JP2005148176A - 近接効果補正方法及び近接効果補正装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なえるようにする。
【解決手段】 設計パターン２１に対して、比較的粗いフラグメント２１ａを用いてモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第１のＯＰＣパターン２３を出力する。次に、第１のＯＰＣパターン２３の転写イメージのシミュレーションパターン２４における設計パターン２１に対するズレ量が所定値よりも大きい箇所２５ａ及び２５ｂを出力する。次に、該箇所２５ａ及び２５ｂを新たなフラグメント２３ａに設定して、第１のＯＰＣパターン２３に対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより第２のＯＰＣパターン２７を出力する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、リソグラフィー技術、特に、モデルベースＯＰＣ技術に関するものである。

近年、半導体を用いた大規模集積回路装置（以下、ＬＳＩと称する）の寸法の微細化に伴い、ＬＳＩ製造工程の１つであるリソグラフィー工程においては、設計パターン（目標パターン）の寸法（マスク寸法）と、該設計パターンがレジスト上に転写されてなる転写パターン（レジストパターン）の寸法（加工寸法）との間に生じる差の大きさが無視できなくなってきている。このようなマスク寸法と加工寸法との差を縮小するために、設計パターンに微小な変形を加える技術、つまり近接効果補正（光近接効果補正：Optical Proximity Correction（ＯＰＣ））が用いられている。尚、近年、ＯＰＣにおいて、光学的歪みに対する補正に加えて、プロセス歪みに対する補正を行なう場合もある。本願においては、このような場合もＯＰＣと総称する。

ＯＰＣは、予め求めておいた補正ルール（ＯＰＣルール）に基づき設計パターンの補正を行なうルールベースＯＰＣと、リソグラフィープロセスにおける現象をモデル化したシミュレータにより設計パターンの補正を行なうモデルベースＯＰＣとの２種類に大別される。

ルールベースＯＰＣにおいては、例えばウェハ上におけるテストパターンの寸法測長等によって、予め補正ルールを決めておく。

また、モデルベースＯＰＣに用いられるシミュレーションには、単純にリソグラフィー形状を予測するリソグラフィー形状シミュレーションと、プロセス的要因も組み込んだプロセス形状シミュレーションとがある。すなわち、プロセス形状シミュレーションは、リソグラフィーに加えてドライエッチングやウェットエッチング等のプロセスに起因するレジストパターンの変形要因を考慮した形状シミュレーションであって、一般には、リソグラフィーの光強度シミュレーションに基づいて、その他の変形要因も考慮してレジストパターン形状を予測することを意味する。尚、本願においては、各形状シミュレーション及び光強度シミュレーション等を露光シミュレーション又は単にシミュレーションと総称する。

また、モデルベースＯＰＣの実際の処理においては、特許文献１及び非特許文献１にも述べられているように、シミュレーションに膨大な時間がかかることを防止するため、シミュレータに入力された設計パターンの辺を幾つかの部分（フラグメント）に分割すると共に各フラグメントの代表点（サイト：通常はフラグメントの中点）についてシミュレーションを行なう。すなわち、フラグメント全体についてシミュレーションを行なうと膨大な時間がかかるため、各サイトについてシミュレーションを行なうことによって高速化を実現する。但し、設計パターンの補正はフラグメント単位で行なわれる。具体的には、辺の移動やハンマーヘッド等の図形の付加をフラグメント毎に行なう。以上のように、モデルベースＯＰＣにおいては、各サイトのシミュレーション結果が所望の寸法規格に収まるまで、サイト単位のシミュレーションとフラグメント単位のパターン変形とが繰り返し行なわれる。

図１９は、従来のモデルベースＯＰＣ処理方法のフロー図であり、図２０（ａ）〜（ｃ）は、従来のモデルベースＯＰＣ処理方法の各ステップを説明するための図である。

まず、ステップＳ２０１において、図２０（ａ）に示すような設計パターン２１１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ２０２において、図２０（ｂ）に示すように、設計パターン２１１の各辺を複数のフラグメント２１１ａに分割すると共に、分割された各フラグメント２１１ａの代表点（サイト）２１１ｂを決定する。

次に、ステップＳ２０３において、フラグメント２１１ａ及びサイト２１１ｂを用いてモデルベースＯＰＣを行なって、図２０（ｃ）に示すようなＯＰＣパターン２１３を出力する。すなわち、各サイト２１１ｂの転写位置のシミュレーション結果が所望の寸法規格に収まるまで、サイト単位のシミュレーションとフラグメント単位のパターン変形とを繰り返し行なう。
特表２００２−５４３４７０号公報（特許第３３４３２４６号公報） ニック・コブ（Nick Cobb）他、低複雑性高速マスク設計（Fast low complexity mask design）、エス・ピー・アイ・イー シンポジウム オン マイクロリソグラフィ（SPIE Symposium on Microlithography ）、米国、1995年、Vol.2440、p.313-327

しかしながら、リソグラフィーにおける超解像技術の利用、並びにパターンの微細化及び複雑化に伴い、前述のパターンの分割（フラグメント設定）を適切に行なうことが難しくなってきている。

図２１（ａ）〜（ｄ）及び図２２（ａ）〜（ｃ）は、図１９に示す従来のモデルベースＯＰＣ処理方法の問題点を説明するための図である。

例えばステップＳ２０１において、図２１（ａ）に示すような設計パターン２２１をマスクデータとしてコンピュータに入力した後、ステップＳ２０２において、図２１（ｂ）に示すように、設計パターン２２１の各辺を複数のフラグメント２２１ａに粗く分割し、その後、粗いフラグメント２２１ａを用いてモデルベースＯＰＣを行なって、図２１（ｃ）に示すようなＯＰＣパターン２２３を出力する。ところが、このＯＰＣパターン２３３に基づきマスクを作成し、該マスクを用いて実際にウェハに対してパターン転写を行なうと、図２１（ｄ）に示すように、断線不具合等の不良が生じたパターン２２４が形成されてしまう。このような現象は、特に、輪帯照明等の超解像技術の利用によって顕著に現れるようになってきている。

