KR20080092548A - 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법 - Google Patents

인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080092548A
KR20080092548A KR1020070035993A KR20070035993A KR20080092548A KR 20080092548 A KR20080092548 A KR 20080092548A KR 1020070035993 A KR1020070035993 A KR 1020070035993A KR 20070035993 A KR20070035993 A KR 20070035993A KR 20080092548 A KR20080092548 A KR 20080092548A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
line width
auxiliary pattern
size
main
Prior art date
Application number
KR1020070035993A
Other languages
English (en)
Inventor
홍종균
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020070035993A priority Critical patent/KR20080092548A/ko
Publication of KR20080092548A publication Critical patent/KR20080092548A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

서로 다른 선폭 크기를 가지는 주된 패턴들이 배치된 레이아웃(layout)을 설계하고, 주된 패턴들 사이 부분에 인접하는 주된 패턴들의 선폭 크기 및 이격 간격에 의존하여 상호 간에 선폭 크기가 다른 보조 패턴들을 생성시켜, 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법을 제시한다.
보조 패턴, 포토마스크, 스컴

Description

인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법{Method for generating assist features with considering effect of neighbor pattern}
도 1 및 도 2는 종래의 보조 패턴(assist feature) 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 도면들이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 공정 흐름도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 레이아웃(layout) 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법에 적용된 규칙(rule)의 일례를 설명하기 위해서 도시한 도면이다.
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로, 특히, 포토마스크에 보조 패턴(assist feature)을 생성하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 포토리소그래피(photolithography)에 의한 패터닝(pattering) 과정으로 웨이퍼 상에 구현되고 있다. 웨이퍼 상으로 전사할 패턴들의 레이아웃이 마스크 패턴(mask pattern)으로 형성된 포토마스크를 이용하여 노광 과정이 수행되고 있다. 반도체 소자를 구성하는 패턴이 보다 더 미세한 선폭을 가지게 됨에 따라, 패턴 전사 과정의 공정 여유도를 보다 확대하기 위해 전사될 주된 패턴들 사이에 보조 패턴들이 삽입되고 있다. 이러한 보조 패턴들은 포토마스크 상에 패턴으로 형성되지만, 웨이퍼 상으로 전사되지 않을 정도의 선폭을 가지게 도입되고 있다. 보조 패턴이 웨이퍼 상으로 실제 전사될 경우, 실제 웨이퍼 상에서는 불필요한 불량 패턴으로 간주되게 된다.
도 1 및 도 2는 종래의 보조 패턴(assist feature) 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 도면들이다.
도 1을 참조하면, 포토마스크는 투명한 기판(10) 상에 웨이퍼 상으로 전사할 마스크 패턴(11, 13)들을 형성하고 있다. 노광 과정에서 이러한 마스크 패턴(11, 13)의 해상력을 개선하여 공정 여유도의 확대를 위해, 보조 패턴(20)이 마스크 패턴(11, 13) 사이에 도입되고 있다. 상대적으로 큰 제1선폭(31)을 가지는 큰 제1마스크 패턴(11)과 상대적으로 제2선폭(33)을 가지는 작은 제2마스크 패턴(13)이 함께 배치되는 것과 같이, 마스크 패턴(11, 13)은 서로 다른 선폭을 가지며 이웃하여 배치될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 보조 패턴(20)은 마스크 패턴(11, 13)들 사이의 이격 간격을 고려하여, 이격 공간에 삽입 가능한 경우 일정한 선폭으로 삽입되고 있다.
보조 패턴(20)은 라인(line) 패턴으로 도입될 수 있으며, 메모리 반도체 소자의 경우 셀(cell) 영역보다는 주변 회로 영역의 게이트(gate) 패턴들 사이에 도 입되고 있다. 또한, 보조 패턴(20)은 인접하는 마스크 패턴(11, 13)이 서로 다른 선폭(31, 33)을 가짐에도 불구하고, 인접하는 마스크 패턴(11, 13)과는 대등한 이격 간격(spacing; 35)을 가지게 삽입되고 있다.
