CN109143773B - 一种光学临近修正前的预处理方法 - Google Patents
一种光学临近修正前的预处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109143773B CN109143773B CN201811204210.7A CN201811204210A CN109143773B CN 109143773 B CN109143773 B CN 109143773B CN 201811204210 A CN201811204210 A CN 201811204210A CN 109143773 B CN109143773 B CN 109143773B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- edge
- graph
- rectangle
- short
- adjacent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Image Generation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供一种光学临近修正前的预处理方法,属于微电子光学临近修正技术领域,包括:将原始目标图形输入预处理软件;扩展第一短边和第一邻边形成正交方向的第一矩形,扩展第二短边和第二邻边形成正交方向的第二矩形;通过预处理软件选定第三邻边,并将第三邻边向两端延长一预定长度后扩展第三邻边形成第三矩形;将第一矩形和第二矩形做逻辑和运算处理后得到第一图形,并将第一图形与第三矩形做逻辑非处理后得到第一多边形;将原始目标图形和第一多边形合并得到处理后目标图形。本发明的有益效果:可以针对性的填充斜边上的图形缺口,从而去除不利于光学临近修正的因素,使OPC结果更好的符合预期。
Description
技术领域
本发明涉及微电子光学临近修正技术领域,尤其涉及一种光学临近修正前的预处理方法。
背景技术
随着集成电路技术的不断发展,基于模型的OPC(Optical ProximityCorrection,光学临近修正的简称)已广泛的应用于关键层次的掩模版制造过程中,基于模型的OPC根据建立的模型可以很好的模拟曝光后硅片上的成像,通过对掩模版图形进行补偿,可以使硅片上的图形与设计或目标图形保持一致,解决光学临近效应造成的图形失真现象。
基于模型的OPC会将目标图形按规则切割成片段,并在片段上设置量测点,边模拟边修正,最终使模拟结果在量测点处与目标图形一致。
然而在设计图形或设计图形的前处理过程中,可能会存在或产生一些不利于光学临近修正的图形,如小的凸起,或小的图形缺口。它们的存在不违反设计规则,但会导致光学临近修正的结果不合理,比如断线、桥接、无法修正到目标等。
现有的OPC处理流程中会在OPC修正前去除这些突起或图形缺口,方法是选出凸起或缺口的短边,根据短边与其邻边的距离和角度关系形成包含两条边的矩形,原始图形去除或合并该矩形后得到新的目标图形。由于常规的图形边与坐标轴正交,采用上述方法可以有效处理图形凸起或图形缺口,然而对于斜边上的图形凸起或图形缺口,无法直接形成包含短边与其邻边的图形填充区域,故不能使用上述方法处理。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明涉及一种光学临近修正前的预处理方法。
本发明采用如下技术方案:
一种光学临近修正前的预处理方法,用于在进行光学临近修正前对原始目标图形进行预处理,以去除所述原始目标图形的斜边上的图形缺口得到处理后目标图形,所述原始目标图形由一斜边和多个直角边构成,所述图形缺口由第一短边、位于所述第一短边斜下方的第二短边以及夹在所述第一短边和所述第二短边之间的第三邻边构成,与所述第一短边连接的部分所述斜边为第一邻边,与所述第二短边连接的部分所述斜边为第二邻边;所述预处理方法包括:
步骤S1、将所述原始目标图形输入预处理软件,所述预处理软件中预存一正交坐标系统;
步骤S2、通过所述预处理软件分别选定所述第一短边、所述第一邻边、所述第二短边以及所述第二邻边,并扩展所述第一短边和所述第一邻边形成包含所述第一短边和所述第一邻边且相对所述正交坐标系统为正交方向的第一矩形,以及扩展所述第二短边和所述第二邻边形成包含所述第二短边和所述第二邻边且相对所述正交坐标系统为正交方向的第二矩形;
步骤S3、通过所述预处理软件选定所述第三邻边,并将所述第三邻边向两端延长一预定长度后扩展所述第三邻边形成第三矩形;
步骤S4、通过所述预处理软件将所述第一矩形和所述第二矩形做逻辑和运算处理后得到第一图形,并将所述第一图形与所述第三矩形做逻辑非处理后得到第一多边形;
步骤S5、通过所述预处理软件将所述原始目标图形和所述第一多边形合并得到所述处理后目标图形。
优选的,所述图形缺口的类型包括图形凸起和图形凹槽。
优选的,所述步骤S1中,将所述原始目标图形输入所述预处理软件后,所述原始目标图形的每个所述直角边分别与所述正交坐标系统中的一坐标轴平行,所述原始目标图形的所述斜边与所述正交坐标系统中的一所述坐标轴呈一倾斜角度。
优选的,所述倾斜角度包括45度。
优选的,所述第一短边和所述第二短边平行且相等。
优选的,所述步骤S3中,所述预定长度大于所述第一邻边和所述第二邻边长度的和。
优选的,所述步骤S3中,扩展所述第三邻边形成所述第三矩形时,扩展长度大于所述第一邻边长度的二分之一且扩展长度大于所述第二邻边长度的二分之一。
本发明的有益效果:提供一种图形预处理方法,可以针对性的填充斜边上的图形缺口,从而去除不利于光学临近修正的因素,使OPC 结果更好的符合预期。
附图说明
图1为本发明的一种优选实施例中,光学临近修正前的预处理方法的流程图;