それに対して、前述の不具合を回避するために細かいフラグメント設定を行なった場合、また別の問題が生じる。すなわち、例えばステップＳ２０１において、図２２（ａ）に示すような設計パターン２３１をマスクデータとしてコンピュータに入力した後、ステップＳ２０２において、図２２（ｂ）に示すように、設計パターン２３１の各辺を複数のフラグメント２３１ａに細かく分割し、その後、細かいフラグメント２３１ａを用いてモデルベースＯＰＣを行なって、図２３（ｃ）に示すようなＯＰＣパターン２３３を出力する。ところが、細かいフラグメント設定に起因して、ＯＰＣパターン２３３の形状は、多数の段差等を持った複雑な形状となるので、マスクデータ量が膨大になると共に、ＯＰＣ等の処理に要する時間も膨大になる。

以上のように、フラグメントが粗すぎるとＯＰＣが不正確になると共に、フラグメントが細かすぎるとマスクデータ量やＯＰＣ処理時間が膨大となるので、適切なフラグメント設定を行なうことは困難である。

前記に鑑み、本発明は、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なえるようにし、それにより、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターンを作成できるようにすることを目的とする。

前記の目的を達成するために、本発明に係る第１の近接効果補正方法は、設計パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、第１の補正パターンを用いて露光シミュレーションを行なう第２の工程と、露光シミュレーションの結果に基づいて第１の補正パターンに対して複数のフラグメントを設定する第３の工程と、複数のフラグメントを用いて第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第４の工程とを備えている。

第１の近接効果補正方法によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１の補正パターン）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。このため、シミュレーション結果を用いて第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメントとして設定することができる。すなわち、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２の補正パターン）を作成することができる。

第１の近接効果補正方法において、第１の工程で、モデルベースＯＰＣに代えてルールベースＯＰＣを行なってもよい。このようにすると、ＯＰＣ処理時間を短縮することができる。

第１の近接効果補正方法において、第２の工程は、露光シミュレーションによりパターニング検証を行なって、設計パターンに対する第１の補正パターンの転写像のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力する工程を含み、第３の工程は、第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことが好ましい。

このようにすると、第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を確実に抽出することができ、それにより、該補正不十分な箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメントとして確実に設定することができる。ここで、パターニング検証とは、所定の条件で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーション像と、設計パターンとを比較検証することを意味する。

第１の近接効果補正方法において、第２の工程は、露光シミュレーションによりコントラスト検証を行なって、第１の補正パターンの転写時のコントラストが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、第３の工程は、第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことが好ましい。

このようにすると、第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を確実に抽出することができ、それにより、該補正不十分な箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメントとして確実に設定することができる。

第１の近接効果補正方法において、第２の工程は、露光シミュレーションによりフォーカスマージン検証を行なって、第１の補正パターンの転写時のフォーカスマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、第３の工程は、第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことが好ましい。

このようにすると、第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を確実に抽出することができ、それにより、該補正不十分な箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメントとして確実に設定することができる。

第１の近接効果補正方法において、第２の工程は、露光シミュレーションにより重ね合わせマージン検証を行なって、第１の補正パターンの転写時の重ね合わせマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、第３の工程は、第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことが好ましい。

このようにすると、第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を確実に抽出することができ、それにより、該補正不十分な箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメントとして確実に設定することができる。

本発明に係る第２の近接効果補正方法は、設計パターンに対してルールベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第２の工程とを備えている。

第２の近接効果補正方法によると、ルールベースＯＰＣを行なうことにより得られた第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する。このため、第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメントとして設定し、それを用いてモデルベースＯＰＣを行なうことができる。すなわち、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２の補正パターン）を作成することができる。

本発明に係る第３の近接効果補正方法は、設計パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第２の工程とを備え、第２の工程は、第１の工程において設計パターンに対して設けられたフラグメントと比べて、より細かいフラグメントを第１の補正パターンの少なくとも一部分に対して設定する工程を含む。

第３の近接効果補正方法によると、２回目のモデルベースＯＰＣにおいて、１回目のモデルベースＯＰＣで用いたフラグメントと比べて、より細かいフラグメントを少なくとも部分的に用いる。すなわち、１回目のモデルベースＯＰＣにより得られた第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメントとして設定し、それを用いて２回目のモデルベースＯＰＣを行なうことができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２の補正パターン）を作成することができる。

本発明に係る近接効果補正装置は、設計パターンを入力するマスク入力部と、マスク入力部に入力された設計パターンに対してモデルベースＯＰＣ又はルールベースＯＰＣを行なうことにより第１の補正パターンを出力するＯＰＣ実行部と、ＯＰＣ実行部から出力された第１の補正パターンを用いて露光シミュレーションを行なって、その結果を出力するシミュレーション実行部と、シミュレーション実行部から出力された結果に基づいて第１の補正パターンに対してフラグメントを設定するフラグ再設定部と、フラグ再設定部により設定されたフラグメントを用いて第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを作成するモデルベースＯＰＣ実行部と、モデルベースＯＰＣ実行部により作成された第２の補正パターンを出力するＯＰＣパターン出力部とを備えている。

本発明の近接効果補正装置によると、ＯＰＣ実行部がＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１の補正パターン）を用いて、シミュレーション実行部が露光シミュレーションを行なう。また、そのシミュレーション結果に基づいてフラグ再設定部が第１の補正パターンに対して設定したフラグメントを用いて、モデルベースＯＰＣ実行部が第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なう。このため、シミュレーション結果を用いて第１の補正パターンにおける補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメントとして設定することができる。すなわち、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２の補正パターン）を作成することができる。