이러한 보조 패턴(20)의 선폭은 실제 웨이퍼 상으로 전사되지 않을 정도의 크기, 예컨대, 노광 과정의 해상력 이하의 선폭으로 설정되고 있다. 그럼에도 불구하고, 도 2에 제시된 바와 같이, 상대적으로 큰 선폭의 제1웨이퍼 패턴(12)과 상대적으로 작은 선폭의 제2웨이퍼 패턴(14)의 사이의 이격 공간에, 보조 패턴(20)에 기인하는 불량 패턴(21)이 전사되는 불량 현상이 관측되고 있다. 이러한 불량 패턴(21)은 잔류 포토레지스트(PR; PhotoResist) 찌꺼기로 구성되며, 실제 웨이퍼 상에 구현되어서는 안되는 부분에 잔류되어 웨이퍼 상의 패턴 불량을 야기하게 된다.
이러한 보조 패턴의 원하지 않는 패턴 전사는, 실질적으로 보조 패턴의 선폭 크기를 보다 줄여 적용할 경우 억제될 수 있다. 그런데, 보조 패턴의 선폭 크기를 전체적으로 감소시켜 일괄적으로 적용시킬 경우, 보조 패턴에 의한 해상력 개선 효과를 반감시킬 수 있어, 충분한 공정 여유도 개선 효과를 얻기가 어려워진다. 따라서, 보조 패턴의 도입에 따른 공정 여유도 개선 효과를 보다 효과적으로 얻기 위해서는, 보다 개선된 보조 패턴 생성 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼 상에 불량 패턴 발생을 억제하는 보조 패턴 생성 방법을 제시하는 데 있다.
상기 기술 과제를 위한 본 발명의 일 관점은, 서로 다른 선폭 크기를 가지는 주된 패턴들이 배치된 레이아웃(layout)을 설계하는 단계, 및 상기 주된 패턴들 사이 부분에 상기 인접하는 주된 패턴들의 선폭 크기 및 이격 간격에 의존하여 상호 간에 선폭 크기가 다른 보조 패턴들을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법을 제시한다.
상기 보조 패턴을 생성시키는 단계는, 상기 인접 주된 패턴의 선폭 크기에 대한 보조 패턴의 선폭 크기 기준을 설정하는 단계, 상기 주된 패턴들의 이격 간격을 분석하여 생성될 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 설정하는 단계, 상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭 크기가 상기 기준에 적합한지 여부를 판단하는 단계, 및 상기 설정된 보조 패턴의 선폭 크기가 상기 기준에 적합할 경우 상기 설정된 초기 선폭 크기로 상기 보조 패턴을 생성시키고, 부적합 경우 상기 설정된 초기 선폭 크기를 축소하여 상기 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법을 제시한다.
상기 보조 패턴들을 생성시키는 단계는, 상기 인접 주된 패턴의 선폭 크기가 증가되거나 상기 주된 패턴들 간의 이격 간격이 감소됨에 따라 삽입될 보조 패턴의 선폭 크기가 축소되게 보조 패턴 선폭 크기에 대한 규칙(rule)을 설정하는 단계, 상기 삽입될 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격을 검출하는 단계, 상기 검출된 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격에 해당되는 보조 패턴의 선폭 크기를 상기 규칙으로부터 추출하는 단계, 및 상기 레이아웃에 추출된 선폭 크기의 실제 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고 려한 보조 패턴 생성 방법을 제시한다.
본 발명의 다른 일 관점은, 서로 다른 선폭 크기를 가지는 주된 패턴들이 배치된 레이아웃(layout)을 설계하는 단계, 상기 주된 패턴들의 이격 간격을 검출하여 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 설정하는 단계, 상기 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기가 증가되거나 상기 주된 패턴들 간의 이격 간격이 감소됨에 따라 상기 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 축소시키는 정도에 대한 규칙(rule)을 설정하는 단계, 상기 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기 및 상기 주된 패턴들의 이격 간격을 검출하는 단계, 상기 검출된 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격에 해당되는 상기 보조 패턴의 초기 선폭 크기에 대한 축소폭을 상기 규칙으로부터 추출하는 단계, 및 상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭 크기에 상기 추출된 축소폭을 적용하여 상기 레이아웃에 실제 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법을 제시한다.
