TWI283360B - Pattern correction method, pattern correction system, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, pattern correction program, and designed pattern - Google Patents
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Description
1283360 規疋作為規則,根據該規則來移動邊緣。第2種方法係使用 可高精度地預測曝光錢射之光強度分佈之微影模擬裝 使邊緣私動i臻至最佳化,以便能夠纟晶圓上形成與 "又什圖案相同之圖案。並且,亦有提議透過使此2種方法組 合’實現更高精度修正之修正方法。 並且,近年來,不僅用於修正光罩圖案之方法,亦有提 議按照某個規則來修正設計者所繪製的圖案之技術(以 下,%為目標MDP處理)。其目的在於,若預測難以在晶圓 上开》成特定之圖案類型時,透過修正該圖案類型,使其容 易在晶圓上形成。 在該方法中,由於設計圖案本身與設計者所繪製之原始 圖案不同,所以,有必要事先與設計者在圖案之變形方面 達成協議。但是近年來,確保微影製程中之容限範圍變得 尤其困難,所以必須採用用於使設計圖案更複雜地變形之 技術。 另外,在專利文獻1中揭示之光罩圖案修正方法中,雖可 依據設計規則進行製造,但其係對於曝光步驟中之曝光 量、焦距變動所引起之圖案尺寸之變動量變大之圖案進行 處理。 [專利文獻1] 曰本專利特開2002-13 1882號公報 [發明所欲解決之問題] 圖14係表示根據先前實例之目標MDP處理之圖。首先如 圖14所示,在先前之目標MDP處理之修正規則中,對應於 94289.doc 1283360 圖案間之空間見度來規定修正值。此處,將相鄰圖案間之 距離S分為SI、S2、S3,且S1<S2<S3。此時,若將距離S為
Sl<ss S2時之目標MDP處理中之修正值設為a,將距離s為 S2<S$ S3時之目標MDP處理中之修正值設為b,則a、b一般 滿足a<b之關係。換言之,越是與相鄰圖案間之空間較寬之 孤立圖案,圖案設計得越粗,從而可容易地在晶圓上形成。 口此,對於孤立之圖案1〇2(1)之邊緣1’(用粗線表示),附 加大於其附近之密集圖案101之修正值(邊緣移動量),使圖 案變粗。之後,為了可在晶圓上形成與該設計圖案相同之 圖案形狀,進一步透過PPC修正光罩圖案,形成晶圓上之完 成圖案。另外,對於密集圖案1〇1,由於通常進行此種密集 圖案之解像用的製程條件已定’所以不需進行目標請處 理。 此% ’用圓圈P圈出之部分成為密集圖案1〇1與孤立圖案 102之間之中間圖案。因此,由於在附近之部分存在密集圖 案10卜所以該部分被視為密集之圖案,而不加修正值。另 外右將口亥中間圖案視為孤立之圖案,則需進行與其附近 之邊緣1’相同之修正而附加極大之修正值,使其與相鄰圖案 2之間之距離變得非常短。 其結果’在先前之目標MDP處理中,在此種密集圖案與 孤立圖案之間之中間杳 、 Ί F位難以確保充分之微影容限範圍, 導致在晶圓上引起斷線/短路。 本么明之目的在於提供—種對密集圖案與孤立圖宰之 〇間部㈣㈣當修正之圖案修正方法、圖案修^統 94289.doc 1283360 及圖案修正程式。 種使用對密集圖案與孤 正後之設計圖案之光罩 另外,本發明之目的在於提供一 立圖案之間之中間部位進行適當修 製造方法及半導體裝置製造方法。 另外,本發明之目的在於 ^ ^ _ 彳/、種對始、集圖案與孤立圖 木之間之中間部位進行適當修正之設計圖案。 