本発明によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１の補正パターン）における補正不十分な箇所を新たなフラグメントに設定し、それを用いてモデルベースＯＰＣを行なうことができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２の補正パターン）を作成することができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法及び近接効果補正装置について図面を参照しながら説明する。

図１は、第１の実施形態に係る近接効果補正装置を実現するのに適したコンピュータ・システムの一例の概略構成図である。

図１に示すように、コンピュータ・システム１の各構成要素はシステム・バス２を介して互いに接続されている。具体的には、コンピュータ本体は、ＣＰＵ３、ＲＯＭ４、ＲＡＭ５及びハードディスク６を有している。また、システム・バス２には、コンピュータ本体に加えて、ディスプレイ装置７、キーボード８及びマウス９等の入出力装置、ＣＤ−ＲＯＭ等の大容量記憶装置１０、並びに通信インターフェース１１が接続されている。ＣＰＵ３は、ディスプレイ装置７、キーボード８、マウス９及び大容量記憶装置１０等との間でデータの入出力を行ないながら所定の処理を行なう。

すなわち、本実施形態の近接効果補正装置は、前述のようなハードウェアとしてのコンピュータ・システム１と、ソフトウェアとしてのＯＰＣプログラムとから構成されるものである。例えばＣＤ−ＲＯＭ等の大容量記憶装置１０に記憶されている本実施形態のＯＰＣプログラムは、ＣＰＵ３を通じて一旦ハードディスク６に格納される。ＣＰＵ３は、ハードディスク６から適宜ＯＰＣプログラムをＲＡＭ５にロードして実行し、それによってＯＰＣ処理を行なう。

尚、以上に説明したコンピュータ・システム１は、本実施形態の近接効果補正装置を実現するための一例にすぎず、これに限定されるものではない。

次に、本実施形態のＯＰＣプログラムを実行するための各機能、つまり本実施形態の近接効果補正装置の各構成部分について説明する。

図２は、第１の実施形態に係る近接効果補正装置の概略構成図である。

図２に示すように、本実施形態の近接効果補正装置は、コンピュータ・システム１の各入出力装置によって実現されるマスク入力部１２及びＯＰＣパターン出力部１８と、コンピュータ・システム１のコンピュータ本体によって実現されるＯＰＣ処理ツール１３とから構成されている。マスク入力部１２は設計パターンの入力に用いられ、ＯＰＣ処理ツール１３はＯＰＣパターンの作成に用いられ、ＯＰＣパターン出力部１８はＯＰＣパターンの出力に用いられる。また、ＯＰＣ処理ツール１３は、マスク入力部１２に入力された設計パターンに対してモデルベースＯＰＣ又はルールベースＯＰＣを行なうことにより第１のＯＰＣパターンを出力するＯＰＣ実行部１４と、ＯＰＣ実行部１４から出力された第１のＯＰＣパターンを用いて露光シミュレーションを行なって、その結果を出力するシミュレーション実行部１５と、シミュレーション実行部１５から出力された結果に基づいて第１のＯＰＣパターンに対してフラグメントを設定するフラグ再設定部１６と、フラグ再設定部１６により設定されたフラグメントを用いて第１のＯＰＣパターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２のＯＰＣパターンを作成するモデルベースＯＰＣ実行部１７とを有している。

次に、図２に示す本実施形態の近接効果補正装置を用いて実施される本実施形態の近接効果補正方法、具体的には、モデルベースＯＰＣに基づくＯＰＣ処理方法について説明する。

図３は、第１の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図４（ａ）〜（ｇ）は、第１の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。

まず、ステップＳ１１において、マスク入力部１２を用いて、図４（ａ）に示すような設計パターン２１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ１２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、図４（ｂ）に示すように、設計パターン２１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント２１ａに分割し、該各フラグメント２１ａを用いてモデルベースＯＰＣ処理を行なった後、ステップＳ１３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図４（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン２３を出力する。

次に、ステップＳ１４において、シミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン２３に対してリソグラフィ・パターニング検証を行なった後、ステップＳ１５において、同じくシミュレーション実行部１５を用いて、設計パターン２１に対する第１のＯＰＣパターン２３の転写像（シミュレーション像）のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力する。

具体的には、第１のＯＰＣパターン２３に対して所定の条件で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーションパターン２４（図４（ｄ）参照）を出力し、設計パターン２１に対するシミュレーションパターン２４のズレの大きさ（ズレ量）の判定を行なって、ズレ量が所定値よりも大きい箇所（例えば図４（ｅ）に示す箇所２５ａ及び２５ｂ）を出力する。

次に、ステップＳ１６において、フラグ再設定部１６を用いて、ステップＳ１５でズレ量が大きいと判定された箇所が次のモデルベースＯＰＣにおけるシミュレーション対象となるように、第１のＯＰＣパターン２３の各辺を比較的細かい複数のフラグメント２３ａ（図４（ｆ）参照）に分割する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント２３ａに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン２３に対して行なうことにより、図４（ｇ）に示すような第２のＯＰＣパターン２７を作成する。

最後に、ステップＳ１７において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン２７を出力する。

ここで、ステップＳ１２の処理内容について詳しく説明する。図５は、ステップＳ１２の処理を示すフロー図であり、図６（ａ）〜（ｇ）は、ステップＳ１２の処理を説明するための図である。

ステップＳ１２においては、まず、図６（ａ）に示すように、設計パターン２１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント２１ａに分割した後、図６（ｂ）に示すように、分割された各フラグメント２１ａの中点にサイト２１ｂを設定する（ステップＳ１２１）。次に、シミュレーションにより、各サイト２１ｂでの予想仕上がり寸法を求め、該寸法に基づき、例えばフラグメント２１ａを移動させることにより、設計パターン２１に対して補正（マスクパターン補正）を行なう（ステップＳ１２２）。例えば、図６（ｃ）に示すように、各サイト２１ｂでの予想仕上がり寸法に基づいて、設計パターン２１の転写像の予想形状２２が設計パターン２１よりも太くなりすぎていると判断される場合、図６（ｄ）に示すように、予想形状２２が細くなるようにマスクパターン補正（例えばフラグメント２１ａの移動）を行なう。また、この補正の結果、図６（ｅ）に示すように、予想形状２２が設計パターン２１よりも細くなりすぎてしまった場合、図６（ｆ）に示すように、予想形状２２が少し太くなるようにマスクパターン補正を行なう。

