CN116736626A - 光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟在兼顾了较低算力占用的同时，解决坏点。
Description
技术领域
本发明涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
当前用于大规模集成电路制造的光刻系统主要包括单色激光光源、掩模版、光学投射系统，及晶片等部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩模版，经过掩模版透光由投射系统入射至晶片上的光阻进行曝光，再经过清洗和蚀刻，掩模上的图形就被复制到晶片上。
目前主流的光刻系统使用波长193nm的氟化氩深紫外光源（投影透镜浸入于水中），用于光刻工艺节点28nm-7nm，电路的关键尺寸已经远远小于光源的波长，因此光的干涉和衍射现象更加强烈，加上显著而复杂的掩模版厚度及光阻效应，极大的影响了光刻工艺的成像质量。为此工艺流程必须采用基于系统仿真的分辨率增强技术，以显著提高成像效果。
基于模型的光学临近效应校正技术（Model-based OPC，简称MBOPC）是一种重要的光刻分辨率增强技术，采用仿真和数学优化算法修改设计图形并生成掩模版图，从而提高光刻系统分辨率和所设计图形保真度，其具体工作流程中，输入的设计图形可以在多边形的边界将边拆解成段（边段），然后优化移动以形成新的掩模版多边形。
绝大多数的边段都可以用简单的多次负反馈迭代方式进行移动优化，或者用稍微复杂的矩阵计算求解器来迭代以考虑边段之间的主要的光学相互作用，经过多次迭代这些边段一般都能达到收敛，也即得到确定位置的仿真最优解，但对于很多挑战性的坏点区域，以上的传统迭代无法达到合理的优化收敛效果，而且也无法再次运用这些方法加以修复。
因此，如何在算力允许、不显著增加模拟时长的情况下，使光学邻近修正中的坏点收敛，得到符合生产工艺要求及目标版图要求的掩膜图形，是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
为解决上述技术问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：
获取目标版图；
对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；
确定所述全芯掩膜上的坏点；
根据所述坏点确定待调区域；
对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；
求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；
根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述根据所述坏点确定待调区域包括：
根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；
相应地，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：
对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；
相应地，所述根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜包括：
根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：
对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据包括：
通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述生产工艺要求包括MRC要求及掩膜版对称性要求中的至少一种。
一种光学邻近修正装置，包括：
获取模块，用于获取目标版图；
MBOPC模块，用于对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；
坏点模块，用于确定所述全芯掩膜上的坏点；
划区模块，用于根据所述坏点确定待调区域；
扰动模块，用于对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
约束模块，用于根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；
求解模块，用于求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；
修正模块，用于根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
可选地，在所述的光学邻近修正装置中，所述划区模块包括：
分层划区单元，用于根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；
相应地，所述扰动模块包括：
分层扰动单元，用于对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；
相应地，所述修正模块包括：
分层修正单元，用于根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
可选地，在所述的光学邻近修正装置中，所述扰动模块包括：
逐一扰动单元，用于对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
一种光学邻近修正设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。
本发明所提供的光学邻近修正方法，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，进而解决坏点。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的光学邻近修正装置、设备及计算机可读存储介质。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的光学邻近修正方法的一种具体实施方式的流程示意图；
图2为本发明提供的光学邻近修正方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
图3为本发明提供的光学邻近修正装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的核心是提供一种光学邻近修正方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：
S101：获取目标版图。
所述目标版图指需要达到的电路版图。
S102：对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜。
在相关技术中，对所述目标版图进行的全局MBOPC模拟，并不会涉及全部的物理参数，否则将极大增加运算量，使MBOPC模拟的耗时大幅增加，在工程上不具备可行性；因此，目前全局的MBOPC模拟通常为简单模拟，而这种简单模拟恰恰导致了在线条较为集中的区域容易出现模拟结果不收敛，也即线条集中处容易出现坏点（线条的间距、形状等参数不满足工程执行要求或目标版图的区域）的情况。