상기 추출된 축소폭은, 상기 선폭 크기가 검출된 주된 패턴이 인접하는 방향으로만 독립적으로 상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭에 대해 적용되고 반대되는 다른 방향에 대해 선폭 축소는 적용이 배제될 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 상에 불량 패턴 발생을 억제하는 보조 패턴 생성 방법을 제시할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 노광 과정에서의 해상력 개선을 위해, 포토마스크의 주된 마스크 패턴들 사이에 보조 패턴을 생성시킬 때, 보조 패턴에 인접한 패턴의 영향을 고려하여 보조 패턴의 이격 간격 및 선폭을 조정하는 방법을 제시한다. 인접 패턴의 선폭 크기에 의존하여 보조 패턴의 선폭 크기를 다르게 함으로써, 보조 패턴이 웨이퍼 상에 실제 패턴으로 전사되어 포토레지스트 찌꺼기(scum)가 잔류하는 불량의 발생을 억제한다.
보조 패턴의 생성 과정은, 예컨대, 웨이퍼 상으로 전사되기 위해 포토마스크 상에 형성된 주된 패턴들 사이의 이격 간격을 분석하여 보조 패턴이 생성될 위치 및 초기 선폭 크기를 설정하는 과정을 포함할 수 있다. 이후에, 보조 패턴이 생성될 위치에 인접하는 주된 패턴의 선폭 크기 및 주된 패턴들 사이의 이격 간격을 분석하여, 생성될 보조 패턴의 선폭 크기 및 주된 패턴과 보조 패턴 사이의 이격 간격을 재설정하는 과정을 수행할 수 있다.
이와 같은 보조 패턴의 생성 과정은, 테스트(test) 과정에 의해 인접 패턴의 선폭 크기 및 인접 패턴들 간의 이격 간격에 따라, 적용할 보조 패턴의 선폭 크기를 설정한 규칙을 마련하고, 이러한 규칙에 따라 서로 다른 선폭의 보조 패턴을 주된 패턴들 사이에 생성시킬 수 있다. 보조 패턴이 노광 과정의 해상력 이하의 일정한 초기 선폭 크기로 설정될 경우, 이러한 설정된 초기 선폭 크기에서 축소되는 정도를 제시하는 형태로 보조 패턴 생성 규칙은 마련될 수 있다. 이러한 규칙에 근거하여 인접하는 주된 패턴의 선폭 크기 및 주된 패턴들 사이의 이격 간격에 따라 서로 다른 선폭의 보조 패턴을 생성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 공정 흐름도이다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법을 설명하기 위해서 도시한 레이아웃(layout) 도면이다. 도 6은 본 발명의 실 시예에 따른 보조 패턴 생성 방법에 적용된 규칙(rule)의 일례를 설명하기 위해서 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 보조 패턴 생성 방법은, 포토마스크 상에 마스크 패턴으로 형성될 주된 패턴들(도 4의 210, 220)을 설계한 후, 주된 패턴들(210, 220)의 이격 간격(440, 450)을 분석한다(도 3의 101). 이때, 주된 패턴들(210, 220)은 서로 다른 선폭 크기(410, 420)를 가지게, 상대적으로 큰 제1선폭 크기(410)를 가지는 제1주된 패턴(210) 및 상대적으로 작은 제2선폭 크기(420)를 가지는 제2주된 패턴(220)이, 상호 이격되게 배치된 레이아웃(layout)으로 설계될 수 있다. 제1주된 패턴(210)은 상대적으로 작은 선폭의 제1부분(211) 및 큰 선폭의 제2부분(213)을 가지는 패턴일 수도 있다. 이러한 레이아웃에 보조 패턴을 삽입하기 위해서, 제1주된 패턴(210)과 제2주된 패턴(220) 사이의 제1이격 간격(440) 및 제2주된 패턴(220)들 사이의 제2이격 간격(450)을 분석한다.
이후에, 주된 패턴(210, 220)들 사이 부분에, 도 5에 제시된 바와 같이, 서로 다른 선폭 크기를 가지는 제1보조 패턴(310) 및 제2보조 패턴(311)을 생성시킨다. 서로 다른 선폭 크기를 가지는 제1 및 제2보조 패턴(310, 311)은, 주된 패턴(410, 420)들 사이의 이격 간격(440, 450)뿐만 아니라, 인접하는 주된 패턴(210 또는 220)의 선폭 크기(410 또는 420)를 고려하여, 이에 의존하여 선폭 크기가 달리 설정될 수 있다.
