CN1146071A - 用于形成半导体装置的精细图形的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。

Description

用于形成半导体装置的精细图形的方法
本发明涉及用于制造半导体装置的方法，更特别地涉及形成导体装置的精细图形的方法，这种方法可以改善分辩率。
为了获得其尺寸适合于64M6及其以上的DRAM的接触孔，就需对图象系统的现行i-线(365nm)和深紫外线(248nm)的分辩率限度提出要求。当应用光刻胶的时候，用i-线和深紫外线分别可以分辩0.42μm和0.3μm的接触孔。这些结果用现有的掩模得到。
图1A，1B和1C分别是应用现有的i-线路(Cr)掩模时的图形的布局图、光强度分布曲线和光刻胶分布图。在i-线(365nm)，NA为0.57，相干度为0.6的条件下作了模拟。在图1C中，在用模拟工具进行的模拟中，一个比用i-线所能分辩出来的最小尺寸还小0.1μm的0.35μm×0.33μm的接触孔未被打开。
因此，为了增加掩模的图像分辩率，应用了利文森(Levenson)相移掩模。利文森掩模依赖于相移，它借助于利用光相干或部分光相干可使人们所希望的尺寸的图形曝光，或者利文森相移掩模依赖于半色调相移掩膜，这种掩模利用了以下的原理：遮光部分的透射率被增大为大于零而其它部分则进行了相移，这样，借助于在这两个相邻发射区衍射过来的光之间的破坏性的相干使得图象清晰度得到了加强。应用这些掩模，在光刻胶中用i-线和深紫外线所能分辩的尺寸分别是0.34μm和0.26μm，但是，这些掩模却难于制造。
图2A，2B和2C分别是应用现有技术的半色调相移掩模时的图形布局图、光强度分布图和光刻胶分布图。在半色调相移掩膜中，阻光部分的透射率是8％，相移是180℃。在i-线(365nm)，NA为0.57，相干率为0.6的条件下人们进行了模拟。模拟了一个0.38μm×0.26μm的接触孔。在用市场上可买到的光刻胶进行的模拟中，光强度弱，接触孔未被开成。
此外，在半导体装置的光刻技术中，大部分用于增加图形分辨率的方法都致力于L/S(线/间隔)图形对的配合。对于接触孔来说，则仅仅有一个边缘型相移掩模，一个半色调相移掩模，一个衬线接触形成方法，用上述边缘型相移掩模，借助于围绕所有的L/S图形都形成移位器的办法仅仅改善了图形的边沿。因此，人们知道，加强接触孔层的图象分辨率是最困难的。
一般说来，分辨率(R)正比例于光源的波长(λ)，反比例于步进照相机的NA。 R = k 1 ( λ NA ) - - - ( 1 )
其中k1是一个与工艺有关的常数。但是，由于k1与R是正比例关系，故为了获得小的R值，k1就必须小，大量的努力用来使得k1很小。这里，通过改善光刻胶或它的工艺或者借助于优化掩模图形就可以减小k1的值。
如上所述，在L/S对配合中k1一般要比在接触孔中小(例如，对L/S对配合来说k1为0.55，面对接触孔，k1为0.65)。比起接触孔来，L/S对配合的改善要容易些。因此，在设计半导体装置的一个阶段中，虽然通过把相同的设计规则应用到L/S对配合和接触孔中去，可是在大晶片上接触孔总是被印制得比L/S对配合大，于是层到层的套刻容差减小了。
图3A和3B示出了层到层套刻容差。图3A是计算机辅助设计中的图形设计图，图3B则图示出了大片上的光刻胶图象。
参看图3A和3B，如果在L/S图形1的上边或下边有一接触孔2，则在设计中给出一个套刻容差t。当这些图形用步进照相机复制到大片上并在光刻胶上变换成L/S图形3和接触孔4的时候，L/S的所有的方拐角都被圆型化而在设计中设计为矩形的接触孔则变得又大又圆。因此，套刻容限实际上减小为t′。
本发明的目的是提供一种用于形成半导体装置的精细图形的方法，它借助于应用带极其之小的虚设(dummy)线的分辨率增强法，可以增加分辨率。
为了达到上述目的，提出了一种光学式地形成半导体装置的精细图形的方法。这种方法采用在掩模上把低于图象系统的分辨率限度的虚设图形添加到主图形上去的办法，可以改善分辨率。
希望根据期望的最终精细图形的尺寸决定虚设图形的尺寸。
更好地是主图形和虚设图形具有相同的色调。