【發明内容】 法、圖案 、圖案修 為解決問題並達到目的,本發明之圖案修正方 修正系統、光罩製造方法、半導體裝置製造方法 正程式及設計圖案係如以下構成。 本1明之圖案修正方法係對應於構成設計圖案之對象圖 案與配置於該對象圖案附近之附近圖案之間之配置狀態, 修正該對象圖案之形狀者,其具有:第丨檢測步驟,檢測上 述對象圖案邊緣之第1特定部與上述附近圖案之間之第i配 置狀態;第2檢測步驟,檢測上述對象圖案邊緣之第2特定 部與上述附近圖案之間之第2配置狀態;決定步驟,根據對 應於上述第1配置狀態和上述第2配置狀態之規則,決定對 象圖案邊緣之修正值;及修正步驟,對上述對象圖案之邊 緣附加上述修正值。本發明之圖案修正系統係藉由上述圖 案修正方法來修正設計圖案。 本發明之光罩製造方法係使用藉由上述圖案修正方法予 以修正之設計圖案來製造光罩。 本發明之半導體裝置製造方法係使用以上述光罩製造方 法所製造之光罩來製造半導體裝置。 94289.doc 1283360 本發明之圖案修正程式係使電腦執行如下步驟··第1檢 測步驟,檢測構成設計圖案之對象圖案邊緣之第1特定部與 配置於上述對象圖案附近之附近圖案之間之第1配置狀 態;第2檢測步驟,檢測上述對象圖案邊緣之第2特定部與 上述附近圖案之間之第2配置狀態;決定步驟,根據對應於 上述第1配置狀態與上述第2配置狀態之規則,決定上述對 象圖案之邊緣修正值;及修正步驟,對上述對象圖案邊緣 附加上述修正值。 本t明之《又汁圖案中,對象圖案在其附近之圖案配置變 化之部位具有2個以上之階差。 【實施方式】 下面,參照附圖說明本發明之實施方式。
圖1係根據本發明會痛古4 A 斗知月貝加方式之圖案修正方法中的目標 MDP處理之流程圖〇另外,
力卜圖2_圖6係表示實施本目標MDP 處理之设計圖案之圖。下面 卜面根據圖1、圖2-圖6來說明本 目標MDP處理之步驟。另抓 一 另外,该目標MDP處理透過由未圖 示之電腦執行圖案修正程式來進行。 首先,如圖2所示,在步驟 中,分割作為處理對象之 圖案。圖2中表示之設許岡安 又冲圖*具有密集圖案101和孤立之圖 案102。在此,將處理對象 τ豕之一個圖案1分割成包含於密集 圖案101中之部分Α、構. #成孤立之圖案102之部分C,及兩者 中間之部分Β。 定圖案1中之各部分A、B、 配置於該等附近(鄰近)之 如圖3所示,在步驟S102中,測 C之邊緣A1、B1、C1之各端部與 94289.doc 1283360 回〃(邊緣ci附近之圖案未圖示)之間之第^距離sa、 C另外,在與圖案1之邊緣A1、B1、C1直交之方向 上存在有該等各圖案。 女圖4所不,在步驟31〇3中,抽取各邊緣、以之 中』A2、B2、C2。如圖5所示,在步驟81〇4中,測定各邊 緣 B1 C1之中點A2、B2、C2與配置於該等附近之各 圖案(邊緣m、C1附近之圖案未圖示)之間之第2距離sa,、 SBf、SC、 在步驟S105中,將第i距離SA、SB、sc與第2距離sa,、 SB’、SC,相比較。根據圖3、圖5,得到sa=sa,、sb<sb,、 sc^scr之判定結果。 在步驟S106中,對圖案丨進行修正。本目標汹〇1>處理之第 1修正規則中,對於根據上述步驟S105之比較結果判定為第 1距離與第2距離相等之邊緣,而對應與其附近之圖案之間 之距離規定修正值。此處,將邊緣與其附近之圖案之間之 基準距離分為SI、S2、S3,且S1<S2<S3。此時,將邊緣與 其附近之圖案之間的實際距離8為31<3$32時之修正值設 為a,將實際距離S為S2<SSS3時之修正值設為b。 在本實施方式中’ SA(SA’)SS1,故對邊緣八丨不進行修 正。