JP4177722B2 - パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、及びパターン補正プログラム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、及びパターン補正プログラムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、最小加工寸法0.18μmサイズの半導体が量産されている。このような微細化は、マスクプロセス技術、リソグラフィプロセス技術、およびエッチングプロセス技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。
【0003】
パターンサイズが十分大きかった時代には、設計者が描いたパターンと同じ形状のマスクパターンを作成し、そのマスクパターンをウエハ上に塗布されたレジストに露光装置で転写することにより、設計通りのパターンを形成することができた。
【0004】
しかしパターンサイズの微細化により、露光光の回折がウエハ上でのパターンの寸法に及ぼす影響が大きくなったことと、微細パターンを精度良く形成するためのマスクおよびウエハのプロセス技術が困難になっていることにより、設計パターンと同じマスクを用いても、ウエハ上に設計通りのパターンを形成することが困難となってきた。
【0005】
設計パターンの忠実度を向上させるために、ウエハ上に設計パターン同じパターンを形成するためのマスクパターンを作成する光近接効果補正(Optical Proximity Correction :OPC)、プロセス近接効果補正(Process Proximity Correction :PPC)と呼ばれる技術が使用されている。
【0006】
OPC、PPC技術(以降、OPCも含めてPPCと表現する)には、大きく2つの方法がある。1つ目は、パターンの幅、もしくはパターン同士の最近接パターン間距離等に応じて設計パターンを構成するエッジの移動量をルールとして規定し、そのルールに従ってエッジを移動させる方法である。2つ目は、露光光の回折光強度分布を高精度に予測できるリソグラフィシミュレータを用いて、設計パターンと同じパターンがウエハ上で形成できるようにエッジ移動量を最適に追い込む方法である。さらに、これら2つの方法を組み合わせることにより、より高精度な補正を実現する補正方法も提案されている。
【0007】
さらに近年では、マスクパターンを補正するための手法のみならず、設計者が描いた設計パターンもあるルールに従って補正する技術(以降、ターゲットMDP処理と呼ぶ)が提案されている。これは、特定のパターン種をウエハ上に形成することが困難であると予測される場合、そのパターン種を補正することにより、ウエハ上の形成を容易にすることが目的である。
【0008】
この手法では、設計パターン自体が設計者が描いた元のパターンと異なってしまうため、予め設計者とパターンの変形のさせ方を合意した上で進める必要がある。しかし、近年リソグラフィプロセスでのプロセスマージンの確保が特に困難になってきているため、より複雑に設計パターンを変形させるための技術が必要とされている。
【0009】
なお、特許文献1に開示されているマスクパターン補正方法では、デザインルール上では製造可能であるが、光露光工程での露光量、焦点距離の変動によるパターン寸法の変動量が大きくなるパターンに対して、処理をしている。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−131882号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
図14は、従来例に係るターゲットMDP処理を示す図である。従来のターゲットMDP処理の補正ルールでは、まず図14に示すように、パターン間のスペース幅に応じて補正値を規定する。ここで、隣り合うパターン間の距離SをS1、S2、S3と分類し、S1<S2<S3とする。この場合に、距離SがS1<S≦S2であるときのターゲットMDP処理での補正値をa、距離SがS2<S≦S3であるときのターゲットMDP処理での補正値をbとすると、a、bは一般的にa<bの関係を満たす。つまり、隣りのパターンまでのスペースが広い孤立したパターンになるほど、パターンを太くしておくことにより、ウエハ上での形成を容易にすることができる。
【0012】
したがって、孤立したパターン102(1)のエッジ1’(太線で示す)に対して、その近くに存在する密集パターン101より大きい補正値(エッジ移動量)を加えて、パターンを太くする。その後、その設計パターンと同じパターン形状をウエハ上で形成できるように、さらにPPCによりマスクパターンを補正し、ウエハ上での仕上がりパターンを形成する。また、密集パターン101については、通常このような密集しているパターンを解像するようなプロセス条件が決定されているため、ターゲットMDP処理は不要となる。
【0013】
このとき、丸印pで囲んだ部分は、密集パターン101と孤立したパターン102との間の中間的なパターンとなっている。よってこの部分は、近接する部分に密集パターン101が存在するため、密集したパターンであるとみなされ、補正値が加えられない。また、この中間的なパターンを孤立したパターンであるとみなすと、その近くにあるエッジ1’と同じ補正が行われるため、非常に大きい補正値が加えられてしまい、隣のパターン2との間の距離が非常に短くなってしまう。
【0014】
その結果、従来のターゲットMDP処理では、このような密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な個所で十分なリソグラフィマージンを確保することが困難であり、ウエハ上で開路/短絡を引き起こす原因となることがある。