可以把半色调相移掩模用作掩模。当分别把i-线和深紫外线用作光源的时候，虚设图形更可取地是小于或等于0.42μm和0.3μm，这一尺寸可避免光源的曝光。
掩模的主图形更可取的是多边形。精细图形借助于应用弯曲的图形形成，其中的多边形主图形被复制到掩模上。
主图形的虚设图形可在一个方向上形成，也可形成为十字图案。此外，虚设图形还可形成为与主图形的所有的拐角相连。
虚设图形至少要构成一对。
虚设图形对可形成为对主图形对称。更为可取的是这些虚设图形对可以配置为以主图形为中心的十字图案。
每一虚设图形对都可形成于主图形的腰部上。每一虚设图形最好形成于主圆形的腰部以相对于主图形倾斜。较好是虚设图形相对于主图形的纵轴倾斜0-180°的角度，更好的是虚设图形对主图形倾斜90°。
虚设图形被形成为靠近主图形或者离开主图形一个规定的距离是较好的。
根据本发明，借助于在掩膜上形成等于分辨率限度或低于主图形的线或者线间间隔(space)的虚设图形，光学邻近效应得以被矫正且分辨率得以改善。
参照下述附图详细地说明最佳实施形态，本发明的上述目的和优点就更加明显了。
图1A，1B和1C分别是应用现有技术的i-线掩模时的图形的布局图、光强度分布图和光刻胶分布图。
图2A，2B和2C分别是应用现有技术的半色调相移掩模时的图形布局图，光强度分布图和光刻胶分布图。
图3A和3B示出了在线/线间间隔(L/S)图形附近形成了接触孔时的层到层的套刻容差。
图4A，4B和4C分别是应用本发明的第1实施例的i-线掩模时的图形布局图，光强度分布图和光刻胶分布图。
图5A和图5A′以及图5B和5B′分别是现有技术的深紫外光掩模，它的光强度分布，根据本发明的第1实施例的深紫外光掩模和它的光强度分布。
图6A，6B和6C分别为应用本发明的第2实施例的半色调相移掩模时的图形布局图，光强度分布图和光刻胶分布图。
图7A和7B示出了接触孔根据光源能量改变的情况。
图8A，8B和8C是依据本发明的第2实施例用于说明在半色调相移掩模上形成虚设线间间隔的方法的说明图。
图9A-9C到图11A-11C分别是应用现有的掩模，现有半色调相移掩模和根据本发明的第3实施例的掩模时的图形布局图，空中图象(in aerial images)的光强度分布图和光刻胶分布图。
图12-15示出了现有掩模图形的模拟结果，和根据本发明的第3实施例的掩模的模拟结果。
图16A，16B和16C分别是应用本发明的第4实施例的掩模时的图形设计图，空中图象的光强度分布图和光刻胶分布图。
图17A-17C和17D-17F比较了现有半色调移相掩模和根据本发明的第3实施例的掩模的特性。
图18A-18C和18D-18F示出了现有i-线掩模的图形和根据本发明的第1实施例的掩模的图形的模拟结果。
图19A和19B以及图19C和19D示出了现有深紫外掩模的图形和根据本发明的第1实施例的掩模的图形的模拟结果。
图20A-20C和20A′-20C′的每一个都示了根据本发明的第5实施例的掩模的图形布局图和光刻胶分布图。
图21A和21B以及图21A′和21B′的每一个都示出了根据本发明的第6实施例的掩模的图形布局图和光刻膜分布图。
图22A和22B以及图22A′和22B′的每一个都示出了根据本发明的第7个实施例的掩模的图形布局图和光刻胶分布图。
图23-26示出了现有掩模图形的模拟结果和根据本发明的第7实施例的掩模的模拟结果。
图27示出了现有掩模图形和掩模图形布局。
图28-31示出了根据第3到第6实施例的掩模图形和掩模图形布局。
图32A和图32B-32D是现有方法中所采用的实际的掩模图形和本发明所采用的实际的掩模图形的照片。
图33，34和35的每一个都示出了根据本发明的第7实施例的掩模图形和掩模图形布局。
图36，44和45A-45C的每一个都示出了根据第1到第7实施例的掩模图形和掩模图形布局。
图4A-4C和5A&5B与本发明的第1实施例有关。图4A，4B和4C分别是应用根据本发明的第1实施例的i-线掩模时的图形布局图、光强度分布图和光刻胶分布图。用i-线(365nm)，NA为0.57，相干性为0.6进行了模拟。在这里用了0.1μm的虚设线间间隔，而其尺寸可在0.06-0.18μm的范围内优化。在模拟中，借助于把这些虚设线间间隔加到掩模的图形中去的办法，可以看到比用i-线所能分辨出来的最小尺寸还小的0.35μm×0.33μm的接触孔将被打开。这里，虚设线间间隔可相对于主图形在一个方向上形成，或者形成为十字图案。此外，掩模可以具有正色调或者负色调。到底形成虚设线还是形成虚设线间间隔取决于掩模的色调。
