JP2007164006A - マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムおよび露光用マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光用マスクのマスクパターンについての補正処理を行う第1の補正手段1と、その補正結果について所望パターンとの乖離をベストフォーカス条件で検証する第1の検証手段2と、その検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超える箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段3と、抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離をデフォーカス条件で検証する第2の検証手段5と、検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第2の補正手段7とを備えて、マスクパターン補正装置を構成する。
【選択図】図1
Description
しかしながら、実際の露光プロセスでは、様々な変動が加わるため、この変動を考慮した計算を加えることが望ましい。ベストフォーカス条件のみにより歪補正を検証しても、デフォーカス条件で得られる転写像がターゲットパターンと許容範囲を超えて乖離してしまう箇所が発生し得るからである。
図1は、本発明に係るマスクパターン補正装置の機能構成例を示す機能ブロック図である。図例にように、ここで説明するマスクパターン補正装置は、第1の補正手段1と、第1の検証手段2と、危険箇所抽出手段3と、第1のスペック値格納手段4と、第2の検証手段5と、第2のスペック値格納手段6と、第2の補正手段7と、補正結果出力手段8としての機能を備えている。
図2は第1の処理動作例の手順を示すフローチャートであり、図3は第1の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
例えば、図6(a)に示すようなラインエンド部分のパターンについては、ベストフォーカス条件での補正処理を行っても、図6(b)に示すようにEPEが大きくなってしまうおそれがある。このような危険箇所については、ラインエンドを延長させるべく、例えば図6(c)に示すように、当該危険箇所に対応する2箇所の矩形領域で、露光用マスクの光透過ガラス上の箇所を、エッチング箇所として特定し、そのエッチング箇所を露光光の位相180°分に対応する深さでエッチングする。このようにして位相シフト効果を発生させれば、例えば図6(d)に示すように、ラインエンド部分のパターンについても、EPEを大きく改善することが可能となる。つまり、位相シフト効果を用いることにより、EPEを改善するのである。
図7は、本発明に係る露光用マスクの製造方法の手順の具体例を示すフローチャートである。
Claims (7)
- 被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクのマスクパターンについて当該マスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第1の補正手段と、
前記第1の補正手段による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第1の検証手段と、
前記第1の検証手段での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段と、
前記危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第2の検証手段と、
前記第2の検証手段で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第2の補正手段と
を備えることを特徴とするマスクパターン補正装置。 - 前記第2の補正手段は、前記再度の補正処理を、前記第1の補正手段による補正処理とは異なりデフォーカス条件で行う
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正装置。 - 前記第2の補正手段は、前記再度の補正処理を、前記マスクパターンについての補正処理の際に課せられるパターンレイアウト上の制約条件を変更または解除して行う
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正装置。 - 前記第2の補正手段は、前記再度の補正処理にあたり、前記露光用マスクに位相シフト効果を生じさせるためのエッチング箇所を特定する処理を行う
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正装置。 - コンピュータを、
被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクのマスクパターンについて当該マスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第1の補正手段と、
前記第1の補正手段による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第1の検証手段と、
前記第1の検証手段での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段と、
前記危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第2の検証手段と、
前記第2の検証手段で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第2の補正手段と
として機能させることを特徴とするマスクパターン補正プログラム。 - 被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクの製造方法であって、
前記露光用マスクのマスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第1の補正工程と、
前記第1の補正工程による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第1の検証工程と、
前記第1の検証工程での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出工程と、
前記危険箇所抽出工程で抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第2の検証工程と、
前記第2の検証工程で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第2の補正工程と
前記第2の補正工程による補正処理後のマスクパターンを有した露光用マスクを作製するマスク作製工程と
を備えることを特徴とする露光用マスクの製造方法。 - 被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクの製造方法であって、
前記露光用マスクのマスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第1の補正工程と、
前記第1の補正工程による結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第1の検証工程と、
前記第1の検証工程での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出工程と、
前記危険箇所抽出工程で抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第2の検証工程と、
前記第2の検証工程で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第2の補正工程と
前記第1の補正工程による補正処理後のマスクパターンを有した露光用マスクを作製するマスク作製工程と、
前記マスク作製工程で得られた露光用マスクにおけるマスクパターンを、前記第2の補正工程による補正処理後のマスクパターンに合致させるための修正加工を行うパターン修正工程と
を備えることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
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