예컨대, 보조 패턴(도 5의 310, 311)을 생성시키는 과정은, 먼저, 도 4에 제시된 바와 같이, 주된 패턴들(210, 220)의 이격 간격을 분석하여 초기의 제1보조 패턴(310)의 초기 선폭을 설정한다(도 1의 101). 이후에, 초기 설정된 제1보조 패턴(310)에 인접할 주된 패턴(210, 220)의 선폭 크기에 의존하여, 초기 설정된 선폭 크기가 다르게 적용할 보조 패턴의 선폭 크기 기준을 설정한다.
이러한 보조 패턴의 선폭 크기에 대한 기준은, 도 6에 제시된 바와 같이, 인접 패턴의 선폭 크기(W) 및 패턴들 간의 이격 간격(S)의 변화에 대해, 보조 패턴의 선폭 크기의 축소폭(d)을 설정한 규칙으로 마련될 수 있다. 이러한 기준 또는 규칙은 테스트(test) 패턴에 대한 테스트 노광에 의해 구해질 수 있다. 또한, 설정된 보조 패턴의 초기 선폭 크기는 적용되는 노광 과정의 해상력 및 웨이퍼 상에 구현하고자 하는 패턴의 디자인 룰(design rule)을 고려하여 설정될 수 있다. 예컨대, 보조 패턴의 초기 선폭 크기는 80㎚로 설정될 수 있으며, 규칙은 이러한 초기 선폭 크기를 축소시키는 폭(d)으로 제시될 수 있다. 이때, 축소폭(d)을 결정하는 인접 패턴의 선폭 크기(W) 및 패턴들 간의 이격 간격(S)의 범위는, 실제 적용되는 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)에 따라 달라질 수 있다.
도 6에 제시된 규칙은, 인접 패턴 선폭(W)이 150㎚ 보다 작고 이격 간격(S)이 250 내지 300㎚일 때, 초기의 제1보조 패턴(도 4의 310)의 선폭이 80㎚로 적용되는 경우를 예시하고 있다. 이러한 초기 설정된 선폭 크기는 실제 노광 과정에서 해상력 이하의 선폭으로 설정될 수 있다. 이때, 인접 패턴 선폭(W)이 50㎚ 증가할 때마다 제1보조 패턴(310)의 선폭에 대해 5㎚ 축소폭(d)을 적용하여, 도 5에 제시된 바와 같은 제2보조 패턴(311)을 생성시킬 수 있다. 또한, 패턴간 이격 간격(S)이 50㎚ 증가할 때마다 제1보조 패턴(310)에 대한 축소폭(d)을 5㎚ 단위로 상쇄시 켜, 즉, 증가시켜 제2보조 패턴(311)을 생성시킬 수 있다.
이러한 도 6의 보조 패턴의 선폭 크기에 대한 규칙을 기준으로 적용하여, 설정된 제1보조 패턴(도 4의 310)의 초기 선폭 크기가 기준에 적합한지 여부를 판단한다(도 1의 103). 이러한 판단 결과, 제1보조 패턴(310)의 선폭 크기가 기준에 적합할 경우, 초기 설정된 제1보조 패턴(310)의 선폭 크기로, 도 5에 제시된 바와 같이 제3보조 패턴(312)을 생성시킨다(도 1의 105).
부적합 경우 설정된 제1보조 패턴(410)의 선폭 크기를 축소하여, 제2보조 패턴(도 5의 311)을 실제 생성시킨다(도 1의 107). 제1보조 패턴(310)의 초기 선폭 크기를 일정하게 설정한 후, 인접하는 제1주된 패턴(210)의 제1선폭 크기(410)를 검출한다. 이후에, 검출된 제1주된 패턴(210)의 제1선폭 크기(410) 및 앞서 분석 검출한 제1이격 간격(440)의 데이터(data)를, 도 6에 제시된 규칙에 적용하여 새로운 제2보조 패턴(도 5의 311)을 위한 축소폭(d)을 추출한다.