【0015】
本発明の目的は、密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な個所に適切な補正を行うパターン補正方法、パターン補正システム、及びパターン補正プログラムを提供することにある。
【0016】
また本発明の目的は、密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な個所に適切な補正が行なわれた設計パターンを用いたマスク製造方法及び半導体装置製造方法を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
課題を解決し目的を達成するために、本発明のパターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、及びパターン補正プログラムは以下の如く構成されている。
【0019】
本発明のパターン補正方法は、ウエハ上に形成しようとする半導体装置の設計パターンをなす対象パターンと該対象パターンの近傍に配置された近傍パターンとの間の距離に応じて該対象パターンの形状を補正するパターン補正方法において、分割された前記対象パターンのパターンエッジの端部と前記近傍パターンとの間の第1の距離を検出する第1の検出工程と、前記パターンエッジの中点と前記近傍パターンとの間の第2の距離を検出する第2の検出工程と、前記第1の距離と前記第2の距離が等しい場合には第1の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第1の補正値を決定し、前記第1の距離と前記第2の距離が異なる場合には前記第1の補正ルールと異なる第2の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第2の補正値を決定する決定工程と、前記パターンエッジに対して前記第1の補正値または前記第2の補正値を加える補正工程と、を有する。
【0020】
本発明のパターン補正システムは、上記パターン補正方法により設計パターンを補正する。
【0021】
本発明のマスク製造方法は、上記パターン補正方法により補正された設計パターンでマスクを製造する。
【0022】
本発明の半導体装置製造方法は、上記マスク製造方法で製造されたマスクを用いて半導体装置を製造する。
【0023】
本発明のパターン補正プログラムは、コンピュータに、ウエハ上に形成しようとする半導体装置の設計パターンをなす分割された対象パターンのパターンエッジの端部と前記対象パターンの近傍に配置された近傍パターンとの間の第1の距離を検出する第1の検出工程と、前記パターンエッジの中点と前記近傍パターンとの間の第2の距離を検出する第2の検出工程と、前記第1の距離と前記第2の距離が等しい場合には第1の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第1の補正値を決定し、前記第1の距離と前記第2の距離が異なる場合には前記第1の補正ルールと異なる第2の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第2の補正値を決定する決定工程と、前記パターンエッジに対して前記第1の補正値または前記第2の補正値を加える補正工程と、を実行させる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0026】
図1は、本発明の実施の形態に係るパターン補正方法におけるターゲットMDP処理のフローチャートである。また、図2〜図6は本ターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図である。以下、図1,図2〜図6を基に本ターゲットMDP処理の手順を説明する。なお、このターゲットMDP処理は、図示しないコンピュータによりパターン補正プログラムを実行することで行われる。
【0027】
まずステップS101で、図2に示すように、処理対象となるパターンを分割する。図2に示す設計パターンは、密集パターン101と孤立したパターン102を有している。そこで、処理対象の1本のパターン1を、密集パターン101に含まれる部分Aと、孤立したパターン102をなす部分Cと、それらの中間の部分Bとに分割する。
【0028】
ステップS102で、図3に示すように、パターン1における各部分A,B,CのエッジA1,B1,C1の各端部とそれらの近傍(隣)に配置された各パターン(エッジC1の近傍のパターンは図示せず)との間の第1の距離SA、SB、SCを測定する。なお、パターン1のエッジA1,B1,C1に直交する方向に、前記各パターンが存在する。
【0029】
ステップS103で、図4に示すように、各エッジA1,B1,C1の中点A2,B2,C2を抽出する。ステップS104で、図5に示すように、各エッジA1,B1,C1の中点A2,B2,C2とそれらの近傍に配置された各パターン(エッジB1,C1の近傍のパターンは図示せず)との間の第2の距離SA’、SB’、SC’を測定する。
【0030】
ステップS105で、第1の距離SA、SB、SCと第2の距離SA’、SB’、SC’とを比較する。図3,図5から、SA=SA’、SB<SB’、SC=SC’という判定が得られる。
【0031】
ステップS106で、パターン1に対して補正を行う。本ターゲットMDP処理の第1の補正ルールでは、上記ステップS105の比較の結果により第1の距離と第2の距離が等しいと判定されたエッジに対して、その近傍のパターンとの間の距離に応じて補正値を規定する。ここで、エッジとその近傍のパターンとの間の基準距離をS1、S2、S3と分類し、S1<S2<S3とする。この場合に、エッジとその近傍のパターンとの間の実際の距離SがS1<S≦S2であるときの補正値をa、実際の距離SがS2<S≦S3であるときの補正値をbとする。
【0032】
本実施の形態では、SA(SA’)≦S1であり、エッジA1に対しては補正は行われないものとする。また、S1<SC≦S2であり、エッジC1に対しては補正値aが適用されるものとする。
【0033】
さらに、本ターゲットMDP処理の第2の補正ルールでは、上記ステップS105の比較の結果により第1の距離<第2の距離と判定されたエッジに対して、その近傍のパターンとの間の距離に応じて補正値を規定する。この場合の補正値は、第1の補正ルールの補正値よりも小さい値となる。例えば、エッジとその近傍のパターンとの間の実際の距離SがS1<S≦S2であるときの補正値をa/2、実際の距離SがS2<S≦S3であるときの補正値をb/2とする。
【0034】
本実施の形態では、S1<SB≦S2であり、エッジB1に対しては補正値a/2が適用されるものとする。
【0035】
この結果、図6に示すように、パターン1のエッジC1に対して補正値aが加えられ、エッジB1に対して補正値a/2が加えられる。なお、上記S101〜S106と同様の処理が、パターン1の他方のエッジA1’,B1’,C1’に対しても行われ、エッジC1’に対して補正値aが加えられ、エッジB1’に対して補正値a/2が加えられる。すなわち、密集パターン101と孤立したパターン102との間の中間的な部分BのエッジB1,B1’に、それぞれ補正値a/2が加えられる。
【0036】
これにより、密集パターン101と孤立したパターン102との間の中間的な個所に適切な補正が行われ、この箇所に段差を有する設計パターンが得られる。
【0037】
以上のように本実施の形態では、まず、対象パターンのエッジを分割し、分割された各エッジの端部(第1の所定部)からその近傍に配置されたパターンまでの距離(対象パターンと近傍パターンとの間の第1の配置状態)を測定(検出)するとともに、各エッジの中点(第2の所定部)からその近傍のパターンまでの距離(対象パターンと近傍パターンとの間の第2の配置状態)を測定(検出)する。
【0038】
エッジA1(A1’),C1(C1’)では、端部からその近傍のパターンまでの距離と中点からその近傍のパターンまでの距離とが等しくなる。この場合、エッジC1(C1’)からその近傍のパターンまでは比較的広いスペース(SC)となるため、エッジC1(C1’)は孤立したパターンのエッジであるとみなされ、第1の補正ルールに従った補正値aが適用される。また、エッジA1(A1’)は、近傍に配置されたパターンが距離SAの位置に存在するため、密集したパターンのエッジであるとみなされ、補正値が適用されない。この状態では、エッジB1(B1’)を有する部分Bはその幅が変わらず細いパターンのままであるため、プロセスマージンの確保が困難となる。
【0039】
エッジB1(B1’)では、端部から近傍のパターンまでの距離と中点から近傍のパターンまでの距離とが異なる。この場合、エッジB1(B1’)は、中点から近傍のパターンまでの距離SB’が端部から近傍のパターンまでの距離SBよりも長いと判定され、上記第1の補正ルールとは異なる第2の補正ルールが適用される。この第2の補正ルールの補正値は、第1の補正ルールの補正値よりも小さい。この第2の補正ルールを適用することにより、第1の補正では補正値が加えられなかったエッジB1(B1’)に対しても、適切な補正値を加えることができる。
【0040】
このような手法により、従来では補正が加えられずプロセスマージンを十分に確保できなかったエッジに対しても、補正を行うことができるため、プロセスマージンが大幅に向上する。
【0041】
図7は、上述したターゲットMDP処理を第2の補正ルールを適用して実施する場合の設計パターンを示す図である。また、下表は第2の補正ルールで用いることができる補正テーブルの例である。
【0042】
【表1】
【0043】
図7において、対象となるパターン1における密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な部分Bの線幅をW、パターン1のエッジ全体と近傍のパターン2との間の距離をR1、部分Bのエッジ上の特定点(エッジの中点付近の点)B3と近傍のパターン(図示せず)との間の距離をR2、最近接パターン2と部分Bの分割線B4の延長線との間の距離をFとする。F=150nmである場合、第2の補正ルールでは上記の表に従い、補正値(補正量)を決定することができる。
【0044】
図8の(a),(b),(c)は、従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図である。各図では、補正が行われる部分を丸印で囲っている。図8の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、図8の(b)では従来のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターン11に1段の段差が設けられている。これに対して図8の(c)では、図8の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、本発明のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターンに2段の段差が設けられている。
【0045】
図9の(a),(b),(c)は、従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図である。各図では、補正が行われる部分を丸印で囲っている。図9の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、図9の(b)では従来のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターン11に1段の段差が設けられている。これに対して図9の(c)では、図9の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、本発明のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターンに2段の段差が設けられている。
【0046】
図10の(a),(b),(c)は、従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図である。各図では、補正が行われる部分を丸印で囲っている。図10の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、図10の(b)では従来のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターン11に1段の段差が設けられている。これに対して図10の(c)では、図10の(a)に示す補正前の設計パターンに対して、本発明のターゲットMDP処理により補正が行われ、対象パターンに2段の段差が設けられている。
【0047】
図11の(a)は従来の方法で作成した設計パターンを示す図であり、図11の(b)は本発明の方法で作成した設計パターンを示す図である。図11の(a)に対して、本発明の方法では図11の(b)に示すように、対象パターン11がその周辺環境(近傍のパターン)が変化する箇所で2つ以上の段差を有している設計パターンを作成することができる。よって本発明によれば、プロセスマージンが向上する設計パターン形状を形成することができる。
【0048】
図12の(a),(b)は、それぞれ図11の(a),(b)に示した設計パターンに対して、光近接効果補正を行い、マスクパターンを作成し、そのマスクパターンをウエハ上に露光した結果を示す図である。なお、前記光近接効果補正は、図11の(b)に示す設計パターンと前記マスクパターンにより形成されるウエハ上でのパターンの形状とが一致するように決定される。
【0049】
図12の(a),(b)では、露光装置のフォーカスは最適(ベストフォーカス)であると仮定し、露光装置から照射される露光量が最適値(ベストドーズ量)である場合と、最適値から±10%変化した場合での仕上がり平面形状を重ねて示している。丸印で囲われた部分が注目すべき個所であり、この部分の仕上がり形状が、図12の(a)に比べて図12の(b)に示す本発明の方法において、なだらかに変化していることがわかる。
【0050】
図13の(a),(b)は、それぞれ図12の(a),(b)に対して、フォーカス位置も露光量と合わせて変動させた結果を示す図である。丸印で囲われた部分が注目すべき個所である。同じ露光量同士で比較したときに、図12の(a)に示す従来の方法ではパターンが断線しているのに対して、図12の(b)に示す本発明の方法では断線しておらず、本発明によるプロセスマージン向上の効果が明らかである。
【0051】
このように本発明による方法で設計パターンを作成し、その設計パターンに対して、必要な場合には光近接効果補正を含むウエハプロセスに起因する寸法変換差を補正したマスクパターンを作成し、ウエハ上に露光することにより、従来の方法よりも大きいプロセスマージンを確保できることが証明された。
【0052】
なお、本実施の形態のパターン補正方法を実施するコンピュータによりパターン補正システムを構築することができる。また、本実施の形態のパターン補正方法により補正された設計パターンでマスクを製造することができる。また、そのマスクを用いて半導体装置を製造することができる。
【0053】
以上のように本実施の形態によれば、対象パターンを構成するエッジと隣りのパターンのエッジとの距離や対象パターンの幅に応じて、対象パターンのエッジの補正量(移動量)を規定したルールを作成し、このルールに基づいて対象パターンのエッジを補正する。すなわち、対象パターンのエッジ端部と隣りのパターンのエッジとの最小距離と、対象パターンのエッジ中心部と隣りのパターンのエッジとの最小距離とに基づき、それぞれの距離に応じて異なるエッジ補正量をルール化することにより、従来の方法では実現できなかったパターン補正を実現することができる。その結果、リソグラフィなどのプロセスマージンを大幅に向上させることができ、半導体デバイスの歩留まりを大きく向上させることができる。
【0054】
また、本発明は上記実施の形態のみに限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
【0055】
【発明の効果】
本発明によれば、密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な個所に適切な補正を行うパターン補正方法、パターン補正システム、及びパターン補正プログラムを提供できる。
【0056】
また本発明によれば、密集パターンと孤立したパターンとの間の中間的な個所に適切な補正が行なわれた設計パターンを用いたマスク製造方法及び半導体装置製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るパターン補正方法におけるターゲットMDP処理のフローチャート。
【図2】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図。
【図3】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図。