以上のようなステップＳ１２２におけるフラグメント２１ａの移動等によるマスクパターン補正とそれを反映したサイト２１ｂ単位のシミュレーションとは、ステップＳ１２３において、例えば図６（ｇ）に示すように、予想形状２２と設計パターン２１とが一致又はほぼ一致するまで、つまり、シミュレーション結果（各サイト２１ｂでの予想仕上がり寸法）が所望の寸法規格に収まるまで、繰り返し行なわれる。

尚、図６（ｃ）〜（ｇ）においては、図６（ｂ）における一点鎖線で囲まれた領域を拡大して示していると共に、図６（ｄ）〜（ｇ）においては、当初の設計パターン２１の形状を破線で示している。

続いて、ステップＳ１３からステップＳ１７までの処理内容について詳しく説明する。図７は、ステップＳ１３からステップＳ１７までの処理を示すフロー図であり、図８（ａ）〜（ｆ）はステップＳ１３からステップＳ１７までの処理を説明するための図である。

まず、ステップＳ１３において、目標となる設計パターン２１に対してモデルベースＯＰＣ処理を行なうことにより得られた第１のＯＰＣパターン２３（図８（ａ）参照）を出力する。その後、ステップＳ１３１において、図８（ｂ）に示すように、第１のＯＰＣパターン２３の各辺を、パターニング検証のためのシミュレーションに用いる細かい複数のフラグメント２３ｃに分割すると共に、該分割された各フラグメント２３ｃの中点に複数のサイト２３ｄを設定する。その後、ステップＳ１４において、各サイト２３ｄを用いて、第１のＯＰＣパターン２３に対して所定の条件で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーションパターン２４（図８（ｃ）参照）を出力する。次に、ステップＳ１５において、設計パターン２１に対するシミュレーションパターン２４のズレ量が所定値よりも大きい箇所（例えば図８（ｄ）に示す箇所２５ａ及び２５ｂ）を出力する。次に、ステップＳ１６１において、図８（ｅ）に示すように、ステップＳ１５でズレ量が大きいと判定された箇所（正確には該箇所を含むフラグメント２３ｃ）を、次のモデルベースＯＰＣで用いる新たなフラグメント２３ａとして設定する。その後、ステップＳ１６において、フラグメント２３ａを用いて第１のＯＰＣパターン２３に対してモデルベースＯＰＣ処理を行なうことにより、第２のＯＰＣパターン２７（図８（ｆ）参照）を作成した後、ステップＳ１７において、第２のＯＰＣパターン２７を出力する。尚、ステップＳ１６１を含むステップＳ１６の処理内容の詳細は、基本的に前述のステップＳ１２と同様である。

以上に説明したように、第１の実施形態によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１のＯＰＣパターン２３）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント２３ａの設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。具体的には、露光シミュレーションによりパターニング検証を行なって、設計パターン２１に対する第１のＯＰＣパターン２３の転写像（シミュレーションパターン２４）のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力し、該箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント２３ａとして設定してモデルベースＯＰＣを行なう。すなわち、シミュレーション結果を用いて第１のＯＰＣパターン２３における補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメント２３ａとして設定することができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン２７）を作成することができる。

尚、第１の実施形態において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン２１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン２１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。すなわち、例えばステップＳ１４において、シミュレーションパターン２４と比較されるパターンは該ターゲットパターンとなる。

また、第１の実施形態において、ステップＳ１４では必ずしも第１のＯＰＣパターン２３の転写イメージの全体をシミュレーションパターン２４として生成する必要はない。すなわち、予め第１のＯＰＣパターン２３に設定されているサイト（２３ｄ）における転写像の予想寸法のみを計算し、該計算結果を後続のステップで用いてもよい。このようにすると、コンピュータによる計算時間を短縮することができる。

（第１の実施形態の変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の変形例に係る近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。本変形例が第１の実施形態と異なっている点は、第１の実施形態では１回目のＯＰＣ（ラフなＯＰＣ）として粗いフラグメント設定に基づくモデルベースＯＰＣを用いたのに対して、本変形例ではラフなＯＰＣとしてルールベースＯＰＣを用いることである。一般にルールベースＯＰＣに要する処理時間はモデルベースＯＰＣに要する処理時間よりも短いため、本変形例はＯＰＣ処理時間の短縮に効果がある。尚、本変形例の近接効果補正方法も、図１に示すようなコンピュータ・システムにより実現される、図２に示すような近接効果補正装置を用いて実施されるものである。

図９は、本変形例に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図１０（ａ）〜（ｇ）は、本変形例に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。尚、以下の説明においては、適宜、図２に示す近接効果補正装置の構成要素を参照する。

まず、ステップＳ３１において、マスク入力部１２を用いて、図１０（ａ）に示すような設計パターン４１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ３２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、予め求めておいた補正ルールに基づいて設計パターン４１に対してルールベースＯＰＣ処理を行なう。ここで、補正ルールとしては、例えばライン幅に応じてライン幅寸法の変更を行なうライン補正、及びライン端にハンマーヘッドと呼ばれる図形を付加するハンマーヘッド補正等がある。図１０（ｂ）に、ライン補正により得られる部分パターン４２ａと、ハンマーヘッド補正により得られる部分パターン４２ｂとを示す。その後、ステップＳ３３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図１０（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン（ルールベースＯＰＣパターン）４２を出力する。

次に、ステップＳ３４において、シミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン４２に対してリソグラフィ・パターニング検証を行なった後、ステップＳ３５において、同じくシミュレーション実行部１５を用いて、設計パターン４１に対する第１のＯＰＣパターン４２の転写像（シミュレーション像）のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力する。

具体的には、第１のＯＰＣパターン４２に対して所定の条件で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーションパターン４３（図１０（ｄ）参照）を出力し、設計パターン４１に対するシミュレーションパターン４３のズレの大きさ（ズレ量）の判定を行なって、ズレ量が所定値よりも大きい箇所（例えば図１０（ｅ）に示す箇所４４ａ及び４４ｂ）を出力する。

次に、ステップＳ３６において、フラグ再設定部１６を用いて、第１のＯＰＣパターン４２の各辺を比較的細かい複数のフラグメント４２ｃ（図１０（ｆ）参照）に分割する。このとき、ステップＳ３５でズレ量が大きいと判定された箇所（又は該箇所を含む任意の領域）をフラグメント４２ｃとして設定する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント４２ｃに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン４２に対して行なうことにより、図１０（ｇ）に示すような第２のＯＰＣパターン４６を作成する。

最後に、ステップＳ４７において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン４６を出力する。尚、本変形例におけるステップＳ３３からステップＳ３７までの処理内容の詳細は、基本的に第１の実施形態のステップＳ１３からステップＳ１７までの処理内容と同様である。

以上に説明したように、本変形例によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１のＯＰＣパターン４２）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント４２ｃの設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。具体的には、露光シミュレーションによりパターニング検証を行なって、設計パターン４１に対する第１のＯＰＣパターン４２の転写像（シミュレーションパターン４３）のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力し、該箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント４２ｃとして設定してモデルベースＯＰＣを行なう。すなわち、シミュレーション結果を用いて第１のＯＰＣパターン４２における補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメント４２ｃとして設定することができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン４６）を作成することができる。

また、本変形例によると、１回目のＯＰＣとして、モデルベースＯＰＣに代えてルールベースＯＰＣを行なうため、ＯＰＣ処理時間を短縮することができる。

尚、本変形例において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン４１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン４１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。すなわち、例えばステップＳ３４において、シミュレーションパターン４３と比較されるパターンは該ターゲットパターンとなる。

また、本変形例において、ステップＳ４４では必ずしも第１のＯＰＣパターン４２の転写イメージの全体をシミュレーションパターン４３として生成する必要はない。すなわち、予め第１のＯＰＣパターン４２に設定されているサイトにおける予想寸法のみを計算し、該計算結果を後続のステップで用いてもよい。このようにすると、コンピュータによる計算時間を短縮することができる。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の近接効果補正方法も、図１に示すようなコンピュータ・システムにより実現される、図２に示すような近接効果補正装置を用いて実施される。

図１１は、第２の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図１２（ａ）〜（ｇ）は、第２の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。尚、以下の説明においては、適宜、図２に示す近接効果補正装置の構成要素を参照する。

まず、ステップＳ５１において、マスク入力部１２を用いて、図１２（ａ）に示すような設計パターン６１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ５２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、図１２（ｂ）に示すように、設計パターン６１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント６１ａに分割し、該各フラグメント６１ａを用いてモデルベースＯＰＣ処理を行なう。尚、本実施形態におけるステップＳ５２の処理内容の詳細は、基本的に第１の実施形態のステップＳ１２の処理内容と同様である。続いて、ステップＳ５３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図１２（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン６３を出力する。

次に、ステップＳ５４において、シミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン６３に対してリソグラフィ・コントラスト検証を行なった後、ステップＳ５５において、同じくシミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン６３の転写時のコントラストが所定値よりも小さい箇所を出力する。

具体的には、第１のＯＰＣパターン６３に対して所定の条件で露光を行なった場合に得られる光強度分布６４（図１２（ｄ）参照）を計算し、コントラスト不足の箇所（例えば図１２（ｅ）に示す箇所６５ａ及び６５ｂ）を出力する。

次に、ステップＳ５６において、フラグ再設定部１６を用いて、第１のＯＰＣパターン６３の各辺を比較的細かい複数のフラグメント６３ａ（図１２（ｆ）参照）に分割する。このとき、ステップＳ５５でコントラスト不足と判定された箇所（又は該箇所を含む任意の領域）をフラグメント６３ａとして設定する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント６３ａに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン６３に対して行なうことにより、図１２（ｇ）に示すような第２のＯＰＣパターン６７を作成する。

最後に、ステップＳ５７において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン６７を出力する。

以上に説明したように、第２の実施形態によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１のＯＰＣパターン６３）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント６３ａの設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。具体的には、露光シミュレーションによりコントラスト検証を行なって、第１のＯＰＣパターン６３の転写時のコントラストが所定値よりも小さい箇所を出力し、該箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント６３ａとして設定してモデルベースＯＰＣを行なう。すなわち、シミュレーション結果を用いて第１のＯＰＣパターン６３における補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメント６３ａとして設定することができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン６７）を作成することができる。

尚、第２の実施形態において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン６１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン６１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。

また、第２の実施形態において、１回目のＯＰＣ（ラフなＯＰＣ）として粗いフラグメント設定に基づくモデルベースＯＰＣを用いたが、これに代えて、第１の実施形態の変形例と同様にルールベースＯＰＣを用いてもよい。このようにすると、一般にルールベースＯＰＣに要する処理時間はモデルベースＯＰＣに要する処理時間よりも短いため、ＯＰＣ処理時間の短縮に効果がある。

（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の近接効果補正方法も、図１に示すようなコンピュータ・システムにより実現される、図２に示すような近接効果補正装置を用いて実施される。

図１３は、第３の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図１４（ａ）〜（ｇ）は、第３の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。尚、以下の説明においては、適宜、図２に示す近接効果補正装置の構成要素を参照する。

まず、ステップＳ７１において、マスク入力部１２を用いて、図１４（ａ）に示すような設計パターン８１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ７２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、図１４（ｂ）に示すように、設計パターン８１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント８１ａに分割し、該各フラグメント８１ａを用いてモデルベースＯＰＣ処理を行なう。尚、本実施形態におけるステップＳ７２の処理内容の詳細は、基本的に第１の実施形態のステップＳ１２の処理内容と同様である。続いて、ステップＳ７３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図１４（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン８３を出力する。

次に、ステップＳ７４において、シミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン８３に対してリソグラフィ・フォーカスマージン検証を行なった後、ステップＳ７５において、同じくシミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン８３の転写時のフォーカスマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する。

フォーカスマージン検証方法は種々考えられるが、本実施形態では、例えば第１のＯＰＣパターン８３に対してデフォーカス条件（例えばベストフォーカス位置から０．３μｍデフォーカスさせた条件）で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーションパターン８４（図１４（ｄ）参照）を出力し、設計パターン８１に対するシミュレーションパターン８４のズレの大きさ（ズレ量）の判定を行なって、ズレ量が所定値よりも大きい箇所（例えば図１４（ｅ）に示す箇所８５ａ及び８５ｂ）を出力する。

次に、ステップＳ７６において、フラグ再設定部１６を用いて、第１のＯＰＣパターン８３の各辺を比較的細かい複数のフラグメント８３ａ（図１４（ｆ）参照）に分割する。このとき、ステップＳ７５でフォーカスマージン不足と判定された箇所（又は該箇所を含む任意の領域）をフラグメント８３ａとして設定する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント８３ａに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン８３に対して行なうことにより、図１４（ｇ）に示すような第２のＯＰＣパターン８７を作成する。

最後に、ステップＳ７７において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン８７を出力する。

以上に説明したように、第３の実施形態によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１のＯＰＣパターン８３）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント８３ａの設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。具体的には、露光シミュレーションによりフォーカスマージン検証を行なって、第１のＯＰＣパターン８３の転写時のフォーカスマージンが所定値よりも小さい箇所を出力し、該箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント８３ａとして設定してモデルベースＯＰＣを行なう。すなわち、シミュレーション結果を用いて第１のＯＰＣパターン８３における補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメント８３ａとして設定することができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン８７）を作成することができる。

尚、第３の実施形態において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン８１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン８１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。

また、第３の実施形態において、１回目のＯＰＣ（ラフなＯＰＣ）として粗いフラグメント設定に基づくモデルベースＯＰＣを用いたが、これに代えて、第１の実施形態の変形例と同様にルールベースＯＰＣを用いてもよい。このようにすると、一般にルールベースＯＰＣに要する処理時間はモデルベースＯＰＣに要する処理時間よりも短いため、ＯＰＣ処理時間の短縮に効果がある。

（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の近接効果補正方法も、図１に示すようなコンピュータ・システムにより実現される、図２に示すような近接効果補正装置を用いて実施される。

図１５は、第４の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図１６（ａ）〜（ｇ）は、第４の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。尚、以下の説明においては、適宜、図２に示す近接効果補正装置の構成要素を参照する。

まず、ステップＳ９１において、マスク入力部１２を用いて、図１６（ａ）に示すような設計パターン１０１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ９２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、図１６（ｂ）に示すように、設計パターン１０１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント１０１ａに分割し、該各フラグメント１０１ａを用いてモデルベースＯＰＣ処理を行なう。尚、本実施形態におけるステップＳ９２の処理内容の詳細は、基本的に第１の実施形態のステップＳ１２の処理内容と同様である。続いて、ステップＳ９３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図１６（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン１０３を出力する。

次に、ステップＳ９４において、シミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン１０３に対して、他層との間における重ね合わせマージン検証を行なった後、ステップＳ９５において、同じくシミュレーション実行部１５を用いて、第１のＯＰＣパターン１０３の転写時の重ね合わせマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する。

重ね合わせマージン検証方法は種々考えられるが、本実施形態では、例えば第１のＯＰＣパターン１０３に対して所定の条件で露光を行なった場合に得られる転写イメージのシミュレーションパターン１０４ａ（図１６（ｄ）参照）を出力する。その後、別途求められた、上層又は下層に形成される他のパターン（例えば図１６（ｄ）に示すコンタクトパターン１０４ｂ及び１０４ｃ）のエッジからシミュレーションパターン１０４ａまでの距離を測定して、該距離が所定値よりも大きい箇所（例えば図１６（ｅ）に示す箇所１０５ａ及び１０５ｂ）を出力する。

次に、ステップＳ９６において、フラグ再設定部１６を用いて、第１のＯＰＣパターン１０３の各辺を比較的細かい複数のフラグメント１０３ａ（図１６（ｆ）参照）に分割する。このとき、ステップＳ９５で重ね合わせマージン不足と判定された箇所（又は該箇所を含む任意の領域）をフラグメント１０３ａとして設定する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント１０３ａに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン１０３に対して行なうことにより、図１６（ｇ）に示すような第２のＯＰＣパターン１０７を作成する。

最後に、ステップＳ９７において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン１０７を出力する。

以上に説明したように、第４の実施形態によると、一旦ＯＰＣを行なうことにより得られた補正パターン（第１のＯＰＣパターン１０３）を用いて露光シミュレーションを行ない、その結果に基づいて新たなフラグメント１０３ａの設定を行なってモデルベースＯＰＣを行なう。具体的には、露光シミュレーションにより重ね合わせマージン検証を行なって、第１のＯＰＣパターン１０３の転写時の重ね合わせマージンが所定値よりも小さい箇所を出力し、該箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント１０３ａとして設定してモデルベースＯＰＣを行なう。すなわち、シミュレーション結果を用いて第１のＯＰＣパターン１０３における補正不十分な箇所を抽出することができるので、該箇所又は該箇所を含む任意の領域を新たなフラグメント１０３ａとして設定することができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン１０７）を作成することができる。

