JP2009223202A - 露光用データ作成方法及びフォトマスク製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光パターンの形状に関わらず、レチクル作成ルールに違反するか否かの判定と、違反部分の抽出及び修正を容易に行い得る露光用データ作成方法を提供する。
【解決手段】レチクル作成ルールから第一の矩形パターンを生成し、第一の矩形パターンをレチクル露光を行なうための対象パターンに敷き詰め、対象パターン内の第一の矩形パターンがＮ×Ｎで配置される第二の矩形パターンを抽出し、第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づいてレチクル露光パターンのパターン幅及びパターン間隔の違反検出処理と修正処理を行う。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体集積回路装置の製造工程において、電子ビーム露光とレチクル露光を併用して行うリソグラフ工程で使用するハイブリッド露光用データの作成方法に関するものである。

電子ビーム露光（以下ＥＢ露光という）は、高精度な露光を行うことができるとともに、レチクルを必要としないのでレチクル作成コストを省略することができる。しかし、露光処理に要する時間が長くなって、リソグラフ工程のスループットが低下する。

そこで、露光精度を必要としない大面積のパターン（例えばダミーパターン等）をレチクル露光で行い、露光精度を必要とする微細なパターンをＥＢ露光で行うハイブリッド露光が行われるようになった。このハイブリッド露光は、露光工程のスループットの向上を図ることが可能であるとともに、大面積のパターンをＥＢ露光する際に発生するビームボケ等の不具合を解消することも可能となる。

しかし、近年の半導体集積回路装置の回路パターンの微細化により、レチクル露光も高精度な露光が必要となっている。すなわち、レチクル露光の光源として波長の短い光で高精度な露光が可能となるＡｒＦ光源を使用し、精度を向上させるための光学的な補正処理であるＯＰＣ処理、精度を向上させるためのレンズ補正を処理であるＬＦＣ処理、ローカルフレアによる精度低下を補正するための位相シフタ等の補正処理を施す必要がある。このため、レチクル製造コストが大幅に上昇し、ハイブリッド露光を行うメリットが少なくなることとなった。

レチクル製造コストを抑制するためには、波長の長い光を出力するＫｒＦ光源を使用するレチクルを採用することが考えられる。ＫｒＦ光源を使用するレチクルでは、上記のようなＯＰＣ処理、ＬＦＣ処理、位相シフタ等の補正処理を行う必要がなく、レチクル製造のための工数を削減して、レチクル製造コストを低減することが可能である。

しかし、ＫｒＦ光源を使用するレチクルでは微細なパターンを高精度に露光することはできず、近年の微細な露光パターンに対応することができない。
特許文献１〜３には、ＫｒＦ露光の解像寸法あるいはｄｅｅｐ−ＵＶ解像寸法を基準としてレチクルパターンを取り出す構成が開示されているが、上記のような図形処理によりレチクルパターンを取り出すため、処理時間の短縮を図ることはできない。

特許文献４には、ハイブリッド露光を行うためのパターン形成方法が開示されているが、上記問題点を解決する手段は開示されていない。
特許文献５には、ハイブリッド露光を行うための図形パターン発生方法が開示されているが、パラメータ値や図形処理手順の変更をともなう図形処理によりパターンを発生するめ、上記問題点は依然として解決されていない。
特開２００１−３３０９４０号公報 特開２００１−１０９１２８号公報 特開２００１−１８９２５９号公報 特開平３−５４８１７号公報 特開平４−２６１０９号公報

ＫｒＦ露光によるレチクル露光とＥＢ露光とによるハイブリッド露光では、レチクルデータの作成に際し、ＡｒＦ露光によるレチクルデータの作成時に必要となる補正処理が不要となる反面、設計ルールを満たすか否かの違反箇所検出処理及び違反箇所の修正処理に要する時間が長くなるという問題点がある。

この発明の目的は、露光パターンの形状に関わらず、レチクル作成ルールに違反するか否かの判定と、違反箇所の検出及び修正を容易に行い得る露光用データ作成方法を提供することにある。

上記目的は、レチクル作成ルールから第一の矩形パターンを生成する工程と、前記第一の矩形パターンをレチクル露光を行なうための対象パターンに敷き詰め、前記対象パターン内の第一の矩形パターンがＮ×Ｎで配置される第二の矩形パターンを抽出する工程と、前記第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づいてレチクル露光パターンのパターン幅及びパターン間隔の違反検出処理と修正処理を行う工程とを含む露光用データ作成方法により達成される。