【図4】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図。
【図5】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図。
【図6】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理が実施される設計パターンを示す図。
【図7】本発明の実施の形態に係るターゲットMDP処理を第2の補正ルールを適用して実施する場合の設計パターンを示す図。
【図8】従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図。
【図9】従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図。
【図10】従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図。
【図11】従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンを示す図。
【図12】従来の方法と本発明の方法とによる設計パターンに対して、光近接効果補正を行い、マスクパターンを作成し、そのマスクパターンをウエハ上に露光した結果を示す図。
【図13】図12に対して、フォーカス位置も露光量と合わせて変動させた結果を示す図。
【図14】従来例に係るターゲットMDP処理を示す図。
【符号の説明】
101…密集パターン 102…孤立したパターン 1,2,11…パターンA,B,C…パターン部分 A1,B1,C1,A1’,B1’,C1’…エッジ A2,B2,C2…中点
Claims (10)
- ウエハ上に形成しようとする半導体装置の設計パターンをなす対象パターンと該対象パターンの近傍に配置された近傍パターンとの間の距離に応じて該対象パターンの形状を補正するパターン補正方法において、
分割された前記対象パターンのパターンエッジの端部と前記近傍パターンとの間の第1の距離を検出する第1の検出工程と、
前記パターンエッジの中点と前記近傍パターンとの間の第2の距離を検出する第2の検出工程と、
前記第1の距離と前記第2の距離が等しい場合には第1の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第1の補正値を決定し、前記第1の距離と前記第2の距離が異なる場合には前記第1の補正ルールと異なる第2の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第2の補正値を決定する決定工程と、
前記パターンエッジに対して前記第1の補正値または前記第2の補正値を加える補正工程と、
を有することを特徴とするパターン補正方法。 - 前記第1の及び第2の距離は、前記対象パターンのパターンエッジと該パターンエッジに直行する方向に存在する前記近傍パターンのエッジとの間の距離であることを特徴とする請求項1に記載のパターン補正方法。
- 前記第2の補正値は、前記対象パターンの幅によって異なることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン補正方法。
- 前記決定工程は、前記第1の距離よりも前記第2の距離が大きい場合に、前記第1の補正値よりも小さい前記第2の補正値を決定することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン補正方法。
- 前記補正工程による補正を行った後、光近接効果補正によりマスクパターンを決定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のパターン補正方法。
- 前記補正工程による補正後の設計パターンと前記マスクパターンにより形成されるウエハ上でのパターンの形状とが一致するように前記光近接効果補正を決定することを特徴とする請求項5に記載のパターン補正方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のパターン補正方法によりウエハ上に形成しようとする半導体装置の設計パターンを補正するパターン補正システム。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のパターン補正方法により補正された設計パターンでマスクを製造することを特徴とするマスク製造方法。
- 請求項8に記載のマスク製造方法で製造されたマスクを用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- コンピュータに、
ウエハ上に形成しようとする半導体装置の設計パターンをなす分割された対象パターンのパターンエッジの端部と前記対象パターンの近傍に配置された近傍パターンとの間の第1の距離を検出する第1の検出工程と、
前記パターンエッジの中点と前記近傍パターンとの間の第2の距離を検出する第2の検出工程と、
前記第1の距離と前記第2の距離が等しい場合には第1の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第1の補正値を決定し、前記第1の距離と前記第2の距離が異なる場合には前記第1の補正ルールと異なる第2の補正ルールに基づき前記パターンエッジに対して第2の補正値を決定する決定工程と、
前記パターンエッジに対して前記第1の補正値または前記第2の補正値を加える補正工程と、
を実行させるためのパターン補正プログラム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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