图5A和5A′及5B和5B′分别示出了一个现有深紫外掩模，该深紫外掩模的光强度分布，一个根据本发明的第1实施例的深紫外掩模，它的光强度分布。作为模拟的结果，模拟了比用深紫外(248nm)所能分辨出来的尺寸还小的0.2μm×0.24μm的接触孔，在本发明中，借助于形成宽为0.1μm的虚设线间间隔，不发生相移而光强度被增大了，因而，得到了和用相移掩模(参见图5B′)所得到的效果相同的效果。模拟的条件是NA为0.5，相干性为0.6。
如上所述，根据本发明的第1实施例使用i-线或深紫外线光源，通过在掩模上把虚设线间间隔加到主图形上去的办法，光强度被增强，因此得到了和相移掩模相同的效果。
图6A，6B和6C是使用根据本发明的第2实施例的半色调相移掩模时的图形布局图，光强度分布图和光刻胶分布图。在半色调相移掩模中，遮光部分的透射率是8％，相移是180°。在i-线(365nm).NA为0.57，相干性为0.6的条件下进行模拟。根据本发明的第2实施例，借助于在掩模上把一个0.1μm的虚设的线间间隔添加到主图形上去的办法，与示于图2A，2B和2C的现有的半色调相移掩模的光强度相比，如图6B所示，半色调相移掩模的光强度增加了，如图6C所示，打出了一个0.38μm×0.26μm的接触孔。这里，虚设线间间隔的尺寸最好是在0.05-0.2μm的范围内确定，它的大小应避免被光源曝光。半色调相移掩模可以具有负色调或正色调。本实施例中所用的i-线可用现时用于光刻技术的任何光源，包括深紫外光或氩-氟(193nm)光源代替。
图7A和7B示出了接触孔根据光源的能量而发生的变化。用调整能量的办法，可以打出0.25μm的接触孔。
图8A，8B和8C用于解释用于在根据本发明的第2实施例的半色调相移掩模上形成虚设线间间隔的方法。在图8A中，虚设线间间隔在接触孔的半高度处加到接触孔上，在图8B中加在接触孔的两个边端上，在图8C中，加到接触孔的四个侧面上，因而把接触孔连了起来。
如上所述，根据本发明的第2实施例，为了得到希望尺寸的接触孔，借助于把虚设间隔加到半色调相移掩模，比如说接触孔的图形上去的办法，来减少边波瓣和增加光强度。
图9A-9C到图11A-11C分别是现有掩模、现有半色调相移掩模和根据本发明的第3实施例的掩模的图形布局图、空中图象的光强度分布图和最后的光刻胶分布图。在NA为0.57，相干性为0.6的条件下，用i-线(365nm)进行了模拟。
参看图9A，9B和9C，在现有掩模的版图设计中用0.4μm×0.4μm的接触孔可以得到0.42μm的光刻胶图象。
参看图10A，10B和10C，在现有半色调相移掩模的版图设计中，用0.35μm×0.35μm的接触孔可以得到0.36μm的光刻胶图象。
参看图11A，11B和11C，借助于在掩模上把0.1μm×0.14μm的虚设间隔加到0.34μm×0.22μm的矩形接触孔上去的办法，可以得尺寸至多为0.28μm的接触孔。这个0.1μm×0.14μm的虚设间隔。对i-线(365nm)，NA为0.57，相干性为0.6的条件来说小得难于分辩。
图12-15示出了在用i-线和NA为0.5的条件下，现有掩模图形和根据本发明的第3实施例的掩模图形的模拟结果。
参看图12，分别是现有掩模的图形的尺寸是0.24μm×0.24μm，而根据本发明的第3实施例掩模的图形的上端和下端则都加有0.12μm×0.3μm的虚设图形。结果，如图13所示，由于在这个实施例中增加了曝光量故形成了0.2μm×0.3μm的接触孔，而用现有掩模则没有形成接触孔。
参看图14。在图14中，把0.24μm×0.26μm的现有掩模图形与带有一个加在其上边的很小的、即0.1μm-0.26μm的虚设图形的0.24μm×0.6μm的掩模图形进行了比较。在本发明中，就如示于图15的那样，得到了0.3μm-0.4μm的接触孔，而在现有掩模中，却找不到一点接触孔的影子。
