KR100914281B1 - 프랙처링 바이어스를 고려한 마스크 레이아웃 제작 방법 - Google Patents

프랙처링 바이어스를 고려한 마스크 레이아웃 제작 방법 Download PDF

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Abstract

마스크 레이아웃 제작 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 제1레이아웃 및 인접하는 제2레이아웃을 포함하는 원본 레이아웃을 설정하고, 레이아웃의 데이터를 전자빔 노광 장비로 제공하기 위해 프랙처(fracture) 분할한다. 프랙처 분할 이전에 제1레이아웃을 이루는 제1다각형의 상측변과 상측변에 연장되는 가상 연장선에 인접하게 설계된 제2레이아웃의 제2다각형의 하측변이 적어도 프랙처 분할 시 수반되는 프랙처링 바이어스(fracturing)에 해당되는 영역의 폭의 절반보다 큰 이격 폭으로 가상 연장선에 수직한 방향으로 이격되게 레이아웃을 수정한다. 프랙처 분할된 영역 단위로 전자빔 노광 샷을 적용하는 전자 빔 노광하여 마스크를 제작한다.
전자빔 노광, 프랙처 분할, OPC, VSB

Description

프랙처링 바이어스를 고려한 마스크 레이아웃 제작 방법{Method of designing mask layout with fracturing bias}
도 1은 종래의 마스크 레이아웃(mask layout)의 프랙처 분할(fracturing)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃 제작 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 흐름도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃 제작 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 레이아웃 도면들이다.
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로, 특히, 전자 빔 노광(e-beam writing) 시 수반되는 프랙처링 바이어스(fracturing bias)를 고려한 마스크 레이아웃(mask layout) 제작 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 과정에서 포토 마스크(photo mask)를 이용하여 웨이퍼 상으로 패턴을 전사하는 과정, 예컨대, 포토리소그래피(photolithography) 과정은, 먼저 전사하고자하는 패턴의 레이아웃을 포토 마스크 상에 설계 및 구현하는 과정을 수반하고 있다.
웨이퍼 상에 전사하고자 하는 패턴의 레이아웃을 포토 마스크 상에 구현하는 과정은, 먼저 전사할 패턴의 레이아웃을 설계하고, 포토리소그래피 과정에 수반되는 광근접 효과(OPE: Optical Proximity Effect)를 고려하여 레이아웃을 수정하는 광근접효과보정(OPC)을 수행하는 레이아웃 수정 과정 및 이러한 레이아웃을 전자 빔 노광 등을 이용하여 포토 마스크 기판 상에 전사하는 과정을 포함하는 과정으로 이해될 수 있다.
이러한 전자빔 노광 과정을 수행하기 이전에, OPC된 레이아웃을 노광 샷(shot) 영역 별로 다수의 다각형(polygon)들로 분할하는 프랙처 분할(fracturing) 과정이 수행되고 있다.
도 1은 종래의 마스크 레이아웃(mask layout)의 프랙처 분할(fracturing)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 마스크 레이아웃은, 예컨대 디램(DRAM) 소자에서 소자 분리 영역(isolation region) 및 활성 영역(active region)을 설정하는 레이아웃으로 설계될 수 있다. 이때, 활성 영역을 설정하도록 설계되어 OPC 보정된 레이아웃(10)은 주된 다각형(11)의 측부에 보조 다각형(12)이 부착되거나 중첩(overlap)된 형상으로 얻어질 수 있다.
OPC 보정된 활성영역의 레이아웃(10)은 최근하게 인접한 이웃 레이아웃(10)이 사선 방향에 위치하고, 차선으로 이웃하게 인접한 레이아웃(10)이 수평 방향(또는 수직 방향)에 위치하게 배치될 수 있다. 이러한 레이아웃(10)에 대해서 전자빔 노광을 수행하기 위해서 전자빔 노광될 영역을 전자빔 노광 샷 영역을 고려하여 다수의 다각형의 노광 영역들로 프랙처 분할한다. 이에 따라, 레이아웃(10)의 외곽 영역은 다양한 크기의 다각형들의 프랙처 분할된 영역들(20)로 설정된다.