제1주된 패턴(210)의 제1선폭 크기(410)가 250 ㎚ 내지 300㎚ 범위에 해당되고, 제1이격 간격(440)이 250㎚ 내지 300㎚ 범위에 해당될 때, 축소폭(d)은 -15㎚로 추출될 수 있다. 이러한 추출된 축소폭(d)을 제1보조 패턴(310)의 초기 설정 선폭, 예컨대, 80㎚에 적용하여, 65㎚의 선폭 크기로 축소된 제2보조 패턴(311)을 생성시킬 수 있다. 이때, 축소 방향은 선폭 크기가 검출된 제1주된 패턴(210)이 인접하는 방향으로만 적용되고, 반대 방향의 제2주된 패턴(220)이 인접하는 방향으로는 적용이 배제되게 한다. 이에 따라, 생성되는 제2보조 패턴(311)은 초기의 이격 간격(441)에 비해 제1주된 패턴(210) 쪽 방향으로 축소폭(d) 만큼 증가된 제1주된 패 턴(210)과의 이격 간격을 가지게 된다. 한편, 제1주된 패턴(210)의 작은 선폭의 제1부분(211)은 보조 패턴 선폭 크기 규칙에 의해 축소폭이 0으로 추출되므로, 이에 인접하는 제4보조 패턴(313)은 실질적으로 초기 설정 선폭 크기를 가지게 생성되게 된다.
이와 같이 레이아웃에 대해 보조 패턴(311, 312, 313)을 생성시킨 후, 레이아웃을 따르는 마스크 패턴을 가지는 포토마스크를 형성한다. 이후에, 포토마스크를 이용하여 노광 과정을 수행하여, 웨이퍼 상에 주된 패턴들(210, 220)의 형상을 따르는 웨이퍼 패턴들을 형성한다. 이때, 보조 패턴(311, 312, 313)에 의한 패턴 전사는, 보조 패턴(311, 312, 313)의 선폭 크기들이 주위 환경에 따라 변화되게 서정되므로, 효과적으로 억제되게 된다. 따라서, 웨이퍼 상에 원하지 않는 보조 패턴 전사를 억제시킬 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 보조 패턴에 인접하는 주된 패턴들의 선폭 크기에 의존하여 보조 패턴의 선폭 크기를 달리 적용할 수 있다. 이에 따라, 보조 패턴이 웨이퍼 상에 형성되는 것을 효과적으로 배제할 수 있다. 따라서, 보조 패턴의 선폭 크기를 보다 큰 선폭 크기를 가지게 할 수 있어, 보조 패턴 도입에 의한 공정 여유도 개선 효과가 보다 효과적으로 구현할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것으로 해석되어지는 것은 바람직하지 않다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능한 것으로 이해될 수 있다.

Claims (5)

  1. 서로 다른 선폭 크기를 가지는 주된 패턴들이 배치된 레이아웃(layout)을 설계하는 단계; 및
    상기 주된 패턴들 사이 부분에 상기 인접하는 주된 패턴들의 선폭 크기 및 이격 간격에 의존하여 상호 간에 선폭 크기가 다른 보조 패턴들을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보조 패턴을 생성시키는 단계는
    상기 인접 주된 패턴의 선폭 크기에 대한 보조 패턴의 선폭 크기 기준을 설정하는 단계;
    상기 주된 패턴들의 이격 간격을 분석하여 생성될 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 설정하는 단계;
    상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭 크기가 상기 기준에 적합한지 여부를 판단하는 단계; 및
    상기 설정된 보조 패턴의 선폭 크기가 상기 기준에 적합할 경우 상기 설정된 초기 선폭 크기로 상기 보조 패턴을 생성시키고, 부적합 경우 상기 설정된 초기 선폭 크기를 축소하여 상기 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보조 패턴들을 생성시키는 단계는
    상기 인접 주된 패턴의 선폭 크기가 증가되거나 상기 주된 패턴들 간의 이격 간격이 감소됨에 따라 삽입될 보조 패턴의 선폭 크기가 축소되게 보조 패턴 선폭 크기에 대한 규칙(rule)을 설정하는 단계;
    상기 삽입될 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격을 검출하는 단계;
    상기 검출된 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격에 해당되는 보조 패턴의 선폭 크기를 상기 규칙으로부터 추출하는 단계; 및
    상기 레이아웃에 추출된 선폭 크기의 실제 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법.