另外,S1<SCS S2,對邊緣C1適用修正值a。 並且,本目標MDP處理之第2修正規則中,對於根據上述 步驟S105之比較結果判定為第1距離 <第2距離之邊緣,而對 應於與其附近之圖案之間之距離來規定修正值。此時之修 正值小於第1修正規則之修正值。例如,將邊緣與其附近之 94289.doc -10- 1283360 變,維持細長之圖案,所以難以確保容限範圍。 邊緣Bl(Bl’)中,從端部到附近之圖案之距離與從中點到 附近圖案之距離不同。此時,邊緣扪⑺⑺判定為從中點到 附近圖木之距離33,比從端部到附近圖案之距離83長,而適 用與上述第1修正規則不同之第2修正規則。該第2修正規則 乡值】、於苐1修正規則之修正值。透過適用該第2修正 規則,可對在第1修正中未附加修正值之邊緣Β1(Βι,)亦附加 適當之修正值。 透過此種方法,即使對先前方法中未施加修正而無法充 分確保容限範圍之邊緣也可進行修正,所以容限範圍大為 提南。 ”、 圖7係表示適用第2修正規則來實施上述之目標MDp處理 之情形的設計圖案之圖。另外,下表係可使用於第2修正規 則之修正表之 實例。 表1 W R1 R2 修正量(mm) W<100 O^RKIOO R2<100 0 0$ W<100 RK100 100^R2<1000 + 10 W<100 100^ Rl<200 任意值 + 15 W<100 200^ Rl<500 任意值 +20 W<100 500^ R1 任意值 + 30 100^ w<200 O^RKIOO 〇^R2<100 ~ 〇 100^ w<200 O^RKIOO 100^R2<1000 + 5 100^ w<200 100^ Rl<200 任意值 + 10 100^ W<200 200^ Rl<500 任意值 + 15 100^ w<200 500^ R1 任意值 +20 在圖7中’將作為對象之圖案1中之密集圖案與孤立圖案 之間之中間部分B之線寬設為W,將圖案1之邊緣全體與附 94289.doc -12· 1283360 近圖案2之間之距離設為仏丨,將部分6邊緣上之特定點(邊緣 中點附近之點)B3與附近之圖案(未圖示)之間之距離設為 ,將最接近圖案2與部分b之分割線34之延長線之間之距 離設為F。在F=150 nm之情形時,第2修正規則可根據上述 表決定修正值(修正量)。 囷(a) (b) (c)係表示利用先前方法和本發明方法形成 之設計圖案之圖。在各圖中,用圓圈圈出進行修正之部分。 在圖8(b)中,透過先前之目標MDp處理對圖8(勾中表示之修 正前之設計圖案進行修正,而在對象圖_上設h階階 差。相對的,在圖8(c)中,透過本發明之目標MDP處理對圖 8(a)中表示之修正前之設計圖案進行修正,而在對象圖案上 設有2階階差。 圖9⑷、(b)、(c)係表示基於先前方法和本發明方法形成 之设汁圖案之圖。在各圖中,用圓圈圈出進行修正之部分。 在圖9(b)中’透過先前之目標MDp處理對圖&⑷中表示之修 正前之設制案進行修正,而在對象㈣U上設有⑽階 差。相對的,在圖9(C)中,透過本發明之目標MDP處理對圖 9(a)中表示之修正前之設計圖案進行修正,而在對象圖宰上 設有2階階差。 =〇⑷、(b)、⑷係表示利用先前方法和本發明方法形成 案之w σ在各圖中’用圓圈圈出進行修正之部分。 在圖L〇(b)t,透過先前之目標MDp處理對圖1G⑷中表示之 修正前之設計圖案進行修正,而在對象圖㈣上設有i階階 〃才對的在圖10⑷中,透過本發明之目標齡p處理對圖 94289.doc -13- 1283360 使用對密集圖案與孤立 正之設計圖案之光罩製 另外,根據本發明,可提供一種 之圖案之間之中間部位進行適當修 造方法及半導體裝置製造方法。 另外,根據本發明,可提供一稽 安 檀對^集圖案與孤立之圖 木之間之中„位進行適當修正之 【圖式簡單說明】 圖1係本發明實施方式之圖幸 Q茶修正方法中的目標MDP處 理之流程圖。 目標MDP處理的設計 圖2係表示實施本發明實施方式之 圖案之圖。 圖3係表示實施本發明實施方式之目標腑處理的設計 圖案之圖。 圖4係表示實施本發明實施方式之目標Μ〇ρ處理的設計 圖案之圖。 圖5係表示實施根據本發明實施方式之目標MDp處理的 设计圖案之圖。 圖6係表不貫施根據本發明實施方式之目標處理的 没汁圖案之圖。 圖7係表示適用第2修正規則來實施本發明實施方式之目 標MDP處理的情形時之設計圖案之圖。 圖8(aHc)係表不利用先前方法和本發明方法形成之設 計圖案之圖。 圖9(a)-(c)係表示利用先前方法和本發明方法形成之設 計圖案之圖。 94289.doc -16-
Claims (1)
- I283BSS0 18886號專利申請案 — τ文申請專利範圍替換本(96年丨月)Γ 一一 —一 卿/月咖修(更)正替換頁丨 十、申請專利範圍: ! 1· 一種圖案修正方法,其係對應於構成設計圖案之對象圖 案與配置於該對象圖帛附近之附$圖案之間之配置狀 恶,修正該對象圖案之形狀者,其特徵在於包含: 第1檢測步驟,檢測上述對象圖案邊緣之第丨特定部與 上述附近圖案之間之第1配置狀態; 第2檢測步驟,檢測上述對象圖案邊緣之第2特定部與 上述附近圖案之間之第2配置狀態; 決定步驟,根據對應於上述第丨配置狀態及上述第2配 置狀態之規則,決定上述對象圖案邊緣之修正值;及 修正步驟,對上述對象圖案之邊緣附加上述修正值。 2. 如請求項1之圖案修正方法,其中上述決定步驟係根據對 應於上述第1配置狀態與上述第2配置狀態之比較結果之 兩個規則’決疋上述對象圖案之邊緣修正值。 3. 如請求項1之圖案修正方法,其中上述第1及第2配置狀態 係上述對象圖案之邊緣與存在於與該邊緣直交之方向上 之上述附近圖案之邊緣之間的距離。 4·如請求項1之圖案修正方法,其中上述第1及第2配置狀態 係上述對象圖案之寬度。 5 ·如請求項1之圖案修正方法,其中上述決定步驟係在上述 第1配置狀態與上述第2配置狀態相等之情況下決定第! 修正值,在上述第2配置狀態大於上述第1配置狀態之情 況下決定第2修正值,上述第2修正值係小於上述第丨修正 值。 94289-960130.doc Ψ: 1283360 --*·*·.·.··...— - ··-. ·: 6.如請求項:之圖案修正方法’其中在執行上述修正步驟之 修正後’藉由光學近接效果修正決定光罩圖案。 7·如請求項6之圖案修正方法,其中透過使上述修正步驟修 正後之設計圖案與藉由上述光罩圖案而形成於晶圓上之 圖案之形狀-致的方式’衫上述光學近接效果修正。 8· -種光罩製造方法’其特徵係使用藉由請求項⑴中任 一項之圖案修正方法予以修正之設計圖案來製造光罩。 9. 一種半導體裝置製造方法,其特徵係使用請求項8之光罩 製造方法所製造之光罩來製造半導體裝置。 10· —種電腦可讀取之記錄媒體,其係使電腦執行如下步驟: 第1檢測步驟,檢測構成設計圖案之對象圖案邊緣之第i 特疋部與配置於上述對象圖案之附近之附近圖案之間之 第1配置狀態; 第2檢測步驟,檢測上述對象圖案邊緣之第2特定部與上 述附近圖案之間之第2配置狀態; 決定步驟,根據對應於上述第1配置狀態與上述第2配置 狀態之規則,決定上述對象圖案之邊緣修正值;及 修正步驟,對上述對象圖案邊緣附加上述修正值。 94289-960130.doc 2-
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