图16A，16B和16C分别是使用根据本发明的第4实施例的掩模时的图形的布局图，空中图象的光强度分布图和光刻胶分布图。在本发明的第4实施例中，在现有半色调相移掩模上，0.1μm×0.14μm的虚设图形被加到了0.22μm×0.38μm的矩形接触孔图形上去。在这里，由于得到了在图16B中用参考标号9指示的高光强度，故可以用一个小的曝光时间来形成接触孔。另一方面，现有半色调相移掩模呈现出了空中图象的低光强度，就缘在图10中用参考标号6标出的那样，故接触孔的形成要用过量的曝光时间。在这种情况下，对应于一个边波瓣的光强度“5”被增加，在光刻胶显影之后，将形成诸如“7”那样的光刻胶凹坑。但是，根据本发明的第4实施例，由于与现有例中的边波瓣具有相同幅度的边波瓣“8”(图16B)并不需要过量的曝光，所以如图16C所示，在光刻胶显影之后，几乎不会形成光刻胶凹坑10。
图17A-17F比较了现有半色调相移掩模和根据本发明的第2实施例的掩模的特性。图17A，17B和17C示出了现有半色调相移掩模的特性，图17D，17E和17F示出了根据本发明的第2实施例的掩模的特性。用i-线和NA为0.57的条件进行了模拟。用现有半色调相移掩模没能打成接触孔，而根据第2实施例则打出了尺寸至多为0.3μm的接触孔。
图18A-18F示出了现有掩模的图形的模拟结果和根据本发明的第1实施例的掩模的图形的模拟结果，所用条件是：i-线(365nm)和NA为0.57。图18A，18B和18C分别是应用了带有0.35μm×0.33μm的接触孔的现有掩模时的图形的布局图、空中图象的光强度分布图和光刻胶分布图。图18D，18E和18F分别是应用了根据本发明的第1实施例的掩模的图形布局图，空中图象的光强度分布图和光刻胶分布图。这里所用的掩模具有0.35μm×0.33μm的接触孔，在接触孔上加有0.1μm宽的虚设间隔。和应用现有掩模的情况相比，应用第1实施例的掩模确定无疑地可以得到特性优良的空中图象和光刻胶图象。
图19A和19B及图19C和19D分别示出了用深紫外光(246nm)和NA为0.5的条件对现有掩模图形和根据本发明的第1实施例的掩模图形的模拟结果。模拟的目的是观察他们在0.2μm×0.24μm的接触孔上的效果。根据第1实施例的虚设间隔的宽度是0.1μm。从示于图19B和图19D的光强度分布的比较来看，本发明的空中图象的光强度要比现有掩模的空中图象的光强度要高很多。
图20A-20C和图20A′-20C′示出了根据本发明的第5实施例的掩模的图形布局图和光刻胶分布图。在这些图中示出了一些用于不对称地把窄的虚设图形(对于负色调的掩模来说是虚设间隔，对于正色调的掩模来说是虚设线)附加到用作接触孔的长方形图形上去的方法。如所示的那样，接触孔的变形程度随着虚设图形的不对称排列情况而变化。但是，仍然可以形成小的接触孔。虽然没有示出来，接触孔也可以这样地形成：把虚设图形相对于主图形的纵轴倾斜地加到主图形上去。
图21A和21B和图21A′和21B′示出了根据本发明的第6实施例的掩模图形布局图和光刻胶分布图。窄的虚设图形被加到用作接触孔的平行四边形上，在一条直线上或者不在一条直线上形成。在这种情况下，接触孔的形成也不存在问题。
图22A和22B以及图22A′和22B′示出了根据本发明的第7实施例的掩模的图形布局图和光刻胶分布图。就如图22A所示那样，虚设图形以形成十字的形式附加到正方形或矩形的主接触图形上去。如图22B所示，在每一图形的犄角上都加有小的虚设图形。因此，光学邻近效应得以改善。形成小的接触孔也是可能的。
图23-26示出了现有掩模图形和根据本发明第7实施例的掩模图形的模拟结果，根据本发明的掩模具有不同长度和宽度的虚设图形。图24和26示出了示出图23和25的光刻胶分布图的结果。如用虚线所标出的那样，用现有掩模图形没有形成接触孔，然而用本发明都形成了接触孔。
图27示出了现有掩模图形和掩模图形的设计布局图。参考标号11和14所标出的图形被最广泛地用车现有掩模图形布局图中。参考标号15所标出的图形在它上附加有一些衬线(Serifs)以形成更好接触和具有大的加工容差。参考标号12标出的是一个实际形状，借助于电子束或激光束，将一个矩形图形的设计图以此实际形状复制到掩模上。参考标号13标出的是一实际形状，一个正方形图案以此实际形状被复制到掩模上。
图28-31示出了根据本发明第3到第6实施例掩模图形和掩模图形的设计布局图。
参看图28，每一对具有不同的长度1和宽度W的虚设图形都被附加到根据第3和第4实施例的主图形16的腰部上。
在与第4和第5实施例相连的图29的(A)中，把离开一个距离gd的两对虚设图形附加到了主图形16的中间部位上。在图29的(B)中，一对虚设图形不对称地附加到了主图形16上。在图29的(C)中，至少有两对虚设图形被附加到主图形16上。在图29的(D)中，斜的虚设图形被不对称地加到主图形16上。
在与第5和第6实施例有关的图30的(A)中，带有虚设图形的主图形16相对于主图形的纵轴旋转了一个0°和360°之间的角度。在图30的(B)和(C)中，一对虚设图形以对角线方式排成一条线或不排成一条线加到平行四边形主图形17上。在这里，平行四边形和虚设图形的角度相对于主图形的纵轴是在0°到360°之间的角度。
图31的(A)-(D)示出了在本发明的第3到第5实施例里，在形成了掩模图形之后，带角图形的设计图的实际形状。借助于把虚设图形加到主图形上去的办法，主图形的犄角变成为有点圆形了。
图32A和32B-32D是用现有的方法和用本发明得到的实际掩模图形的照片。图32A示出了原本被设计为矩形图形的实际的掩膜图形，它的犄角已变成了圆形。图32B，32C和32D示出了根据本发明的实际的掩模图形。这些图形的边缘对掩模设计的整体轮廓来说是一矩形。特别是图32C和32D示出了用半色调相移材料，例如Mosion形成的接触的轮廓。图32A和32B示出了用现有铬掩模图形形成的接触的轮廓。
图33，34和35示出了根据本发明的第7实施例的掩模图形的掩模图形的布局图。
参看图33和34，具有不同的外形，不同的长度1，不同的宽度W的虚设图形被排列成以主图形16，18和19为中心。
参看图35，尽管虚设图形的宽方式W1等于或小于平行于虚拟图形的主图形的宽度W2，但仍可形成精细的接触。在正方形主图形的情况下，在条件W3≤W4之下可以形成精细接触。甚至在虚设图形被安排为与主图形分离时，仍可以形成图形。
图36-44和图45A-45C示出了根据本发明的第1到第7实施例的掩模图形的掩模图形的布局图。
参看图36的(A)和(B)，根据第1和第2实施例为了得到彼此平行的接触孔，把虚设图形排列为彼此相连，或者把同样的外形的虚设图形排列成被一距离g隔开。在某些情况下，当以用其把主图形分隔开来的某一距离p为基础来排列虚设图形的时候，g可以减小到零。由于图形的形成取决于光源的波长，曝光装置的NA值和工艺常数K1(就如公式1中所表明的那样)，所以在g≥0时依据这些条件设计图形，允许它的图形形成。
参看图37。第3和第4实施例中的一个实施例的图形被排列成为据齿形图案。
图38示出了与图37相同的图形布局，除了有一个图形被水平放置之外。
在图37中，根据第2到第4实施例虚设图形被放在了矩形主图形靠上边的部位上。
在图40中，根据第2到第4实施例，虚设图形被放在了主图形的靠上边的部位处和与前面图形相对被放在主图形的靠下边的部位处。
在图41-43中，根据第5实施例，虚设图形相对于主图形的排列为不对称、有规则或连续地排列。
图44示出了根据第7实施例成棋盘式(checkered)布局图，棋盘式布局带有排列成十字图案的虚设线。
参看图45A，45B和45C，当在某一实际装置中排列接触图形的时候，某一单元排列区域20需要相对小的图形，而外围区域21则需要大接触，这在许多情况下都是如此。因而通过在单元排列区域里排列一类接触图形或者多类接触图形，就如图45C所示那样，以及把矩形或正方形图形排在外围区域，就如图45B所示的那样，以此获得一个混合排列。
在上述实施例中，我们讲述的是一个正方形或者矩形的主图形和对该主图形纵轴呈直角(right angie)排列的虚设图形。但是，很明显，本发明可以应用到这种情况，即主图形为平行四边形状，而虚设图形则对主图形的纵轴呈对角线排列被加到主图形上去。
如上所述，根据本发明，借助于对负色调式掩模布设各种形状的虚设间隔，而对正色调式掩模而设以各种形状的虚设线的办法，可以形成人们所希望的那么小的接触孔，因而改善空中图象。