開示された露光用データ作成方法では、露光パターンの形状に関わらず、レチクル作成ルールに違反するか否かの判定と、違反箇所の検出及び修正を容易に行うことができる。

図２０は、ハイブリッド露光用データの一般的な構成を示す。露光データＤ１は、ＥＢ露光用データＤ２とレチクル露光用データＤ３とに分解される。レチクル露光用データＤ３は、露光データＤ１の中央部を露光するデータであり、ＥＢ露光用データＤ２は露光データＤ１の周囲を露光するデータである。

そして、ＥＢ露光用データＤ２でＥＢ露光を行い、レチクル露光用データＤ３でレチクル露光を行うハイブリッド露光を行うと、露光パターンＰが露光される。すなわち、レチクル露光用データＤ３によるレチクル露光により、露光パターンＰの中央部が低精度で露光され、ＥＢ露光用データＤ２で露光パターンＰの外周部分が高精度に露光される。

図２１（ａ）〜（ｄ）は、ＫｒＦ光源を使用する低精度のレチクル露光（ＫｒＦ露光）で発生する不具合を示す。露光データＤ５の内側にレチクル露光用データＤ６を生成する際、当該データＤ６をＫｒＦ露光用パターンの設計ルールを満たすか否かを判定する。そして、図２１（ａ）に示すように、データＤ６にパターン幅が基準値を満たさない違反部分Ｖ１が発生すると、図２１（ｂ）に示すように、その違反部分Ｖ１を除去して、レチクル露光用データＤ７，Ｄ８に分割する。

すると、データＤ７，Ｄ８間にはパターン間隔が基準値を満たさない微小段差が違反部分Ｖ２として発生する。そこで、図２１（ｃ）に示すように、違反部分Ｖ２の間隔を拡大する処理をおこなってデータＤ９，Ｄ１０を生成すると、データＤ９，Ｄ１０には基準値を満たさない微小段差が違反部分Ｖ３として発生する。

また、データＤ７，Ｄ８間の違反部分Ｖ２を除去するために、図２１（ｄ）に示すように、データＤ７，Ｄ８を高さ方向に離間させるようにしてデータＤ１１，Ｄ１２を生成すると、データＤ１２に基準値を満たさない微小段差が違反部分Ｖ４として発生する。

上記のような違反箇所検出処理及びデータの修正処理は、各図形データの座標を基準値と比較し、違反部分の座標を基準値を満たすように変更する図形処理により行われるため、その修正処理に要する時間が長くなるとともに、修正処理により新たな違反部分が発生し、さらに処理時間が長くなる。

以下、この発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態のハイブリッド露光用データの作成手順を示すフローチャートである。ステップ１では、レチクルの作成基準から正方形状の矩形パターンＡのサイズと配置間隔を求める。

レチクル作成用のパターンデータには、図２に示す最小パターン幅ｗ、最小パターン間隔ｄ、最小パターン段差ｇが作成ルールとして設定されている。そして、図３に示すように、矩形パターンＡの矩形サイズｓは、
最小パターン段差ｇ＝矩形サイズｓ＋配置間隔ｄａ
最小パターン幅ｗ＝矩形サイズｓ×Ｎ＋配置間隔ｄａ×（Ｎ−１）
となるようにする。ここで、Ｎは矩形パターンＡの配置個数であり、最小パターン幅ｗ÷最小パターン段差ｇで求められ、あまりがある場合はＮ＋１とする。

前記最小パターン間隔ｄは、図４に示すように、露光パターンの設計ルールで規定される最小間隔ｗｘにレチクル発生マージンｍ１を付加した値として設定され、レチクル発生マージンｍ１を調整することにより適宜に変更可能である。レチクル発生マージンｍ１は、一般的にハイブリッド露光を行うために必要なものであり、レチクル露光とＥＢ露光とを行った際に、レチクル露光で位置ずれが発生しても露光領域からはみ出さないようなマージンを設定する。

また、図４においてＡＲ１はＥＢ露光領域であり、その内側のＡＲ２はレチクル露光領域である。そして、ＥＢ露光領域ＡＲ１とレチクル露光領域ＡＲ２とは互いに重なる被りマージンｍ２が設定される。