图2-5为本发明的一种优选实施例中,光学临近修正前的预处理方法的流程示意图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,下述技术方案,技术特征之间可以相互组合。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:
如图1-5所示,一种光学临近修正前的预处理方法,用于在进行光学临近修正前对原始目标图形进行预处理,以去除所述原始目标图形的斜边上的图形缺口得到处理后目标图形,所述原始目标图形由一斜边和多个直角边1构成,所述图形缺口由第一短边2、位于所述第一短边2斜下方的第二短边3以及夹在所述第一短边2和所述第二短边3之间的第三邻边6构成,与所述第一短边2连接的部分所述斜边为第一邻边4,与所述第二短边3连接的部分所述斜边为第二邻边5;所述预处理方法包括:
步骤S1、将所述原始目标图形输入预处理软件,所述预处理软件中预存一正交坐标系统,预处理软件为Calibre DRC软件;
步骤S2、根据实际尺寸、相邻两边长度及角度选择斜边上图形缺口的所述第一短边2、所述第一邻边4、所述第二短边3以及所述第二邻边5,通过所述预处理软件扩展所述第一短边2和所述第一邻边 4形成包含所述第一短边2和所述第一邻边4且相对所述正交坐标系统为正交方向的第一矩形7,并扩展所述第二短边3和所述第二邻边 5形成包含所述第二短边3和所述第二邻边5且相对所述正交坐标系统为正交方向的第二矩形8;
步骤S3、根据实际尺寸、相邻两边长度及角度选择所述第三邻边 6,通过所述预处理软件选定所述第三邻边6,并将所述第三邻边6 向两端延长一预定长度后扩展所述第三邻边6形成第三矩形9;
步骤S4、通过所述预处理软件将所述第一矩形7和所述第二矩形 8做逻辑和运算处理后得到第一图形,并将所述第一图形与所述第三矩形9做逻辑非处理后得到第一多边形10;
步骤S5、通过所述预处理软件将所述原始目标图形和所述第一多边形10合并得到所述处理后目标图形,处理后目标图形为光学临近修正目标图形,基于该处理后目标图形进行OPC处理不会导致异常的OPC结果。
现有技术中,与坐标轴正交的图形边上的凸起或缺口可以通过形成包含短边及邻边的矩形并去除或填充的方法处理,但斜边上的凸起或缺口难以用现有的上述方法处理。在基于模型的OPC修正过程中,一些斜边上的图形缺口容易导致不合理的OPC修正,模拟图形与目标图形差距较大。设计图形直接进行基于模型的光学临近修正,由于斜边缺口的存在,修正结果一致性不好,最大会有10倍最小精度格点的差异,且模拟图形与目标图形差距较大。
在本实施例中,本发明提供一种图形预处理方法,可以针对性的填充斜边上的图形缺口,从而去除不利于光学临近修正的因素。经过图形预处理将斜边缺口填起后,修正结果一致性有大幅提升,最大差异为1个最小精度格点,且模拟图形能更接近目标图形。
具体的,通过形成正好能覆盖斜边上图形缺口的最小边界框区域 (即第一多边形10),并与原始目标图形合并后形成新的目标图形 (即处理后目标图形)。新的目标图形去除了导致异常OPC结果的斜边上图形缺口,从而能得到更合理的基于模型的OPC结果。
较佳的实施例中,所述图形缺口的类型包括图形凸起和图形凹槽。
在本实施例中,不管是相对于所述斜边的图形凸起还是图形缺口都是由两个短边(第一短边2和第二短边3)和一个夹在两个短边中间的长边(第三邻边6)构成。
较佳的实施例中,所述步骤S1中,将所述原始目标图形输入所述预处理软件后,所述原始目标图形的每个所述直角边1分别与所述正交坐标系统中的一坐标轴平行,所述原始目标图形的所述斜边与所述正交坐标系统中的一所述坐标轴呈一倾斜角度。
在本实施例中,正交坐标系统包括一x轴和一y轴,原始目标图形输入所述预处理软件后,原始目标图形的直角边1要么与x轴垂直与y轴平行,要么与y轴垂直与x轴平行,而原始目标图形的斜边与 x轴呈一倾斜角度。
较佳的实施例中,所述倾斜角度包括45度。
在本实施例中,倾斜角度为45度时,斜边与正交坐标系统的x 轴呈45度。
较佳的实施例中,所述第一短边2和所述第二短边3平行且相等。
在本实施例中,所述第一短边2和所述第二短边3平行且相等也可以不平行也不相等。当倾斜角度为45度时,若所述第一短边2和所述第二短边3平行且相等,第一短边2与第一邻边4和第三邻边6 的夹角可分别为135度和225度,同样的,第二短边3与第二邻边5 和第三邻边6的夹角可分别为135度和225度。
较佳的实施例中,所述步骤S3中,所述预定长度大于所述第一邻边4和所述第二邻边5长度的和。
较佳的实施例中,所述步骤S3中,扩展所述第三邻边6形成所述第三矩形9时,扩展长度大于所述第一邻边4长度的二分之一和所述第二邻边5长度的二分之一。
通过说明和附图,给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例,基于本发明精神,还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例,然而,这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (4)
1.一种光学临近修正前的预处理方法,用于在进行光学临近修正前对原始目标图形进行预处理,以去除所述原始目标图形的斜边上的图形缺口得到处理后目标图形,所述原始目标图形由一斜边和多个直角边构成,所述图形缺口由第一短边、位于所述第一短边斜下方的第二短边以及夹在所述第一短边和所述第二短边之间的第三邻边构成,与所述第一短边连接的部分所述斜边为第一邻边,与所述第二短边连接的部分所述斜边为第二邻边;其特征在于,所述预处理方法包括:
步骤S1、将所述原始目标图形输入预处理软件,所述预处理软件中预存一正交坐标系统;
步骤S2、通过所述预处理软件扩展所述第一短边和所述第一邻边形成包含所述第一短边和所述第一邻边且相对所述正交坐标系统为正交方向的第一矩形,并扩展所述第二短边和所述第二邻边形成包含所述第二短边和所述第二邻边且相对所述正交坐标系统为正交方向的第二矩形;