由于利用已开发出来的掩模生产工艺可以形成更精细的虚设图形，故本发明可以广泛地被应用到256Mb和1GMbDRAM以及64Mb DRAM中去以改进分辨率。
本发明不受限于上述实施例，而且对那些在本领域具有基本专业知识的人来说，很明确在本发明的精神和范围之内可以有许多的变化。

Claims (18)

1.一种用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，在这种方法中，在掩模上把低于分辨率限度的虚设图形形成到主图形上，以改善分辨率。
2.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形的尺寸根据所希望的最终的精细图形的尺寸来决定。
3.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述主图形和上述虚设图形具有相同的色调。
4.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述掩模包括半色调相移掩模。
5.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形在把i-线用作光源时小于或等于0.42μm，这个尺寸可避免光源的曝光。
6.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形在把深紫外光用作光源时是小于或等于0.3μm，这个尺寸可以避免光源的曝光。
7.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述掩模的主图形是多边形。
8.如权利要求7所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中借助于用被弯曲了的图形来形成精细图形，上述多边形主图形以这个被弯曲的图形被复制到上述掩模上边。
9.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形相对于上述主图形形成于一个方向上。
10.如权利要求1所要求的用光学方式表成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形被形成为十字图案。
11.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形用至少一对构成。
12.如权利要求11所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形对被形成为对主图形对称。
13.如权利要求12所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形对被排列成以上述主图形为中心的十字图案。
14.如权利要求12所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形对的每一个都形成于上述主图形的腰部。
15.如权利要求14所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中每一上述虚设图形对被形成于上述主图形的腰部，且相对于上述主图形的纵轴倾斜。
16.如权利要求15所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形相对于上述主图形的纵轴倾斜一个范围在0°-180°的角度。
17.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形被形成为把上述主图形的犄角连起来。
18.如权利要求1所要求的用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，其中上述虚设图形被形成为靠近上述主图形或者离开主图形一个规定的距离。
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