KR970018401A - 반도체장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 미세패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

신규한 반도체장치의 미세패턴 형성방법이 개시되어 있다. 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 형성되어 있는 마스크상의 상기 주패턴에 한계해상도 이하의 더미라인 또는 더미스페이스로 된 더미패턴을 삽입한다. 근접효과를 보정함과 동시에 해상도를 향상시켜서, 원하는 크기의 미세패턴을 형성할 수 있다.

Description

반도체장치의 미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8A도 및 제8B도는 64Mb DRAM의 액티브 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 의한 마스크의 레이아웃도

Claims (21)

  1. 광학적 방법으로 미세패턴을 형성하는 반도체 제조방법에 있어서, 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 형성되어 있는 마스크 상의 주패턴에 한계해상도 이하의 더미패턴을 삽입함으로써 근접효과를 보정함과 동시에 해상도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 라인 및 스페이스 형태를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴의 사이즈는 형성하고자 하는 최종 미세패턴의 사이즈에 따라 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 포지티브 톤 및 네거티브 톤을 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 주패턴의 톤과 상기 더미패턴의 톤이 동일한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 하프톤 위상반전 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 사용광원의 노광되지 않은 사이즈인 0.05∼0.2㎛의 사이즈로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 사용광원의 파장을 가시광선영역(400∼650㎚) 이하 자외선 영역(400∼150㎚)까지 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 주패턴은 3각형 이상의 다각형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 다각형의 주패턴이 상기 마스크 상에 전사될 때 곡선형상이 된 상태에서 이를 사용하여 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 한 방향으로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 X축 및 Y축으로 교차하여 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 적어도 한쌍으로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 더리패턴의 작은쪽 사이즈가 한계해상도 이하의 사이즈인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  15. 제13하에 있어서, 상기 더리패턴 쌍을 상기 주패턴에 대하여 기하학적으로 대칭 또는 비대칭적으로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 더미패턴 쌍을 주기 주패턴을 중심으로 십자형태로 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  17. 제15항에 있어서, 각각의 더미패턴 쌍을 상기 주패턴의 허리부분에 각각 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 주패턴의 허리부분에 걸친 더미패턴을 기울여서 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 더미패턴의 기울기는 0∼360° 인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 주패턴 옛지의 모퉁이를 모두 연결하도록 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
  21. 제1항에 있어서, 상기 더미패턴과 더미패턴 간의 거리 및 상기 더미패턴과 주패턴 간의 거리가 “0”을 포함한 일정거리를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
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