  4. 서로 다른 선폭 크기를 가지는 주된 패턴들이 배치된 레이아웃(layout)을 설계하는 단계;
    상기 주된 패턴들의 이격 간격을 검출하여 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 설정하는 단계;
    상기 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기가 증가되거나 상기 주된 패턴들 간의 이격 간격이 감소됨에 따라 상기 보조 패턴의 초기 선폭 크기를 축소시키는 정도에 대한 규칙(rule)을 설정하는 단계;
    상기 보조 패턴에 인접하는 상기 주된 패턴의 선폭 크기 및 상기 주된 패턴들의 이격 간격을 검출하는 단계;
    상기 검출된 주된 패턴의 선폭 크기 및 이격 간격에 해당되는 상기 보조 패턴의 초기 선폭 크기에 대한 축소폭을 상기 규칙으로부터 추출하는 단계; 및
    상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭 크기에 상기 추출된 축소폭을 적용하여 상기 레이아웃에 실제 보조 패턴을 생성시키는 단계를 포함하는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 추출된 축소폭은
    상기 선폭 크기가 검출된 주된 패턴이 인접하는 방향으로만 독립적으로 상기 설정된 보조 패턴의 초기 선폭에 대해 적용되고 반대되는 다른 방향에 대해 선폭 축소는 적용이 배제되는 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법.
KR1020070035993A 2007-04-12 2007-04-12 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법 KR20080092548A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035993A KR20080092548A (ko) 2007-04-12 2007-04-12 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035993A KR20080092548A (ko) 2007-04-12 2007-04-12 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080092548A true KR20080092548A (ko) 2008-10-16

Family

ID=40153503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070035993A KR20080092548A (ko) 2007-04-12 2007-04-12 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080092548A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101113326B1 (ko) * 2009-07-01 2012-03-13 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 보조패턴 형성방법
KR20120091866A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템
US10916563B2 (en) 2018-12-24 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including word line cut

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101113326B1 (ko) * 2009-07-01 2012-03-13 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 보조패턴 형성방법
US8196069B2 (en) 2009-07-01 2012-06-05 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating assist features in a photomask
KR20120091866A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템
US10916563B2 (en) 2018-12-24 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including word line cut

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100673014B1 (ko) 포토 마스크의 제조 방법
JP4282051B2 (ja) 半導体集積回路製造用マスクパターンデータ生成方法およびその検証方法
US20060070018A1 (en) Method for producing a mask layout avoiding imaging errors for a mask
US8541147B2 (en) System and method of selective optical pattern enhancement for semiconductor manufacturing
US8782571B2 (en) Multiple patterning process for forming trenches or holes using stitched assist features
US8302035B2 (en) Method for verifying optical proximity correction
KR20080001438A (ko) 마스크 레이아웃 제작 방법
US20070111112A1 (en) Systems and methods for fabricating photo masks
US8266555B2 (en) Method for manufacturing an exposure mask
US6413688B2 (en) Plate pattern forming method and its inspecting method
KR20080092548A (ko) 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법
JP4177722B2 (ja) パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、及びパターン補正プログラム
KR101033225B1 (ko) 패턴 레이아웃을 광근접효과보정하는 방법
CN109901357B (zh) 光刻板及掩模修正方法
JP2007298856A (ja) 半導体マスク修正装置及び半導体マスク修正方法
KR20100025822A (ko) 마스크 레이아웃 분리 방법 및 이를 이용한 광 근접 보정 방법
US20050120326A1 (en) Method for producing for a mask a mask layout which avoids aberrations
US7774738B2 (en) Lithography method for forming a circuit pattern
JP2008147584A (ja) 検査データ作成方法および検査方法
JP2009223202A (ja) 露光用データ作成方法及びフォトマスク製造方法
JP2004157475A (ja) 集積回路のパターン設計方法、露光マスクの作成方法、露光マスク、および集積回路装置の製造方法
KR20120093718A (ko) 콘택홀 패턴의 광 근접효과 보정의 정확도를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법
KR20100011756A (ko) 어시스트 패턴이 삽입된 레이아웃의 광 근접효과 보정방법
Chen et al. Sub-resolution-assist-feature placement study to dense patterns in advanced lithography process
KR20080001439A (ko) 레이아웃 설계 수정을 이용한 포토 마스크 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination