CN111308857B - 一种转角opc检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种转角OPC检查方法，提供经OPC修正后的目标层图形；对所述目标层图形的转角进行切角处理，得到切角斜边；在所述切角斜边增加标识层；在标识层内进行边缘放置误差检查，监测转角修正异常的结果。本发明对光刻版图的OPC修正后的目标层图形，将其转角进行特定切角处理，对处理后的缺角斜边，在其特定位置添加标识层，在标识层内进行常规的EPE检查，即可有效实现检查转角的OPC修正情况，克服传统OPC检查无法监测转角修正结果的缺点。

Description

一种转角OPC检查方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种转角OPC检查方法。
背景技术
常规的OPC(光学邻近修正)结果检查，对于转角或者台阶结构，由于转角圆化效应，对顶点一定长度以内的图形边界不能够作边缘放置误差(edge placement error，EPE)检查，否则会产生大量误报错误，因此仅对顶点一定长度以外的图形边界做EPE检查，但此检查方式无法很好地检查并有效监控转角本身的修正情况，若出现图形修正偏离目标(offtarget)，很难被OPC检查发现，潜藏转角图形尺寸失控的风险。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种转角OPC检查方法，用于解决现有技术中OPC目标层图形中转角一定长度以内图形边界不能进行边缘放置误差检查，从而无法有效监控转角修正是否偏离目标的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种转角OPC检查方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供经OPC修正后的目标层图形；
步骤二、对所述目标层图形的转角进行切角处理，得到切角斜边；
步骤三、在所述切角斜边增加标识层；
步骤四、在标识层内进行边缘放置误差检查，监测转角修正异常的结果。
优选地，步骤二中所述目标层图形的转角为90度转角。
优选地，步骤二中所述目标层图形的转角为270度转角。
优选地，步骤二中对所述目标层图形的转角进行切角处理的方法包括：对所述目标层图形的修正mask层进行OPC模拟，得到模拟后所述转角的轮廓曲线；作该转角轮廓曲线的切线，该切线与该目标层图形转角的两条邻边的交点P1、P2构成所述切角的位置。
优选地，步骤二中所述目标层图形的转角的两条邻边长度均大于或等于数值L，该数值L为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍，并且所述交点P1、P2到该转角顶点的距离相等。
优选地，步骤二中所述目标层图形的最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。
优选地，步骤二中所述目标层图形的转角的两条邻边中，其中一条邻边的长度小于或等于数值L1，并且该邻边的中点为所述交点P1；另一条邻边的长度大于数值L2，所述交点P2为该转角轮廓曲线经过所述交点P1的切线与所述另一条邻边的交点，所述数值L1、L2均为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍。
优选地，所述目标层图形中最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。
优选地，步骤二中所述邻边长度的数值L2大于数值L1。
优选地，步骤二中得到的所述切角斜边的长度为
优选地，步骤三中在所述切角斜边增加标识层的方法为：选取所述切角斜边的中点，沿垂直于该斜边的两个方向各扩大数值X，沿平行于该斜边的两个方向各扩大数值Y，生成所述标识层；所述数值X的取值范围为0<x<50nm；所述数值Y的取值范围为0<Y<20nm，所述标识层用于定义所述切角斜边进行所述边缘放置误差检查的图形位置。
如上所述，本发明的转角OPC检查方法，具有以下有益效果：本发明对光刻版图的OPC修正后的目标层图形，将其转角进行特定切角处理，对处理后的缺角斜边，在其特定位置添加标识层，在标识层内进行常规的EPE检查，即可有效实现检查转角的OPC修正情况，克服传统OPC检查无法监测转角修正结果的缺点。
附图说明
图1显示为本发明的一种转角类型的示意图；
图2显示为本发明的另一种转角类型示意图；
图3显示为本发明图标图形层作切角处理后的示意图；
图4显示为本发明中在切角斜边增加标识层后的示意图；
图5显示为本发明中异常转角修正结果示意图；
图6显示为本发明中正常转角修正结果示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种转角OPC检查方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供经OPC修正后的目标层图形；本发明进一步地，步骤二中所述目标层图形的转角为90度转角。或者步骤二中所述目标层图形的转角为270度转角。本实施例中，步骤二中所述目标层图形的转角包括90度转角和270度转角。如图1和图2所示，图1显示为本发明的一种转角类型的示意图，图1中的转角为90度转角，图2显示为本发明的另一种转角类型示意图，图2中的转角为270度转角。
步骤二、对所述目标层图形的转角进行切角处理，得到切角斜边。
本发明进一步地，步骤二中对所述目标层图形的转角进行切角处理的方法包括：1、对所述目标层图形的修正mask层进行OPC模拟，得到模拟后所述转角的轮廓曲线；如图1中90度转角经过OPC模拟后得到该90度转角的(contour层)轮廓曲线；2、作该转角轮廓曲线的切线，该切线与该目标层图形转角的两条邻边的交点构成所述切角的位置。如图1中，作90度转角的轮廓曲线的切线，该切线与该目标层图形转角(90度转角)的两条邻边各形成一个交点，分别为P1、P2，因此P1、P2与所述两条邻边的交点为所述切角的位置。本发明进一步地，步骤二中所述目标层图形的转角的两条邻边长度均大于或等于数值L，该数值L为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍，并且所述交点P1、P2到该转角顶点的距离相等。也就是说，图1中目标层图形90度的转角，其两条邻边长度均大于或等于所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍。本发明进一步地，对于转角为90度的所述目标层图形，所述目标层图形的最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。本发明再进一步地，本实施例中步骤二中所述目标层图形的90度转角的两条邻边长度均大于200nm。本发明再进一步地，步骤二中得到的所述切角斜边的长度为75nm。也即对所述90度转角所作的切角斜边长度为75nm。
本发明进一步地，本实施例中对所述目标层图形转角为270度的转角进行切角处理的方法包括：1、对所述目标层图形的修正mask层进行OPC模拟，得到模拟后所述转角的轮廓曲线；如图2所示，图2中270度转角经过OPC模拟后得到该270度转角的轮廓曲线；2、作该转角轮廓曲线的切线，该切线与该目标层图形转角的两条邻边的交点P1、P2构成所述切角的位置。如图2所示，图2中作270度转角的轮廓曲线的切线，该切线与该转角的两条邻边的分别形成两个交点P1、P2，交点P1、P2的位置即为对所述转角形成切角的位置。
本发明进一步地，本实施例中，如图2所示，步骤二中所述目标层图形的270度转角的两条邻边中，其中一条邻边的长度小于或等于数值L1，并且该邻边的中点为所述交点P1；另一条邻边的长度大于数值L2，所述交点P2为该转角轮廓曲线经过所述交点P1的切线与所述另一条邻边的交点，所述数值L1、L2均为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍。并且对于转角为270度的所述目标层图形，该目标层图形中最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。再进一步地，所述邻边长度的数值L2大于数值L1。更进一步地，所述数值L1为100nm，所述数值L2为200nm。也即所述270度转角的两条邻边中，有一条邻边长度小于或等于100nm，该邻边的中点即为所述切线与该邻边的交点P1，该270度转角的另一邻边的长度大于200nm，所述切线即为该转角轮廓曲线经过所述交点P1的切线，该切线与该长度大于200nm的领边的交点即为所述交点P2。并且该步骤中对于转角为270度的所述切角斜边的长度为如图3所示，图3显示为本发明图标图形层作切角处理后的示意图。图3中为包含本实施例中的90度转角和270度转角的目标图形层经过切角处理后形成的图形。
步骤三、在所述切角斜边增加标识层；进一步地，步骤三中在所述切角斜边增加标识层的方法为：选取所述切角斜边的中点，沿垂直于该斜边的两个方向各扩大数值X，沿平行于该斜边的两个方向各扩大数值Y，生成所述标识层；所述数值X的取值范围为0<x<50nm；所述数值Y的取值范围为0<Y<20nm，所述标识层用于定义所述切角斜边进行所述边缘放置误差检查的图形位置。如图4所示，图4显示为本发明中在切角斜边增加标识层后的示意图。本实施例中，所述x取值为20nm，所述Y取值为5nm。即对切角目标层图形的缺角斜边，选取切角斜边的中点，沿垂直于斜边的两个方向各扩大20nm，沿平行于斜边的两个方向各扩大5nm，生成标识层。
步骤四、在标识层内进行边缘放置误差检查，监测转角修正异常的结果。如图5和图6所示，其中图5显示为本发明中异常转角修正结果示意图；图6显示为本发明中正常转角修正结果示意图。本实施例中使用切角的目标层图形，并在标识层内进行正常的边缘放置误差(EPE)检查，当EPE超出规格，例如大于3nm，会报错，监测出图5转角修正异常的结果。
综上所述，本发明对光刻版图的OPC修正后的目标层图形，将其转角进行特定切角处理，对处理后的缺角斜边，在其特定位置添加标识层，在标识层内进行常规的EPE检查，即可有效实现检查转角的OPC修正情况，克服传统OPC检查无法监测转角修正结果的缺点。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (11)