ここで具体的な作成ルールに基づいて説明すると、図８に示すように、最小パターン幅ｗが３００ｎｍ、最小パターン段差ｇが９０ｎｍに設定されると、上式より、矩形サイズｓは３０ｎｍ、配置間隔ｄａは６０ｎｍとなり、配置個数Ｎは４となる。

次いで、ステップ２に移行して、図５に示すように、ハイブリッド露光を行うための露光パターンデータＲＤを入力パターンとして取り込み、その露光パターンデータＲＤから前記レチクル発生マージンｍ１相当分で縮小した対象パターンＰＡを作成する。この対象パターンＰＡがレチクル露光の対象となる領域である。

次いで、ステップ３に移行して、図６に示すように、対象パターンＰＡにステップ１で算出した矩形パターンＡを敷き詰める。
次いで、ステップ４に移行して、敷き詰めた矩形パターンＡがＮ×Ｎ、すなわちここでは４個×４個の配置構成となっている領域の中心を求める。この領域はそれぞれ一部が重なりあっていてもよいとする。すると、図６では中心ｃ１〜ｃ７が求められる。

次いで、ステップ５に移行して、各中心ｃ１〜ｃ７に対応するＮ×Ｎの領域を矩形パターンＢ１〜Ｂ７として設定する。次いで、ステップ６で各中心ｃ１〜ｃ７のＸ−Ｙ座標に基づいて最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに対する違反の有無を検出する。

ここで、最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに対する違反の有無の検出処理の原理と、その修正処理の原理を図７に従って説明する。
図７（ａ）に示すように、矩形パターンＢの幅は最小パターン幅ｗとなり、矩形サイズｓと配置間隔ｄａの和が最小パターン段差ｇとなる。なお、ここでは矩形パターンＢをＮ＝３で説明する。

そして、図７（ｂ）（ｃ）に示すように、矩形パターンＢａの中心ＣａのＸ−Ｙ座標をＸ１，Ｙ１とし、矩形パターンＢｂのＸ−Ｙ座標をＸ２，Ｙ２としたとき、次の条件で両矩形パターンＢａ，Ｂｂ間の最小パターン幅ｗが違反となる。すなわち、図７（ｂ）に示すように、｜Ｘ１−Ｘ２｜の値が最小パターン幅ｗ以下で、かつ｜Ｙ１−Ｙ２｜の値が最小パターン幅ｗ以下であるとき、矩形パターンＢａ，Ｂｂ間の最小パターン幅ｗが違反となる。このとき、｜Ｘ１−Ｘ２｜及び｜Ｙ１−Ｙ２｜のいずれかが０であれば違反とはならない。

また、図７（ｃ）に示すように、｜Ｘ１−Ｘ２｜−ｗが最小パターン間隔ｄ未満で、かつ｜Ｙ１−Ｙ２｜−ｗが最小パターン間隔ｄ未満となるとき、矩形パターンＢａ，Ｂｂ間の最小パターン間隔ｄが違反となる。このとき、座標間隔は最小パターン幅ｗ以上であることとする。また、矩形パターンＢａ，Ｂｂの中心Ｃａ，ＣｂがＸ軸及びＹ軸に対し斜め方向に位置する場合には、中心Ｃａ，Ｃｂの間隔はＸ軸方向及びＹ軸方向の間隔より大きくなるため、その間隔増を考慮して違反となるか否かを判定する。

また、矩形サイズｓと配置間隔ｄａの和をＲとしたとき、Ｎ−｜Ｘ２−Ｘ１｜÷Ｒを算出すると、最小パターン幅ｗに関して違反を起こしている矩形パターンＡの個数が矩形パターンＢの領域でＸ方向にいくつあるかが求められる。

同様に、矩形サイズｓと配置間隔ｄａの和をＲとしたとき、Ｎ−｜Ｙ２−Ｙ１｜÷Ｒを算出すると、最小パターン幅ｗに関して違反を起こしている矩形パターンＡの個数が矩形パターンＢの領域でＹ方向にいくつあるかが求められる。

また、（｜Ｘ２−Ｘ１｜−ｗ）÷Ｒを算出すると、最小パターン間隔ｄに関して違反を起こしている矩形パターンＡの個数が矩形パターンＢの領域でＸ方向にいくつあるかが求められる。

同様に、（｜Ｙ２−Ｙ１｜−ｗ）÷Ｒを算出すると、最小パターン間隔ｄに関して違反を起こしている矩形パターンＡの個数が矩形パターンＢの領域でＹ方向にいくつあるかが求められる。

そして、中心Ｃａ，Ｃｂの２点間の方向を考慮すると、矩形パターンＢでどの矩形パターンＡが違反しているかが特定される。
上記のような最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに関する違反検出原理に基づいてステップ６の処理が行われる。すなわち、図９において、矩形パターンＢ４，Ｂ６で重なる矩形パターンＡ１が最小パターン幅ｗの対象となることが検出される。なお、図９に示す対象パターンＰＡでは最小パターン間隔ｄに対する違反は発生していないものとする。

次いで、ステップ７に移行して違反があるか否かを判定する。そして、違反がある場合には、ステップ８に移行して、違反した箇所に関係する矩形パターンＡを削除する。従って、図９においては矩形パターンＡ１が違反しているので、この矩形パターンＡ１を削除する。

次いで、ステップ４，５の処理を再度行う。すると、図１０及び図１１に示すように、図６に示す状態から中心Ｃ４，Ｃ５が削除され、矩形パターンＢ４，Ｂ５が削除されたものとなる。

次いで、ステップ６の処理を再度行い、図１１において違反箇所がなくなっているので、ステップ７からステップ９に移行する。ステップ９では、図１１に示す矩形パターンＢ１，Ｂ２，Ｂ３を併合して図１２に示すレチクル露光パターンＲＰ１を生成する。また、矩形パターンＢ６からレチクル露光パターンＲＰ２を生成し、矩形パターンＢ７からレチクル露光パターンＲＰ３を生成する。そして、各レチクル露光パターンＲＰ１〜ＲＰ３をＥＢ露光との被りマージンｍ２分縮小したパターンをＥＢ露光データ生成用パターンＰｅ１〜Ｐｅ３を生成する。

次いで、ステップ１０では、図１３に示すように、ステップ２で取り込んだ前記露光パターンデータＲＤから前記ＥＢ露光データ生成用パターンＰｅ１〜Ｐｅ３を除去したパターンをＥＢ露光パターンＥＢＰとして生成する。すると、図１４に示すように、ステップ２で取り込んだハイブリッド露光を行うための露光パターンデータＲＤからレチクル露光パターンＲＰ１〜ＲＰ３とＥＢ露光パターンＥＢＰが生成される。

次いで、ステップ１１ではレチクル露光パターンＲＰ１〜ＲＰ３の角部における被りマージンｍ２の補正処理を行う。例えば、図１５（ａ）に示すレチクル露光パターンＲＰ４とＥＢ露光パターンＥＢＰ１でハイブリッド露光を行うと、レチクル露光の精度が悪いため、実際に露光されるパターンＲＰ４ａは図１５（ｂ）に示すように、レチクル露光パターンＲＰ４の凸方向の角部Ｘにおいて丸くなる。この結果、同図（ｃ）に示すように、被りマージンｍ２が不足することがある。

そこで、図１６（ａ）に示すように、ＥＢ露光パターンＥＢＰ１の凹方向の角部、すなわちレチクル露光パターンＲＰ４の角部Ｘに対峙する角部に、高さαの矩形部Ｙを形成する。このαは、被りマージンｍ２の不足を補うように任意に設定する。

このようなＥＢ露光パターンＥＢＰ２を使用してハイブリッド露光を行うことにより、図１６（ｂ）に示すように、レチクル露光パターンＲＰ４の角部Ｘの被りマージンｍ２を確保することができる。

図１７及び図１８は、前記矩形パターンＡの敷き詰め方法の別例を示す。対象パターンＰＡ内にはできるだけ多くの矩形パターンＡを敷き詰めると、レチクル露光で露光できる領域を拡大できる可能性がある。そして、レチクル露光領域を拡大すれば、ハイブリッド露光のスループットを向上させることができる。

すなわち、図１７に示すように、矩形パターンＡが対象パターンＰＡの外形線に接しない状態で敷き詰める場合に比して、図１８に示すように、矩形パターンＡを対象パターンＰＡの外形線に対し内側から接するように敷き詰めると、対象パターンＰＡ内に敷き詰められる矩形パターンＡの数を多くすることが可能となる。