S103：确定所述全芯掩膜上的坏点。
当然，本发明针对的是所述全芯掩膜上存在坏点的情况，因此本步骤中直接假定所述全芯掩膜中存在坏点，如果得到的全芯掩膜中不存在坏点，则按照相关技术中的正常流程处理即可，在此不再展开赘述。
S104：根据所述坏点确定待调区域。
所述坏点设置于所述待调区域内，如设置于所述待调区域的中心，所述待调区域内包括坏点在内的若干边段。
S105：对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟。
所述扰动指对所述边段在与其延伸方向垂直于的方向内进行调整，一次可对所述待调区域内的一个或者多个边段进行扰动，并记录下对应的EPE影响矩阵，需要注意的是，所述EPE影响矩阵为单独扰动一个边段时，被扰动的边段周围一定范围内的全部边段的EPE变化组成的矩阵，因此，如果在本步骤中一次扰动多个边段，则需保障被扰动的边段之间足够远，在各个被扰动的边段对应的EPE影响矩阵的取值范围内的边段仅受单条边段扰动的影响，以此达到将边段之间的高精度相互影响记录并加入模拟计算的效果。
如前文所述，在步骤S102中的全局MBOPC模拟中，为了保障模拟效率，通常会剔除对某些参数的模拟，从而提升计算速度，但这种提速带来的问题就是准确度有所下降，尤其是在图形状况更为复杂的坏点附近，而经过大量的理论计算与实际检验，发现在坏点周围的复杂环境中，光阻效应及掩膜版厚度效应会对光刻光路造成不可忽视的影响，因此本步骤对所述待调区域进行扰动后，采用模拟过程中包括所述光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的验证模型进行OPC模拟，进而大大提升模拟结果的准确性，使所述EPE影响矩阵更贴近真实光刻中的情况，也有理由计算结果的快速收敛，提升模拟效率。
更进一步地，本步骤包括：
对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
也即在本优选实施方式中，一次只扰动一个所述边段，从而保证所述EPE影响矩阵记录下来的EPE变化完全由被扰动的边段引起，可更高精度地模拟边段之间的相互影响，后续求得的最优边段移动数据更加精确。
S106：根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件。
本步骤中将生产工艺中的限制，通过所述EPE影响矩阵中的约束条件进行体现，相比相关技术中的其他将所述生产工艺嵌入模型进行模拟的方式，大大减轻了算力需求，提升了模拟效率。其中，所述生产工艺要求包括MRC（掩膜版规则检查）要求及掩膜版对称性要求中的至少一种。上述两种要求均为掩膜版生产过程中的重要要求，相关技术中为满足上述要求需要在模拟中花费较多算力，而由于所述边段的调整范围很小，可将掩膜版的各个参数看作在边段调整的范围内线性变化，因此在本发明中，通过将上述要求转换为线性约束条件可使用较少算力实现，进一步提升模拟效率。
S107：求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
接前文，由于所述边段的调整范围很小，可将掩膜版的各个参数看作在边段调整的范围内线性变化，因此，本发明中直接采用EPE影响矩阵，通过线性规划算法求得边段的最优移动以解决坏点，大大降低算力需求。
本步骤的优选实施方式包括：
通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
根据所述EPE影响矩阵的不同情况，可以选择所述稀疏矩阵或所述密矩阵进行求解，当存在多个所述EPE影响矩阵时，也可将上述两种矩阵混用求解，所述稀疏矩阵及所述密矩阵在运算过程中占用算力少，可快速将所述EPE影响矩阵收敛得出结果，提升模拟效率。
S108：根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
本发明是以边段为基础的优化移动算法，兼顾了MBOPC校正精细度、运算复杂度、掩膜可制造性，有利于解决先进工艺生产中掩模图形中的坏点区域。
本发明所提供的光学邻近修正方法，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，进而解决坏点。
在具体实施方式一的基础上，进一步对所述光学邻近修正方法中的待调区域做限定，得到具体实施方式而，其流程示意图如图2所示，包括：
S201：获取目标版图。
S202：对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜。
S203：确定所述全芯掩膜上的坏点。
S204：根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围。
S205：对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟。
S206：根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件。
S207：求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
S208：根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
本具体实施方式与上述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式中，将所述待调区域分为了核心区域及外围区域，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
本优选实施方式中，将所述待调区域具体细分为核心区域与外围区域，所述核心区域即为更加贴近所述缺陷的区域，可在原掩膜图形的基础上做大幅度修正，而外侧的外围区域，可在原掩膜图形基础上做较小修正，以得到所述边段从所述待调区域中心向边缘调整幅度逐渐变小的新版图布局，方便调整后的待调区域与所述全芯掩膜上与所述待调区域接壤的其他位置上的边段拼合，以避免出现新的坏点或超出加工要求，提高可实施性。
下面对本发明实施例提供的光学邻近修正装置进行介绍，下文描述的光学邻近修正装置与上文描述的光学邻近修正方法可相互对应参照。
图3为本发明实施例提供的光学邻近修正装置的结构框图，参照图3光学邻近修正装置可以包括：
获取模块100，用于获取目标版图；
MBOPC模块200，用于对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；
坏点模块300，用于确定所述全芯掩膜上的坏点；
划区模块400，用于根据所述坏点确定待调区域；
扰动模块500，用于对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
约束模块600，用于根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；
求解模块700，用于求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；
修正模块800，用于根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
作为一种优选实施方式，所述划区模块400包括：
分层划区单元，用于根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；
相应地，所述扰动模块500包括：
分层扰动单元，用于对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；
相应地，所述修正模块800包括：
分层修正单元，用于根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
作为一种优选实施方式，所述扰动模块500包括：
逐一扰动单元，用于对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
作为一种优选实施方式，所述求解模块700包括：
算法求解单元，用于通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
本发明所提供的光学邻近修正装置，包括获取模块100，用于获取目标版图；MBOPC模块200，用于对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；坏点模块300，用于确定所述全芯掩膜上的坏点；划区模块400，用于根据所述坏点确定待调区域；扰动模块500，用于对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；约束模块600，用于根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解模块700，用于求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；修正模块800，用于根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，进而解决坏点。
本实施例的光学邻近修正装置用于实现前述的光学邻近修正方法，因此光学邻近修正装置中的具体实施方式可见前文中的光学邻近修正方法的实施例部分，例如，获取模块100，MBOPC模块200，坏点模块300，划区模块400，扰动模块500，约束模块600，求解模块700，修正模块800，分别用于实现上述光学邻近修正方法中步骤S101，S102，S103，S104，S105，S106，S107和S108，所以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
本发明还提供了一种光学邻近修正设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。本发明所提供的光学邻近修正方法，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，进而解决坏点。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。本发明所提供的光学邻近修正方法，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，进而解决坏点。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器（RAM）、内存、只读存储器（ROM）、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上对本发明所提供的光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
获取目标版图；
对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；
确定所述全芯掩膜上的坏点；
根据所述坏点确定待调区域；
对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；
求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；
根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述坏点确定待调区域包括：
根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；
相应地，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：
对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；
相应地，所述根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜包括：
根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：
对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据包括：
通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述生产工艺要求包括MRC要求及掩膜版对称性要求中的至少一种。
6.一种光学邻近修正装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取目标版图；
MBOPC模块，用于对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；
坏点模块，用于确定所述全芯掩膜上的坏点；
划区模块，用于根据所述坏点确定待调区域；
扰动模块，用于对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
约束模块，用于根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；
求解模块，用于求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；
修正模块，用于根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
7.如权利要求6所述的光学邻近修正装置，其特征在于，所述划区模块包括：
分层划区单元，用于根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；
相应地，所述扰动模块包括：
分层扰动单元，用于对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；
相应地，所述修正模块包括：
分层修正单元，用于根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
8.如权利要求6所述的光学邻近修正装置，其特征在于，所述扰动模块包括：
逐一扰动单元，用于对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
9.一种光学邻近修正设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述的光学邻近修正方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述的光学邻近修正方法的步骤。
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