이러한 프랙처 분할은 특히 특정한 형상의 빔(beam)을 이용하는 벡터 스캔(vector scan) 방식, 예컨대, 빔 형상이 가변되는 가변형 빔(VSB: Variable Shaped Beam) 방식의 전자 빔 노광 장비에 적용할 수 있는 데이터 형식으로 전환하는 과정으로 이해될 수 있다.
그런데, 프랙처 과정에서 원하지 않는 매우 작은 크기의 영역인 슬라이버(sliver: 30)들이 수반될 수 있다. 이러한 슬라이버(30)들의 발생은 결국 노광 샷 수의 증가를 의미하므로, 프랙처 분할된 데이터의 크기를 증가시켜, 후속되는 전자빔 노광(또는 쓰기) 과정에서의 에러(error) 발생 또는 생산성의 저하를 유발하는 요인으로 작용할 수 있다.
이러한 슬라이버(30)들의 발생은 여러 요인에 의한 것으로 해석될 수 있으나, 레이아웃(10) 설계 및 OPC 과정에서 프랙처링 바이어스를 고려하지 않고 있는 데 기인하는 것으로 이해될 수 있다. 프랙처링 바이어스는 레이아웃(10)을 프랙처 분할할 때, 실제 전자빔이 노광될 수 있는 영역 범위로 고려될 수 있다.
따라서, 실제 전자빔 노광 장비에서 전자빔 노광을 수행하는 데 요구되는 데이터로 레이아웃(10) 데이터를 사전에 변환시키는 과정으로 이해될 수 있는 프랙처 분할 과정에서는 이러한 프랙처링 바이어스가 고려되어 레이아웃(10)을 보다 작은 크기의 다각형들로 분할하게 되므로, 슬라이버(30)들이 발생되고 있다.
따라서, 프랙처 분할 후 레이아웃(10) 데이터의 크기를 줄일 수 있어 전자빔 노광 과정에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전자빔 노광 장비에 요구되는 프랙처 분할 과정에 레이아웃 데이터의 급격한 증가를 방지할 수 있는 마스크 레이아웃 제작 방법을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 관점은, 제1레이아웃 및 인접하는 제2레이아웃을 포함하는 원본 레이아웃을 설정하는 단계, 상기 레이아웃의 데이터를 전자빔 노광 장비로 제공하기 위해 프랙처(fracture) 분할하는 단계, 상기 프랙처 분할 이전에 상기 제1레이아웃을 이루는 제1다각형의 상측변과 상기 상측변에 연장되는 가상 연장선에 인접하게 설계된 상기 제2레이아웃의 제2다각형의 하측변이 적어도 상기 프랙처 분할 시 수반되는 프랙처링 바이어스(fracturing)에 해당되는 영역의 폭의 절반보다 큰 이격 폭으로 상기 가상 연장선에 수직한 방향으로 이격되게 상기 레이아웃을 수정하는 단계, 및 상기 프랙처 분할된 영역 단위로 전자빔 노광 샷을 적용하는 전자 빔 노광 단계를 포함하는 마스크 레이아웃 제작 방법을 제시한다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 일 관점은, 주된 다각형 및 상기 주된 다각형의 측부에 부가된 보조 다각형을 포함하는 제1레이아웃, 상기 제1레이아웃에 대해 사선 방향으로 반복 배치된 대등한 형상의 제2레이아웃, 상기 제1레이아웃에 대해 수평 수직 방향으로 반복 배치된 대등한 형상의 제3레이아웃을 포함하는 원본 레이아웃을 설정하는 단계, 상기 레이아웃의 데이터를 전자빔 노광 장비로 제공하기 위해 프랙처(fracture) 분할하는 단계, 상기 프랙처 분할 이전에 상기 제1레이아웃의 보조 다각형의 상측변과 상기 상측변에 연장되는 가상 연장선에 인접하게 설계된 상기 제2레이아웃의 주된 다각형의 하측변이 적어도 상기 프랙처 분할 시 수반되는 프랙처링 바이어스(fracturing)에 해당되는 영역의 폭의 절반보다 큰 이격 폭으로 상기 가상 연장선에 수직한 방향으로 이격되게 상기 레이아웃을 수정하는 단계, 및 상기 프랙처 분할된 영역 단위로 전자빔 노광 샷을 적용하는 전자 빔 노광 단계를 포함하는 마스크 레이아웃 제작 방법을 제시한다.
상기 레이아웃을 수정하는 단계는, 상기 원본 레이아웃을 광근접효과보정(OPC)을 포함하는 1차 수정하는 단계, 상기 1차 수정된 레이아웃으로부터 상기 프랙처링 바이어스(fracturing)에 해당되는 영역의 폭의 절반의 폭을 가지는 기준 레이아웃의 좌표를 추출하는 단계, 상기 기준 레이아웃의 좌표를 상기 1차 수정된 레이아웃의 데이터에 적용하여 상기 기준 레이아웃과 상기 1차 수정된 레이아웃이 겹치는 부분이 발생하는 지 여부를 검사하는 단계, 상기 검사에서 겹치는 부분이 발생할 경우 상기 1차 수정된 레이아웃을 상기 겹치는 부분이 배제되게 2차 수정하는 단계, 및 상기 검사를 재 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기준 레이아웃의 좌표를 추출하는 단계는, 상기 제1레이아웃의 주된 다각형 및 보조 다각형의 교차 꼭지 지점의 제1좌표를 추출하는 단계, 상기 제3레이아웃의 주된 다각형 및 보조 다각형의 교차 꼭지 지점의 제2좌표를 추출하는 단계, 상기 제2좌표에 상기 프랙처링 바이어스에 해당되는 영역의 폭을 부가하여 제3좌표를 추출하는 단계, 및 상기 제1좌표 및 제3좌표로 대표되는 직사각형을 상기 기준 레이아웃으로 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이아웃은 디램(DRAM) 소자의 활성 영역을 설정하는 다각형 또는 다각형들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 프랙처링 바이어스에 해당되는 영역의 폭은 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 단위 크기로 설정될 수 있다.
본 발명에 따르면, 프랙처 분할 시의 프랙처링 바이어스를 고려하여 원본 레이아웃의 적합성 여부를 검사하여 미리 레이아웃을 수정함으로써, 후속되는 프랙처 분할 과정에서 슬라이버 등의 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 프랙처 분할된 레이아웃 데이터의 크기가 원하지 않게 크게 증가되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 전자 빔 노광 과정에 소요되는 시간을 줄일 수 있고 전자빔 노광 장비에 과다한 데이터에 의한 에러가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서는, 포토 마스크 상에 구현될 마스크 레이아웃을 설계 제작할 때, 프랙처 분할 때의 프랙처링 바이어스(fracturing bias)를 고려하여 레 이아웃을 설계한다. 프랙처 분할할 때 프랙처링 바이어스는 실제 전자빔 노광 과정에서 노광될 최소 노광 단위 정도의 크기로 고려될 수 있다.
이러한 프랙처링 바이어스는 레이아웃을 프랙처 분할할 때, 실제 전자빔이 노광될 수 있는 영역 범위로 고려될 수 있다. 따라서, 실제 전자빔 노광 장비에서 전자빔 노광을 수행하는 데 요구되는 데이터로 레이아웃 데이터를 사전에 변환시키는 과정으로 이해될 수 있는 프랙처 분할 과정에서는 이러한 프랙처링 바이어스가 고려되어 레이아웃을 보다 작은 크기의 다각형들로 분할하고 있다.
그런데, 프랙처 분할 대상이 되는 원본 레이아웃을 설계하거나 또는 광근접효과보정(OPC)할 때, 종래의 경우 이러한 프랙처 바이어스는 고려되고 있지 않다. 따라서, 프랙처 분할을 수행할 경우 프랙처 바이어스의 고려에 따른 원하지 않는 슬라이버들의 발생 등으로 프랙처 분할 후 레이아웃 데이터가 급격히 커지게 된다.
본 발명의 실시예에서는 원본 레이아웃 설계 과정 또는 OPC 과정에서 이러한 프랙처링 바이어스를 고려하여 레이아웃을 검사(verification)하고, 검사 결과에 따라 레이아웃을 미리 수정함으로써, 프랙처 분할 수행 후 레이아웃 데이터의 크기의 급격한 증가를 방지할 수 있다. 이러한 검사 과정은 설계된 레이아웃을 프랙처링 바이어스 크기가 반영된 불 논리 룰 파일(Boolean logic rule file)을 이용하여 룰에 저촉되는 부분을 검출하는 과정으로 수행될 수 있다.
이러한 레이아웃 검사에서 검출된 검출 지점(point)에 대해 재 OPC를 하고, 또 다시 검사하여 최종 레이아웃을 도출한다. 도출된 레이아웃을 프랙처 분할함으로써, 전자빔 노광(또는 쓰기)에 친화적이게 유도하여 마스크 제작 시간을 단축 및 생산성의 향상을 구현할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃 제작 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 흐름도이다. 도 3 내지 도 9는 본 발명의 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃 제작 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 레이아웃 도면들이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃 제작 방법은, 먼저, 웨이퍼 상으로 전사할 원본 레이아웃을 설계한다(110). 이때, 원본 레이아웃 웨이퍼 상에 활성 영역에 대한 레이아웃일 수 있다. 이후에, 원본 레이아웃에 광근접효과(OPE)를 고려하여 보정, 예컨대, OPC 보정을 수행한다(130). 이와 같이 OPC 보정된 활성 영역의 레이아웃은, 도 3에 제시된 바와 같이, 개개의 활성 영역의 레이아웃(200)이 수평 방향(X축 방향)으로 반복 배치되고, 수직 방향과 수평 방향 사이의 사선 방향으로 최근 이웃하게 반복 배치되는 레이아웃으로 예시될 수 있다.
이때, 어느 하나의 제1레이아웃(201)을 고려할 때, 제1레이아웃(201)에 최근하는 제2레이아웃(203)은 사선 방향으로 배치되고, 수평 방향에 배치된 제3레이아웃(205)은 제1레이아웃(201)에 대해 미러(mirror) 형태로 반복되는 것으로 이해될 수 있다. 개개의 레이아웃(200)은 주된 다각형(210)의 측부에 보조 다각형(230)이 부착되거나 중첩(overlap)된 형상으로 이해될 수 있다. 따라서, 제1레이아웃(201)과 최근하는 제2레이아웃(203)을 이루는 다각형들 사이에서 최근하는 부분은 제1레이아웃(201)의 보조 다각형(230)과 제2레이아웃(203)의 주된 다각형(210) 사이로 이해될 수 있다.
이러한 OPC 레이아웃(200)에 대해서 프랙처 분할을 수행하면, OPC 레이아웃(200)의 배치 등은 프랙처링 바이어스 등이 고려되지 않은 조건에서 얻어진 것이므로, 프랙처링 바이어스에 해당되는 영역을 확보하기 위해서 슬라이버들이 수반될 수 있다. 도 4에 제시된 바와 같이, 제1레이아웃(201)의 보조 다각형(230)의 상측변(231)과 최근하는 제2레이아웃(203)의 주된 다각형(210)의 하측변(211)은 동일한 가상의 연장선(251) 상에 위치하게 설계된 상태일 수 있다. 이러한 연장선(251)은 수평 방향인 X축 방향으로 연장되며, 이는 프랙처 분할이 진행되는 방향, 즉, 프랙처 분할 방향과 대등한 방향으로 고려될 수 있다.
이러한 경우, 제1레이아웃(201)의 보조 다각형(230)의 상측변(231)과 최근하는 제2레이아웃(203)의 주된 다각형(210)의 하측변(211) 사이 영역에, 프랙처 분할 과정에서 프랙처링 바이어스에 해당되는 영역을 확보하기 위해, 슬라이버들(도 1의 30)들이 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해서 본 발명의 실시예에서는 프랙처 바이어스를 고려하여 레이아웃(200)의 적절성 여부를 검사(verification: 도 2의 150)한다.
도 5에 제시된 바와 같이, 제1레이아웃(201)의 보조 다각형(230)의 상측변(231)에서 연장되는 가상의 제1연장선(253)과 최근하는 제2레이아웃(203)의 주된 다각형(210)의 하측변(211)에서 연장되는 가상의 제2연장선(255) 사이의 수직 방향인 Y축 방향으로의 이격 간격(257)을 확보함으로써, 슬라이버(도 1의 30)의 생성을 유발을 방지한다. 이때, 이격 간격(257)이 프랙처링 바이어스의 1/2에 비해 클 경우 이러한 영역에서 슬라이버(도 1의 30)의 생성이 방지될 수 있음을 확인할 수 있 다. 프랙처링 바이어스는 레이아웃(200)에 대해 전자빔 노광할 때, 전자빔 노광 장비의 최소 노광 단위 크기, 예컨대, 대략 4㎚로 고려할 수 있다. 따라서, 최소 이격 간격(257)은 대략 2㎚로 고려할 수 있다.
따라서, OPC 레이아웃(200)에 대한 적절성 여부를 판단하는 검사 과정(도 2의 150)은, 이러한 이격 간격(257)이 최소한 프랙처 바이어스의 1/2 보다 크게 확보되었는 지의 여부를 확인하는 과정으로 이해될 수 있다.
이러한 검사 과정(150)을 보다 표준적으로 또한 기계적으로 자동 수행되도록 유도하기 위해서, 도 6에 제시된 바와 같이, 기준 레이아웃(300)을 먼저 레이아웃(200)으로부터 추출한다. 이러한 기준 레이아웃(300)은, 수직 방향인 Y축 방향으로의 폭을 프랙처링 바이어스/2로 설정하고, 수평축인 X축의 폭을 제1레이아웃(201)과 이에 대한 미러 상(image)인 제3레이아웃(205) 간의 이격 간격으로 설정된 직사각형(rectangular)으로 추출될 수 있다.
구체적으로, 이러한 기준 레이아웃(300)은, 실질적으로 제1레이아웃(201)의 제1꼭지점(233), 즉, 주된 다각형(210)과 보조 다각형(230)이 교차되어 접하는 지점의 제1꼭지점(233)의 좌표와, 제3레이아웃(205)의 마찬가지로 설정되는 제2꼭지점(235)에 대해 프랙처링 바이어스/2가 부가된 지점(237)의 좌표를 설정함으로써, OPC된 레이아웃(200)의 데이터로부터 룰 파일(rule) 데이터로 생성시킬 수 있다. 이러한 기준 레이아웃(300)은 후속되는 전자빔 노광 과정에서 프랙처 바이어스에 해당되는 영역을 확보하기 위한 최소 이격 간격으로 고려될 수 있다. 따라서, 이러한 최소 이격 간격을 확보하기 위한 룰 파일 데이터로 기준 레이아웃(300)의 데이 터는 고려되게 된다.
이러한 기준 레이아웃(300)의 데이터를 포함하는 룰 파일을 이용하여 불 논리를 적용하여, 검사 과정(도 2의 150)을 수행한다. 이러한 검사 과정(150)은 실질적으로 이전의 OPC 과정(130)에서 수행된 OPC의 적절성 여부를 판단하는 것으로 이해될 수 있다. 불 논리는 참, 거짓과 같은 이분 논리이므로, 기준 레이아웃(300)과 제2레이아웃(203)이 겹쳐 중첩되는 부분이 발생하는 지 여부만을 판단하는 것으로 이해될 수 있다. 즉, 도 7에 제시된 바와 같이 추출된 기준 레이아웃(300)을, 도 3에 제시된 바와 같은 OPC된 레이아웃(200)에 부가한 후, 겹치는 부분의 발생 여부를 불 논리로 판단한다.
도 8을 참조하면, 도 4에 제시된 바와 같은 레이아웃(201, 203, 205)의 배치에서, 기준 레이아웃(300)을 설정된 좌표에 부가하여 불 논리 판단을 수행하면, 제1레이아웃(201)의 보조 다각형(230)의 상측변(231)과 최근하는 제2레이아웃(203)의 주된 다각형(210)의 하측변(211)은 동일한 가상의 연장선(도 4의 251) 상에 위치하므로, 도 8에 제시된 바와 같이, 보조 다각형(230) 영역과 기준 레이아웃(300) 영역이 겹치는 부분이 발생되게 된다. 이러한 겹치는 부분은 에러 지점(error point: 350)으로 인식되게 된다.
이와 같이 겹치는 부분의 에러 지점(350)이 발생할 경우는 OPC 에러 발생으로 처리하여, 즉, NG 처리하여, OPC(130) 과정을 다시 수행하도록 한다. 재 OPC한 이후에도 마찬가지로 검사 과정(150)을 수행하여, 겹치는 부분이 발생되지 않는 경우, 다음 과정인 전자빔(EB) 노광 또는 쓰기(170) 과정을 수행한다.
도 9를 참조하면, 이와 같이 프랙처링 바이어스를 고려하여 검사(150) 및 재OPC된 결과의 레이아웃(200')에 대해, 전자빔 노광을 위해서 프랙처 분할을 수행할 경우, 도 9에 제시된 바와 같이 프랙처 분할된 다각형 영역(300)의 수는 도 1의 제시된 종래의 경우에 비해 크게 감소된다. 이는 프랙처 바이어스에 해당되는 영역을 확보하기 위해 유발되는 슬라이버(도 1의 30)들의 발생을, OPC 과정(도 2의 130) 및 검사 과정(150)에서 프랙처 바이어스를 고려함으로서 미연에 방지할 수 있는 점에 기인한다.
이와 같이 프랙처 분할 영역(300)의 수를 줄일 수 있으므로, 결국, 전자빔 노광 과정 또는 쓰기 과정(도 2의 170)에서 실제 수행될 노광 샷의 수를 줄일 수 있다. 따라서, 전자빔 노광 과정에 소요되는 시간을 줄일 수 있어, 생산성의 증가를 구현할 수 있다. 더욱이, 전자빔 노광 과정에서 유발될 수 있는 에러를 방지할 수 있어, 이러한 에러를 치유하기 위한 부가적인 재 OPC 과정이 생략될 수 있다. 따라서, 전체적인 관점에서 OPC 과정에서 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 또한, OPC 과정에서의 정확도(accuracy)를 보다 더 확보할 수 있다.
이와 같은 전자빔 노광 과정(도 2의 170) 이후에 현상 및 식각 등의 과정을 수행하여, 마스크 제작(190)이 이루어진다.
상술한 본 발명에 따르면, 마스크 레이아웃을 구현할 때 수반되는 OPC 과정의 정확도를 보다 더 증가시킬 수 있다. 또한, OPC 과정에 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 또한, 후속되는 전자빔 노광 과정에서 소요되는 시간을 줄일 수 있어, 생산성 증대를 구현할 수 있다. 따라서, 반도체 소자 개발에 소요되는 시간을 효과적으로 줄일 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

Claims (7)

  1. 제1레이아웃 및 인접하는 제2레이아웃을 포함하는 원본 레이아웃을 설정하는 단계;
    상기 레이아웃의 데이터를 전자빔 노광 장비로 제공하기 위해 프랙처(fracture) 분할하는 단계;
    상기 프랙처 분할 이전에 상기 제1레이아웃을 이루는 제1다각형의 상측변과 상기 상측변에 연장되는 가상 연장선에 인접하게 설계된 상기 제2레이아웃의 제2다각형의 하측변이, 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 샷 크기의 절반보다 큰 이격 폭으로 상기 가상 연장선에 수직한 방향으로 이격되게 상기 레이아웃을 수정하는 단계; 및
    상기 프랙처 분할된 영역 단위로 전자빔 노광 샷을 적용하는 전자 빔 노광 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이아웃은 디램(DRAM) 소자의 활성 영역을 설정하는 다각형 또는 다각형들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레이아웃을 수정하는 단계는
    상기 원본 레이아웃을 광근접효과보정(OPC)을 포함하는 1차 수정하는 단계;
    상기 1차 수정된 레이아웃으로부터 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 샷 크기의 절반의 폭을 가지는 기준 레이아웃의 좌표를 추출하는 단계;
    상기 기준 레이아웃의 좌표를 상기 1차 수정된 레이아웃의 데이터에 적용하여 상기 기준 레이아웃과 상기 1차 수정된 레이아웃이 겹치는 부분이 발생하는 지 여부를 검사하는 단계;
    상기 검사에서 겹치는 부분이 발생할 경우 상기 1차 수정된 레이아웃을 상기 겹치는 부분이 배제되게 2차 수정하는 단계; 및
    상기 검사를 재 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
  4. 삭제
  5. 주된 다각형 및 상기 주된 다각형의 측부에 부가된 보조 다각형을 포함하는 제1레이아웃, 상기 제1레이아웃에 대해 사선 방향으로 반복 배치된 대등한 형상의 제2레이아웃, 상기 제1레이아웃에 대해 수평 수직 방향으로 반복 배치된 대등한 형상의 제3레이아웃을 포함하는 원본 레이아웃을 설정하는 단계;
    상기 레이아웃의 데이터를 전자빔 노광 장비로 제공하기 위해 프랙처(fracture) 분할하는 단계;
    상기 프랙처 분할 이전에 상기 제1레이아웃의 보조 다각형의 상측변과 상기 상측변에 연장되는 가상 연장선에 인접하게 설계된 상기 제2레이아웃의 주된 다각형의 하측변이, 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 샷 크기의 절반보다 큰 이격 폭으로 상기 가상 연장선에 수직한 방향으로 이격되게 상기 레이아웃을 수정하는 단계; 및
    상기 프랙처 분할된 영역 단위로 전자빔 노광 샷을 적용하는 전자 빔 노광 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 레이아웃을 수정하는 단계는
    상기 원본 레이아웃을 광근접효과보정(OPC)을 포함하는 1차 수정하는 단계;
    상기 1차 수정된 레이아웃으로부터 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 샷 크기의 절반의 폭을 가지는 기준 레이아웃의 좌표를 추출하는 단계;
    상기 기준 레이아웃의 좌표를 상기 1차 수정된 레이아웃의 데이터에 적용하여 상기 기준 레이아웃과 상기 1차 수정된 레이아웃이 겹치는 부분이 발생하는 지 여부를 검사하는 단계;
    상기 검사에서 겹치는 부분이 발생할 경우 상기 1차 수정된 레이아웃을 상기 겹치는 부분이 배제되게 2차 수정하는 단계; 및
    상기 검사를 재 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기준 레이아웃의 좌표를 추출하는 단계는
    상기 제1레이아웃의 주된 다각형 및 보조 다각형의 교차 꼭지 지점의 제1좌표를 추출하는 단계;
    상기 제3레이아웃의 주된 다각형 및 보조 다각형의 교차 꼭지 지점의 제2좌표를 추출하는 단계;
    상기 제2좌표에 상기 전자빔 노광 장비의 최소 노광 샷 크기를 부가하여 제3좌표를 추출하는 단계; 및
    상기 제1좌표 및 제3좌표로 대표되는 직사각형을 상기 기준 레이아웃으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 레이아웃 제작 방법.
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