KR970028798A - 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토 마스크 - Google Patents

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KR970028798A
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토 마스크에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 포토 마스크는 차광 영역과, 노광 영역을 한정하기 위한 주 패턴과, 상기 주 패턴중 인접하는 2개의 주 패턴간의 근접 효과를 보정하기 의하여 상기 주 패턴 사이에 삽입되는 위상 반전 더미 패턴과. 상기 주 패턴의 모서리 부분의 코너 라운딩 효과를 보정하기 위하여 상기 주 패턴의 모서리 부분에 삽입되는 비반전 더미 매턴을 포함한다. 본 발명에 의하면, 인접한 2개의 주 패턴간의 근접 효과를 보정할 수 있고, 주 패턴의 모서리 부분에 빛을 보충해주게 되어 코너 라운딩 효과를 줄일 수 있으므로 유효 면적이 증대된다.

Description

반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도에 도시한 포토 마스크 패턴의 전사를 설명하기 위하여 시뮬레이션에 의한 공간상(aerial image)을 도시한 평면도이다.

Claims (6)

  1. 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토 마스크에 있어서, 차광 영역과, 노광 영역을 한징하기 위한 주 패턴과. 상기 주 패턴중 인접하는 2개의 주 패턴간의 근접 효과를 보정하기 위하여 상기 주 패턴 사이에 삽입되는 위상 반전 더미 패턴과, 상기 주 패던의 모서리 부분의 코너 라운딩 효과를 보정하기 위하여 상기 주 패턴의 모서리 부분에 삽입되는 비반전 더미 매턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상 반전 더미 패턴은 상기 주 패턴의 장축 방향에서 상기 주 패턴과 연속적으로 연결되도록 상기 주 패턴 사이에 삽입된 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  3. 제1항에 있어서. 상기 비반전 더미 패턴은 상기 주 패턴의 모서리 부분과, 상기 주 패턴과 인접하는 다른 3개의 주 패턴의 모서리 부분에 모두 접하도륵 4개의 주 패턴 사이에 삽입된 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주 패턴과 상기 위상 반전 더미 패턴과의 위상차는 180°인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 비반전 더미 패턴의 톤은 상기 주 패턴의 톤과 동일한 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  6. 제1항에 있어서. 상기 비반전 더미 패턴은 투과율이 5∼80%인 것을 특징으로 하는 포트 마스크.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841801B2 (en) 2001-04-17 2005-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Mask for correcting optical proximity effect
KR100498441B1 (ko) * 2001-04-17 2005-07-01 삼성전자주식회사 광근접 효과의 보정을 위한 마스크와 그 제조 방법
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