1.一种转角OPC检查方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供经OPC修正后的目标层图形；
步骤二、对所述目标层图形的转角进行切角处理，得到切角斜边；
步骤三、在所述切角斜边增加标识层；
步骤四、在标识层内进行边缘放置误差检查，监测转角修正异常的结果。
2.根据权利要求1所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述目标层图形的转角为90度转角。
3.根据权利要求1所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述目标层图形的转角为270度转角。
4.根据权利要求2或3所述的转角OPC检查方法，其特征在于：对所述目标层图形的修正Mask层进行OPC模拟,得到模拟后所述转角的轮廓曲线；作该转角轮廓曲线的切线，该切线与该目标层图形转角的两条邻边的交点P1、P2构成所述切角的位置。
5.根据权利要求4所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述目标层图形的转角的两条邻边长度均大于或等于数值L，该数值L为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍,并且所述交点P1、P2到该转角顶点的距离相等。
6.根据权利要求5所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述目标层图形的最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。
7.根据权利要求4所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述目标层图形的转角的两条邻边中，其中一条邻边的长度小于或等于数值L1，则该邻边的中点为所述交点P1；另一条邻边的长度大于数值L2，所述交点P2为该转角轮廓曲线经过所述交点P1的切线与所述另一条邻边的交点，所述数值L1、L2均为所述目标层图形中最小图形尺寸的0.5～6倍。
8.根据权利要求7所述的转角OPC检查方法，其特征在于：所述目标层图形中最小图形尺寸的取值为5nm-300nm。
9.权利要求7所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中所述邻边长度的数值L2大于数值L1。
10.根据权利要求7所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤二中得到的所述切角斜边的长度为
11.根据权利要求1所述的转角OPC检查方法，其特征在于：步骤三中在所述切角斜边增加标识层的方法为：选取所述切角斜边的中点，沿垂直于该斜边的两个方向各扩大数值X，沿平行于该斜边的两个方向各扩大数值Y，生成所述标识层；所述数值X的取值范围为0<x<50nm；所述数值Y的取值范围为0<Y<20nm，所述标识层用于定义所述切角斜边进行所述边缘放置误差检查的图形位置。
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