板に透光領域と遮光領域とを定
め、その遮光領域に複数個のトレンチを形成する段階
と、 前記複数個のトレンチ内に複数個の遮光層を形成する段
階と、 前記透光性基板上の前記各遮光層の間に位相反転層を形
成する段階とを備えることを特徴とする位相反転マスク
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR72202/1996 | 1996-12-26 | ||
| KR1019960072202A KR100215876B1 (ko) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326008A true JPH10326008A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=19491001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29080997A Pending JPH10326008A (ja) | 1996-12-26 | 1997-10-23 | 位相反転マスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5882824A (ja) |
| JP (1) | JPH10326008A (ja) |
| KR (1) | KR100215876B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524751B1 (en) | 2000-03-06 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Reticle design for alternating phase shift mask |
| JP2002267825A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Sony Corp | 回折型レンズ素子及びこれを用いた照明装置 |
| FR2839560B1 (fr) * | 2002-05-07 | 2005-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Masque pour photolithographie a elements absorbeurs/dephaseurs inclus |
| KR20040013728A (ko) * | 2002-08-08 | 2004-02-14 | 주식회사 피케이엘 | 레벤슨형 위상반전마스크 제조방법 |
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