步骤S3、通过所述预处理软件选定所述第三邻边,并将所述第三邻边向两端延长一预定长度后扩展所述第三邻边形成第三矩形;
步骤S4、通过所述预处理软件将所述第一矩形和所述第二矩形做逻辑和运算处理后得到第一图形,并将所述第一图形与所述第三矩形做逻辑非处理后得到第一多边形;
步骤S5、通过所述预处理软件将所述原始目标图形和所述第一多边形合并得到所述处理后目标图形;
所述步骤S1中,将所述原始目标图形输入所述预处理软件后,所述原始目标图形的每个所述直角边分别与所述正交坐标系统中的一坐标轴平行,所述原始目标图形的所述斜边与所述正交坐标系统中的一所述坐标轴呈一倾斜角度;
所述倾斜角度包括45度;
所述第一短边和所述第二短边平行且相等;
则所述第一短边和所述第一邻边的夹角为135度,所述第一短边和所述第三邻边的夹角为225度。
2.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述图形缺口的类型包括图形凸起和图形凹槽。
3.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述步骤S3中,所述预定长度大于所述第一邻边和所述第二邻边长度的和。
4.根据权利要求3所述的预处理方法,其特征在于,所述步骤S3中,扩展所述第三邻边形成所述第三矩形时,扩展长度大于所述第一邻边长度的二分之一且扩展长度大于所述第二邻边长度的二分之一。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811204210.7A CN109143773B (zh) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 一种光学临近修正前的预处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811204210.7A CN109143773B (zh) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 一种光学临近修正前的预处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109143773A CN109143773A (zh) | 2019-01-04 |
CN109143773B true CN109143773B (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=64812089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811204210.7A Active CN109143773B (zh) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 一种光学临近修正前的预处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109143773B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111308857B (zh) * | 2020-02-25 | 2023-08-11 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种转角opc检查方法 |
CN113495426A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光学临近效应修正方法及装置 |
CN113703277A (zh) * | 2020-05-20 | 2021-11-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 图形修正方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101675385A (zh) * | 2007-09-28 | 2010-03-17 | 新思科技有限公司 | 通过对掩膜拐角圆化效果进行建模来改进工艺模型准确度 |
CN101989309A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 联华电子股份有限公司 | 修正布局图案的方法 |
JP2014149443A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Renesas Electronics Corp | パターン補正方法、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN104570584A (zh) * | 2013-10-16 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种缺口线端的opc修正方法 |
CN106919009A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-04 | 上海华力微电子有限公司 | 光学邻近校正前的图形预处理方法 |
CN107506538A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学临近修正工艺的预处理方法 |
CN108132580A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-08 | 上海华力微电子有限公司 | 去除斜边凸起的方法 |
-
2018