尚、第４の実施形態において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン１０１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン１０１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。

また、第４の実施形態において、１回目のＯＰＣ（ラフなＯＰＣ）として粗いフラグメント設定に基づくモデルベースＯＰＣを用いたが、これに代えて、第１の実施形態の変形例と同様にルールベースＯＰＣを用いてもよい。このようにすると、一般にルールベースＯＰＣに要する処理時間はモデルベースＯＰＣに要する処理時間よりも短いため、ＯＰＣ処理時間の短縮に効果がある。

さらに、第１〜第４の実施形態において、最初のＯＰＣパターンにおける補正不十分な箇所を抽出するために、露光シミュレーションを用いた、パターニング検証、コントラスト検証、フォーカスマージン検証及び重ね合わせマージン検証のうちのいずれか１つを行なった。しかし、各実施形態において、露光シミュレーションを用いた、その他の検証を行なってもよいし、又は複数の検証を任意に組み合わせて併用してもよい。

（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態に係る近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の近接効果補正方法も、図１に示すようなコンピュータ・システムにより実現される、図２に示すような近接効果補正装置を用いて実施される。

図１７は、第５の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図であり、図１８（ａ）〜（ｅ）は、第５の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。尚、以下の説明においては、適宜、図２に示す近接効果補正装置の構成要素を参照する。

まず、ステップＳ１１１において、マスク入力部１２を用いて、図１８（ａ）に示すような設計パターン１２１をマスクデータとしてコンピュータに入力する。

次に、ステップＳ１１２において、ＯＰＣ実行部１４を用いて、図１８（ｂ）に示すように、設計パターン１２１の各辺を比較的粗い複数のフラグメント１２１ａに分割し、該各フラグメント１２１ａを用いてモデルベースＯＰＣ処理を行なう。尚、本実施形態におけるステップＳ１１２の処理内容の詳細は、基本的に第１の実施形態のステップＳ１２の処理内容と同様である。続いて、ステップＳ１１３において、同じくＯＰＣ実行部１４を用いて、図１８（ｃ）に示すような第１のＯＰＣパターン１２３を出力する。

次に、ステップＳ１１４において、フラグ再設定部１６を用いて、第１のＯＰＣパターン１２３の各辺を比較的細かい複数のフラグメント１２３ａ（図１８（ｄ）参照）に分割する。その後、モデルベースＯＰＣ実行部１７を用いて、複数のフラグメント１２３ａに基づくモデルベースＯＰＣ処理を第１のＯＰＣパターン１２３に対して行なうことにより、図１８（ｅ）に示すような第２のＯＰＣパターン１２５を作成する。

最後に、ステップＳ１１５において、ＯＰＣパターン出力部１８を用いて、第２のＯＰＣパターン１２５を出力する。

本実施形態の特徴は、ステップＳ１１４において、ステップＳ１１２で設計パターン１２１に対して設けられたフラグメント１２１ａと比べて、より細かいフラグメント１２３ａを第１のＯＰＣパターン１２３の少なくとも一部分に対して設定することである。

従って、第５の実施形態によると、１回目のモデルベースＯＰＣにより得られた第１のＯＰＣパターン１２３における補正不十分な箇所（該箇所を含む任意の領域でもよい）を新たなフラグメント１２３ａとして設定し、それを用いて２回目のモデルベースＯＰＣを行なうことができる。このため、モデルベースＯＰＣ処理において適切なフラグメント設定を行なうことができるので、必要十分な箇所についてのみ補正を行なうことができる。従って、マスクデータ量やＯＰＣ処理時間の増大を防止しつつ、パターン転写精度を十分に向上させることができる補正パターン（第２のＯＰＣパターン１２５）を作成することができる。

また、第５の実施形態によると、第１〜第４の実施形態と比べてマスクデータ量が若干増大する可能性がある一方、パターニング検証等の露光シミュレーションを用いた検証を行なう必要がないので、第１〜第４の実施形態と比べてＯＰＣ処理時間をより一層短縮することができる。

尚、第５の実施形態において、ＯＰＣ処理の前に、設計パターン１２１に対して所定の変形操作が行なわれている場合（該変形操作が加えられてなるパターンをターゲットパターンと称する）、マスクデータとして本実施形態の近接効果補正装置に入力されるのは、設計パターン１２１ではなくターゲットパターンとなることは言うまでもない。

また、第５の実施形態において、１回目のＯＰＣ（ラフなＯＰＣ）として粗いフラグメント設定に基づくモデルベースＯＰＣを用いたが、これに代えて、第１の実施形態の変形例と同様にルールベースＯＰＣを用いてもよい。このようにすると、一般にルールベースＯＰＣに要する処理時間はモデルベースＯＰＣに要する処理時間よりも短いため、ＯＰＣ処理時間の短縮に効果がある。

本発明は、近接効果補正に関し、リソグラフィー技術を用いた半導体集積回路装置の製造等に利用した場合に特に有用である。

本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正装置を実現するのに適したコンピュータ・システムの一例の概略構成図である。 本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正装置の概略構成図である。 本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法のステップＳ１２の処理を示すフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法のステップＳ１２の処理を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法のステップＳ１３からステップＳ１７までの処理を示すフロー図である。 （ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る近接効果補正方法のステップＳ１３からステップＳ１７までの処理を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態の変形例に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施形態の変形例に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 本発明の第２の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第２の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第３の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 本発明の第４の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第４の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 本発明の第５の実施形態に係る近接効果補正方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第５の実施形態に係る近接効果補正方法の各ステップを説明するための図である。 従来のモデルベースＯＰＣ処理方法のフロー図である。 （ａ）〜（ｃ）は従来のモデルベースＯＰＣ処理方法の各ステップを説明するための図である。 （ａ）〜（ｄ）は従来のモデルベースＯＰＣ処理方法の問題点を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は従来のモデルベースＯＰＣ処理方法の問題点を説明するための図である。

符号の説明

１ コンピュータ・システム
２ システム・バス
３ ＣＰＵ
４ ＲＯＭ
５ ＲＡＭ
６ ハードディスク
７ ディスプレイ装置
８ キーボード
９ マウス
１０ 大容量記憶装置
１１ 通信インターフェース
１２ マスク入力部
１３ ＯＰＣ処理ツール
１４ ＯＰＣ実行部
１５ シミュレーション実行部
１６ フラグ再設定部
１７ モデルベースＯＰＣ実行部
１８ ＯＰＣパターン出力部
２１ 設計パターン
２１ａ フラグメント
２１ｂ サイト
２２ 設計パターン２１の転写像の予想形状
２３ 第１のＯＰＣパターン
２３ａ フラグメント
２３ｃ フラグメント
２３ｄ サイト
２４ シミュレーションパターン
２５ａ シミュレーションパターン２４のズレ量が所定値よりも大きい箇所
２５ｂ シミュレーションパターン２４のズレ量が所定値よりも大きい箇所
２７ 第２のＯＰＣパターン
４１ 設計パターン
４２ 第１のＯＰＣパターン
４２ａ 部分パターン
４２ｂ 部分パターン
４２ｃ フラグメント
４３ シミュレーションパターン
４４ａ シミュレーションパターン４３のズレ量が所定値よりも大きい箇所
４４ｂ シミュレーションパターン４３のズレ量が所定値よりも大きい箇所
４６ 第２のＯＰＣパターン
６１ 設計パターン
６１ａ フラグメント
６３ 第１のＯＰＣパターン
６３ａ フラグメント
６４ 光強度分布
６５ａ コントラスト不足の箇所
６５ｂ コントラスト不足の箇所
６７ 第２のＯＰＣパターン
８１ 設計パターン
８１ａ フラグメント
８３ 第１のＯＰＣパターン
８３ａ フラグメント
８４ シミュレーションパターン
８５ａ フォーカスマージン不足の箇所
８５ｂ フォーカスマージン不足の箇所
８７ 第２のＯＰＣパターン
１０１ 設計パターン
１０１ａ フラグメント
１０３ 第１のＯＰＣパターン
１０３ａ フラグメント
１０４ａ シミュレーションパターン
１０４ｂ コンタクトパターン
１０４ｃ コンタクトパターン
１０５ａ 重ね合わせマージン不足の箇所
１０５ｂ 重ね合わせマージン不足の箇所
１０７ 第２のＯＰＣパターン
１２１ 設計パターン
１２１ａ フラグメント
１２３ 第１のＯＰＣパターン
１２３ａ フラグメント
１２５ 第２のＯＰＣパターン

Claims (9)

1. 設計パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、
   前記第１の補正パターンを用いて露光シミュレーションを行なう第２の工程と、
   前記露光シミュレーションの結果に基づいて前記第１の補正パターンに対して複数のフラグメントを設定する第３の工程と、
   前記複数のフラグメントを用いて前記第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第４の工程とを備えていることを特徴とする近接効果補正方法。
2. 前記第１の工程において、モデルベースＯＰＣに代えてルールベースＯＰＣを行なうことを特徴とする請求項１に記載の近接効果補正方法。
3. 前記第２の工程は、前記露光シミュレーションによりパターニング検証を行なって、前記設計パターンに対する前記第１の補正パターンの転写像のズレ量が所定値よりも大きい箇所を出力する工程を含み、
   前記第３の工程は、前記第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の近接効果補正方法。
4. 前記第２の工程は、前記露光シミュレーションによりコントラスト検証を行なって、前記第１の補正パターンの転写時のコントラストが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、
   前記第３の工程は、前記第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の近接効果補正方法。
5. 前記第２の工程は、前記露光シミュレーションによりフォーカスマージン検証を行なって、前記第１の補正パターンの転写時のフォーカスマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、
   前記第３の工程は、前記第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の近接効果補正方法。
6. 前記第２の工程は、前記露光シミュレーションにより重ね合わせマージン検証を行なって、前記第１の補正パターンの転写時の重ね合わせマージンが所定値よりも小さい箇所を出力する工程を含み、
   前記第３の工程は、前記第２の工程により出力された箇所をフラグメントとして設定する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の近接効果補正方法。
7. 設計パターンに対してルールベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、
   前記第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第２の工程とを備えていることを特徴とする近接効果補正方法。
8. 設計パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第１の補正パターンを出力する第１の工程と、
   前記第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを出力する第２の工程とを備え、
   前記第２の工程は、前記第１の工程において前記設計パターンに対して設けられたフラグメントと比べて、より細かいフラグメントを前記第１の補正パターンの少なくとも一部分に対して設定する工程を含むことを特徴とする近接効果補正方法。
9. 設計パターンを入力するマスク入力部と、
   前記マスク入力部に入力された前記設計パターンに対してモデルベースＯＰＣ又はルールベースＯＰＣを行なうことにより第１の補正パターンを出力するＯＰＣ実行部と、
   前記ＯＰＣ実行部から出力された前記第１の補正パターンを用いて露光シミュレーションを行なって、その結果を出力するシミュレーション実行部と、
   前記シミュレーション実行部から出力された結果に基づいて前記第１の補正パターンに対してフラグメントを設定するフラグ再設定部と、
   前記フラグ再設定部により設定された前記フラグメントを用いて前記第１の補正パターンに対してモデルベースＯＰＣを行なうことにより、第２の補正パターンを作成するモデルベースＯＰＣ実行部と、
   モデルベースＯＰＣ実行部により作成された前記第２の補正パターンを出力するＯＰＣパターン出力部とを備えていることを特徴とする近接効果補正装置。

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