従って、対象パターンＰＡ内により多くの矩形パターンＡを敷き詰めることにより、対象パターンＰＡ内の矩形パターンＢの数を多くすることが可能となり、矩形パターンＢの数を多くすることによりレチクル露光領域を拡大することができる。

図１９は、対象パターンＰＡがＸ軸及びＹ軸に対し斜めとなる外形線でレイアウトされる場合を示す。
図１９（ａ）に示すように、斜め方向の対象パターンＰＡに対し矩形パターンＡを敷き詰め、上記のような処理を行ってレチクル露光パターンを生成すると、図１９（ｂ）に示すように、生成されたレチクル露光パターンＲＰ５の外形線は階段状の段差ｇａとなる。そして、その段差ｇａの１辺の長さは、矩形パターンＡのサイズｓと配置間隔ｄａの和となる。この段差ｇａは、レチクル検査で擬似エラーとなる可能性がある。

そこでこのような場合には、図１９（ｃ）に示すように、段差ｇａを抽出し、同図（ｄ）に示すように、１辺がその段差ｇａと等しい矩形パターンＡｘを各段差ｇａに嵌め込む。そして、同図（ｅ）に示すように、対象パターンＰＡの斜状の外形線と重なる矩形パターンＡｘの対角線をレチクル露光パターンの外形線とし、前記レチクル露光パターンＲＰ５と併合してレチクル露光パターンＲＰ６を生成する。

このような処理を施すことにより、レチクル検査での擬似エラーの発生を防止することができるとともに、レチクル露光領域を拡大することができる。
上記のようなでは、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）レチクル作成ルールから生成した矩形パターンＡを対象パターンＰＡに敷き詰め、その対象パターンＰＡから矩形パターンＢを生成し、その矩形パターンＢの中心位置からレチクル露光パターンのパターン幅及びパターン間隔の検証を行い、違反箇所の修正を行なうことができる。従って、対象パターンＰＡの座標を用いてパターン幅及びパターン間隔の検証を行う必要がないので、検証処理を容易に行うことができる。
（２）矩形パターンＡのサイズｓと配置間隔ｄａは、レチクル作成ルールの最小パターン幅ｗ、最小パターン段差ｇから容易に算出することができる。
（３）矩形パターンＢの１辺に配置する矩形パターンＡの個数Ｎは、レチクル作成ルールの最小パターン幅ｗ、最小パターン段差ｇから容易に算出することができる。
（４）矩形パターンＢの中心位置の間隔に基づいて、最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに違反する箇所を容易に検出することができる。
（５）最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに違反する箇所の矩形パターンＡを削除して矩形パターンＢを再生成し、再生成された矩形パターンＢの中心位置の間隔に基づいて、最小パターン幅ｗ及び最小パターン間隔ｄに違反する箇所があるか否かを検出することにより、違反箇所の修正処理を容易に行うことができる。
（６）最小パターン幅ｗに違反するか否かを検出するには、矩形パターンＢの中心のＸ−Ｙ座標に基づいて、｜Ｘ１−Ｘ２｜の値が最小パターン幅ｗ以下で、かつ｜Ｙ１−Ｙ２｜の値が最小パターン幅ｗ以下であるか否かを算出することにより検出することができる。
（７）最小パターン間隔ｄに違反するか否かを検出するには、矩形パターンＢの中心のＸ−Ｙ座標に基づいて、｜Ｘ１−Ｘ２｜−ｗが最小パターン間隔ｄ未満で、かつ｜Ｙ１−Ｙ２｜−ｗが最小パターン間隔ｄ未満となるか否かを算出することにより検出することができる。
（８）対象パターンＰＡに斜辺が存在するときに、レチクル露光パターンとして生成される階段状の段差ｇａに矩形パターンＡｘを嵌め込み、その矩形パターンＡｘの対角線をレチクル露光パターンとすることができる。レチクル検査時の擬似エラーの発生を防止し、レチクル露光領域を拡大することができる。

上記実施の形態は、以下に示す態様で実施することもできる。
・矩形パターンＡに代えて、グリッド（点）で矩形位置を設定してもよい。この場合には、グリッドの間隔をレチクル作成ルールの最小パターン段差ｇに設定すればよい。
・図１６において、ＥＢ露光パターンＥＢＰ１の凹方向の角部に、高さαの矩形部Ｙを形成したが、矩形以外の階段形状あるいは三角形状のパターンを付加してもよい。
・レチクル露光パターンデータの生成方法として説明したが、露光工程で使用するマスクのパターンデータ生成方法として実施し、そのマスクパターンをマスク基板に生成するようにしてもよい。

本発明のハイブリッド露光用データ作成方法を示すフローチャートである。 レチクル作成ルールを示す説明図である。 矩形パターンＡの生成方法を示す説明図である。 レチクル作成ルールを示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 （ａ）〜（ｃ）はレチクル露光パターンの違反箇所抽出処理を示す説明図である。 矩形パターンＢの抽出処理を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光用データ作成方法を示す説明図である。 （ａ）〜（ｃ）はハイブリッド露光で被りマージンが不足する場合を示す説明図である。 （ａ）（ｂ）はＥＢ露光データの補正処理を示す説明図である。 矩形パターンＡの敷き詰め方法を示す説明図である。 矩形パターンＡの敷き詰め方法を示す説明図である。 （ａ）〜（ｅ）は対象パターンの斜辺部での露光データ生成方法を示す説明図である。 ハイブリッド露光の概念を示す説明図である。 （ａ）〜（ｄ）は従来のレチクル露光データの違反箇所検出処理と修正処理を示す説明図である。

符号の説明

Ａ，Ａｘ 第一の矩形パターン
Ｂ，Ｂ１〜Ｂ７ 第二の矩形パターン
ＰＡ 対象パターン
ｗ 最小パターン幅
ｇ 最小パターン段差
ｄ 最小パターン間隔
ｓ 矩形サイズ
ｄａ 配置間隔
ｍ１ レチクル発生マージン
ｍ２ レチクル被りマージン

Claims (9)

1. レチクル作成ルールから第一の矩形パターンを生成する工程と、
   前記第一の矩形パターンをレチクル露光を行なうための対象パターンに敷き詰め、前記対象パターン内の第一の矩形パターンがＮ×Ｎで配置される第二の矩形パターンを抽出する工程と、
   前記第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づいてレチクル露光パターンのパターン幅及びパターン間隔の違反検出処理と修正処理を行う工程と
   からなることを特徴とする露光用データ作成方法。
2. 前記修正処理は、前記違反検出処理に基づいて違反箇所となった前記第一の矩形パターンを除去することを特徴とする請求項１記載の露光用データ作成方法。
3. 前記修正処理後の第二の矩形パターンを併合してレチクル露光パターンを生成することを特徴とする請求項２記載の露光用データ作成方法。
4. 前記第一の矩形パターンのサイズと配置間隔を、レチクル作成ルールの最小パターン幅と、最小パターン段差から算出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光用データ作成方法。
5. 前記第二の矩形パターンの１辺に配置する前記第一の矩形パターンの個数Ｎは、レチクル作成ルールの最小パターン幅と、最小パターン段差から算出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光用データ作成方法。
6. 前記第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づくパターン幅の違反検出処理は、２つの第二の矩形パターンの中心のＸ−Ｙ座標に基づいて、各中心のＸ座標の間隔及びＹ座標の間隔がレチクル作成ルールで設定された最小パターン幅以下であるか否かを算出することにより検出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光用データ作成方法。
7. 前記第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づくパターン間隔の違反検出処理は、２つの第二の矩形パターンの中心のＸ−Ｙ座標に基づいて、各中心のＸ座標の間隔からレチクル作成ルールで設定された最小パターン幅を減算した値及び各中心のＹ座標の間隔から前記最小パターン幅を減算した値がともに最小パターン間隔未満となるか否かを算出することにより検出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光用データ作成方法。
8. 前記レチクル露光パターンの階段状の段差に、１辺が当該段差の高さに等しい矩形パターンを嵌め込み、その矩形パターンの対角線を抽出してレチクル露光パターンとすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光用データ作成方法。
9. マスク作成ルールから第一の矩形パターンを生成する工程と、
   前記第一の矩形パターンをマスクで露光するための対象パターンに敷き詰め、前記対象パターン内の第一の矩形パターンがＮ×Ｎで配置される第二の矩形パターンを抽出する工程と、
   前記第二の矩形パターンの中心座標間の距離に基づいてマスクパターンのパターン幅及びパターン間隔の違反検出処理と修正処理を行う工程と、
   修正処理後のマスクパターンをマスク基板に生成する工程と
   からなることを特徴とするフォトマスク製造方法。

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