- 2018-10-16 CN CN201811204210.7A patent/CN109143773B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101675385A (zh) * | 2007-09-28 | 2010-03-17 | 新思科技有限公司 | 通过对掩膜拐角圆化效果进行建模来改进工艺模型准确度 |
CN101989309A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 联华电子股份有限公司 | 修正布局图案的方法 |
JP2014149443A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Renesas Electronics Corp | パターン補正方法、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN104570584A (zh) * | 2013-10-16 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种缺口线端的opc修正方法 |
CN106919009A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-04 | 上海华力微电子有限公司 | 光学邻近校正前的图形预处理方法 |
CN107506538A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学临近修正工艺的预处理方法 |
CN108132580A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-08 | 上海华力微电子有限公司 | 去除斜边凸起的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109143773A (zh) | 2019-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109143773B (zh) | 一种光学临近修正前的预处理方法 | |
JP3549282B2 (ja) | 荷電ビーム描画データ作成方法およびその作成装置 | |
US8701071B2 (en) | Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect | |
US6832360B2 (en) | Pure fill via area extraction in a multi-wide object class design layout | |
US6871332B2 (en) | Structure and method for separating geometries in a design layout into multi-wide object classes | |
US6883149B2 (en) | Via enclosure rule check in a multi-wide object class design layout | |
CN106919009B (zh) | 光学邻近校正前的图形预处理方法 | |
US6895568B2 (en) | Correction of spacing violations between pure fill via areas in a multi-wide object class design layout | |
US6536015B2 (en) | Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium | |
CN103885282B (zh) | 一种减少opc修正后验证误报错的方法 | |
CN103336406B (zh) | 一种去除不利opc修正的图形预处理方法 | |
JP2014081472A (ja) | 光近接効果補正方法、処理装置、プログラム、マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
CN114611452B (zh) | 基于电路原理图在版图中自动生成Sub Cell的方法 | |
CN107506538B (zh) | 一种光学临近修正工艺的预处理方法 | |
CN108132580B (zh) | 去除斜边凸起的方法 | |
JPH05120373A (ja) | 設計検証装置 | |
CN105807555A (zh) | 一种提高opc修正精度的方法 | |
CN100592494C (zh) | 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法 | |
CN117389114A (zh) | 掩模设计版图模糊检测方法、存储介质及图形修复设备 | |
CN108520128B (zh) | 集成电路设计方法和计算机可读存储介质 | |
JP2007292983A (ja) | 半導体レイアウトパタン検証装置及びマスクパタン生成装置 | |
US8383299B2 (en) | Double patterning mask set and method of forming thereof | |
CN115587569A (zh) | 芯片版图的设计规则检查方法、系统及存储介质 | |
CN105892223B (zh) | 一种优化opc验证的方法 | |
KR20050062567A (ko) | 마스크 패턴 보정방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |